【課題】電界効果移動度が高い半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とすることを課題とする。
【解決手段】側面領域及び底面領域を有する凹部と、凹部以外の上面領域を有するゲート電極と、ゲート電極を覆って形成される、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に、チャネル形成領域を有する第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上に、ソース電極及びドレイン電極とを有し、凹部の側面領域上に積層されたゲート絶縁膜及び第１の半導体膜の膜厚が、ゲート電極の上面領域上に積層されたゲート絶縁膜及び第１の半導体膜の膜厚よりも薄い半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高い酸化物クラスターを形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファス
シリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のト
ランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を
同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このように
して、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少し
だけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】表示装置の作製のコストの低減を課題の一とする。
【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、ゲート端子及び第１端子が高電源電位を供給する配線に接続された第１の薄膜トランジスタと、第１の薄膜トランジスタの第２端子が第１端子に接続され、第２端子が低電源電位を供給する配線に接続され、ゲート端子に入力信号が供給される第２のトランジスタと、を有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは同じ極性であり、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、ゲート電極に接するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接する微結晶半導体層と、微結晶半導体層に接する混合層と、混合層に接する非晶質半導体を含む層と、配線とを有し、混合層において、錐形状の微結晶半導体領域と、錐形状の微結晶半導体領域を充填する非晶質半導体領域とを有する表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。画素電極層及び共通電極層は上方に形成される方を開口パターンを有する形状とし、下方に形成される方を平板状とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。酸化物半導体とその上に設けられるゲート電極の間にはチャネル保護層を設ける。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体領域を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、第１の酸化物半導体領域と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に、第１の酸化物半導体より導電率が低い第２の酸化物半導体領域を形成することによって、第２の酸化物半導体領域は第１の酸化物半導体領域の保護層として機能するので、第１の酸化物半導体領域の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉプロセスと、ポリ−Ｓｉプロセスとを組み合わせることが可能なプロセスを提供することである。
【解決手段】プロセス８００は、アモルファスシリコン又はアモルファスシリコンに適合可能なプロセスを用いて、ディスプレイパネル用のポリ−最終構造を形成する（ブロック８１０）。ポリ−最終構造は、チャネルシリコン前駆体を有する。次に、プロセス８００は、ポリシリコン固有のプロセスを用いて、ポリ−最終構造からディスプレイパネルを形成する（ブロック８２０）。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを用い、プラズマを発生させて、厚さ３〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの第１の半導体層を形成する。次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】また、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層上に形成される酸化物半導体層と、ゲート絶縁層及び酸化物半導体層上に形成される配線と、酸化物半導体層及び配線に接する有機樹脂層とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタで構成された駆動回路を有する表示装置において、回路が占める面積を大きくすることなく、薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減し、且つ薄膜トランジスタをオフにした際にソースとドレインの間を流れる電流を低減する。
【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、第１の酸化物半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタと、第２の酸化物半導体膜を有する第２のトランジスタと、を有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、エンハンスメント型であり、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜上に接してＯＨ基を有する酸化珪素膜が設けられ、酸化珪素膜上に接して窒化珪素膜が設ける。 （もっと読む）

【課題】オン電流を維持したままオフ電流を下げることができ、かつ、安価で優れた表示品位を得ることができるＴＦＴを提供する。
【解決手段】本発明のＴＦＴ１１は、絶縁基板１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３、半導体層１４が、絶縁基板１側からこの順に積層されたボトムゲート型のＴＦＴである。半導体層１４は微結晶シリコンを含み、ＴＦＴ１１を絶縁基板１の法線方向から視たときに、ゲート電極１２を挟んで対向するソース電極１６およびドレイン電極１７におけるゲート電極１２側の各端面１６ａ・１７ａとゲート電極１２の端面１２ａ・１２ｂとがそれぞれ面一である。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が可能であり、且つオン電流が高く、オフ電流の低い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成される第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上に形成される微結晶半導体層と、微結晶半導体層上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される不純物半導体層と、一対の不純物半導体層上に形成される配線と、微結晶半導体層及び配線上に形成される第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上に形成されるバックゲート電極を有する薄膜トランジスタであり、微結晶半導体層の一対のバッファ層と接する側の面が凹凸状である。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決することを課題とする。高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層及び一対のバッファ層に接し、且つ一対のバッファ層側の表面が凹凸状である微結晶半導体層と、一対のバッファ層上に形成されるソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層と、配線とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）