有機発光表示装置及びその製造方法
【課題】スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成される有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成される有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、モニター又はテレビなどの軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求に応えて陰極線管（ＣＲＴ：Cathode Ray Tube）が液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）で代替されている。しかし、液晶表示装置は、非発光素子として別途のバックライトを必要とし、さらに、応答速度及び視野角等で多くの問題点を有している。
最近、このような問題点を克服することができる表示装置として有機発光表示装置（ＯＬＥＤ（organic light-emitting diode）ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。有機発光表示装置は２つの電極とその間に位置する発光層を有し、１つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００３】
有機発光表示装置は自体発光型であって、別の光源を必要としないので、消費電力の観点から有利であるとともに、応答速度、視野角及びコントラスト比も優れている。
有機発光表示装置は、駆動方式によって単純マトリックス方式の有機発光表示装置と能動マトリックス方式の有機発光表示装置に分けることができる。この中で能動マトリックス方式の有機発光表示装置は、信号線に接続され、データ電圧を制御するスイッチング薄膜トランジスタと、これから伝達されたデータ電圧をゲート電圧に印加して発光素子に電流を流す駆動薄膜トランジスタとを有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが有機発光表示装置が最適の特性を示すためのスイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタとに要求される特性が異なる。スイッチング薄膜トランジスタには高いオン／オフ特性（Ｉｏｎ/Ｉｏｆｆ）が要求される反面、駆動薄膜トランジスタには発光素子に十分な電流を流すことができるような高い移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）及び安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）が要求される。
【０００５】
スイッチング薄膜トランジスタにオフ電流が増加する場合には、駆動薄膜トランジスタに伝達されるデータ電圧が減少し、クロストーク（ｃｒｏｓｓ ｔａｌｋ）が発生する可能性がある。また、駆動薄膜トランジスタが低い移動度及び安定性を有する場合には、発光素子に流れる電流量が減少して発光量が減少し、残像（ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）の発生及び寿命が短縮する可能性がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一実施例による有機発光表示装置は、基板と、前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線と接続されて第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続されて第２半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成される。
【０００８】
第１半導体と第２半導体とを異なる層に形成することで、第１及び第２半導体の性質を異ならせることができる。つまり、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは結晶質が異なる半導体に形成される。これによって、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【０００９】
前記第１半導体と前記第２半導体は結晶状態が互いに異なってもよい。これにより、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
前記第１半導体は非晶質半導体を含み、前記第２半導体は微細結晶質又は多結晶半導体を有してもよい。
【００１０】
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）は高い電荷移動度及び安定性を有することができ、これによって発光素子に流れる電流量を増やすことができ、輝度を高めることができる。また、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって、駆動時に継続的な陽（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）電圧の印加で発生するしきい電圧の移動（Ｖｔｈ ｓｈｉｆｔ）を防止し、イメージ固着（ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）及び寿命短縮を防止することができる。
【００１１】
一方、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はデータ電圧を制御する役割をするので、オン／オフ（ｏｎ/ｏｆｆ）特性が重要であり、特にオフ電流（ｏｆｆ ｃｕｒｒｅｎｔ）を減らすことが重要である。しかし、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を微細結晶質又は多結晶半導体で形成する場合はオフ電流が大きいためスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）によるデータ電圧降下が発生し、クロストークが発生する可能性がある。このため、本実施例では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はオフ電流が小さな非晶質半導体で形成することによってデータ電圧の減少を防止し、クロストークを減らすことができる。
【００１２】
前記スイッチングトランジスタは前記第１信号線と接続される第１制御電極と、前記第１制御電極上に形成される第１ゲート絶縁膜と、前記第２信号線と接続される第１入力電極と、前記第１入力電極と対向し、前記駆動トランジスタと接続される第１出力電極をさらに有してもよい。
前記駆動トランジスタは前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、前記第２制御電極上に形成される第２ゲート絶縁膜と、前記第２半導体上に形成され、前記第２制御電極及び前記第２半導体と一部重なっている第２入力電極と、第２入力電極と対向し前記第１電極と接続される第２出力電極とをさらに有し、前記第２ゲート絶縁膜は前記第１制御電極の下部に形成してもよい。
【００１３】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記駆動トランジスタは前記第２半導体上で互いに対向する第２入力電極及び第２出力電極、並びに前記第２入力電極及び前記第２出力電極上で一部重畳し、前記第１出力電極と接続される第２制御電極をさらに有してもよい。
【００１４】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記有機発光表示装置は前記第２半導体と前記第２入力電極との間、及び前記第２半導体と前記第２出力電極の間に形成されたオーミック接触部材をさらに有してもよい。
【００１５】
前記有機発光表示装置は前記第２入力電極及び前記第２出力電極下部に形成されたオーミック接触部材をさらに有してもよい。
前記オーミック接触部材は前記第２入力電極及び前記第２出力電極と実質的に同一の平面形状に形成してもよい。同一平面形状を有しているため、オーミック接触部材と、第２入力電極及び第２出力電極とを同時にエッチングすることができ、マスク数を減らすことができる。
【００１６】
前記有機発光表示装置は前記第１制御電極下部に形成された補助部材をさらに有してもよい。
前記オーミック接触部材及び前記補助部材は不純物がドーピングされた非晶質半導体、不純物がドーピングされた微細結晶質半導体及び不純物がドーピングされた結晶質半導体のうちの少なくとも１つを有してもよい。
【００１７】
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成されており、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成されても良い。
前記駆動トランジスタは前記第１電極と接続される第２出力電極と、前記第２出力電極と対向する第２入力電極と、前記第２半導体上に一部重畳して前記第１出力電極と接続される第２制御電極をさらに有してもよい。
【００１８】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成してもよく、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成してもよい。
【００１９】
本発明の他の実施例による有機表示装置の製造方法は、基板と、前記基板上に形成される第１信号線と、前記第１信号線と接続される第１制御電極と、前記第１信号線と絶縁されて交差する第２信号線と、前記第２信号線と接続される第１入力電極と、前記第１入力電極と対向する第１出力電極と、前記第１入力電極と前記第１出力電極と一部重なっている第１半導体と、前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、前記第１信号線又は前記第２信号線と絶縁されて交差する駆動電圧線と、前記駆動電圧線と接続される第２入力電極と、前記第２入力電極と対向する第２出力電極と、前記第２入力電極と前記第２出力電極と一部重なっている第２半導体と、前記第２出力電極と接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は同一層に形成されており、前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は同一層に形成されている。
【００２０】
前記第１半導体は非晶質半導体を含んでもよく、前記第２半導体は微細結晶質半導体又は多結晶半導体を含んでもよい。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に駆動制御電極を形成する段階、前記駆動制御電極上に第１ゲート絶縁膜を形成する段階、前記第１ゲート絶縁膜上に駆動半導体を形成する段階、前記第１ゲート絶縁膜及び前記駆動半導体上に導電層を積層し写真エッチングして、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階、前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上に第２ゲート絶縁膜を形成する段階、前記第２ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階、前記第２ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上にスイッチング入力電極を含むデータ線及びスイッチング出力電極を形成する段階、前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００２１】
前記駆動半導体を形成する段階では微細結晶質半導体を蒸着してもよい。
前記駆動半導体を形成する段階は非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含んでもよい。
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含んでもよく、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化してもよい。
【００２２】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ；ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）により行うことができる。
本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に駆動半導体を形成する段階、前記基板及び前記駆動半導体上に第１導電層を積層し写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階、前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階、前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階、前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００２３】
前記駆動半導体を形成する段階は、基板上に半導体層を形成する段階、前記半導体層上にオーミック接触層を形成する段階、前記半導体層及び前記オーミック接触層を同時に写真エッチングする段階を含んでもよい。
前記駆動半導体を形成する段階後に、オーミック接触層を形成する段階をさらに含んでもよく、前記第１導電層を写真エッチングする段階で前記第１導電層と前記オーミック接触層を同時に写真エッチングしてもよい。
【００２４】
前記駆動半導体を形成する段階では微細結晶質半導体を蒸着してもよい。
前記駆動半導体を形成する段階は非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含んでもよい。
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含んでもよく、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化してもよい。
【００２５】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ；ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）により行うことができる。
本発明の他の実施例による有機表示装置の製造方法は、基板上に第１導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階、前記駆動電圧線及び駆動出力電極上に駆動半導体を形成する段階、前記駆動半導体上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階、前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階、前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００２６】
前記駆動半導体を形成する段階では微細結晶質半導体を蒸着してもよい。
前記駆動半導体を形成する段階は非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含んでもよい。
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含んでもよく、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化してもよい。
【００２７】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ；ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）により行うことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
添付した図面を用いながら、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００３０】
まず、本発明の一実施例による有機発光表示装置について図１を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例による有機発光表示装置の等価回路図である。図１に示すように、本実施例による有機発光表示装置は、複数の信号線１２１、１７１、１７２と、これらに接続されほぼ行列状（ｍａｔｒｉｘ）に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）（ＰＸ）を有している。
【００３１】
信号線は、ゲート信号（又は走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１及び駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。ゲート線１２１及び駆動電圧線１７２はほぼ行方向に延在し、互いにほぼ平行であり、データ線１７１はほぼ列方向に延在している。
各画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（ＬＤ）を有する。
【００３２】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、制御端子、入力端子及び出力端子を有する薄膜トランジスタであって、制御端子はゲート線１２１に接続され、入力端子はデータ線１７１に接続され、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）に接続されている。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、ゲート線１２１に印加される走査信号に応答し、データ線１７１に印加されるデータ信号を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達する。
【００３３】
また、駆動トランジスタ（Ｑｄ）も同様に、制御端子、入力端子及び出力端子を有する薄膜トランジスタであって、制御端子はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ）に接続され、入力端子は駆動電圧線１７２に接続され、出力端子は有機発光ダイオード（ＬＤ）に接続されている。駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子と出力端子との間にかかる電圧に応じてその大きさが変わる出力電流（ＩＬＤ）を流す。
【００３４】
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と入力端子との間に接続されている。このキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）がターンオフ（ｔｕｒｎ-ｏｆｆ）された後にもそれを維持する。
有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子に接続されるアノード（ａｎｏｄｅ）と、共通電圧（Ｖｓｓ）に接続されるカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を有する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＬＤ）に応じて強さが異なるようにして発光することによって画像を表示する。
【００３５】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、ｎ-チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。しかし、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の少なくとも１つはｐ-チャネル電界効果トランジスタであってもよい。また、トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）及び有機発光ダイオード（ＬＤ）の接続関係を変更することもできる。
【００３６】
以下、図１に示す有機発光表示装置について図面を参照して説明する。
＜発明の概要＞
本発明では、基板と、前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置を形成する。
【００３７】
第１半導体と第２半導体とを異なる層に形成することで、第１及び第２半導体の性質を異ならせることができる。つまり、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは結晶質が異なる半導体に形成される。これによって、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００３８】
例えば、第１半導体の結晶状態と第２半導体の結晶状態とを互いに異ならせて、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善する。
＜実施例１＞
図１に示す有機発光表示装置の第１実施例について図２及び図３、図１を参照して詳細に説明する。
【００３９】
図２は図１に示した有機発光表示装置の第１実施例の配置図であり、図３は図２に示した有機発光表示装置のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
