電界効果トランジスタのゲート電極などの、シリコン含有領域に、埋め込まれたニッケルシリサイド層（２６０Ａ）、続いてコバルトシリサイド層（２６１Ａ）を形成することによって、縮小されたシリコン回路構造のシート抵抗及び接触抵抗を過度に損なうことなく、デバイスを更に縮小することができるように、両シリサイドの優れた特性が組み合わせられる。
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【課題】減少されたゲート高さを有する集積回路トランジスタを形成する方法およびシステムを開示すること。
【解決手段】本方法は、基板、基板の上のゲート導体（１３）、およびゲート導体（１３）の上の少なくとも１つの犠牲層（１４〜１６）を有する積層構造を形成する。このプロセスは、積層構造を基板から延びる少なくとも１つのゲート・スタックにパターン形成し、ゲート・スタックに隣接してスペーサ（６０）を形成し、ゲート・スタックに隣接してソースおよびドレイン領域（７１）を形成するようにスペーサで保護されていない基板の領域にドーピングし、そして、スペーサ（６０）および犠牲層（１４〜１６）を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）

コンデンサーなどのラミネートに使用するための有機ポリマー。このポリマーは、式：
【化１】


で示される反復単位を含む。上記式中、各Ｒ１は、独立して、Ｈ、アリール基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または架橋性基を含む有機基であり；各Ｒ２は、独立して、Ｈ、アリール基、またはＲ４であり；各Ｒ３は、独立して、Ｈまたはメチルであり；各Ｒ５は、独立して、アルキル基、ハロゲン、またはＲ４であり；各Ｒ４は、独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含みかつＣＮ基１つあたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり；そしてｎは０〜３に等しく；ただし、ポリマー中の少なくとも１つの反復単位は、Ｒ４を含む。

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【課題】 ソース／ドレイン電極材料に銅を用いた場合の加工時のバリアメタル層のアンダーカットに起因する特性不良を防止し、低抵抗配線が充分に実現できるＴＦＴの構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＴＦＴの構造は、ガラス基板２上のゲート電極３と、ゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜４上にゲート電極３に対向配置された半導体能動層５と、半導体能動層５の両端部上に設けられたオーミックコンタクト層６と、各オーミックコンタクト層６を介して半導体能動層５に電気的に接続されたソース電極７、ドレイン電極８とを有している。そして、ソース電極７およびドレイン電極８が銅で形成され、これらソース電極７、ドレイン電極８の下面のうち、各オーミックコンタクト層６の上面上に位置する領域にのみバリアメタル層９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣ等の半導体装置や、表示装置に用いられるＴＦＴ基板で使用される、Ａｌを含む積層配線の信頼性を高める。
【解決手段】 上層の金属層２２を下層のＡｌ又はＡｌを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させる。この積層配線は、エッチングによりこれを作製する際に、上層の金属層２２よりも下層のＡｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１の方のエッチング速度を大きくして、Ａｌ又はＡｌを含む合金の材料層２１のサイドエッチングを多くし、上層の金属層２２を下層のアルミニウム又はアルミニウムを含む合金材料層２１の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させることで作製できる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）