【課題】結晶性半導体を用いるボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、そのゲート電圧−ドレイン電流特性を向上させる。
【解決手段】基板上に、ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、ゲート電極、ゲート絶縁膜、結晶性半導体層が、基板側からこの順で積層され、結晶性半導体層が、基板とは反対側でソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ｏｆｆ電流が低下している薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うように形成されたシリコン窒化膜３と、シリコン窒化膜３上に形成された微結晶シリコンからなる微結晶Ｓｉ半導体層４と、微結晶Ｓｉ半導体層４に接して形成されているソース電極５およびドレイン電極６とを備えており、微結晶Ｓｉ半導体層４のゲート電極２と重畳する領域にチャネル領域１１が形成されており、チャネル領域１１の微結晶シリコンに対して水素プラズマ処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

液晶ディスプレー（ＬＣＤ）用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）マトリックスは、数回の層を形成するステップおよび数回の層を部分的にエッチングするステップの実行によって、用意することができる。フッ素および好ましくはフッ化カルボニルが、好ましくは酸素、Ｎ_２Ｏ、および／またはアルゴンと共に、エッチングガスとして使用される。本発明はさらにＦ_２もしくはフッ化カルボニル、Ｎ_２Ｏおよび任意選択によりアルゴンからなるガス混合物に関する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流および漏れ電流が抑制された薄膜トランジスタ、および前記薄膜トランジスタを歩留り良く製造することのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１２を介して順次形成されるＳｉ（ｉ）膜１３およびＳｉ（ｎ）膜１４上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン２２をマスクとしてエッチングし、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成する。酸素を含むプラズマで処理して、フォトレジストパターン２２の側面を後退させるとともに、ソース電極１５およびドレイン電極１６の側面および露出した上面にＡｌ酸化皮膜１７を形成する。残存するフォトレジストパターン２２およびＡｌ酸化皮膜１７をマスクとして、チャネル部１８のＳｉ（ｎ）膜１４およびＳｉ（ｉ）膜１３の表面の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】緻密な半導体膜を作製するためのプラズマＣＶＤ装置の構成を提供する。また、結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室にプラズマを生成するための電力が供給される電極を有する。この電極は、基板と対向する面に共通平面を有し、この共通平面に、凹状の開口部を有している。また、ガス供給口は、凹状の開口部の底部または電極の共通平面に設けられている。また、凹状の開口部はそれぞれが孤立するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】 移動度特性及び生産性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、コンタクト膜と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを具備し、前記半導体膜と前記ソース電極あるいはドレイン電極の間に前記コンタクト膜がある薄膜トランジスタを有する表示装置であって、前記コンタクト膜はＳｉを主成分とした膜であり、前記コンタクト膜中のIII族あるいはＶ族の不純物濃度のピークが前記コンタクト膜と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との界面から３ｎｍ以上離れている、あるいは不純物濃度が前記半導体膜側で高くなっている。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を生産性高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の処理室に設けられた複数の凸部を備える電極から、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し、高周波電力を供給し、グロー放電を発生させて、基板上に結晶粒子を形成し、該結晶粒子上にプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、本電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を量産性高く作製する。
【解決手段】一定流量の水素を導入しつつ、第１の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程と、第２の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程とを繰り返して、水素及びシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を混合し、高周波電力を供給して、基板上に微結晶半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減すると共に、酸化物半導体層を酸化する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。また、酸化物半導体層中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。また、バッファ層を設けてオフ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に製造される回路を提供し、ゲート／チャネルリードの過剰オーバーラップの問題を軽減する技法を提供する。
【解決手段】アレイはセルを含み、各セル１６が底部ゲートアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（ａ−ＳｉＴＦＴ）２０を有する。各ａ−ＳｉＴＦＴ２０は、そのゲート領域６０上に、そのエッジ８４、８６を越えて延出する未ドープアモルファスシリコン層６４を有する。各ａ−ＳｉＴＦＴ２０は、そのゲート領域６０のエッジ８４、８６とほぼ整合されるエッジ８０、８２を有する絶縁領域６６を有する。微晶質シリコン又は多結晶質シリコンのような、ドープ半導体材料からなる２つのチャネルリード７０、７２は未ドープアモルファスシリコン層６４上にあり、その各々は、絶縁領域のエッジに、最大オーバーラップ距離（１．０μｍ）以下の距離だけオーバーラップする。 （もっと読む）

【課題】均質で良質な膜を形成することのできるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマ処理装置の上部電極に第１導入孔（第１のガス管）が設けられた凸部と第２導入孔（第２のガス管）が設けられた凹部を有せしめ、該上部電極の第１導入孔（第１のガス管）は解離しにくいガスが充填された第１シリンダと接続され、第２導入孔（第２のガス管）は解離しやすいガスが充填された第２シリンダと接続され、該上部電極の凸部の表面に設けられた第１導入孔（第１のガス管）の導入口からは解離しにくいガスが反応室に導入され、凹部の表面に設けられた第２導入孔（第２のガス管）の導入口からは解離しやすいガスが反応室に導入される構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板上にＴＦＴ回路を製造する方法であって、高精度ゲート／リード整合の問題を解決する改善技法を提供する。
【解決手段】ドープ半導体層４０をプラズマエンハンスト化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）を用いて付着し、自己整合絶縁領域のエッジで自己整合接合を生成することにより高精度なゲート／リード整合を行う。次に、ドープ半導体層４０を自己整合リソグラフィー法（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を用いてパターン形成し、導電性リード６２を生成する。該導電性リード６２は、最大オーバーラップ距離以下の距離だけ絶縁領域２８にオーバーラップする自己整合エッジを有する。例えば、最大オーバーラップ距離は１．０μｍ未満か０．５μｍとすることができ、非常に小さなａ−ＳｉＴＦＴを可能にする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、該バッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第２の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるＥＤＭＯＳ回路を有する論理回路部を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１のゲート電極、ゲート絶縁層、第１の半導体層、第１の一対の不純物半導体層、及び第１の一対の配線を有し、第１の半導体層は、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体層と、混合領域と、非晶質半導体を含む層とが積層され、第２の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第２のゲート電極、ゲート絶縁層、第２の半導体層、第２の一対の不純物半導体層、及び第２の一対の配線を有し、第２の半導体層は、微結晶半導体層と、非晶質半導体層とが積層されている表示装置。 （もっと読む）

【課題】 移動度特性及び特性安定性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを具備し、少なくとも前記ソース電極及びドレイン電極の一部が前記半導体膜を挟んで前記ゲート絶縁膜の反対側に位置する薄膜トランジスタを有する表示装置であって、前記半導体膜は、１−８ｎｍの厚さの微結晶Ｓｉ膜と、前記微結晶Ｓｉ膜の前記ゲート絶縁膜側とは反対側に位置する非晶質Ｓｉ膜とを含む積層からなる。 （もっと読む）