透明なガラス又はプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に駆動制御電極１２４ｂが形成される。駆動制御電極１２４ｂは島状で横方向に長く延在した維持電極１２７を含む。駆動制御電極１２４ｂはアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成されることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００４０】
また、駆動制御電極１２４ｂは基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。これにより、上部膜の断線を抑制することができる。駆動制御電極１２４ｂ上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなる下部ゲート絶縁膜１４０が形成される。
下部ゲート絶縁膜１４０上には微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質でからなる駆動半導体１５４ｂが形成される。駆動半導体１５４ｂは駆動制御電極１２４ｂと重なっている。下部ゲート絶縁膜１４０及び駆動半導体１５４ｂ上には複数のゲート線１２１、複数の駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
【００４１】
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し図２中、主に横方向に延在している。各ゲート線１２１は他の層又は外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９と、ゲート線１２１から図２中、上方に延在するスイッチング制御電極１２４ａを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合は、ゲート線１２１が延在してゲート駆動回路と直接接続されることができる。
【００４２】
駆動電圧線１７２は駆動電圧を伝達し、図２中、主に横方向に延在してゲート線１２１と平行である。各駆動電圧線１７２は複数の駆動入力電極１７３ｂを含む。駆動電圧線１７２は維持電極１２７と重なっている。
駆動出力電極１７５ｂはゲート線１２１及び駆動電圧線１７２と分離されている。駆動入力電極１７３ｂと駆動出力電極１７５ｂとは、駆動半導体１５４ｂを中心として互いに対向する。
【００４３】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂは駆動制御電極１２４ｂと同様に低抵抗導電体で形成されることができる。ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂの側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜８０゜であることが好ましい。
駆動半導体１５４ｂと駆動入力電極１７３ｂとの間及び駆動半導体１５４ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間には、各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂは島状であり、リン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンの物質で形成されることができる。
【００４４】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上には上部ゲート絶縁膜１４２が形成される。
上部ゲート絶縁膜１４２上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
【００４５】
スイッチング半導体１５４ａ及び上部ゲート絶縁膜１４２上には複数のデータ線１７１及び複数のスイッチング出力電極１７５ａが形成される。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、図２中、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び駆動電圧線１７２と交差する。各データ線１７１はスイッチング制御電極１２４ａに向かって延在した複数のスイッチング入力電極１７３ａと、他の層又は外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を有する。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１が延在してデータ駆動回路と直接接続されることができる。
【００４６】
スイッチング出力電極１７５ａはデータ線１７１と分離されている。スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａはスイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａはゲート線１２１と同様に低抵抗導電体で形成されることができる。
【００４７】
データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａの側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜８０゜であることが好ましい。
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には、各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａは島形であり、リン（Ｐ）などの不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどで形成されることができる。
【００４８】
データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａ上には保護膜１８０が形成される。
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８２が形成されており、保護膜１８０及び上部ゲート絶縁膜１４２にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０、上部ゲート絶縁膜１４２及び下部ゲート絶縁膜１４０には駆動制御電極１２４ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８４が形成されている。
【００４９】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続される。
接続部材８５はコンタクトホール１８５ａ、１８４を介してスイッチング出力電極１７５ａと駆動制御電極１２４ｂと各々接続されている。
【００５０】
接触補助部材８１、８２は各々コンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電体で形成されることもでき、前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合には、アルミニウム又はアルミニウム合金、高い仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）又はこれらの合金などの不透明導電体で形成されることもできる。
【００５１】
画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には隔壁（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）３６１が形成される。隔壁３６１は画素電極１９１の周縁周辺を堤防（ｂａｎｋ）のように取り囲み開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）３６５を画定する。隔壁３６１はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性及び耐溶媒性を有する有機絶縁物又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの無機絶縁物で形成されることができ、２層以上であってもよい。さらに、隔壁３６１は、黒色顔料を含む感光材で形成されてもよいが、この場合、隔壁３６１は遮光部材の役割をし、その形成工程が簡単である。
【００５２】
隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成される。有機発光部材３７０は光を出す発光層（図示せず）の他に、発光層の発光効率を向上するための付帯層（図示せず）を含む多層構造を有することができる。
発光層は赤色、緑色、青色の三原色など基本色のうちのいずれか１つの光を固有に発する高分子物質又は低分子物質又はこれらの混合物で形成されることができる。高分子物質には、例えばポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン（（ｐｏｌｙ）ｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフェニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）誘導体などが含まれることができる。また、低分子物質には９，１０-ジフェニルアントラセン（９，１０-ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）のようなアントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）のようなブタジエン（ｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ジスチリルアリレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）誘導体、ベンザゾール（ｂｅｎｚａｚｏｌｅ）誘導体及びカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体などが含まれることができる。又は上記高分子物質又は低分子物質をホスト（ｈｏｓｔ）材料とし、さらに例えばキサンテン（ｘａｎｔｈｅｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、クマリン（ｃｕｍａｒｉｎｅ）、ローダミン（ｒｈｏｄａｍｉｎｅ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ジシナノメチレンピラン（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅｐｙｒａｎ）化合物、チオピラン（ｔｈｉｏｐｙｒａｎ）化合物、（チア）ピリリウム（（ｔｈｉａ）ｐｙｒｉｌｉｕｍ）化合物、ペリフランテン（ｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ）誘導体、インデノペリレン（ｉｎｄｅｎｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、カルボスチリル（ｃａｒｂｏｓｔｙｒｙｌ）化合物、ナイルレッド（Ｎｉｌｅｒｅｄ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）などのドーパント（ｄｏｐａｎｔ）をドーピングし、発光効率を高めることもできる。
【００５３】
有機発光表示装置は、発光層から出る基本色の色光の空間的な作用によって所望の画像を表示する。
付帯層には電子と正孔との均衡をとるための電子輸送層（図示せず）及び正孔輸送層（図示せず）、電子と正孔との注入を強化するための電子注入層（図示せず）及び正孔注入層（図示せず）などがあり、付帯層はこの中から選択された１つ又は２つ以上の層を有することができる。正孔輸送層及び正孔注入層は、画素電極１９１と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成され、電子輸送層と電子注入層は、共通電極２７０と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成される。例えば、正孔輸送層又は正孔注入層としてはダイアミン類、ＭＴＤＡＴＡ（[４、４´、４"-ｔｒｉｓ（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ]ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ´-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-Ｎ、Ｎ´-ｄｉ（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）-１、１´-ｂｉｐｈｅｎｙｌ-４、４´-ｄｉａｍｉｎｅ）、１、１-ビス（４-ジ-ｐ-トリルアミノフェニル）シクロヘキサン（１、１-ｂｉｓ（４-ｄｉ-ｐ-ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ）ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）、Ｎ、Ｎ、Ｎ´、Ｎ´-テトラ（２-ナフチル）-４、４-ジアミノ-ｐ-ターフェニル（Ｎ、Ｎ、Ｎ´、Ｎ´-ｔｅｔｒａ（２-ｎａｐｈｔｈｙｌ）-４、４-ｄｉａｍｉｎｏ-ｐ-ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）、４、４´、４-トリス[（３-メチルフェニル）フェニルアミノ]トリフェニルアミン（４、４´、４-ｔｒｉｓ[（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ]ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ポリピロール（ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ）、ポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物（ｐｏｌｙ-３、４-ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ:ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ、ＰＥＤＯＴ:ＰＳＳ）などを使用することができる。
【００５４】
有機発光部材３７０は、各画素ごとに赤色、緑色及び青色などの色を発光する発光層を各々配列して画素ごとに所望の色を実現することもでき、１つの画素に赤色、緑色及び青色の発光層を垂直又は水平に形成して白色（ｗｈｉｔｅ）発光層を形成することができ、白色発光層の下部又は上部に赤色、緑色及び青色の色を実現するカラーフィルタを形成し、所望の色を実現することもできる。この時、カラーフィルタは下部発光構造（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合には発光層の下部に位置でき、上部発光構造（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合には発光層の上部に位置できる。
【００５５】
また、赤色、緑色及び青色画素を含む３色構造の他に、赤色、緑色、青色及び白色画素を含む４色構造を帯状（ｓｔｒｉｐｅ）又は碁盤状に配置し、輝度を改善することもできる。
有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。共通電極２７０は基板の全面に形成されており、画素電極１９１と対をなして有機発光部材３７０に電流を流す。
【００５６】
このような有機発光表示装置において、ゲート線１２１に接続されるスイッチング制御電極１２４ａ、データ線１７１に接続されるスイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａは、スイッチング半導体１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を構成する。スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、スイッチング入力電極１７３ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間のスイッチング半導体１５４ａに形成される。スイッチング出力電極１７５ａに接続される駆動制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続される駆動入力電極１７３ｂ及び画素電極１９１に接続される駆動出力電極１７５ｂは、駆動半導体１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）を構成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは駆動入力電極１７３ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間の駆動半導体１５４ｂに形成される。
【００５７】
上記のように、スイッチング半導体１５４ａは非晶質半導体物質で形成され、駆動半導体１５５ｂは微細結晶質又は多結晶半導体物質で形成される。即ち、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャネルは非晶質半導体に形成され、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは微細結晶質又は多結晶半導体に形成される。
このように本発明では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは結晶質が異なる半導体に形成され、これによって各薄膜トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）で要求される特性を同時に得ることができる。
【００５８】
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）は高い電荷移動度及び安定性を有することができ、これによって発光素子に流れる電流量を増やすことができ、輝度を高めることができる。また、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって、駆動時に継続的な陽（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）電圧の印加で発生するしきい電圧の移動（Ｖｔｈ ｓｈｉｆｔ）を防止し、イメージ固着（ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）及び寿命短縮を防止することができる。
【００５９】
一方、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はデータ電圧を制御する役割をするので、オン／オフ（ｏｎ/ｏｆｆ）特性が重要であり、特にオフ電流（ｏｆｆ ｃｕｒｒｅｎｔ）を減らすことが重要である。しかし、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を微細結晶質又は多結晶半導体で形成する場合はオフ電流が大きいためスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）によるデータ電圧降下が発生し、クロストークが発生する可能性がある。このため、本実施例では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はオフ電流が小さな非晶質半導体で形成することによってデータ電圧の減少を防止し、クロストークを減らすことができる。
【００６０】
この実施例では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）１つと駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）１つのみ示されているが、この他に少なくとも１つの薄膜トランジスタ及びこれを駆動するための複数の配線をさらに有することによって、長時間駆動しても有機発光ダイオード（ＬＤ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）が劣化することを防止及び補償し、有機発光表示装置の寿命が短縮することを防止することができる。
【００６１】
画素電極１９１、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は有機発光ダイオード（ＬＤ）を構成し、画素電極１９１がアノード（ａｎｏｄｅ）、共通電極２７０がカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）になるか、又は反対に画素電極１９１がカソード、共通電極２７０がアノードになる。さらに、互いに重畳する維持電極１２７と駆動電圧線１７２はストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を構成している。
【００６２】
