【課題】フォトリソグラフィー工程数を低減することで製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し得るカラー表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板７１０上にソース線７０５、ドレイン電極７０８となる線状遮光体７０１、７０１ｋを形成した後、開口部７１１に色素材７０２を定着させてカラーフィルターとする。次に、色素材を覆う透明保護膜７２３を成膜し、その上に多結晶シリコン薄膜７１７を形成する。そして、画素マトリックス外のソース線端子を覆うポリイミド膜を形成した後、ゲート絶縁膜７１９を成膜し、ポリイミド膜を除去する。次に、ゲート絶縁膜上にゲート線７０７を形成する。本方法におけるフォトリソグラフィー工程は、線状遮光体形成、多結晶シリコン薄膜形成、ゲート電極形成、の３工程のみとなる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は、基板と基板に合った画素アレイとを含むＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板であって、画素のいずれかは、基板に形成されたゲートライン及びゲート電極と、ゲート電極に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に形成された半導体層と、半導体層の両側に形成されたオーム接触層と、半導体層が形成された部分を除いて基板及びゲート絶縁層を覆う隔離絶縁媒体層と、隔離絶縁媒体層及び半導体層上のオーム接触層に形成された画素電極と、オーム接触層の上方の画素電極にそれぞれ形成されたソース・ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極の上方に形成されたパッシベーション層と、を備える。ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は３マスク技術により形成されたため、製造工程の簡素化及びスパッタ装置の利用可能度の向上が実現する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に薄膜トランジスタアレイを形成したアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１と、プラスチック基板１上に形成された複数の走査配線２と、絶縁膜を介して走査配線２と交差する複数の信号配線５と、プラスチック基板１上に形成され、対応する走査配線２上の走査信号に応答して動作する複数の薄膜トランジスタ１０と、薄膜トランジスタ１０を介して信号配線５と電気的に接続される複数の画素電極１４とを備えている。対応する画素電極１４と薄膜トランジスタ１０は、導電部材９によって相互接続されており、画素電極１４および導電部材９は、それぞれ、隣接する異なる走査配線と交差している。 （もっと読む）

【課題】光電流を抑制し、寄生抵抗を下げ、オフ状態でのリーク電流を抑制し、不純物半導体膜の製造条件を緩和することができる逆スタガ構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】透明絶縁体基板１上に順次ゲート電極２とゲート絶縁膜３とａ−Ｓｉからなる半導体膜４とｎ^＋ａ−Ｓｉからなる不純物半導体膜５とソース電極７ａ及びドレイン電極７ｂとを形成し、イオン注入法によりソース電極７ａとドレイン電極７ｂの間の不純物半導体膜５に酸素イオン及び／又は窒素イオンを注入して絶縁化し、不純物半導体膜イオン注入層８を形成する。これにより、ダメージを抑制しつつ半導体膜４を薄く（好ましくは略５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲で）形成することができ、また、不純物半導体膜５の膜厚を厚く（好ましくは略１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲に）設定しても確実に絶縁化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレー基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレー基板の製造方法は、基板にゲートライン及びそのゲートラインと接続するゲート電極を形成し、前記ゲート電極にゲート絶縁層と半導体層とを形成し、前記半導体層にオーム接触層を形成することにより、基板にトランジスタ部を形成する工程と、前記工程で作製された基板に、ゲートラインとゲート電極と電気的に絶縁し、オーム接触層を介して前記半導体層の両側にオーム接触する透明画素電極層とソース・ドレイン電極金属層と順次堆積する工程と、作製された基板に、グレートーンマスクでマスキング及びエッチングを行うことにより、透明画素電極及びソース・ドレイン電極が同時に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成される有機発光表示装置及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶分率を向上させるシリコン層の形成方法及びそれを用いた表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の形成方法は、ＳｉＦ４、ＮＨ３及びＳｉＦ４−Ｈ２ガスのうち選択されたガスを第１反応ガスとして使用するプラズマ化学気相蒸着方法を通じて基板に形成されたシリコン窒化物層表面をプラズマ前処理する工程と、ＳｉＦ４、Ｈ２及びＡｒが混合された第２反応ガスを使用するプラズマ化学気相蒸着方法を通じて前記前処理されたシリコン窒化物層上にシリコン層を形成する工程を含む。従って、シリコン層でシリコン結晶の結晶分率が向上され、シリコン結晶のグレインサイズ及び分布の均一性が向上されたシリコン層を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、段切れ不良、及びコンタクト不良を防ぐ方法を提供し、それにより動作性能および信頼性の高い集積回路を作製することを課題とする。
