【課題】フォトリソグラフィ法に用いるフォトマスクの枚数を少なくする。
【解決手段】第１の膜を形成し、該第１の膜上にフォトリソグラフィ法により第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて所定のパターンを有する第１の層を形成し、第１のレジストマスクを除去し、第２の膜を形成し、該第２の膜上にフォトリソグラフィ法により第１のレジストマスクと同一のフォトマスクにより第２のレジストマスクを形成し、該第２のレジストマスクを縮小して第３のレジストマスクを形成し、第３のレジストマスクを用いて所定のパターンを有する第２の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層にダメージを与えず、また、オフ電流の小さい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。このような構造を持つ薄膜トランジスタではドレイン電極等の金属層のエッチングによって半導体層がダメージを受けることはない。また、裏面照射によって紫外線の照射された半導体層部分を高導電率化するものであるため、半導体層へのダメージが生じないため信頼性が向上する。また、ソース電極又はドレイン電極によって紫外線が遮光された半導体層の領域は照射前の導電率と同じとなるため、オフ電流の値を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ、Ｇａなどのレアメタルを含まず、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタを提供し、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、オフ電流を低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。
【解決手段】Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、酸化物層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するようにトランジスタを形成することによって、トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】活性層と半導体層との接触面をホモ接合、あるいはホモ接合に限りなく近づけて、界面のバンド障壁を防止して大きなオン／オフ比を得ることができ、かつ製造コスト及び作業工数を低減できる。
【解決手段】薄膜半導体デバイスが、基板１と、基板１上に積層されたソース及びドレイン電極層３と、ソース及びドレイン電極層３上に積層された結晶性シリコンからなる不純物含有半導体層４と、不純物含有半導体層４上に積層された結晶性シリコンからなる活性層５と、活性層５上に積層されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６の上に積層されたゲート電極７と、を備え、不純物含有半導体層４と活性層５の接合面において、これらの結晶性を連続にする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】微結晶化による非晶質シリコンの残留割合を下げ、かつ生産効率を向上することができる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置の製造方法は、非晶質シリコンからなる第１の半導体層を形成する第１の半導体積層工程と、前記第１の半導体層の上面と接するとともに不純物が添加された第２の半導体層を形成する第２の半導体積層工程と、前記第２の半導体積層工程の後に行われ、前記第１の半導体層を加熱することにより前記第１の半導体層の少なくとも一部を微結晶化させる微結晶化工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおか
つコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】 画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有
する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制
御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁
膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成さ
れた一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純
物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを
特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を無機絶縁膜で覆うことなく加熱処理を行って酸化物半導体層が結晶化されると、結晶化による表面凹凸などが形成され、電気特性のバラツキが発生する恐れがある。
【解決手段】酸化物半導体層成膜直後から酸化物半導体層上に接して酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成する直前までの間に１回も加熱処理を行わず、基板上の酸化物半導体層上に接して第２の絶縁膜を形成した後に加熱処理を行うプロセス順序とする。また、酸化シリコンを含む無機絶縁膜において、膜中に含まれる水素密度は、５×１０^２０／ｃｍ^３以上、または窒素密度は、１×１０^１９／ｃｍ^３以上とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接する半導体層と、半導体層の一部に接し、ソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、を有し、半導体層において、ゲート絶縁層側に形成される微結晶半導体層と、当該微結晶半導体層に接する窒素を含む微結晶半導体領域とを有する。オフ電流が低く、オン電流が高い薄膜トランジスタを生産性高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。Ａ_１−Ａ_２（１）［Ａ_１およびＡ_２は、式（ａ）あるいは式（ｂ）で表される基


を表す］ （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンをチャンネル領域として用い、良好にリーク電流を抑制することが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、図１に示すように、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、半導体層（チャンネル領域）１１４と、エッチングストッパ膜１１５と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層１１６，１１７と、ドレイン電極１１８と、ソース電極１１９と、低濃度不純物含有半導体層１２０，１２１を備える。微結晶シリコンを用いたチャンネル領域１１４と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層１１６及び／又は高濃度不純物含有アモルファスシリコン層１１７との間に低不純物濃度半導体層１２０，１２１を設けることにより、良好にリーク電流を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有するトランジスタ又は当該トランジスタを具備する半導体装置において、電気的特性の劣化を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル層として用いるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の表面に接するようにシリコン層を設けると共に、当該シリコン層上に不純物半導体層を設け、当該不純物半導体層に電気的に接続するようにソース電極層及びドレイン電極層を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの劣化を抑制する。
【解決手段】第１薄膜トランジスタ乃至第１１トランジスタで構成される複数のパルス出力回路を構成し、各トランジスタを制御する複数のクロック信号、前段のパルス出力回路より入力される前段信号、後段のパルス出力回路より入力される後段信号、及びリセット信号に基づいて動作させる。そして当該薄膜トランジスタのチャネル領域となる半導体層を微結晶半導体で構成する。そして、薄膜トランジスタの特性劣化の程度を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】オン電流を増加させて駆動能力を大きくした半導体装置（ダブルゲート型薄膜トランジスタ）、この半導体装置を製造する半導体装置製造方法、この半導体装置を搭載したＴＦＴ基板、およびこのＴＦＴ基板を適用した表示装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁性基板１０（絶縁性基板１１０）の上に形成された第１ゲート電極１１と、第１ゲート電極１１の上に形成された第１絶縁層１２と、第１絶縁層１２の上に形成された半導体層１３と、半導体層１３の一端に接続されたソース電極１５と、ソース電極１５に対向して半導体層１３の他端に接続されたドレイン電極１６と、半導体層１３の上に形成された第２絶縁層１７と、第２絶縁層１７の上に形成された第２ゲート電極１９とを備え、第１ゲート電極１１および第２ゲート電極１９の少なくとも一方は、透明導電性材料で形成され、透明電極を構成している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。また、該酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを形成するにあたって、酸化物半導体層を用い、該酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より高い導電率を有するチタン化合物を含むクラスターを形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の高い微結晶半導体層を形成することを課題とする。また、電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に、窒素を含む絶縁層を形成する。次に、窒素を含む絶縁層上に、シリコンを含む堆積性気体と、窒素を含む酸化気体と、水素とを用い、プラズマを発生させて、酸化珪素層を形成する。次に、酸化珪素層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素とを用い、プラズマを発生させて、微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、該ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、該半導体層上に不純物半導体層を介して設けられたソース電極及びドレイン電極と、少なくとも前記半導体層を覆って設けられた保護層と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート絶縁層に接する結晶性半導体層と、前記結晶性半導体層よりもキャリア移動度が小さく前記不純物半導体層に接するバッファ層と、を有し、前記ゲート絶縁層と前記保護層は、前記半導体層のダングリングボンドを終端可能な成分を含む絶縁膜により形成した薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】大きなオン電流を維持したままオフ電流を低減するとともに、製造が容易なＬＤＤ領域を備える薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】平面視において、ドレイン電極１７１をゲート電極１２１から所定の距離だけ離して形成することによって、ＬＤＤ領域１６５となるオーミックコンタクト層１６１を水平方向に形成する。この場合、ＬＤＤ領域１６５は、ゲート電極１２１の電位に基づく電界の影響を受けにくくなり、実質的にドレイン電極１７１の電位に基づく電界による電界集中のみを緩和する。したがって、ＴＦＴ１００は、結晶性シリコン膜からなるチャネル領域１４１ｃを形成することにより、大きなオン電流を維持することができると同時に、オフ電流を十分低減することができる。 （もっと読む）