次に、図２及び図３に示す有機発光表示装置を製造する方法について図４〜図１０を参照して詳細に説明する。図４〜図１０は図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
図４に示すように、基板１１０上に維持電極１２７を有する駆動制御電極１２４ｂを形成する。
【００６３】
次に、図５に示すように、駆動制御電極１２４ｂ上に下部ゲート絶縁膜１４０、微細結晶質ケイ素層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、駆動半導体１５４ｂ及びオーミック接触層１６４ｂを形成する。又は、駆動制御電極１２４ｂ上に下部ゲート絶縁膜１４０、非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、結晶化することができる。このとき結晶化は固形状結晶化（ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ；ＳＰＣ）、急速熱処理（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＲＴＡ）、液状結晶化（ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ；ＬＰＲ）、エキシマーレーザー熱処理（ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＥＬＡ）などの方法で行うことができ、特に固形状結晶化方法が好ましい。
【００６４】
次に、図６に示すように、下部ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ｂ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を含むゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを含む駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂを形成する。次いで、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂをマスクとしてオーミック接触層１６４ｂをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。
【００６５】
次に、図７に示すように、ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上に上部ゲート絶縁膜１４２、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングしてスイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
次に、図８に示すように、上部ゲート絶縁膜１４２及びオーミック接触部材１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を含むデータ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａを形成する。次いで、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【００６６】
次に、図９に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図１０に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図２及び図３に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を含む発光部材３７０を形成する。発光部材３７０はインクジェット印刷方法などの溶液方法又は蒸着により形成することができ、特にインクジェットヘッド（図示せず）を移動させ、開口部３６５に溶液を滴下するインクジェット印刷方法が好ましく、この場合には、各層の形成後に乾燥段階が続く。
【００６７】
最後に、図２及び図３に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
＜実施例２＞
以下、図１に示す有機発光表示装置の第２実施例について図１１及び図１２、図１を参照して詳細に説明する。
【００６８】
上記実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、駆動薄膜トランジスタを有する有機発光表示装置について説明したが、この実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、トップゲート構造の駆動薄膜トランジスタを有する有機発光表示装置について説明する。上記実施例と同様の内容は省略する。
図１１は図１に示す有機発光表示装置の第２実施例の配置図であり、図１２は図１１に示す有機発光表示装置のＸＩＩ-ＸＩＩ’-ＸＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【００６９】
絶縁基板１１０上に微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質で形成される駆動半導体１５４ｂが形成される。
基板１１０上にはスイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有する複数のゲート線１２１が形成され、及び駆動半導体１５４ｂ上には駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
【００７０】
駆動半導体１５４ｂと駆動入力電極１７３ｂとの間、及び駆動半導体１５４ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコン、微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンの物質で形成されることができる。
【００７１】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
【００７２】
ゲート絶縁膜１４０及びスイッチング半導体１５４ａ上にはスイッチング入力電極１７３ａと端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂが形成される。
スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａはスイッチング制御電極１２４ａと一部重なっており、スイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
【００７３】
駆動制御電極１２４ｂは駆動半導体１５４ｂ上部に形成されており、駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂと一部重なっている。
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコンなどで形成されることができる。
【００７４】
データ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂ上には保護膜１８０が形成される。
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ、駆動制御電極１２４ｂ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８４、１８２が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成される。保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
【００７５】
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続されており、接続部材８５はスイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂに接続される。画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には開口部３６５を有する隔壁３６１が形成される。
隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成されており、隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。
【００７６】
次に、図１１及び図１２に示した有機発光表示装置を製造する方法について図１３〜図１８を参照して詳細に説明する。図１３〜図１８は図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
図１３に示すように、基板１１０上に微細結晶質ケイ素層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、駆動半導体１５４ｂ及びオーミック接触層１６４ｂを形成する。
【００７７】
又は、非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、固形状結晶化方法などにより結晶化することができる。
次に、図１４に示すように、基板１１０及びオーミック接触層１６４ｂ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂを形成する。
【００７８】
次に、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂをマスクとして、オーミック接触層１６４ｂをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。
次に、図１５に示すように、ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、スイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
【００７９】
次に、図１６に示すように、ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂを形成する。次いで、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【００８０】
次に、図１７に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図１８に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図１１及び図１２に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を有する発光部材３７０を形成する。
【００８１】
最後に、図１１及び図１２に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
＜実施例３＞
以下、図１に示す有機発光表示装置の第３実施例について図１９及び図２０、図１を参照して詳細に説明する。
【００８２】
この実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、上記実施例と異なるトップゲート構造の駆動薄膜トランジスタを有する有機発光表示装置について説明する。上記実施例と同様の内容は省略する。
図１９は図１に示す有機発光表示装置の第３実施例の配置図であり、図２０は図１９に示す有機発光表示装置のＸＸ-ＸＸ’-ＸＸ’’線に沿って切断した断面図である。
【００８３】
絶縁基板１１０上にスイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
基板１１０、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上には微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質で形成される駆動半導体１５４ｂが形成される。
【００８４】
駆動半導体１５４ｂは駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂと一部重なっている。
駆動入力電極１７３ｂと駆動半導体１５４ｂとの間及び駆動出力電極１７５ｂと駆動半導体１５４ｂとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。
【００８５】
ゲート線１２１及び駆動半導体１５４ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
スイッチング半導体１５４ａ及びゲート絶縁膜１４０上にはスイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂが形成される。
【００８６】
スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａはスイッチング制御電極１２４ａと一部重なっており、スイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
駆動制御電極１２４ｂは駆動半導体１５４ｂ上に形成され、駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂと一部重なっている。
【００８７】
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。
データ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂ上には保護膜１８０が形成される。
【００８８】
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ、駆動制御電極１２４ｂ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８４、１８２が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成される。保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
【００８９】
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続されており、接続部材８５はスイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂに接続される。
画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には開口部３６５を有する隔壁３６１が形成される。隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成されており、隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。
【００９０】
次に、図１９及び図２０に示す有機発光表示装置を製造する方法について図２１〜図２６を参照して詳細に説明する。
図２１〜図２６は図１９及び図２０に示す有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
図２１に示すように、基板１１０上に金属層及び不純物ケイ素層を順に積層し、これらを写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２、駆動出力電極１７５ｂ及び複数の不純物ケイ素パターン１６４ｂを形成する。
【００９１】
次に、図２２に示すように、基板１１０上に微細結晶質ケイ素層を積層した後、写真エッチングして駆動半導体１５４ｂを形成し、これをマスクとして不純物ケイ素パターン１６４ｂをエッチングし、オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。又は、非晶質シリコン層を積層した後、固形状結晶化方法などにより結晶化することができる。
次に、図２３に示すように、基板１１０、ゲート線１２１及び駆動半導体１５４ｂ上にゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、スイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
【００９２】
次に、図２４に示すように、ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂを形成する。
次に、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、一対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【００９３】
次に、図２５に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図２６に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図１９及び図２０に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を有する発光部材３７０を形成する。
【００９４】
最後に、図１９及び図２０に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
＜実施例４＞
以下、図１に示す有機発光表示装置の第４実施例について図２７及び図２８、図１を参照して詳細に説明する。
【００９５】
この実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、また他のトップゲート構造の駆動薄膜トランジスタを含む有機発光表示装置について説明する。上記実施例と同様の内容は省略する。
図２７は図１に示した有機発光表示装置の第４実施例の配置図であり、図２８は図２７に示した有機発光表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ’-ＸＸＶＩＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【００９６】
絶縁基板１１０上に微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質で形成される駆動半導体１５４ｂが形成される。
基板１１０及び駆動半導体１５４ｂ上にはスイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有する複数のゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
【００９７】
駆動半導体１５４ｂと駆動電圧線１７２との間、及び駆動半導体１５４ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。このとき、オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂは駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂと実質的に同一の平面形状を有している。また、ゲート線１２１下部にはゲート線１２１と実質的に同一の平面形状を有する補助部材１６１が形成される。
【００９８】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
スイッチング半導体１５４ａ及びゲート絶縁膜１４０上にはスイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂが形成される。
【００９９】
スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａは、スイッチング制御電極１２４ａと一部重なっており、スイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
駆動制御電極１２４ｂは駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂ上部で駆動半導体１５４ｂと一部重なっている。
【０１００】
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間、及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコンなどで形成されることができる。
【０１０１】
データ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂ上には保護膜１８０が形成される。
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ、駆動制御電極１２４ｂ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８４、１８２が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成される。
【０１０２】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続されており、接続部材８５はスイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂに接続される。画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には開口部３６５を有する隔壁３６１が形成される。
