【課題】アクティブマトリックス型表示装置の製造プロセスを短縮化し、投資効率、生産効率を向上させ、かつゲート電極とドレイン電極のミスアライメントが発生しても、ゲート電極とドレイン電極との容量変化の発生をおさえることで、生産歩留りを向上させる。
【解決手段】アクティブマトリックス型表示装置の表示１画素につき、薄膜トランジスタのゲート電極が２個平列に形成されており、薄膜トランジスタのチャネル領域も２個平列に形成されている。そして薄膜トランジスタのドレイン電極は１本にまとめられ画素駆動電極につながっている。この構造により、ゲート電極とドレイン電極のミスアライメントが発生しても、ドレイン電極とゲート電極との容量変化をほとんど生じないようにした。 （もっと読む）

【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、第１配線層上に形成される層間絶縁膜に加わる歪み（ストレス）を解消するとともに段差の形成を抑制し、層間絶縁膜におけるクラックの発生や第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。少なくとも第１配線層と、第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成される第２配線層とを有する。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は第２配線層の側壁の傾斜角度θ２よりも小さい。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は６５°以下であり、第２配線層の側壁の傾斜角度θ２は７０°以上である。また、第１配線層の膜厚ｄ１は第２配線層の膜厚ｄ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と、ソース電極とドレイン電極との間に形成されるチャネル領域とのアライメントが容易な構造を有する薄膜トランジスタアレイを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板上に並設された複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記複数のゲート電極の上層又は下層に並設され、前記複数のゲート電極と平面視で交差する、複数のソース電極と、前記複数のソース電極と同一層の、平面視で前記複数のゲート電極及び前記複数のソース電極で囲われた領域に設けられた、複数のドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向して配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネル領域を形成する半導体層と、を有する薄膜トランジスタアレイであって、前記複数のゲート電極は、直線形状に形成され、前記チャネル領域は、前記直線形状に形成された前記複数のゲート電極に対向して配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の形状を改良して、インパクトイオン化の原因となるドレイン端での電界集中を防止可能な薄膜トランジスタを備えた半導体装置、この半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｘの薄膜トランジスタ３０ｎにおいて、ゲート電極３ｎは、その表面を酸化してなるシリコン酸化膜３ｓにより覆われて、エッジ部分３ｗ、３ｘ、３ｙ、３ｚが丸みを有しているため、ゲート電極３ｎには、電界の集中するエッジ部分がない。このため、ゲート電極３ｎのエッジ部分に対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１３０ｎのドレイン端では、電界が集中しないので、インパクトイオン化が発生しにくい。それ故、下地絶縁層１２上に形成された薄膜トランジスタ３０ｎであっても、良好な電流−ゲート電圧特性を有する。 （もっと読む）

【課題】 ソース電極およびドレイン電極を遮光性金属によって形成しても、光電変換半導体薄膜のチャネル領域への光入射量を多くする。
【解決手段】 少なくともチャネル保護膜４２下には光電変換半導体薄膜が設けられている。チャネル保護膜４２の上面には線状のソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄが互いに平行するように設けられている。そして、チャネル保護膜４２下に設けられた光電変換半導体薄膜のうち、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間における部分がチャネル領域となり、このチャネル領域はソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄによって覆われていない。したがって、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを遮光性金属によって形成しても、光電変換半導体薄膜のチャネル領域への光入射量を多くすることができる。 （もっと読む）

【課題】逆転構造の不揮発性メモリ素子、そのスタックモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの底ゲート電極は、基板上に提供され、少なくとも一層の電荷保存層は、少なくとも一つの底ゲート電極上に提供され、少なくとも一層の半導体チャンネル層は、少なくとも一層の電荷保存層上に提供される不揮発性メモリ素子である。少なくとも一層の半導体チャンネル層の両側に電気的にそれぞれ連結された少なくとも一つのソース電極及び少なくとも一つのドレイン電極をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ不良（例えば、ソース電極とドレイン電極との短絡）の修正、また高速表示への対応および消費電力の抑制の実現を図る。
【解決手段】トランジスタと、該トランジスタの一方の導通電極に接続する画素電極１７と、保持容量配線１８とを備えたアクティブマトリクス基板１０であって、上記トランジスタの一方の導通電極から引き出された引き出し配線７と、上記保持容量配線から引き出された修正用配線１９とを備え、該修正用配線は、絶縁層を介して上記引き出し配線の一部と重なった構成とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性が低い基板上に形成された、半導体層がポリシリコンで構成される薄膜トランジタの自己発熱による特性変動を防止。
【解決手段】複数のサブピクセルを有する表示パネルと、前記複数のサブピクセルを駆動する駆動回路とを備え、前記表示パネルは基板を有し、前記駆動回路は、前記基板上に形成される薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、半導体層がポリシリコンで構成される表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成されるソース電極、半導体層、およびドレイン電極と、前記ソース電極、前記半導体層、および前記ドレイン電極上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上で、前記半導体層上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上で、前記ゲート電極の少なくとも一部を覆うように形成される金属層とを有する。 （もっと読む）

【課題】３層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２０１上に３層以上のｎ層の導電層２０２〜２０４が積層して形成され、ｎ層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、（ｎ−１）個の導電層２０２，２０３を接続する（ｎ−１）個の接続領域２１１，２１２を有し、（ｎ−１）個の導電層のうち基板２０１に対する積層方向（基板２０１の主面に対する法線方向）において第１層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンＣＰＴＮの縁の一部に臨むように形成され、（ｎ−１）個の導電層は、第ｎ層の導電層により電気的に接続されている。第ｎ層の導電層は、コンタクトパターンＣＰＴＮであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線部及びソース配線部の配線厚みはスイッチング素子部の性能劣化が生じない範囲内でしか厚くすることができない。よって、配線部の電気抵抗値を十分に小さくすることができないため、液晶表示装置の消費電力が大きいという課題がある。
【解決手段】スイッチング素子部３０に形成されたゲート電極部４１の電極厚みｄ３に比べ、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の配線厚みｄ４が厚い。また、ソース電極部４３及びドレイン電極部４４の電極厚みｄ５に比べ、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の配線厚みｄ６が厚い。配線厚みｄ４，ｄ６が厚いことにより、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の断面面積が大きくなる。このことから、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の電気抵抗値を小さくすることができる。よって、液晶表示装置１００の低消費電力化ができる。 （もっと読む）

