【課題】薄膜トランジスタが有する特性のよいゲート絶縁膜、及びそのゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン薄膜トランジスタ基板が有する酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜であって、ゲート電圧を正電圧から負電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が正から負に変わる時のゲート電圧値と、ゲート電圧を負電圧から正電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が負から正に変わる時のゲート電圧値との差ΔＶ（Ｖ）が、ゲート絶縁膜の厚さｄ（ｎｍ）との関係で、［ΔＶ／ｄ］＜０．００４５であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。複数の電界効果トランジスタはそれぞれ前記半導体層に歪みを与える絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜との接触電気抵抗を増加させることなくＡｌ合金が直接接続し、配線抵抗が小さく、現像液などの電解質液中でガルバニック腐食が生じにくい積層構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜とが直接接続されてなる積層構造を製造する方法であって、基板上に前記酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、該酸化物透明導電膜上にアルミニウムよりもイオン化傾向の小さい合金成分を含有するＡｌ合金膜を形成する第２の工程と、前記Ａｌ合金膜をアルミニウムと前記合金成分よりなる金属間化合物の析出温度以上に加熱する第３の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ａｌより貴な金属元素を含むＡｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造工程において、上記Ａｌ合金膜を腐食させることなく、表示装置を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】アミン類を含む剥離液でフォトレジストを除去し、次いで洗浄開始後５秒間以上はｐＨが３．５以上４．５以下の炭酸水を用いて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照射による処理で高品質なシリサイド膜を形成し、絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい電界効果型トランジスタの微細化と高性能化を実現する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された一対の不純物領域及びチャネル形成領域を有する島状の半導体膜において、一対の不純物領域上に第１の金属膜を形成し、ゲート絶縁膜を介してチャネル形成領域上に位置するゲート電極上に反射膜として機能する第２の金属膜を形成する。第１の金属膜にレーザ光を照射して、第２の金属膜が形成された領域においてレーザ光を反射させ、且つ、一対の不純物領域において選択的に島状の半導体膜と第１の金属膜とを反応させる。 （もっと読む）

【課題】ＴＯＳ−ＴＦＴと有機ＥＬを同一基板上に低温プロセスにおいて形成し、有機層の劣化を低コストで抑制することを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子を駆動するための電界効果型トランジスタを有する発光装置の作製方法において、基板１上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、絶縁層７を形成する工程と、絶縁層７の上に下部電極８を形成する工程と、下部電極８の上に有機ＥＬ素子を構成するための有機層１０を形成する工程と、有機層１０の上に上部電極１１を形成する工程と、を含み、電界効果型トランジスタの半導体層を形成する工程の後、有機層１０を形成する工程の前に、電界効果型トランジスタからＨ_２Ｏとして脱離し得る成分量が１０^−５ｇ／ｍ^２未満となる熱処理を行う熱処理工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ドレイン間のブレークダウン電圧を向上させることができ、パワーデバイスへの適用に適した窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ型ＧａＮ層４が、順に積層された窒化物半導体積層構造部１を備えている。窒化物半導体積層構造部１には、壁面７および引き出し部５が形成されている。壁面７および引き出し部５にはゲート絶縁膜８が形成され、このゲート絶縁膜８上にはゲート電極９が形成されている。また、引き出し部５にはドレイン電極６が形成され、ｎ型ＧａＮ層４にはソース電極１１が形成されている。そして、ゲート絶縁膜８は、ｎ型ＧａＮ層４の上面および引き出し部５の上面に形成された第２部分１４と、壁面７に形成された第１部分１５とに区別され、第２部分１４の厚みが第１部分１５の厚みより厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属膜と絶縁膜との反応物の生成を抑制し、良好な電気的特性を備える半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１１と、半導体層１２と、絶縁膜１３と、保護膜１５と、ソース電極２１と、ドレイン電極２２と、ゲート電極２３と、を備える。半導体装置１０は絶縁膜１３の少なくとも上面を覆うように形成された保護膜１５を備えることによって、ソース電極２１とドレイン電極２２とに含まれるアルミニウムと絶縁膜１３とが反応することを抑制することができ、電極の抵抗増加、電流コラプスの増加を抑え、良好な電気的特性を備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、量産対象である大型のガラス基板に、信
頼性が高く、集積度の高い高性能半導体装置を得る。
【解決手段】結晶化を促進する微量の触媒元素であるニッケル１０５が導入さ
れたａ−Ｓｉ膜１０３を加熱処理して結晶化された結晶性のケイ素膜１０８の一
部の領域（高濃度不純物領域）１０８ｂに選択的に５族Ｂから選択された不純物
であるリン１１７を導入し、第２の加熱処理を行って、結晶性のケイ素膜１０８
のリン１１７が導入されていない領域（能動領域）１０８ａに含まれるニッケル
１０５を高濃度不純物領域に移動させる。この第２の加熱処理は、能動領域１０
８ａに含まれるニッケル１０５の濃度と高濃度不純物領域１０８ｂに含まれるニ
ッケル１０５の濃度とが少なくとも熱平衡状態の偏析状態に達しないように行う
。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化し、液晶表示装置のさらなるコストダウンを実現した液晶表示パネルの製造方法と液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】液晶表示パネルのゲート配線とゲート電極ＧＴ、データ配線を含めたソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の何れかの工程、又はそれらの幾つかの工程にインクジェット直描プロセスを導入することに加えて、シリコン半導体層ＳＩとｎ＋コンタクト層ＮＳの積層からなる能動層アイランドの形成にインクジェット直描プロセスを用いる。 （もっと読む）