【０１０３】
隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成されており、隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。
次に、図２７及び図２８に示す有機発光表示装置を製造する方法について図２９〜図３４を参照して詳細に説明する。図２９〜図３４は図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
【０１０４】
図２９に示すように、基板１１０上に微細結晶質ケイ素層を積層した後、写真エッチングし、駆動半導体１５４ｂを形成する。又は、非晶質シリコン層を積層した後、固形状結晶化方法などにより結晶化することができる。次いで、基板１１０及び駆動半導体１５４ｂ上に不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０及び金属層１７０を順次に積層する。
【０１０５】
次に、図３０に示すように、金属層１７０及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０を一度に写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、補助部材１６１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２、駆動出力電極１７５ｂ及びオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。
次に、図３１に示すように、基板１１０、ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングしてスイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
【０１０６】
次に、図３２に示すように、ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂを形成する。次いで、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、一対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【０１０７】
次に、図３３に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図３４に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図２７及び図２８に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を含む発光部材３７０を形成する。
【０１０８】
最後に、図２７及び図２８に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
以上の各実施例によれば、スイッチング薄膜トランジスタでデータ電圧が減少するのを防止し、発光素子に伝達される電流量減少、寿命短縮、表示特性低下を防止することができる。また、スイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタの構造は異なるが、スイッチング制御電極、駆動入力電極及び駆動出力電極を１つのマスクを用いて形成し、スイッチング入力電極、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を１つのマスクを用いて形成することによってマスク数を減らすことができる。
【０１０９】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、有機発光表示装置など複数のトランジスタにおいて、その性質を異ならせる必要がある技術に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の一実施例による有機発光表示装置の等価回路図である。
【図２】図１に示した有機発光表示装置の第１実施例の配置図である。
【図３】図２に示した有機発光表示装置のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図５】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図６】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図７】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図８】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図９】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【図１０】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（７）。
【図１１】図１に示した有機発光表示装置の第２実施例の配置図である。
【図１２】図１１に示した有機発光表示装置のＸＩＩ-ＸＩＩ’-ＸＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【図１３】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図１４】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図１５】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図１６】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図１７】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図１８】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【図１９】図１に示した有機発光表示装置の第３実施例の配置図である。
【図２０】図１９に示した有機発光表示装置のＸＸ-ＸＸ’-ＸＸ’’線に沿って切断した断面図である。
【図２１】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図２２】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図２３】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図２４】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図２５】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図２６】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【図２７】図１に示した有機発光表示装置の第４実施例の配置図である。
【図２８】図２７に示した有機発光表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ’-ＸＸＶＩＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【図２９】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図３０】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図３１】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図３２】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図３３】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図３４】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【符号の説明】
【０１１２】
１１０…絶縁基板
１２１…ゲート線
１２４ａ…スイッチング制御電極
１２４ｂ…駆動制御電極
１２７…維持電極
１２９…ゲート線の端部
１４０、１４２…ゲート絶縁膜
１５４ａ…スイッチング半導体
１５４ｂ…駆動半導体
１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ…オーミック接触部材
１７１…データ線
１７２…駆動電圧線
１７３ａ…スイッチング入力電極
１７３ｂ…駆動入力電極
１７５ａ…スイッチング出力電極
１７５ｂ…駆動出力電極
１７９…データ線の端部
８１、８２…接触補助部材
８５…接続部材
１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ…コンタクトホール
１９１…画素電極
２７０…共通電極
３６１…隔壁
３７０…有機発光部材
Ｑｓ…スイッチングトランジスタ
Ｑｄ…駆動トランジスタ
ＬＤ…有機発光ダイオード
ＤＥＶｓｓ…共通電圧
Ｃｓｔ…ストレージキャパシタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、モニター又はテレビなどの軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求に応えて陰極線管（ＣＲＴ：Cathode Ray Tube）が液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）で代替されている。しかし、液晶表示装置は、非発光素子として別途のバックライトを必要とし、さらに、応答速度及び視野角等で多くの問題点を有している。
最近、このような問題点を克服することができる表示装置として有機発光表示装置（ＯＬＥＤ（organic light-emitting diode）ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。有機発光表示装置は２つの電極とその間に位置する発光層を有し、１つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００３】
有機発光表示装置は自体発光型であって、別の光源を必要としないので、消費電力の観点から有利であるとともに、応答速度、視野角及びコントラスト比も優れている。
有機発光表示装置は、駆動方式によって単純マトリックス方式の有機発光表示装置と能動マトリックス方式の有機発光表示装置に分けることができる。この中で能動マトリックス方式の有機発光表示装置は、信号線に接続され、データ電圧を制御するスイッチング薄膜トランジスタと、これから伝達されたデータ電圧をゲート電圧に印加して発光素子に電流を流す駆動薄膜トランジスタとを有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが有機発光表示装置が最適の特性を示すためのスイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタとに要求される特性が異なる。スイッチング薄膜トランジスタには高いオン／オフ特性（Ｉｏｎ/Ｉｏｆｆ）が要求される反面、駆動薄膜トランジスタには発光素子に十分な電流を流すことができるような高い移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）及び安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）が要求される。
【０００５】
スイッチング薄膜トランジスタにオフ電流が増加する場合には、駆動薄膜トランジスタに伝達されるデータ電圧が減少し、クロストーク（ｃｒｏｓｓ ｔａｌｋ）が発生する可能性がある。また、駆動薄膜トランジスタが低い移動度及び安定性を有する場合には、発光素子に流れる電流量が減少して発光量が減少し、残像（ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）の発生及び寿命が短縮する可能性がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一実施例による有機発光表示装置は、基板と、前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線と接続されて第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続されて第２半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成される。
【０００８】
第１半導体と第２半導体とを異なる層に形成することで、第１及び第２半導体の性質を異ならせることができる。つまり、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは結晶質が異なる半導体に形成される。これによって、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【０００９】
前記第１半導体と前記第２半導体は結晶状態が互いに異なってもよい。これにより、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
前記第１半導体は非晶質半導体を含み、前記第２半導体は微細結晶質又は多結晶半導体を有してもよい。
【００１０】
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）は高い電荷移動度及び安定性を有することができ、これによって発光素子に流れる電流量を増やすことができ、輝度を高めることができる。また、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって、駆動時に継続的な陽（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）電圧の印加で発生するしきい電圧の移動（Ｖｔｈ ｓｈｉｆｔ）を防止し、イメージ固着（ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）及び寿命短縮を防止することができる。
【００１１】
一方、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はデータ電圧を制御する役割をするので、オン／オフ（ｏｎ/ｏｆｆ）特性が重要であり、特にオフ電流（ｏｆｆ ｃｕｒｒｅｎｔ）を減らすことが重要である。しかし、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を微細結晶質又は多結晶半導体で形成する場合はオフ電流が大きいためスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）によるデータ電圧降下が発生し、クロストークが発生する可能性がある。このため、本実施例では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はオフ電流が小さな非晶質半導体で形成することによってデータ電圧の減少を防止し、クロストークを減らすことができる。
【００１２】
前記スイッチングトランジスタは前記第１信号線と接続される第１制御電極と、前記第１制御電極上に形成される第１ゲート絶縁膜と、前記第２信号線と接続される第１入力電極と、前記第１入力電極と対向し、前記駆動トランジスタと接続される第１出力電極をさらに有してもよい。
前記駆動トランジスタは前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、前記第２制御電極上に形成される第２ゲート絶縁膜と、前記第２半導体上に形成され、前記第２制御電極及び前記第２半導体と一部重なっている第２入力電極と、第２入力電極と対向し前記第１電極と接続される第２出力電極とをさらに有し、前記第２ゲート絶縁膜は前記第１制御電極の下部に形成してもよい。
【００１３】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記駆動トランジスタは前記第２半導体上で互いに対向する第２入力電極及び第２出力電極、並びに前記第２入力電極及び前記第２出力電極上で一部重畳し、前記第１出力電極と接続される第２制御電極をさらに有してもよい。
【００１４】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記有機発光表示装置は前記第２半導体と前記第２入力電極との間、及び前記第２半導体と前記第２出力電極の間に形成されたオーミック接触部材をさらに有してもよい。
【００１５】
前記有機発光表示装置は前記第２入力電極及び前記第２出力電極下部に形成されたオーミック接触部材をさらに有してもよい。
前記オーミック接触部材は前記第２入力電極及び前記第２出力電極と実質的に同一の平面形状に形成してもよい。同一平面形状を有しているため、オーミック接触部材と、第２入力電極及び第２出力電極とを同時にエッチングすることができ、マスク数を減らすことができる。
【００１６】
前記有機発光表示装置は前記第１制御電極下部に形成された補助部材をさらに有してもよい。
前記オーミック接触部材及び前記補助部材は不純物がドーピングされた非晶質半導体、不純物がドーピングされた微細結晶質半導体及び不純物がドーピングされた結晶質半導体のうちの少なくとも１つを有してもよい。
【００１７】
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成されており、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成されても良い。
前記駆動トランジスタは前記第１電極と接続される第２出力電極と、前記第２出力電極と対向する第２入力電極と、前記第２半導体上に一部重畳して前記第１出力電極と接続される第２制御電極をさらに有してもよい。
【００１８】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は１つのマスクで同時に形成してもよい。これにより、マスク数を減らすことができる。
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成してもよく、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成してもよい。
【００１９】
本発明の他の実施例による有機表示装置の製造方法は、基板と、前記基板上に形成される第１信号線と、前記第１信号線と接続される第１制御電極と、前記第１信号線と絶縁されて交差する第２信号線と、前記第２信号線と接続される第１入力電極と、前記第１入力電極と対向する第１出力電極と、前記第１入力電極と前記第１出力電極と一部重なっている第１半導体と、前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、前記第１信号線又は前記第２信号線と絶縁されて交差する駆動電圧線と、前記駆動電圧線と接続される第２入力電極と、前記第２入力電極と対向する第２出力電極と、前記第２入力電極と前記第２出力電極と一部重なっている第２半導体と、前記第２出力電極と接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は同一層に形成されており、前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は同一層に形成されている。
【００２０】
前記第１半導体は非晶質半導体を含んでもよく、前記第２半導体は微細結晶質半導体又は多結晶半導体を含んでもよい。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に駆動制御電極を形成する段階、前記駆動制御電極上に第１ゲート絶縁膜を形成する段階、前記第１ゲート絶縁膜上に駆動半導体を形成する段階、前記第１ゲート絶縁膜及び前記駆動半導体上に導電層を積層し写真エッチングして、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階、前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上に第２ゲート絶縁膜を形成する段階、前記第２ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階、前記第２ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上にスイッチング入力電極を含むデータ線及びスイッチング出力電極を形成する段階、前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００２１】
前記駆動半導体を形成する段階では微細結晶質半導体を蒸着してもよい。
前記駆動半導体を形成する段階は非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含んでもよい。
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含んでもよく、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化してもよい。
【００２２】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ；ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）により行うことができる。
