【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介して、少なくとも一部がゲート電極と重畳するように離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、ゲート絶縁層上で、ゲート電極及び一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と少なくとも一部が重畳し、チャネル長方向に離間して配設された一対の導電層と、ゲート絶縁層と一対の導電層に接し、該一対の導電層間に延在する非晶質半導体層と、を有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】保護回路の電気的特性を良好にさせ、占有面積を小さくすることを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを有する表示装置の信頼性を高めることを目的の一とする。
【解決手段】基板上に形成される第１配線と、第１配線と交差する第２配線と、第１配線及び第２配線を絶縁する絶縁膜とが形成され、第１配線及び第２配線の交差部において、第１配線または第２配線の一方が、第１配線または第２配線の他方側へ突出する保護回路である。また、第１配線及び第２配線を絶縁する絶縁膜は、第１配線及び第２配線の交差部において、凹部または分離部が形成され、当該領域において、第１配線または第２配線の一方が、第１配線または第２配線の他方側に突出する保護回路である。 （もっと読む）

薄膜トランジスタ構造体中に微結晶シリコン層を形成する方法を提供する。一実施形態において、微結晶シリコン層を形成する方法は、処理チャンバ内に基板を配置し、水素系ガス、シリコン系ガス及びアルゴンガスを有するガス混合物を処理チャンバに供給することを含み、このガス混合物は、約１００：１より大きい水素系ガス：シリコン系ガス体積流量比を有し、水素系ガスとシリコン系ガスとを合わせた総流量に対するアルゴンガスの体積流量比は約５％〜約４０％であり、また微結晶シリコン層を基板上に堆積する間、処理チャンバ内のガス混合物の処理圧力を約３Ｔｏｒｒより高く維持することを含む。
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【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタの電気特性を向上させる。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた半導体膜と、少なくとも半導体膜の側面を覆う膜と、半導体膜の側面を覆う膜上に形成される一対の配線とを有し、半導体膜は、ドナーとなる不純物元素が添加される薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増加を抑制して、製造工程において、プラスチック基板の変形及び支持基板からの剥離を抑制すると共に、プラスチック基板と支持基板との間への処理液の侵入を抑制する。
【解決手段】支持基板１に支持させたプラスチック基板１１を処理室に搬入した後にその処理室の内部を真空引きする真空引き処理よりも前にプラスチック基板１１に貫通孔１１ａを形成した後に、真空引き処理を行ったときにプラスチック基板１１と支持基板１との間に介在する気体を貫通孔１１ａを介して外部に排出させるように構成された蓋部材３によって貫通孔３を覆うようにした。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆方向電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜を用いて形成される薄膜トランジスタにおいて、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、ゲート絶縁膜最上層に、蛍石型構造を持つイットリア安定化ジルコニア膜を形成する。その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。また、微結晶半導体膜を形成する前に、表面プラズマ処理を行い、下地の結晶性に影響されやすい状態で微結晶半導体膜を堆積する。さらに、下地のイットリア安定化ジルコニアと微結晶半導体膜の結晶が一致しやすいように、微結晶半導体膜にゲルマニウムを添加する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス型表示装置の製造プロセスを短縮化し、投資効率、生産効率と生産歩留りを向上させ、かつ大幅なアクティブマトリックス素子の高性能化を実現する。
【解決手段】アクティブマトリックス型薄膜トランジスタ素子基板の製造工程において、ゲート電極をパターンニング後、ゲート絶縁膜を成膜する。
次に半導体層としてポリシリコン半導体層を成膜後アモルファスシリコン半導体層を真空をやぶらずに連続成膜する。その後ｎ^＋アモルファスシリコン半導体層を成膜してから、映像信号配線とドレイン電極を形成するための金属電極層を成膜する。その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、並びにそれらの作製方法を提案する。
【解決手段】微結晶ゲルマニウム膜と、微結晶ゲルマニウム膜の一方の面に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳する薄膜トランジスタ、及び当該薄膜トランジスタを備えた表示装置において、微結晶ゲルマニウム膜の他方の面にバッファ層が形成されている。チャネル形成領域に微結晶ゲルマニウム膜を用いることで、電界効果移動度及びオン電流の高い薄膜トランジスタを作製することができる。また、チャネル形成領域として機能する微結晶ゲルマニウム膜と、ソース領域またはドレイン領域との間に、バッファ層を設けることで、オフ電流の低い薄膜トランジスタを作製することができる。即ち、電気特性が優れた薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、並びにそれらを歩留まり高く作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の表面に形成されるシリコンを主成分とする結晶粒と、ゲート絶縁膜及び結晶粒を覆うゲルマニウムを主成分とする半導体膜と、ゲルマニウムを主成分とする半導体膜に接するバッファ層とが重畳する薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタを備えた表示装置である。 （もっと読む）

