【課題】大画面あるいはフレキシブル基板上においても十分な解像度を有するデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁体の第１の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第１の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第１の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】 エレベーテッドソースドレイン構造を備えたＭＯＳＦＥＴのゲート電極とソースドレインとの寄生容量を低く抑えることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と離間して形成され、前記半導体基板表面よりも表面が高いエレベーテッドソースドレイン領域と、前記ゲート電極と前記エレベーテッドソースドレイン領域との間に形成された凹部と、前記凹部の前記半導体基板に形成されたソースドレインエクステンション領域と、前記ゲート電極及び前記凹部の底面及び側面に形成された第１のゲート側壁絶縁膜と、前記第１のゲート側壁絶縁膜上に形成された第２のゲート側壁絶縁膜とを備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置のＴＦＴ基板側の薄膜トランジスタにバックライト光が照射されると、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極との間で、アモルファスシリコン半導体領域を透過しながら多重反射し、フロントチャネルに光が入射され、ＴＦＴに光オフリーク電流が発生する。
【解決手段】薄膜トランジスタで『ゲート線１０１のゲート電極部分−ソース電極１０５及びゲート線１０１のゲート電極部分−ドレイン電極１０６のオーバーラップ長ｄ』を、ゲート線１０１のゲート電極部分の端部から入射する光がチャネル部に到達するまでに十分減衰できるような距離に、例えば、４μｍ以上に設定すると、チャネル部に入射される光が、バックライト出射強度の０．２％以下に抑制できるため、光オフリーク電流を十分に低減することができ、フリッカーや表示の不均一性を改善することができた。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】画素部の液晶層厚を小さくして応答速度を速くし、且つ、全ての画素部の液晶層厚を均一にして表示むらの無い良好な表示品質を得るとともに、基板間隔の保持強度を高くし、さらにＴＦＴの電流量を多くして画素へのデータ信号の書込み時間を短くし、しかも、基板間への液晶の充填を能率良く行なうことができるアクティブマトリックス型の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】液晶層１を挟んで対向する一対の基板２，３の一方の内面に、複数の画素電極４と、画素電極４の幅と同程度のチャンネル長を有する複数のＴＦＴ５，５Ｒと、複数のゲート配線１４，１４Ｒ及びデータ配線１５，１５Ｒを設け、他方の基板３の内面に、対向電極１９と、複数のＴＦＴ５，５Ｒに対応する部分毎に前記ＴＦＴのチャンネル長方向に間隔をおいて形成され、前記ＴＦＴ５，５Ｒ上に当接して一対の基板２，３の間隔を規定する複数の樹脂膜からなる柱状スペーサ２０を設けた。 （もっと読む）