本発明の他の実施例による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に駆動半導体を形成する段階、前記基板及び前記駆動半導体上に第１導電層を積層し写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階、前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階、前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階、前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００２３】
前記駆動半導体を形成する段階は、基板上に半導体層を形成する段階、前記半導体層上にオーミック接触層を形成する段階、前記半導体層及び前記オーミック接触層を同時に写真エッチングする段階を含んでもよい。
前記駆動半導体を形成する段階後に、オーミック接触層を形成する段階をさらに含んでもよく、前記第１導電層を写真エッチングする段階で前記第１導電層と前記オーミック接触層を同時に写真エッチングしてもよい。
【００２４】
前記駆動半導体を形成する段階では微細結晶質半導体を蒸着してもよい。
前記駆動半導体を形成する段階は非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含んでもよい。
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含んでもよく、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化してもよい。
【００２５】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ；ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）により行うことができる。
本発明の他の実施例による有機表示装置の製造方法は、基板上に第１導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階、前記駆動電圧線及び駆動出力電極上に駆動半導体を形成する段階、前記駆動半導体上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階、前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階、前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする。これにより、上記と同様の効果を得ることができ、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００２６】
前記駆動半導体を形成する段階では微細結晶質半導体を蒸着してもよい。
前記駆動半導体を形成する段階は非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含んでもよい。
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含んでもよく、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化してもよい。
【００２７】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ；ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）により行うことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
添付した図面を用いながら、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００３０】
まず、本発明の一実施例による有機発光表示装置について図１を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例による有機発光表示装置の等価回路図である。図１に示すように、本実施例による有機発光表示装置は、複数の信号線１２１、１７１、１７２と、これらに接続されほぼ行列状（ｍａｔｒｉｘ）に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）（ＰＸ）を有している。
【００３１】
信号線は、ゲート信号（又は走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１及び駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。ゲート線１２１及び駆動電圧線１７２はほぼ行方向に延在し、互いにほぼ平行であり、データ線１７１はほぼ列方向に延在している。
各画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（ＬＤ）を有する。
【００３２】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、制御端子、入力端子及び出力端子を有する薄膜トランジスタであって、制御端子はゲート線１２１に接続され、入力端子はデータ線１７１に接続され、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）に接続されている。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、ゲート線１２１に印加される走査信号に応答し、データ線１７１に印加されるデータ信号を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達する。
【００３３】
また、駆動トランジスタ（Ｑｄ）も同様に、制御端子、入力端子及び出力端子を有する薄膜トランジスタであって、制御端子はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ）に接続され、入力端子は駆動電圧線１７２に接続され、出力端子は有機発光ダイオード（ＬＤ）に接続されている。駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子と出力端子との間にかかる電圧に応じてその大きさが変わる出力電流（ＩＬＤ）を流す。
【００３４】
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と入力端子との間に接続されている。このキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）がターンオフ（ｔｕｒｎ-ｏｆｆ）された後にもそれを維持する。
有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子に接続されるアノード（ａｎｏｄｅ）と、共通電圧（Ｖｓｓ）に接続されるカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を有する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＬＤ）に応じて強さが異なるようにして発光することによって画像を表示する。
【００３５】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、ｎ-チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。しかし、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の少なくとも１つはｐ-チャネル電界効果トランジスタであってもよい。また、トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）及び有機発光ダイオード（ＬＤ）の接続関係を変更することもできる。
【００３６】
以下、図１に示す有機発光表示装置について図面を参照して説明する。
＜発明の概要＞
本発明では、基板と、前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置を形成する。
【００３７】
第１半導体と第２半導体とを異なる層に形成することで、第１及び第２半導体の性質を異ならせることができる。つまり、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは結晶質が異なる半導体に形成される。これによって、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善することが可能となる。
【００３８】
例えば、第１半導体の結晶状態と第２半導体の結晶状態とを互いに異ならせて、スイッチング薄膜トランジスタＱｓ及び駆動薄膜トランジスタＱｄに要求される特性を同時に満たし、有機発光表示装置の特性を改善する。
＜実施例１＞
図１に示す有機発光表示装置の第１実施例について図２及び図３、図１を参照して詳細に説明する。
【００３９】
図２は図１に示した有機発光表示装置の第１実施例の配置図であり、図３は図２に示した有機発光表示装置のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
透明なガラス又はプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に駆動制御電極１２４ｂが形成される。駆動制御電極１２４ｂは島状で横方向に長く延在した維持電極１２７を含む。駆動制御電極１２４ｂはアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成されることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００４０】
また、駆動制御電極１２４ｂは基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。これにより、上部膜の断線を抑制することができる。駆動制御電極１２４ｂ上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなる下部ゲート絶縁膜１４０が形成される。
下部ゲート絶縁膜１４０上には微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質でからなる駆動半導体１５４ｂが形成される。駆動半導体１５４ｂは駆動制御電極１２４ｂと重なっている。下部ゲート絶縁膜１４０及び駆動半導体１５４ｂ上には複数のゲート線１２１、複数の駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
【００４１】
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し図２中、主に横方向に延在している。各ゲート線１２１は他の層又は外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９と、ゲート線１２１から図２中、上方に延在するスイッチング制御電極１２４ａを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合は、ゲート線１２１が延在してゲート駆動回路と直接接続されることができる。
【００４２】
駆動電圧線１７２は駆動電圧を伝達し、図２中、主に横方向に延在してゲート線１２１と平行である。各駆動電圧線１７２は複数の駆動入力電極１７３ｂを含む。駆動電圧線１７２は維持電極１２７と重なっている。
駆動出力電極１７５ｂはゲート線１２１及び駆動電圧線１７２と分離されている。駆動入力電極１７３ｂと駆動出力電極１７５ｂとは、駆動半導体１５４ｂを中心として互いに対向する。
【００４３】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂは駆動制御電極１２４ｂと同様に低抵抗導電体で形成されることができる。ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂの側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜８０゜であることが好ましい。
駆動半導体１５４ｂと駆動入力電極１７３ｂとの間及び駆動半導体１５４ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間には、各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂは島状であり、リン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンの物質で形成されることができる。
【００４４】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上には上部ゲート絶縁膜１４２が形成される。
上部ゲート絶縁膜１４２上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
【００４５】
スイッチング半導体１５４ａ及び上部ゲート絶縁膜１４２上には複数のデータ線１７１及び複数のスイッチング出力電極１７５ａが形成される。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、図２中、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び駆動電圧線１７２と交差する。各データ線１７１はスイッチング制御電極１２４ａに向かって延在した複数のスイッチング入力電極１７３ａと、他の層又は外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を有する。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１が延在してデータ駆動回路と直接接続されることができる。
【００４６】
スイッチング出力電極１７５ａはデータ線１７１と分離されている。スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａはスイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａはゲート線１２１と同様に低抵抗導電体で形成されることができる。
【００４７】
データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａの側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜８０゜であることが好ましい。
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には、各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａは島形であり、リン（Ｐ）などの不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどで形成されることができる。
【００４８】
データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａ上には保護膜１８０が形成される。
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８２が形成されており、保護膜１８０及び上部ゲート絶縁膜１４２にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０、上部ゲート絶縁膜１４２及び下部ゲート絶縁膜１４０には駆動制御電極１２４ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８４が形成されている。
【００４９】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続される。
接続部材８５はコンタクトホール１８５ａ、１８４を介してスイッチング出力電極１７５ａと駆動制御電極１２４ｂと各々接続されている。
【００５０】
接触補助部材８１、８２は各々コンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電体で形成されることもでき、前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合には、アルミニウム又はアルミニウム合金、高い仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）又はこれらの合金などの不透明導電体で形成されることもできる。
【００５１】
画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には隔壁（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）３６１が形成される。隔壁３６１は画素電極１９１の周縁周辺を堤防（ｂａｎｋ）のように取り囲み開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）３６５を画定する。隔壁３６１はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性及び耐溶媒性を有する有機絶縁物又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの無機絶縁物で形成されることができ、２層以上であってもよい。さらに、隔壁３６１は、黒色顔料を含む感光材で形成されてもよいが、この場合、隔壁３６１は遮光部材の役割をし、その形成工程が簡単である。
【００５２】
隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成される。有機発光部材３７０は光を出す発光層（図示せず）の他に、発光層の発光効率を向上するための付帯層（図示せず）を含む多層構造を有することができる。
発光層は赤色、緑色、青色の三原色など基本色のうちのいずれか１つの光を固有に発する高分子物質又は低分子物質又はこれらの混合物で形成されることができる。高分子物質には、例えばポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン（（ｐｏｌｙ）ｐａｒａｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリフェニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）誘導体、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）誘導体などが含まれることができる。また、低分子物質には９，１０-ジフェニルアントラセン（９，１０-ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）のようなアントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）のようなブタジエン（ｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ジスチリルアリレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）誘導体、ベンザゾール（ｂｅｎｚａｚｏｌｅ）誘導体及びカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体などが含まれることができる。又は上記高分子物質又は低分子物質をホスト（ｈｏｓｔ）材料とし、さらに例えばキサンテン（ｘａｎｔｈｅｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、クマリン（ｃｕｍａｒｉｎｅ）、ローダミン（ｒｈｏｄａｍｉｎｅ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ジシナノメチレンピラン（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅｐｙｒａｎ）化合物、チオピラン（ｔｈｉｏｐｙｒａｎ）化合物、（チア）ピリリウム（（ｔｈｉａ）ｐｙｒｉｌｉｕｍ）化合物、ペリフランテン（ｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ）誘導体、インデノペリレン（ｉｎｄｅｎｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、カルボスチリル（ｃａｒｂｏｓｔｙｒｙｌ）化合物、ナイルレッド（Ｎｉｌｅｒｅｄ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）などのドーパント（ｄｏｐａｎｔ）をドーピングし、発光効率を高めることもできる。
【００５３】
有機発光表示装置は、発光層から出る基本色の色光の空間的な作用によって所望の画像を表示する。
