【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有する表示装置において、画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、スイッチ部またはバッファ部は、第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を挟む第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性とする。インバータ回路はＥＤＭＯＳ回路である。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１１１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１１１と重畳する第１酸化物半導体層１１３と、第１酸化物半導体層１１３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層と第２酸化物半導体層が積層された第１配線層１１７ａ及び第２配線層１１７ｂとを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極を走査線又は信号線と接続し、ゲート電極の電位を印加するための非線形素子の第１配線層又は第２配線層とゲート電極層の接続を直接接続することで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積の縮小を図る。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有する表示装置において、画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタの配線に接続する画素電極と、を有し、スイッチ部またはバッファ部は、第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を挟む第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるインバータ回路を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性とする。インバータ回路はＥＤＭＯＳ回路である。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３のチャネル形成領域と重なる領域を覆うチャネル保護層と、チャネル保護層上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられる共通接続部として適した構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素部の外側領域に設けられる共通接続部は、ゲート絶縁層と同じ層で形成された絶縁層上に、第２酸化物半導体層と同じ層で形成された酸化物半導体層と、導電層と同じ層で形成された導電層（共通電位線とも呼ぶ）とが積層された構成を有し、第１酸化物半導体層上に設けられた層間絶縁層の開口部を介して導電層（共通電位線とも呼ぶ）が共通電極と接続しており、画素電極と対向する電極が導電性粒子を介して共通電極と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に、ドレイン電極層またはソース電極層を形成した後、低抵抗な酸化物半導体層をソース領域またはドレイン領域として形成し、その上に半導体層として酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。好ましくは、半導体層として酸素過剰酸化物半導体層を用い、ソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、導電層４１と第２酸化物半導体層４０が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部と第２酸化物半導体層４０の側面部及び上面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークを低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決することを課題の一とする。高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と、ソース領域及びドレイン領域との間であって、且つ少なくともソース領域及びドレイン領域側に、窒素、ＮＨ基、またはＮＨ_２基を有する非晶質半導体層をバッファ層として有する。非晶質半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオン電流を高めると共に、微結晶半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】逆スタガ薄膜トランジスタの電気特性を高めることを目的とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極層と、半導体層と、ゲート電極層及び半導体層の間に設けられるゲート絶縁層と、半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、ソース領域に接するソース電極と、ドレイン領域に接するドレイン電極とを有する。さらに、ソース領域及びドレイン領域は、一導電型を付与する不純物が添加された微結晶半導体層で形成され、半導体層において、ソース領域及びドレイン領域と接する領域は結晶領域で形成されている。さらに、半導体層における結晶領域は、バックチャネル領域に形成されておらず分離されているため、対をなす。さらに、半導体層において、非晶質半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側（バックチャネル側）であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。すなわち、当該酸化物半導体層のバックチャネル側の面の酸素濃度を高くして、オフ電流の低減を図らんとするものである。酸化物半導体の酸素濃度を高くすることで微結晶の生成が抑制され非晶質化する。酸化物半導体において酸素濃度が高く非晶質化した領域は高抵抗化するので、電流は流れにくくなる。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の制御が可能で、スイッチング特性が良好な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】第１のゲート電極層と、半導体層と、第１のゲート電極層と半導体層との間に設けられた第１のゲート絶縁層と、半導体層とオーミック接触する層を介して半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極層と、第１のゲート電極層の一部と重畳して第１のゲート絶縁層と半導体層により覆われた導電層と、少なくとも半導体層のバックチャネル部を覆って設けられた第２のゲート絶縁層と、半導体層のバックチャネル部と重畳する、第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極層と、を有する薄膜トランジスタを提供する。または、導電層は、第１のゲート電極層の一部と重畳して半導体層の下に存在し、且つ前記半導体層よりも移動度の高い半導体により形成されていてもよい。第２のゲート電極層は、所謂バックゲートとして機能する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域の低抵抗化、および短チャネル効果を抑制しＳ値を低減した半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の半導体層１０２の上にゲート絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極１０４と、前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォール２０１と、該サイドウォールの端部２０２と、前記第１の半導体層１０２上に接して積層された第２の半導体層１０６と、を有し、前記第２の半導体層１０６は前記サイドウォールの端部２０２の少なくとも一部を覆って形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、オン電流を向上させ、電気的特性のばらつきを低減させる。
【解決手段】逆スタ、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製方法において、ソース電極及びドレイン電極から露出する一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層及びその下に接して形成されている層にある非晶質半導体層の一部を第１のドライエッチングにより除去し、第１のドライエッチングにより露出した非晶質半導体層の一部を第２のドライエッチングにより除去し、第２のドライエッチングにより露出した非晶質半導体層の表面にプラズマ処理を行うことにより変質層を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、オン電流を向上させ、電気特性のばらつきを低減させる。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成する半導体層の構成として、ゲート絶縁層側に複数の結晶領域を含む第１の半導体層を配置し、ソース領域およびドレイン領域側に非晶質構造を有する第２の半導体層を配置し、第１の半導体層と第２の半導体層との間にキャリアの流れを遮断しない厚さで絶縁層を配置する。第１の半導体層はゲート絶縁層と接する面に設けられる。第２の半導体層は、第１の半導体層がゲート絶縁層と接する面とは反対側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極を被覆するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられた微結晶半導体層と、微結晶半導体層及びゲート絶縁層に重畳する非晶質半導体層と、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域又はドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層とを有し、ゲート絶縁層は、微結晶半導体層の端部と接する近傍において、段差を有し、前記微結晶半導体層に接する第１の膜厚より、前記微結晶半導体層の外側の第２の膜厚が薄い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】表示画面の輝度設定に影響を与えずに光センサの検出精度を向上できる光センサ内蔵表示装置を提供する。
【解決手段】この光センサ内蔵表示装置は、ＴＦＴ（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）アレイ基板４０ａの各画素部に、微結晶シリコンＴＦＴで構成された画素駆動用ＴＦＴ２２と、微結晶シリコンＴＦＴで構成された第１の光電変換用ＴＦＴ２０と、非晶質シリコンＴＦＴで構成され、第１の光電変換用ＴＦＴ２０と並列接続された第２の光電変換用ＴＦＴ２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介して、少なくとも一部がゲート電極と重畳するように離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、前記ゲート絶縁層上で、前記ゲート電極、及び前記一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層の一方と重畳する導電層と、前記導電層上から前記ゲート絶縁層上に延在し、前記一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層の両方に接し、該一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層の間に連続して設けられる非晶質半導体層とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）