本発明はソース領域又はドレイン領域へのコンタクトに関する。コンタクトは導電性材料を有するが、その導電性材料は絶縁体によりソース領域又はドレイン領域から分離されている。
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【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上方の第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第１のソース電極層または第１のドレイン電極層上方の第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と接しており、第１のソース電極層または第１のドレイン電極層は、第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】コスト的な利点の多いスクリーン印刷法を用いて、平面性及びサイズの均質性に優れた上部電極を有する回路基板を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成される複数の下部電極４と、基板１上に形成され、複数の下部電極４のそれぞれの上に開口部９を有する層間絶縁膜６と、複数の開口部９のそれぞれを埋めるように形成され、複数の下部電極４のそれぞれと電気的に接続される上部電極７とを有する回路基板２０において、層間絶縁膜６は、一の開口部９と、該一の開口部９に最も近接する開口部９又は次に近接する開口部９との略中間点で、基板表面からの高さが極大高さｄとなる極大点Ｃを備える曲面形状を有し、開口部９での上部電極７の基板表面からの高さｔが、極大点Ｃの極大高さｄよりも小さいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減することが可能な有機トランジスタアレイ、表示パネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に設けられている走査線１１及び信号線１２と、走査線１１と接続するゲート電極２１と、ゲート電極２１及び走査線１１を覆うように形成されている第１のゲート絶縁膜と、信号線１２と接続するソース電極２３と、チャネル領域Ｃを挟んでソース電極２３と対向して形成されているドレイン電極２４と、チャネル領域Ｃに形成されている有機半導体層２５とを備え、走査線１１及び信号線１２が交差して形成されている画素領域Ａ１、Ａ２に設けられる有機トランジスタ２０とを有する有機トランジスタアレイ１０において、ゲート電極２１は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２とに挟まれる領域Ｓに形成され、有機半導体層２５は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２に挟まれる領域Ｓ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】溶剤乾燥や熱硬化のための熱処理工程を用いずに形成した欠陥の少ない絶縁層を有する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】バンプ１０７と、バンプ１０７により貫通される層間絶縁層１０５とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプ１０７がフッ素化合物を含み、層間絶縁層１０５がフィルム状ホットメルト接着剤の加熱圧着により形成され、バンプがフッ素化合物を含み、フッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率を向上し且つ歩留りや信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】裏面に凹部ＤＰ１が形成されたシリコン基板１０１と、シリコン基板１０１における裏面と反対側の上面上に成長されたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３の上方または側方に互いに離間して形成されたソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄと、を含むＭＯＳＦＥＴと、を備える。ｐ型半導体層１０３は、シリコン基板１０１に対して格子定数および熱膨張係数のうち少なくとも１つが異なる。凹部ＤＰ１は、シリコン基板１０１の厚み方向から見て少なくともソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄで挟まれた領域を内包する領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高誘電率膜をゲート絶縁膜として用いたＣＩＳトランジスタの信頼性を向上する。
【解決手段】基板１の主面には、素子分離領域２によって互いに絶縁分離されたｐＭＩＳトランジスタの活性領域およびｎＭＩＳトランジスタの活性領域が設けられている。素子分離領域２に係るようにｎＭＩＳトランジスタの活性領域上にｎＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜を構成するハフニウム系酸化膜５が設けられており、そのハフニウム系酸化膜５と素子分離領域２上で接触し、ｐＭＩＳトランジスタの活性領域上にハフニウム系酸化膜５と異なる材料から構成されるｐＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜を構成するハフニウム系酸化膜９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する。この場合、チャネル長Ｌは２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔により決定され、チャネル幅Ｗはコンタクトホール１０、１１の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜によりゲート電極から絶縁され、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、活性層上に形成された保護層と、活性層と接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、保護層が、酸素との結合力を有する無機物を含む酸化物からなる。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸やコンタクト不良を大幅に低減した配線の作製方法を用いることによって半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】層間絶縁膜２０７に設けられた開口部に液滴吐出法を用いてノズル２０８から導電性組成物が分散された液滴２０９を滴下し配線２１０を形成する。