付帯層には電子と正孔との均衡をとるための電子輸送層（図示せず）及び正孔輸送層（図示せず）、電子と正孔との注入を強化するための電子注入層（図示せず）及び正孔注入層（図示せず）などがあり、付帯層はこの中から選択された１つ又は２つ以上の層を有することができる。正孔輸送層及び正孔注入層は、画素電極１９１と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成され、電子輸送層と電子注入層は、共通電極２７０と発光層の中間程度の仕事関数を有する材料で形成される。例えば、正孔輸送層又は正孔注入層としてはダイアミン類、ＭＴＤＡＴＡ（[４、４´、４"-ｔｒｉｓ（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ]ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ´-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-Ｎ、Ｎ´-ｄｉ（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）-１、１´-ｂｉｐｈｅｎｙｌ-４、４´-ｄｉａｍｉｎｅ）、１、１-ビス（４-ジ-ｐ-トリルアミノフェニル）シクロヘキサン（１、１-ｂｉｓ（４-ｄｉ-ｐ-ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ）ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）、Ｎ、Ｎ、Ｎ´、Ｎ´-テトラ（２-ナフチル）-４、４-ジアミノ-ｐ-ターフェニル（Ｎ、Ｎ、Ｎ´、Ｎ´-ｔｅｔｒａ（２-ｎａｐｈｔｈｙｌ）-４、４-ｄｉａｍｉｎｏ-ｐ-ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）、４、４´、４-トリス[（３-メチルフェニル）フェニルアミノ]トリフェニルアミン（４、４´、４-ｔｒｉｓ[（３-ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ]ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ポリピロール（ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ）、ポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物（ｐｏｌｙ-３、４-ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ:ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ、ＰＥＤＯＴ:ＰＳＳ）などを使用することができる。
【００５４】
有機発光部材３７０は、各画素ごとに赤色、緑色及び青色などの色を発光する発光層を各々配列して画素ごとに所望の色を実現することもでき、１つの画素に赤色、緑色及び青色の発光層を垂直又は水平に形成して白色（ｗｈｉｔｅ）発光層を形成することができ、白色発光層の下部又は上部に赤色、緑色及び青色の色を実現するカラーフィルタを形成し、所望の色を実現することもできる。この時、カラーフィルタは下部発光構造（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合には発光層の下部に位置でき、上部発光構造（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合には発光層の上部に位置できる。
【００５５】
また、赤色、緑色及び青色画素を含む３色構造の他に、赤色、緑色、青色及び白色画素を含む４色構造を帯状（ｓｔｒｉｐｅ）又は碁盤状に配置し、輝度を改善することもできる。
有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。共通電極２７０は基板の全面に形成されており、画素電極１９１と対をなして有機発光部材３７０に電流を流す。
【００５６】
このような有機発光表示装置において、ゲート線１２１に接続されるスイッチング制御電極１２４ａ、データ線１７１に接続されるスイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａは、スイッチング半導体１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を構成する。スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、スイッチング入力電極１７３ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間のスイッチング半導体１５４ａに形成される。スイッチング出力電極１７５ａに接続される駆動制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続される駆動入力電極１７３ｂ及び画素電極１９１に接続される駆動出力電極１７５ｂは、駆動半導体１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）を構成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは駆動入力電極１７３ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間の駆動半導体１５４ｂに形成される。
【００５７】
上記のように、スイッチング半導体１５４ａは非晶質半導体物質で形成され、駆動半導体１５５ｂは微細結晶質又は多結晶半導体物質で形成される。即ち、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャネルは非晶質半導体に形成され、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは微細結晶質又は多結晶半導体に形成される。
このように本発明では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは結晶質が異なる半導体に形成され、これによって各薄膜トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）で要求される特性を同時に得ることができる。
【００５８】
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）は高い電荷移動度及び安定性を有することができ、これによって発光素子に流れる電流量を増やすことができ、輝度を高めることができる。また、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルを微細結晶質又は多結晶半導体に形成することによって、駆動時に継続的な陽（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）電圧の印加で発生するしきい電圧の移動（Ｖｔｈ ｓｈｉｆｔ）を防止し、イメージ固着（ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）及び寿命短縮を防止することができる。
【００５９】
一方、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はデータ電圧を制御する役割をするので、オン／オフ（ｏｎ/ｏｆｆ）特性が重要であり、特にオフ電流（ｏｆｆ ｃｕｒｒｅｎｔ）を減らすことが重要である。しかし、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）を微細結晶質又は多結晶半導体で形成する場合はオフ電流が大きいためスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）によるデータ電圧降下が発生し、クロストークが発生する可能性がある。このため、本実施例では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）はオフ電流が小さな非晶質半導体で形成することによってデータ電圧の減少を防止し、クロストークを減らすことができる。
【００６０】
この実施例では、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）１つと駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）１つのみ示されているが、この他に少なくとも１つの薄膜トランジスタ及びこれを駆動するための複数の配線をさらに有することによって、長時間駆動しても有機発光ダイオード（ＬＤ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）が劣化することを防止及び補償し、有機発光表示装置の寿命が短縮することを防止することができる。
【００６１】
画素電極１９１、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は有機発光ダイオード（ＬＤ）を構成し、画素電極１９１がアノード（ａｎｏｄｅ）、共通電極２７０がカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）になるか、又は反対に画素電極１９１がカソード、共通電極２７０がアノードになる。さらに、互いに重畳する維持電極１２７と駆動電圧線１７２はストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を構成している。
【００６２】
次に、図２及び図３に示す有機発光表示装置を製造する方法について図４〜図１０を参照して詳細に説明する。図４〜図１０は図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
図４に示すように、基板１１０上に維持電極１２７を有する駆動制御電極１２４ｂを形成する。
【００６３】
次に、図５に示すように、駆動制御電極１２４ｂ上に下部ゲート絶縁膜１４０、微細結晶質ケイ素層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、駆動半導体１５４ｂ及びオーミック接触層１６４ｂを形成する。又は、駆動制御電極１２４ｂ上に下部ゲート絶縁膜１４０、非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、結晶化することができる。このとき結晶化は固形状結晶化（ｓｏｌｉｄ ｐｈａｓｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ；ＳＰＣ）、急速熱処理（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＲＴＡ）、液状結晶化（ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ；ＬＰＲ）、エキシマーレーザー熱処理（ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＥＬＡ）などの方法で行うことができ、特に固形状結晶化方法が好ましい。
【００６４】
次に、図６に示すように、下部ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ｂ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を含むゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを含む駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂを形成する。次いで、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂをマスクとしてオーミック接触層１６４ｂをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。
【００６５】
次に、図７に示すように、ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上に上部ゲート絶縁膜１４２、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングしてスイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
次に、図８に示すように、上部ゲート絶縁膜１４２及びオーミック接触部材１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を含むデータ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａを形成する。次いで、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【００６６】
次に、図９に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図１０に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図２及び図３に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を含む発光部材３７０を形成する。発光部材３７０はインクジェット印刷方法などの溶液方法又は蒸着により形成することができ、特にインクジェットヘッド（図示せず）を移動させ、開口部３６５に溶液を滴下するインクジェット印刷方法が好ましく、この場合には、各層の形成後に乾燥段階が続く。
【００６７】
最後に、図２及び図３に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
＜実施例２＞
以下、図１に示す有機発光表示装置の第２実施例について図１１及び図１２、図１を参照して詳細に説明する。
【００６８】
上記実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、駆動薄膜トランジスタを有する有機発光表示装置について説明したが、この実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、トップゲート構造の駆動薄膜トランジスタを有する有機発光表示装置について説明する。上記実施例と同様の内容は省略する。
図１１は図１に示す有機発光表示装置の第２実施例の配置図であり、図１２は図１１に示す有機発光表示装置のＸＩＩ-ＸＩＩ’-ＸＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【００６９】
絶縁基板１１０上に微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質で形成される駆動半導体１５４ｂが形成される。
基板１１０上にはスイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有する複数のゲート線１２１が形成され、及び駆動半導体１５４ｂ上には駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
【００７０】
駆動半導体１５４ｂと駆動入力電極１７３ｂとの間、及び駆動半導体１５４ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコン、微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンの物質で形成されることができる。
【００７１】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
【００７２】
ゲート絶縁膜１４０及びスイッチング半導体１５４ａ上にはスイッチング入力電極１７３ａと端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂが形成される。
スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａはスイッチング制御電極１２４ａと一部重なっており、スイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
【００７３】
駆動制御電極１２４ｂは駆動半導体１５４ｂ上部に形成されており、駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂと一部重なっている。
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコンなどで形成されることができる。
【００７４】
データ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂ上には保護膜１８０が形成される。
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ、駆動制御電極１２４ｂ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８４、１８２が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成される。保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
【００７５】
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続されており、接続部材８５はスイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂに接続される。画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には開口部３６５を有する隔壁３６１が形成される。
隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成されており、隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。
【００７６】
次に、図１１及び図１２に示した有機発光表示装置を製造する方法について図１３〜図１８を参照して詳細に説明する。図１３〜図１８は図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
図１３に示すように、基板１１０上に微細結晶質ケイ素層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、駆動半導体１５４ｂ及びオーミック接触層１６４ｂを形成する。
【００７７】
又は、非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、固形状結晶化方法などにより結晶化することができる。
次に、図１４に示すように、基板１１０及びオーミック接触層１６４ｂ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂを形成する。
【００７８】
次に、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂをマスクとして、オーミック接触層１６４ｂをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。
次に、図１５に示すように、ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、スイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
【００７９】
次に、図１６に示すように、ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂを形成する。次いで、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【００８０】
次に、図１７に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図１８に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図１１及び図１２に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を有する発光部材３７０を形成する。
【００８１】
最後に、図１１及び図１２に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
＜実施例３＞
以下、図１に示す有機発光表示装置の第３実施例について図１９及び図２０、図１を参照して詳細に説明する。
【００８２】
この実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、上記実施例と異なるトップゲート構造の駆動薄膜トランジスタを有する有機発光表示装置について説明する。上記実施例と同様の内容は省略する。
図１９は図１に示す有機発光表示装置の第３実施例の配置図であり、図２０は図１９に示す有機発光表示装置のＸＸ-ＸＸ’-ＸＸ’’線に沿って切断した断面図である。
【００８３】
絶縁基板１１０上にスイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
基板１１０、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上には微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質で形成される駆動半導体１５４ｂが形成される。
【００８４】