【解決手段】配線の乗り越え部分において、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを配線形成用のフォトリソグラフィ工程に適用し、２層構造の下層配線となる導電層を形成し、下層配線が下層配線１層目と、１層目の幅より短い２層目の幅を有するようにレジストパターンを形成し、急峻な段差を緩和することを目的とした下層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、耐熱性導電性材料を含有する第１の層と、Ａｌ及びＮｄを含有する第２の層と、を含む配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な微結晶シリコン膜、並びに、それを用いた薄膜トランジスタ等の半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る微結晶シリコン膜は、５×１０^１６ｃｍ^−３以上、５×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の金属元素を含み、かつ、ラマン分光法により５２０ｃｍ^−１と４８０ｃｍ^−１の２つのピークを示すことを特徴とする。ここで、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種又は複数種類の元素が望ましい。また、前記２つのピーク強度比は、１０：１程度であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 液状の導電性材料を充填・硬化することで膜パターンを上記基板上に形成するためのバンクが形成されている膜パターン形成用基板やそれを用いた基板の製造コストを抑える。
【解決手段】 本発明の膜パターン形成用基板は、少なくとも一つの膜部材がバンクを成している。例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。そこへ液状の導電性材料を充填・硬化することで膜パターンを上記基板上に形成する。したがってバンク形成専用のプロセスや部材が不要になる。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】連続した波状形状有する形状のパターンを、均一な間隔をもって隣接して備えた半導体装置である。隣接するパターンにおいて、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、パターン同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接したパターンを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】新たな工程を増やすことなく遮光膜を形成することにより、視認性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に複数のＴＦＴ、配線、および第１の電極（画素電極）等で構成される画素部等が形成されたアクティブマトリクス基板と、基板上に第２の電極（対向電極）および着色膜等が形成された対向基板との間に液晶が封入された構成を有し、アクティブマトリクス基板上に形成されたＴＦＴの電極や配線等を形成する導電膜の一部が画素部における遮光膜として機能する構造とする。 （もっと読む）

【課題】高移動度の微結晶薄膜を有する薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示装置は気相中で結合した場合に多数の原子が重合することによってポリマーを形成する元素を含有する第１原料気体と、気相中でポリマーを形成することのない第２原料とを用いてプラズマＣＶＤ法によって微結晶を成膜した薄膜トランジスタを備える。具体的には、特定の流量比ｒで第１原料気体および第２原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第１原料気体の供給を停止して第２原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質のものに成膜する。図１において、実線で示すタイミングチャートはＳｉＨ₄の供給量について示し、破線で示すタイミングチャートはＨ₂の供給量について示す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【解決手段】エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＴＦＴを用いる表示装置及びデータを無線で送受信する機能を持った半導体装置の製造工程においてフォトリソグラフィ工程の回数を削減することを目的とする。また、より簡略化された製造工程で、電気的特性の高いＴＦＴ、表示装置及びデータを無線で送受信する機能を持った半導体装置等に代表される電子機器を作製する。低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に塗れ性が低い層と、塗れ性が低い層に比べて塗れ性が高い領域を形成し、塗れ性が高い領域上に導電性粒子を有する組成物を塗布と焼成を繰り返して凸状の導電層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲート電極と同じ材料から成る第１の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 少ない枚数のフォトマスクで回路形成を行うことができ、生産性の向上を図ることが可能な回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 下層導電部と上層導電部とが絶縁層を介して積層され、かつ絶縁層の貫通孔内及び上層導電部の開口部内に形成された配線を介して接続された構造を基板上に有する回路基板の製造方法であって、基板上に下層導電部、絶縁層及び上層導電膜を順次形成する工程と、上層導電膜上に、上層導電部間形成領域で上層導電部形成領域よりも膜厚が小さく、かつ上層導電部の開口部形成領域に開口部を有するフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜の開口部領域内の上層導電膜及び絶縁層を除去して貫通孔を形成する工程と、貫通孔内に配線を形成する工程と、上層導電部間形成領域のフォトレジスト膜を除去する工程と、上層導電部間形成領域の上層導電膜を除去して上層導電部を形成する工程とを含む回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】セルギャップが均一で、液晶分子のスイッチング方向を制御した広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】第１の基板及び第２基板間に保持された負の誘電性異方性を有する液晶と、第１の基板に設けられた逆スタガ型の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続され、第１の基板に設けられた第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、を有し、第１の電極は、第１の領域及び第２の領域に分割され、第１の領域の液晶の傾きと、第２の領域の液晶の傾きとは対称となる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）