【課題】せり上げ構造を有する半導体装置において、せり上げる領域をエッチングする際に、活性層である島状半導体膜がエッチングされるのを抑制する。
【解決手段】島状半導体膜の表面を酸化あるいは窒化して第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の一部の領域上に半導体膜を形成し、第１の絶縁膜の一部を除去して島状半導体膜の中の半導体膜が形成されていない領域を露出させ、島状半導体膜の表面及び半導体膜を酸化あるいは窒化して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極を形成し、第２の絶縁膜をエッチングしてゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極をマスクとして島状半導体膜及び半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を添加し、島状半導体膜及び半導体膜を加熱して不純物元素を活性化させ、島状半導体膜及び半導体膜を加熱することにより第１の絶縁膜が消失する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた微結晶半導体層と、微結晶半導体層上に設けられた非晶質半導体層と、非晶質半導体層上に設けられた、側面が非晶質半導体層の側面と略同一面上に存在するソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース領域及びドレイン領域と重畳する非晶質半導体層は、チャネル形成領域と重畳する非晶質半導体層よりも厚く、ソース領域及びドレイン領域の側面と非晶質半導体層の側面は、非晶質半導体層の最表面とテーパ形状を形成し、該側面のテーパ角は、ソース領域及びドレイン領域と非晶質半導体層との接合部近傍における電界の集中を緩和することを可能とする角度の薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、成膜速度は低いが品質のよい成膜条件で下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜を形成し、その後、連続的もしくは段階的に高く変えた成膜速度にて微結晶半導体膜を堆積する。また、前記微結晶半導体膜は、成膜室の内側に空間をもって設けられた反応室内にて化学気相成長法にて形成され、さらに前記空間に水素、あるいは希ガスからなる封止ガスを導入し、反応室の内部を超高真空にすることを助け、下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜中の不純物を低いものとする。また、前記微結晶半導体膜をゲート絶縁膜上に形成し、ボトムゲートＴＦＴを作製する。 （もっと読む）

【課題】従来の液晶表示装置は、最低でも４枚以上のフォトマスクを使用してＴＦＴを作製していたため、製造コストが大きかった。
【解決手段】第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。ここで、島状の単層および島状の積層の側面に、サイドウォールを形成する。さらに、第２の多階調フォトマスクを用いた露光により第２のレジストパターンを形成し、第２の導電層および第２の半導体層をエッチングし、薄膜トランジスタ、画素電極、および接続端子を形成する。その後、第１の導電層と第２の導電層の金属層とをマスクとした裏面からの露光により、第３のレジストパターンを形成し、第３の絶縁層をエッチングし、保護絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、信頼性のある表示装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。さらに、基板上にゲート配線層とソース配線層を同工程で形成し、ゲート配線層とソース配線層の交差部においてはソース配線層を分断（切断）した形状とする。分断されたソース配線層は開口（コンタクトホール）を介してゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と同工程で形成された導電層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、微結晶半導体膜におけるドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記バッファ層にかけて減少し、バッファ層は、ＳＩＭＳの検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まない薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス型表示装置の製造プロセスを短縮化し、投資効率、生産効率を向上させ、かつゲート電極とドレイン電極のミスアライメントが発生しても、ゲート電極とドレイン電極との容量変化の発生をおさえることで、生産歩留りを向上させる。
【解決手段】アクティブマトリックス型表示装置の表示１画素につき、薄膜トランジスタのゲート電極が２個平列に形成されており、薄膜トランジスタのチャネル領域も２個平列に形成されている。そして薄膜トランジスタのドレイン電極は１本にまとめられ画素駆動電極につながっている。この構造により、ゲート電極とドレイン電極のミスアライメントが発生しても、ドレイン電極とゲート電極との容量変化をほとんど生じないようにした。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）