駆動半導体１５４ｂは駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂと一部重なっている。
駆動入力電極１７３ｂと駆動半導体１５４ｂとの間及び駆動出力電極１７５ｂと駆動半導体１５４ｂとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。
【００８５】
ゲート線１２１及び駆動半導体１５４ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
スイッチング半導体１５４ａ及びゲート絶縁膜１４０上にはスイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂが形成される。
【００８６】
スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａはスイッチング制御電極１２４ａと一部重なっており、スイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
駆動制御電極１２４ｂは駆動半導体１５４ｂ上に形成され、駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂと一部重なっている。
【００８７】
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。
データ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂ上には保護膜１８０が形成される。
【００８８】
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ、駆動制御電極１２４ｂ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８４、１８２が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成される。保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
【００８９】
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続されており、接続部材８５はスイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂに接続される。
画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には開口部３６５を有する隔壁３６１が形成される。隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成されており、隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。
【００９０】
次に、図１９及び図２０に示す有機発光表示装置を製造する方法について図２１〜図２６を参照して詳細に説明する。
図２１〜図２６は図１９及び図２０に示す有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
図２１に示すように、基板１１０上に金属層及び不純物ケイ素層を順に積層し、これらを写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２、駆動出力電極１７５ｂ及び複数の不純物ケイ素パターン１６４ｂを形成する。
【００９１】
次に、図２２に示すように、基板１１０上に微細結晶質ケイ素層を積層した後、写真エッチングして駆動半導体１５４ｂを形成し、これをマスクとして不純物ケイ素パターン１６４ｂをエッチングし、オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。又は、非晶質シリコン層を積層した後、固形状結晶化方法などにより結晶化することができる。
次に、図２３に示すように、基板１１０、ゲート線１２１及び駆動半導体１５４ｂ上にゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングし、スイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
【００９２】
次に、図２４に示すように、ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂを形成する。
次に、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、一対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【００９３】
次に、図２５に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図２６に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図１９及び図２０に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を有する発光部材３７０を形成する。
【００９４】
最後に、図１９及び図２０に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
＜実施例４＞
以下、図１に示す有機発光表示装置の第４実施例について図２７及び図２８、図１を参照して詳細に説明する。
【００９５】
この実施例では、ボトムゲート構造のスイッチング薄膜トランジスタと、また他のトップゲート構造の駆動薄膜トランジスタを含む有機発光表示装置について説明する。上記実施例と同様の内容は省略する。
図２７は図１に示した有機発光表示装置の第４実施例の配置図であり、図２８は図２７に示した有機発光表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ’-ＸＸＶＩＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【００９６】
絶縁基板１１０上に微細結晶質ケイ素又は多結晶シリコンなどの結晶質半導体物質で形成される駆動半導体１５４ｂが形成される。
基板１１０及び駆動半導体１５４ｂ上にはスイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有する複数のゲート線１２１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂが形成される。
【００９７】
駆動半導体１５４ｂと駆動電圧線１７２との間、及び駆動半導体１５４ｂと駆動出力電極１７５ｂとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成される。このとき、オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂは駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂと実質的に同一の平面形状を有している。また、ゲート線１２１下部にはゲート線１２１と実質的に同一の平面形状を有する補助部材１６１が形成される。
【００９８】
ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコンで形成される複数のスイッチング半導体１５４ａが形成される。スイッチング半導体１５４ａはスイッチング制御電極１２４ａと重なっている。
スイッチング半導体１５４ａ及びゲート絶縁膜１４０上にはスイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂが形成される。
【００９９】
スイッチング入力電極１７３ａ及びスイッチング出力電極１７５ａは、スイッチング制御電極１２４ａと一部重なっており、スイッチング半導体１５４ａを中心として互いに対向する。
駆動制御電極１２４ｂは駆動入力電極１７３ｂ及び駆動出力電極１７５ｂ上部で駆動半導体１５４ｂと一部重なっている。
【０１００】
スイッチング半導体１５４ａとスイッチング入力電極１７３ａとの間、及びスイッチング半導体１５４ａとスイッチング出力電極１７５ａとの間には各々複数対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａが形成される。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａはリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている非晶質シリコンなどで形成されることができる。
【０１０１】
データ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂ上には保護膜１８０が形成される。
保護膜１８０にはスイッチング出力電極１７５ａ、駆動制御電極１２４ｂ及びデータ線１７１の端部１７９を露出させる複数のコンタクトホール１８５ａ、１８４、１８２が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９及び駆動出力電極１７５ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８５ｂが形成される。
【０１０２】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２が形成される。
画素電極１９１は駆動出力電極１７５ｂと電気的に接続されており、接続部材８５はスイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂに接続される。画素電極１９１、接続部材８５及び接触補助部材８１、８２上には開口部３６５を有する隔壁３６１が形成される。
【０１０３】
隔壁３６１が画定する画素電極１９１上の開口部３６５には有機発光部材３７０が形成されており、隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には共通電極２７０が形成される。
次に、図２７及び図２８に示す有機発光表示装置を製造する方法について図２９〜図３４を参照して詳細に説明する。図２９〜図３４は図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である。
【０１０４】
図２９に示すように、基板１１０上に微細結晶質ケイ素層を積層した後、写真エッチングし、駆動半導体１５４ｂを形成する。又は、非晶質シリコン層を積層した後、固形状結晶化方法などにより結晶化することができる。次いで、基板１１０及び駆動半導体１５４ｂ上に不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０及び金属層１７０を順次に積層する。
【０１０５】
次に、図３０に示すように、金属層１７０及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層１６０を一度に写真エッチングし、スイッチング制御電極１２４ａ及び端部１２９を有するゲート線１２１、補助部材１６１、駆動入力電極１７３ｂを有する駆動電圧線１７２、駆動出力電極１７５ｂ及びオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂを形成する。
次に、図３１に示すように、基板１１０、ゲート線１２１、駆動電圧線１７２及び駆動出力電極１７５ｂ上にゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を連続して積層した後、写真エッチングしてスイッチング半導体１５４ａ及びオーミック接触層１６４ａを形成する。
【０１０６】
次に、図３２に示すように、ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触層１６４ａ上に金属層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極１７３ａ及び端部１７９を有するデータ線１７１、スイッチング出力電極１７５ａ及び駆動制御電極１２４ｂを形成する。次いで、データ線１７１及びスイッチング出力電極１７５ａをマスクとして、オーミック接触層１６４ａをエッチングし、一対のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａを形成する。
【０１０７】
次に、図３３に示すように、基板全面に保護膜１８０を積層し、写真エッチングし、複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂを形成する。
次に、図３４に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯを蒸着した後、写真エッチングし、複数の画素電極１９１、接続部材８５及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
次に、図２７及び図２８に示すように、画素電極１９１、接続部材８５、複数の接触補助部材８１、８２及び保護膜１８０上に感光性有機膜を塗布した後、露光及び現像し、複数の開口部３６５を有する隔壁３６１を形成する。次いで、開口部３６５に正孔輸送層（図示せず）及び発光層（図示せず）を含む発光部材３７０を形成する。
【０１０８】
最後に、図２７及び図２８に示すように、隔壁３６１及び発光部材３７０上に共通電極２７０を形成する。
以上の各実施例によれば、スイッチング薄膜トランジスタでデータ電圧が減少するのを防止し、発光素子に伝達される電流量減少、寿命短縮、表示特性低下を防止することができる。また、スイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタの構造は異なるが、スイッチング制御電極、駆動入力電極及び駆動出力電極を１つのマスクを用いて形成し、スイッチング入力電極、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を１つのマスクを用いて形成することによってマスク数を減らすことができる。
【０１０９】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は、有機発光表示装置など複数のトランジスタにおいて、その性質を異ならせる必要がある技術に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の一実施例による有機発光表示装置の等価回路図である。
【図２】図１に示した有機発光表示装置の第１実施例の配置図である。
【図３】図２に示した有機発光表示装置のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図５】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図６】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図７】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図８】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図９】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【図１０】図２及び図３に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（７）。
【図１１】図１に示した有機発光表示装置の第２実施例の配置図である。
【図１２】図１１に示した有機発光表示装置のＸＩＩ-ＸＩＩ’-ＸＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【図１３】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図１４】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図１５】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図１６】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図１７】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図１８】図１１及び図１２に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【図１９】図１に示した有機発光表示装置の第３実施例の配置図である。
【図２０】図１９に示した有機発光表示装置のＸＸ-ＸＸ’-ＸＸ’’線に沿って切断した断面図である。
【図２１】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図２２】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図２３】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図２４】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図２５】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図２６】図１９及び図２０に示した有機発光表示装置を本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【図２７】図１に示した有機発光表示装置の第４実施例の配置図である。
【図２８】図２７に示した有機発光表示装置のＸＸＶＩＩＩ-ＸＸＶＩＩＩ’-ＸＸＶＩＩＩ’’線に沿って切断した断面図である。
【図２９】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（１）。
【図３０】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（２）。
【図３１】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（３）。
【図３２】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（４）。
【図３３】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（５）。
【図３４】図２７及び図２８に示した有機発光表示装置の本発明の一実施例による製造方法を順に示した断面図である（６）。
【符号の説明】
【０１１２】
１１０…絶縁基板
１２１…ゲート線
１２４ａ…スイッチング制御電極
１２４ｂ…駆動制御電極
１２７…維持電極
１２９…ゲート線の端部
１４０、１４２…ゲート絶縁膜
１５４ａ…スイッチング半導体
１５４ｂ…駆動半導体
１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ…オーミック接触部材
１７１…データ線
１７２…駆動電圧線
１７３ａ…スイッチング入力電極
１７３ｂ…駆動入力電極
１７５ａ…スイッチング出力電極
１７５ｂ…駆動出力電極
１７９…データ線の端部
８１、８２…接触補助部材
８５…接続部材
１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ…コンタクトホール
１９１…画素電極
２７０…共通電極
３６１…隔壁
３７０…有機発光部材
Ｑｓ…スイッチングトランジスタ
Ｑｄ…駆動トランジスタ
ＬＤ…有機発光ダイオード
ＤＥＶｓｓ…共通電圧
Ｃｓｔ…ストレージキャパシタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、
前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、
前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１半導体と前記第２半導体は結晶状態が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１半導体は非晶質半導体を含み、前記第２半導体は微細結晶質又は多結晶半導体を含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記スイッチングトランジスタは、
前記第１信号線と接続される第１制御電極と、
前記第１制御電極上に形成される第１ゲート絶縁膜と、
前記第２信号線と接続される第１入力電極と、
前記第１入力電極と対向し、前記駆動トランジスタと接続される第１出力電極とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記駆動トランジスタは、
前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、
前記第２制御電極上に形成される第２ゲート絶縁膜と、
前記第２半導体上に形成され、前記第２制御電極及び前記第２半導体と一部重なっている第２入力電極と、
第２入力電極と対向し、前記第１電極と接続される第２出力電極とをさらに有し、
前記第２ゲート絶縁膜は前記第１制御電極の下部に形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記駆動トランジスタは、
前記第２半導体上で互いに対向する第２入力電極及び第２出力電極と、