【課題】フィン６０ａ〜ｃのソース／ドレイン領域４１、４２の低抵抗ストラッピングを提供する一方で、さらに、ストラップ７１、７２の高度をゲート８０の高度より高く上げることによって、ゲート８０への低キャパシタンスを維持する、マルチ・フィン電界効果トランジスタ構造３００または４００（例えば、マルチ・フィン・デュアル・ゲートＦＥＴまたはトライ・ゲートＦＥＴ）の実施形態を開示する。
【解決手段】本発明の構造の実施形態は、ソース／ドレイン・ストラップ７１、７２を各フィン６０ａ〜ｃのソース／ドレイン領域４１、４２に電気的に接続するために、導電ビア３１、３２（構造体３００参照）または背を高くしたソース／ドレイン領域（構造４００参照）を組み込む。さらに、これらの構造を形成する関連方法の実施形態が開示される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有する。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体膜を用いた従来の薄膜トランジスタアレイでは、外部駆動回路と薄膜トランジスタアレイの信号線端子との良好な接続を確保できるアレイ構造は実現されていなかった。
【解決手段】 薄膜トランジスタのチャネル部１４、ソース部１５、ドレイン部１６と、画素電極１３と、ゲート信号線１１及びソース信号線１２の端部の接続用端子部１８、１７も同一の酸化物半導体で形成する。薄膜トランジスタアレイにおける全ての層構造を形成後、最上層の保護絶縁膜１９の所望の位置に開口部を設ける。そして、開口部を介して酸化物半導体膜２６を還元性プラズマあるいはドーピング元素を含むプラズマに曝すことにより、接続用端子部１８、１７、ソース・ドレイン部１５、１６、画素電極１３を同時に低抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】新たなフォトマスクを必要とすることなく配線とソース・ドレイン領域との接触抵抗を低減させることが可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１００ａは、ＴＦＴ基板１０ａ及び対向基板２０ａを有する。ＴＦＴ基板１０ａには、ＴＦＴ素子３０、データ線６ａが形成されている。ＴＦＴ素子３０の高濃度ソース領域１ｄのうちデータ線６ａと接する部位には、チタンシリサイドの層が形成されている。同様に、容量電極３００のうちシールド層用中継層６ａ１と接する部位、及び中継電極７１９のうち第２中継電極６ａ２と接する部位にも、チタンシリサイドの層が形成されている。これにより、接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜を大粒径の結晶化が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、非単結晶半導体膜の結晶化領域に、光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を前記非単結晶半導体膜上に設けられた第１の光吸収層を介して照射して前記結晶化領域を結晶化するレーザ照射工程、即ち結晶化工程（Ａ）と、少なくとも結晶化された前記結晶化領域の上に形成された第２の光吸収層にレーザ光もしくはフラッシュランプ光を照射することにより前記結晶化された領域を第２の光吸収層を介して再加熱する再結晶化工程、即ち加熱工程（Ｃ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを配線に用いた装置において、ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス型電気光学装置は、珪素膜と、前記珪素膜に接したゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接したゲイト電極と、前記ゲイト電極上の窒化珪素膜と、前記珪素膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極とを有し、前記ゲイト電極はアルミニウム膜又はアルミニウムを主成分とする膜からなり、前記ゲイト電極中における酸素濃度が８×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、炭素濃度が５×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、窒素濃度が７×１０^１７個ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置の低コスト化を図る。
【解決手段】絶縁基板上に、複数のゲート線と、該複数のゲート線にマトリクス状に交差する複数の信号線と、複数の薄膜トランジスタを有し、複数のゲート線を積層電極とする。複数の薄膜トランジスタを、ｎチャネル伝導型およびｐチャネル伝導型の２種類で構成し、一方の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記ゲート線と同じ構成の積層電極で、他方の薄膜トランジスタのゲート電極は前記ゲート線の下層電極と同層の電極で構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の品質に面内ばらつきが生じることを抑制できる半導体膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化方法は、基板５１０上に形成された半導体膜５０６に、第１のレーザ光５０３を基板５１０の底面５１０ａに対して傾斜した状態で照射しつつ、第１のレーザ光５０３とは異なる発振器から発振された第２のレーザ光５０４を、基板５１０の底面５１０ａに対して第１のレーザ光５０３とは反対の方向に傾斜した状態で照射することにより、半導体膜５０６の一部を溶融させ、かつ第１及び第２のレーザ光５０３、５０４の照射位置を、該第１又は第２のレーザ光５０３、５０４が傾斜している方向に略沿って走査して、半導体膜５０６の溶融している部分を移動させることにより、半導体膜５０６を結晶化するものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＮ、レジスト、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ、酸化物等に対するＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）の選択比をあげることができ、Ｓｉ（シリコン）とＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）のヘテロ構造部分に対する加工精度を高くできるエッチング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）層と、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）層の上に形成されたＳｉ（シリコン）層と、を含むヘテロ構造体をエッチングするマイクロ波プラズマエッチング方法であって、反応ガスとしてフッ化物ガスのみを用い、その流量を１０〜８００ｓｃｃｍ、処理圧力を２６６Ｐａ以下、マイクロ波パワーを１５０〜４００Ｗ、処理温度を５〜２５℃として、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）層を選択的に等方性エッチングする。 （もっと読む）