【課題】ソース電極、ドレイン電極と、ゲート絶縁層上のチャネルとの電荷移動をスムースにし、高い移動度を安定して実現した有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上にゲート電極１１を設ける。ゲート電極１１の上にゲート絶縁層１２を設ける。ゲート絶縁層１２の上に有機電子材料層１３を設ける。有機電子材料層１３の上の、ソース電極及びドレイン電極を設ける領域との間の間隙領域にスペーサー部３０を設ける。ソース電極及び／またはドレイン電極を設ける領域における有機電子材料層１３を、所定の深さまで除去する。ゲート絶縁層１２及び／または有機電子材料層１３の上のソース電極、及びドレイン電極を設ける領域に、ソース電極１５及びドレイン電極１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を減少させて画質を向上し得る液晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示素子においては、第１及び第２基板と、前記第１基板上に第１方向に配列された複数のゲートライン１０４と、前記ゲートラインと連結されたゲート電極と、前記ゲートラインと垂直に交差して複数の画素を定義する複数のデータライン１０６と、前記ゲート電極上に形成され、前記データラインと所定間隔離隔されたソース電極１０５ａ及びドレイン電極１０５ｂと、前記画素領域に形成され、前記ドレイン電極と電気的に連結された画素電極１１０と、前記データラインとソース電極を電気的に連結する連結パターン１１０ａと、前記ゲート電極とソース／ドレイン電極の間に介在する半導体層１０８と、前記第１及び第２基板の間に形成された液晶層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チャネルポテンシャルの支配力の低下を抑制しつつ、ゲート長を短縮できるようにする。
【解決手段】 ゲート電極１５の一端からオフセット長Ｘ_Sだけ隔ててソース層１８ａを形成するとともに、ゲート電極１５の他端からオフセット長Ｘ_Dだけ隔ててドレイン層１８ｂを形成し、ソース層１８ａ側のオフセット長Ｘ_Sは、ドレイン層１８ｂ側のオフセット長Ｘ_Dよりも短くするとともに、サイドウォール１６ａ、１６ｂの長さは、オフセット長Ｘ_S、Ｘ_Dにそれぞれ対応するように設定する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ基板の各薄膜トランジスタにおける寄生容量をほぼ同一とする。
【解決手段】 画素電極を駆動する薄膜トランジスタ１０上でゲート信号線１１とドレイン信号線１３とが直交する薄膜トランジスタ基板を有する液晶表示パネルにおいて、ゲート電極１２上のドレイン電極１４に、ドレイン信号線１３に接続されている第１のドレイン電極部分１４ａと外側方向に伸びている第２のドレイン電極部分１４ｂとを用意する。それらのゲート電極１２上の第１のドレイン電極部分１４ａとゲート電極１２上の第２のドレイン電極部分１４ｂとは、薄膜トランジスタ１０の中心から点対称となるようにする。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、該有機薄膜トランジスタの製造方法及びその製造に使われるシャドーマスクを提供する。
【解決手段】それぞれドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とソース電極との間の半導体要素のチャンネルと、を備えた複数個の薄膜トランジスタを備えた基板が提供されるが、一トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の最小距離は、隣接したトランジスタの電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく、薄膜トランジスタの半導体要素のチャンネルは、規則的なパターンの半導体要素で形成されるが、半導体要素の最大サイズは、隣接した対の電極間の最小距離（または基板の他の配線と電極との間の最小距離）より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同じある薄膜トランジスタを有する基板である。 （もっと読む）

【課題】 低いＧｅ組成においても高い移動度向上及び寄生抵抗低減効果が得られ、且つセルフヒーティング効果を抑制する。
【解決手段】 ＭＩＳトランジスタを有する半導体装置であって、支持基板１１上の一部に形成され、且つＭＩＳトランジスタのゲート幅方向に長く、ゲート長方向に短く形成された埋め込み絶縁膜１２と、埋め込み絶縁膜１２上に形成され、１軸方向に格子歪みを有する第１の半導体層１４と、埋め込み絶縁膜１２及び第１の半導体層１４のゲート長方向の両側面を埋め込むように形成された第２の半導体層１５と、第１の半導体層１４上にゲート絶縁膜１６を介して形成されたゲート電極１７と、第２の半導体層１５に形成されたソース・ドレイン領域２１とを備えた。 （もっと読む）

【課題】光漏れ電流を防止することができる薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及びこのような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】光漏れ電流を効果的に最小化する薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法が提供される。薄膜トランジスタ基板は、ゲートラインとゲートラインと交差するデータラインを含んで、ゲートラインから絶縁基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に絶縁されて形成された半導体層と、ゲート電極と少なくとも一部分が重なってゲート電極の周囲に配置された光遮断膜と、データラインから形成されて半導体層と少なくとも一部分が重なるソース電極と、ゲート電極を中心にしてソース電極と対向して前記半導体層と少なくとも一部分が重なるドレイン電極を含むトランジスタ構造及びトランジスタ構造上に絶縁されてドレイン電極と電気的に接続された画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 印刷方法を用いてソース電極及びドレイン電極を形成した微細なゲート長、ソース電極幅、ドレイン電極幅を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、少なくとも１つ以上の長方形のソース電極１０８、１０９およびドレイン電極１１０、１１１が間隔を設けて長手方向が平行で、両端部がずれて交互に配列し、前記ソース電極およびドレイン電極の一方の端部は電極連結部１０２、１１３を介して電極配線部１０２、１０４に接続されており、かつ前記ソース電極およびドレイン電極が設けられている領域はゲート電極１０３が設けられている領域内に配置されている有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 大きなオン電流と小さなオフ電流を有する、良好な特性の薄膜トランジスタ装置をフォトリソの回数を減らし、安価に提供する。さらに、この薄膜トランジスタ装置を使用した薄膜トランジスタアレイ及び画像の安定し軽量で薄い薄膜トランジスタディスプレイを提供する
【解決手段】 ゲート電極およびキャパシタ下部電極とを有し、その上に形成されたゲート絶縁膜を介してゲート絶縁膜に接してソース電極及びドレイン電極が配置されており、ソース電極及びドレイン電極の間隙を埋めるように半導体層が配置されており、その上に形成された層間絶縁膜を介して画素電極が配置されてなり、平面配置的に見てソース電極が孤立島パターンであり、ゲート電極がソース電極及びドレイン電極の間にあってソース電極をほぼ囲むＣ字状であり、ドレイン電極がゲート電極をほぼ囲むＣ字状であって、ソース電極の内部にキャパシタ下部電極を有する薄膜トランジスタ装置。 （もっと読む）