前記第２入力電極及び前記第２出力電極上に重畳するように形成され、前記第１出力電極と接続される第２制御電極とをさらに有することを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２入力電極及び前記第２出力電極の上に形成されているオーミック接触部材をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第２入力電極及び前記第２出力電極下部に形成されたオーミック接触部材をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記オーミック接触部材は、前記第２入力電極及び前記第２出力電極と実質的に同一の平面形状を有することを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１制御電極下部に形成された補助部材をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記オーミック接触部材及び前記補助部材は不純物がドーピングされた非晶質半導体、不純物がドーピングされた微細結晶質半導体及び不純物がドーピングされた結晶質半導体のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成されており、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記駆動トランジスタは、
前記第１電極と接続される第２出力電極と、
前記第２出力電極と対向する第２入力電極と、
前記第２半導体上に重畳するように形成されて、記第１出力電極と接続される第２制御電極とをさらに有することを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成されており、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に形成される第１信号線と、
前記第１信号線と接続される第１制御電極と、
前記第１信号線と絶縁されて交差する第２信号線と、
前記第２信号線と接続される第１入力電極と、
前記第１入力電極と対向する第１出力電極と、
前記第１入力電極と前記第１出力電極と重なっている第１半導体と、
前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、
前記第１信号線又は前記第２信号線と絶縁されて交差する駆動電圧線と、
前記駆動電圧線と接続される第２入力電極と、
前記第２入力電極と対向する第２出力電極と、
前記第２入力電極と前記第２出力電極と重なっている第２半導体と、
前記第２出力電極と接続される第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は同一層に形成されており、前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は同一層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２１】
前記第１半導体は非晶質半導体を含み、前記第２半導体は微細結晶質半導体又は多結晶半導体を含むことを特徴とする請求項２０に記載の有機発光表示装置。
【請求項２２】
基板上に駆動制御電極を形成する段階と、
前記駆動制御電極上に第１ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第１ゲート絶縁膜上に駆動半導体を形成する段階と、
前記第１ゲート絶縁膜及び前記駆動半導体上に導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動入力電極を含む駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階と、
前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上に第２ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第２ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階と、
前記第２ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上にスイッチング入力電極を含むデータ線及びスイッチング出力電極を形成する段階と、
前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、
前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記駆動半導体を形成する段階で微細結晶質半導体を蒸着することを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記駆動半導体を形成する段階は、非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含み、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化することを特徴とする請求項２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記結晶化する段階は固形状結晶化方法（ＳＰＣ）により行うことを特徴とする請求項２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
基板上に駆動半導体を形成する段階と、
前記基板及び前記駆動半導体上に第１導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動入力電極を含む駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階と、
前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階と、
前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、
前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記駆動半導体を形成する段階は、基板上に半導体層を形成する段階、
前記半導体層上にオーミック接触層を形成する段階、前記半導体層及び前記オーミック接触層をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記駆動半導体を形成する段階後に、オーミック接触層を形成する段階をさらに含み、前記第１導電層を写真エッチングする段階で前記第１導電層と前記オーミック接触層を同時に写真エッチングすることを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記駆動半導体を形成する段階で微細結晶質半導体を蒸着することを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記駆動半導体を形成する段階は、非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含み、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化することを特徴とする請求項３１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ）により行うことを特徴とする請求項３１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３４】
基板上に第１導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階と、
前記駆動電圧線及び駆動出力電極上に駆動半導体を形成する段階と、
前記駆動半導体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階と、
前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、
前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記駆動半導体を形成する段階で微細結晶質半導体を蒸着することを特徴とする請求項３４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記駆動半導体を形成する段階は、非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含み、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化することを特徴とする請求項３６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記結晶化する段階は固形状結晶化方法（ＳＰＣ）により行うことを特徴とする請求項３６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、
前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、
前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１半導体と前記第２半導体は結晶状態が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１半導体は非晶質半導体を含み、前記第２半導体は微細結晶質又は多結晶半導体を含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記スイッチングトランジスタは、
前記第１信号線と接続される第１制御電極と、
前記第１制御電極上に形成される第１ゲート絶縁膜と、
前記第２信号線と接続される第１入力電極と、
前記第１入力電極と対向し、前記駆動トランジスタと接続される第１出力電極とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記駆動トランジスタは、
前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、
前記第２制御電極上に形成される第２ゲート絶縁膜と、
前記第２半導体上に形成され、前記第２制御電極及び前記第２半導体と一部重なっている第２入力電極と、
第２入力電極と対向し、前記第１電極と接続される第２出力電極とをさらに有し、
前記第２ゲート絶縁膜は前記第１制御電極の下部に形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記駆動トランジスタは、
前記第２半導体上で互いに対向する第２入力電極及び第２出力電極と、
前記第２入力電極及び前記第２出力電極上に重畳するように形成され、前記第１出力電極と接続される第２制御電極とをさらに有することを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２入力電極及び前記第２出力電極の上に形成されているオーミック接触部材をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第２入力電極及び前記第２出力電極下部に形成されたオーミック接触部材をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記オーミック接触部材は、前記第２入力電極及び前記第２出力電極と実質的に同一の平面形状を有することを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１制御電極下部に形成された補助部材をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記オーミック接触部材及び前記補助部材は不純物がドーピングされた非晶質半導体、不純物がドーピングされた微細結晶質半導体及び不純物がドーピングされた結晶質半導体のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成されており、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記駆動トランジスタは、
前記第１電極と接続される第２出力電極と、
前記第２出力電極と対向する第２入力電極と、
前記第２半導体上に重畳するように形成されて、記第１出力電極と接続される第２制御電極とをさらに有することを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記第１制御電極は前記第１半導体の下部に形成されており、前記第２制御電極は前記第２半導体の上部に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に形成される第１信号線と、
前記第１信号線と接続される第１制御電極と、
前記第１信号線と絶縁されて交差する第２信号線と、
前記第２信号線と接続される第１入力電極と、
前記第１入力電極と対向する第１出力電極と、
前記第１入力電極と前記第１出力電極と重なっている第１半導体と、
前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、
前記第１信号線又は前記第２信号線と絶縁されて交差する駆動電圧線と、
前記駆動電圧線と接続される第２入力電極と、
前記第２入力電極と対向する第２出力電極と、
前記第２入力電極と前記第２出力電極と重なっている第２半導体と、
前記第２出力電極と接続される第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、
前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は同一層に形成されており、前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は同一層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２１】
前記第１半導体は非晶質半導体を含み、前記第２半導体は微細結晶質半導体又は多結晶半導体を含むことを特徴とする請求項２０に記載の有機発光表示装置。
【請求項２２】
基板上に駆動制御電極を形成する段階と、
前記駆動制御電極上に第１ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第１ゲート絶縁膜上に駆動半導体を形成する段階と、
前記第１ゲート絶縁膜及び前記駆動半導体上に導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動入力電極を含む駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階と、
前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上に第２ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第２ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階と、
前記第２ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上にスイッチング入力電極を含むデータ線及びスイッチング出力電極を形成する段階と、
前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、
前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記駆動半導体を形成する段階で微細結晶質半導体を蒸着することを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記駆動半導体を形成する段階は、非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含み、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化することを特徴とする請求項２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記結晶化する段階は固形状結晶化方法（ＳＰＣ）により行うことを特徴とする請求項２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
基板上に駆動半導体を形成する段階と、
前記基板及び前記駆動半導体上に第１導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動入力電極を含む駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階と、
前記スイッチング制御電極、前記駆動電圧線及び前記駆動出力電極上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階と、
前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、
前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記駆動半導体を形成する段階は、基板上に半導体層を形成する段階、
前記半導体層上にオーミック接触層を形成する段階、前記半導体層及び前記オーミック接触層をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記駆動半導体を形成する段階後に、オーミック接触層を形成する段階をさらに含み、前記第１導電層を写真エッチングする段階で前記第１導電層と前記オーミック接触層を同時に写真エッチングすることを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記駆動半導体を形成する段階で微細結晶質半導体を蒸着することを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記駆動半導体を形成する段階は、非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含み、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化することを特徴とする請求項３１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記結晶化する段階は、固形状結晶化方法（ＳＰＣ）により行うことを特徴とする請求項３１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３４】
基板上に第１導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング制御電極、駆動電圧線及び駆動出力電極を形成する段階と、
前記駆動電圧線及び駆動出力電極上に駆動半導体を形成する段階と、
前記駆動半導体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にスイッチング半導体を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記スイッチング半導体上に第２導電層を積層し、写真エッチングし、スイッチング入力電極を含むデータ線、スイッチング出力電極及び駆動制御電極を形成する段階と、
前記駆動出力電極と接続される第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階と、
前記発光部材上に第２電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記駆動半導体を形成する段階で微細結晶質半導体を蒸着することを特徴とする請求項３４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記駆動半導体を形成する段階は、非晶質半導体を形成する段階、前記非晶質半導体を結晶化する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記非晶質半導体を形成する段階後に、不純物がドーピングされた非晶質半導体を形成する段階をさらに含み、前記非晶質半導体を結晶化する段階で前記非晶質半導体と前記不純物がドーピングされた非晶質半導体を同時に結晶化することを特徴とする請求項３６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記結晶化する段階は固形状結晶化方法（ＳＰＣ）により行うことを特徴とする請求項３６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【公開番号】特開２００７−２１９５１７（Ｐ２００７−２１９５１７Ａ）
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３１９２７（Ｐ２００７−３１９２７）
【出願日】平成１９年２月１３日（２００７．２．１３）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月１３日（２００７．２．１３）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
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