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Fターム[5F110HL27]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−コンタクトホール介在 (16,138) | 電極、配線の製法 (3,290) | 電極、配線形成後の処理 (186)

Fターム[5F110HL27]に分類される特許

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【課題】段差部などに生じた印刷レジストパターンの欠落を防止し空隙を埋め、配線の断線やパターンの細りなどを抑制することにある。
【解決手段】基板上に配線や電極を形成したTFTアレイを形成するにあたり、その上から、印刷装置を使用して有機レジスト或いは金属粒子などを分散したレジストを印刷レジストパターン106として形成する。ついで、レジストパターン印刷後に、有機用溶剤雰囲気中に曝すか、或いは熱などの処理によってパターンを軟化させる。これにより、レジストパターン106が馴染み、レジストパターンと下地層間の空隙107やレジストパターンの段切れを修復することができる。 (もっと読む)


【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板101の上面側からは紫外光ランプ104を用いて紫外光107が照射される。また、基板101の下面側からは赤外光ランプ108を用いて赤外光111が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜103の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。 (もっと読む)


【課題】 電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、導電層のうち、少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備えるが、幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体。また、基板の一面上に形成される薄膜トランジスタ層と、薄膜トランジスタ層と電気的疎通をなす一つ以上の画素を備える画素層と、を含み、薄膜トランジスタは、層を別にして交互される二層以上の導電層を含み、導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備えるが、幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする平板ディスプレイ装置。 (もっと読む)


【課題】反射型又は半透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素電極による反射光の干渉を抑止し、LCDパネルに虹状のむらが生じるのを防止する。
【解決手段】第1の絶縁性基板100と第2の絶縁性基板200の間に液晶12が封入された構成を備え、第1基板100上にTFT11、反射層から成る画素電極14が配置されている。画素電極14の液晶12に対向する側の表面には、複数の凹部及び凸部が形成され、互いに隣接する凸部の間隔及び互いに隣接する凹部の間隔に距離的な周期性がないものである。第1の絶縁性基板100と対向配置される第2の絶縁性基板200には共通電圧Vcomの印加される共通電極15、カラーフィルター層50が形成されている。画素電極14と、液晶12を挟んで対向する共通電極15との間に印加する電圧により液晶12を駆動する。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、データライン等による反射光の干渉を抑止し、LCDパネルに虹状のむらが生じるのを防止する。
【解決手段】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、距離的に周期性を有して配置されている構成要素、例えば、データライン10、ゲートライン20、補助容量ライン30、能動層61については、これらの表面に入射する外光による反射による反射光の干渉が生じ、虹状の表示むらが発生する。これらの表面に、複数の凹部及び凸部が形成し、互いに隣接する凸部の間隔及び互いに隣接する凹部の間隔に距離的な周期性がないようにすることで、反射光の干渉をなくす。距離的に周期性を有して配置されている構成要素の全てにそのような複数の凹部及び凸部を形成することが好ましいが、少なくとも1つの構成要素にそのような複数の凹部及び凸部を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒CVD,高密度バイアス触媒CVD,バイアス減圧CVD,バイアス常圧CVDを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器1に原料ガスを供給し、真空容器1中に配置された基板10と電極3aとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板10上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 (もっと読む)


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