【課題】引き出し抵抗の変化が少なく小型化できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース領域12とドレイン領域13との間隔Ｂより小さな間隔Ａを介してコンタクトホール22,23を形成する。ＬＤＤ領域14,15とソース領域12およびドレイン領域13との境界部17,18をコンタクトホール22,23で露出する。コンタクトホール22,23内に積層したソース電極24およびドレイン電極25を境界部17,18上に積層する。コンタクトホール22,23形成時に合わせずれが生じても、ソース電極24およびドレイン電極25の引き出し抵抗がＬＤＤ領域14,15の抵抗値であるので変わらない。コンタクトホール22,23の間隔ＡがＬＤＤ領域14,15間の間隔Ｂより小さくなる。
（もっと読む）

【課題】閾値のばらつきが低減された絶縁ゲート電界効果型トランジスタをより簡易な工程で製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の第１の不純物領域２６ａを貫通し、前記支持基板６に到達する第１コンタクト層３６と、該絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の第２不純物領域２９ｂに到達する第２コンタクト層３８と、を形成すること、を含み、前記第１コンタクト層３６および前記第２コンタクト層３８の形成は、前記層間絶縁層３０の上方に、第１開口５２と該第１開口５２と比して小さい第２開口５４とを有するマスク層５０を形成すること、前記マスク層５０をマスクとして第１のエッチングと、該第１のエッチングとは条件が異なる第２のエッチングとを行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 発光現象が確認された初歩的な段階にある有機半導体材料をディスプレイへ応用するためにどのようにすべきかという課題に対応して新規な構成ならびに機能を有する有機発光トランジスタを提案することにある。
【解決手段】 第１の電極３と第２の電極４よりなる一対の電極間に有機半導体層２を設け、該有機半導体層２を設けた領域に、絶縁層５を介して第３の電極６を設けてなる構造の有機トランジスタであって、一対の電極間に有機半導体層が発光する範囲内で電圧を印加し、さらに第３の電極に電圧を印加し、発光を制御する有機トランジスタにおいて、前記一対の電極が対向している電極間距離よりも、対向している領域の電極長さを長くした。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】 両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、表示装置用薄膜トランジスタ基板とその製造方法に関し、開口率が高く、残像ないし焼き付きを抑えた表示装置用薄膜トランジスタ、同基板及び表示装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ基板は、ゲート電極を含むゲート配線と、データ線に接続される第１電極と、画素電極に接続される第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極からなる層と前記ゲート配線の層との間の層に形成され、前記第２電極の側では前記ゲート電極の領域内に形成され、前記第１電極の側では前記ゲート電極の領域の外部に延長される半導体層とを含む。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果によるリーク電流の低減に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタの作成過程において、エクステンション領域を形成するために不純物を導入するとともに、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。または、不純物および原子量の大きい元素を導入することによって、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。そして、パルス幅が１ｆｓ以上１０ｐｓ以下、かつ波長が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下のレーザビームを照射することにより、アモルファス化した部分のみを選択的に活性化させ、エクステンション領域を２０ｎｍ以下の厚さで形成する。 （もっと読む）