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Fターム[5F110HM19]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−共通 (7,931) | ソース、ドレイン配線に工夫 (347)

Fターム[5F110HM19]に分類される特許

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本発明は、ナノワイヤを用いたディスプレイを目的とする。特に、ナノワイヤ画素トランジスタ、ナノワイヤロウトランジスタ、ナノワイヤカラムトランジスタおよびナノワイヤエッジ電子回路を用いた液晶ディスプレイについて説明する。ナノワイヤ画素トランジスタは、液晶を含む画素に印加される電圧制御に使用される。1対のナノワイヤロウトランジスタに接続されたロウトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタをオン/オフするために使用される。ナノワイヤカラムトランジスタは、ナノワイヤカラムトランジスタに接続されたコラムトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタ全面に印加される電圧を制御するために使用される。
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【課題】動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことができる有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】有機トランジスタは、基板1の表面に形成された導電層2上の絶縁層3及びそれを含む内面に形成される。導電層2は、ソース又はドレイン電極6に接続される。ゲート電極4は、絶縁層3上にある多孔質金属膜内にあり、ゲート絶縁膜5は、ゲート電極4を覆うようにして形成される。有機半導体層7は、ソース又はドレイン電極6とドレイン又はソース電極8との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層7とゲート絶縁膜5との界面に垂直方向に形成される。 (もっと読む)


【課題】異物や膜残り等によるソース電極とドレイン電極との短絡、ドレイン電極やドレイン引出配線の断線及びTFT動作不良等による画素欠陥に対して、開口率を減少させることなく、点欠陥となる画素を容易かつ確実に修正することができ、液晶表示装置の歩留りを向上させることができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、複数本の走査信号線及びデータ信号線と、信号線の交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのドレイン電極又はドレイン引出配線に接続された画素電極とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記アクティブマトリクス基板は、データ信号線が少なくとも部分的に複線化された構造を有し、かつ修正用接続電極を備えるアクティブマトリクス基板である。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルムと、そのようなフィルムの生産プロセスと、に関するものである。
【解決手段】
放射架橋性接着剤を備えた接着剤層はベースフィルム(61)に塗布される。接着剤層はベースフィルムへパターン形状に塗布され、及び/または、接着剤層がパターン形状に構造化して硬化するようにパターン形状に放射線照射される。キャリアフィルムと電気的機能層とを備えたトランスファーフィルム(41)が接着剤層に塗布される。キャリアフィルム(41)は、ベースフィルム、接着剤層、及び電気的機能層を含むフィルム体から剥がされ、そこではパターン形状に構造化された第一領域では電気的機能層はベースフィルム(61)に残り、パターン形状に構造化された第二領域では電気的機能層は前記キャリアフィルム(45)に残り、ベースフィルム(61)からキャリアフィルムとともに取り除かれる。

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【課題】 配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明はEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Cuを有する配線を設ける。また、該配線のCuを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】 パターニングフリーの能動素子基板の提供。
【解決手段】 能動素子基板は、基板上に形成された能動素子1と、能動素子1上に形成された導電膜2とを有する。導電膜2は、能動素子1から出力された電気信号を有限範囲内に伝達する。 (もっと読む)


【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 SiOにより構成されたゲート絶縁膜12およびその上に積層され、SiNにより構成された層間絶縁膜13に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第1の保護金属層170と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層172と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜12よりも厚く形成された第2の保護金属層174とがこの順で積層された電極53を形成する。 (もっと読む)


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