さらに、加熱処理を行うことで配線２１０をリフローする。これにより、配線表面を平坦化し、且つ配線のコンタクト不良を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを埋める工程を利用して、隣接する画素電極の間に発生する凹部を平坦化した電気光学装置、その製造方法、およびかかる電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極９ａは、下層側に島状に形成された第１電極９１ａと、第１電極９１ａ上に島状に形成された上層側の第２電極９２ａとによって構成されている。第１電極９１ａの上層には絶縁膜７３が積層され、かかる絶縁膜７３によって、コンタクトホール７２ｂ内の凹部は完全に埋められ、隣接する第１電極９１ａの間も埋められている。従って、絶縁膜７３の表面と、第１電極９１ａにおいて絶縁膜７３から露出している表面とは連続した平坦面を構成しており、かかる平坦面上に第２電極７２ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にコンタクトホール有する回路基板を安価に提供する。
【解決手段】多層配線からなる回路基板であって、層間絶縁膜を介し下部電極と上部電極とが接続されるコンタクトホールがマトリックス状に二次元的に配列されている回路基板の形成方法において、二次元的に配列されている所定の形状のペースト吐出領域を有するスクリーン版であって、スクリーン版において近接する３つ以上のペースト吐出領域から吐出した絶縁ペースト同士がダレにより二次元的に接合することによりコンタクトホールが形成されるように印刷を行う印刷工程と、印刷された絶縁ペーストを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする回路基板の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】膜厚バラツキを抑制し、かつドライエッチングダメージの発生を抑制できる優れた素子特性を兼ね備えた薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極、前記ゲート電極の側壁に形成された、低温酸化膜、低温窒化膜及び低温酸化膜の３層構造のサイドウォールスペーサー、及び島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れたコンタクト特性及び優れた素子特性を持った薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて不純物を含むソース領域ドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続する、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔内にそれぞれ埋め込まれた不純物を含む多結晶半導体層、及び前記多結晶半導体層に接続する高融点金属層を含む配線層を具備し、前記多結晶半導体層と配線層の高融点金属層との間には、高融点金属と半導体との化合物からなる薄層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性が向上するＴＦＴ基板及びそれを用いた液晶表示装置並びにそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴアレイ基板１は、外部から接続可能なゲート配線端子２８及びゲート配線端子２８から延在するゲート配線６を構成する透明導電膜３ａを有する。さらに、ＴＦＴアレイ基板１は、ゲート配線端子２８上では除去され、透明導電膜３ａ上において透明導電膜３ａのパターンの内側に形成された金属膜３ｂを有する。また、金属膜３ｂは、ゲート絶縁膜１５によって覆われる。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路など、電気接続された２つの半導体スイッチによるスイッチング動作を行なうための電気回路において、寄生インダクタンスおよびオン抵抗を抑制することができる構造の半導体素子を提供すること。
【解決手段】この半導体素子は、基板１と、基板１の一方側に形成される半導体積層構造部２とを備える。半導体積層構造部２は、ｎ型層５、このｎ型層５の一方側（下面側）に積層されたｐ型層４、およびこのｐ型層４に積層されたｎ型層３からなる縦型ｎｐｎ構造の第１半導体積層構造８と、ｎ型層５をこの第１半導体積層構造８と共有し、ｎ型層５、このｎ型層５の他方側（上面側）に積層されたｐ型層６、およびこのｐ型層６に積層されたｎ型層７からなる縦型ｎｐｎ構造の第２半導体積層構造９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、層間絶縁膜の段差部における第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部（表示領域Ｈ）と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。額縁部は、薄膜トランジスタ等により構成される駆動回路を備える。また、薄膜トランジスタと接続されるソース電極及びドレイン電極を含む第１配線層１７と、第１配線層１７上に第２層間絶縁膜１８を介して形成される第２配線層１９とを有する。第２配線層１９は、Ａｌを含むＡｌ配線層１９ａと、Ａｌ配線層１９ａの表面を覆うトップバリアメタル層１９ｂとから構成され、Ａｌ配線層１９ａの底面を覆うボトムバリアメタル層が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタが有する特性のよいゲート絶縁膜、及びそのゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン薄膜トランジスタ基板が有する酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜であって、ゲート電圧を正電圧から負電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が正から負に変わる時のゲート電圧値と、ゲート電圧を負電圧から正電圧に掃引したとき、ゲート電極からゲート絶縁膜中に流れ込むゲートリーク電流の値が負から正に変わる時のゲート電圧値との差ΔＶ（Ｖ）が、ゲート絶縁膜の厚さｄ（ｎｍ）との関係で、［ΔＶ／ｄ］＜０．００４５であるように構成する。 （もっと読む）