【目的】アクティブマトリックス型横電界方式カラー液晶表示装置で視野角特性が良好で製造コストの安い、表示ムラの少ない高品質大画面画像を実現する。
【構成】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記基板間にはさまれた液晶組成物層と、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面にマトリックス状に配置された複数の走査線と映像信号配線、および共通電極と対をなす画素電極と前記画素電極、前記走査線および前記映像信号配線に接続された薄膜トランジスタ素子を備えた横電界方式液晶表示装置において、共通電極と走査線を連結している静電気対策用保護トランジスタ素子の接続部分と、共通電極と映像信号配線を連結している静電気対策用保護トランジスタ素子の接続部分が、ハーフトーン露光技術を用いて薄膜トランジスタ素子の薄膜半導体層の素子分離時に同時に形成されるプロセスを用いて作られたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜との接触電気抵抗を増加させることなくＡｌ合金が直接接続し、配線抵抗が小さく、現像液などの電解質液中でガルバニック腐食が生じにくい積層構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜とが直接接続されてなる積層構造を製造する方法であって、基板上に前記酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、該酸化物透明導電膜上にアルミニウムよりもイオン化傾向の小さい合金成分を含有するＡｌ合金膜を形成する第２の工程と、前記Ａｌ合金膜をアルミニウムと前記合金成分よりなる金属間化合物の析出温度以上に加熱する第３の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上にＣＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置において、Ｇｌｏｂａｌ Ｓｔｒａｉｎによる応力印加を有効に活用しつつ、回路のスイッチ動作速度の低下を生じさせない半導体装置を提供する。
【解決手段】基板の一方の面に形成される第１の素子領域と、基板の他方の面に形成される第２の素子領域と、第１の素子領域と第２の素子領域との間の、比誘電率が３．９よりも低い絶縁層とを備え、第１の素子領域にｎ型ＭＩＳＦＥＴが形成され、第２の素子領域にｐ型ＭＩＳＦＥＴが形成され、絶縁層中を貫通する配線によって、第１の素子領域と第２の素子領域とが電気的に接続され、第１の素子領域が形成される面が凸形状、第２の素子領域が形成される面が凹形状となるように基板が湾曲していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】微細加工技術に依拠するのみでなく、半導体集積回路の高性能化を図ることを目的とする。また、半導体集積回路の低消費電力化を図ることを目的とする。
【解決手段】第１導電型のＭＩＳＦＥＴと第２導電型のＭＩＳＦＥＴとで単結晶半導体層の結晶面及び／又は結晶軸が異なる半導体装置を提供する。当該結晶面及び／又は結晶軸は、それぞれのＭＩＳＦＥＴにおいてチャネル長方向に走行するキャリアの移動度が高くなるように配設される。このような構成とすることで、ＭＩＳＦＥＴのチャネルを流れるキャリアにとって移動度が高くなり、半導体集積回路の動作の高速化を図ることができる。また、低電圧で駆動することが可能となり、低消費電力化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物による半導体層の汚染を防ぎ、支持基板と半導体層との接合強度を高めることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に第１のハロゲンを含む酸化膜を形成し、第２のハロゲンのイオンを照射することによって半導体基板中に分離層を形成すると共に第２のハロゲンを半導体基板に含ませ、水素を含む絶縁膜を挟んで半導体基板と支持基板とを重ね合わせた状態で加熱処理を行って、分離層で半導体基板の一部を分離させることにより、支持基板上に第２のハロゲンを含む半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】有機半導体デバイスを構成する有機半導体材料の劣化を防止することができ、基板上の各構成要素に適した封止レベルを実現することができる有機半導体デバイスとその製造方法および電気光学装置を提供する。
【解決手段】基板２の駆動素子形成面３側には、有機トランジスタ４のゲート電極７、ソース電極８、ドレイン電極９および半導体層１２が形成され、基板２の駆動素子形成面３の裏側の画素形成面５には、画素電極６が形成され、ドレイン電極９と画素電極６は基板２を貫通するコンタクトホール１０を介して接続され、駆動素子形成面３には、有機トランジスタ４を覆う封止層１４が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空プロセスの工程数を減らし、薄膜トランジスタの製造コストを低減させる。。
【解決手段】非晶質シリコン薄膜１３の上に絶縁保護膜１４を形成したのち、ｎ型不純物を含む非結晶シリコン膜１５を形成する。ウェットエッチングにより非結晶シリコン膜１５の絶縁保護膜１４上に開口１５Ｃを形成し、非結晶シリコン膜１５をソース領域１５Ａ側と、ドレイン領域１５Ｂ側に分離する。続いて、シリコン（Ｓｉ）を触媒とした無電解めっきプロセスにより、非結晶シリコン膜１５上に金属層、例えばクロム（Ｃｒ）膜を形成する。真空プロセスを用いることなく、常圧でソース電極１６，ドレイン電極１７および配線を形成することができる。 （もっと読む）

ソース電極およびドレイン電極、ならびにゲート電極を有する半導体素子Ａと、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記半導体素子Ａのソース電極またはドレイン電極に接続されているゲート電極を有する半導体素子Ｂと、前記半導体素子Ｂのドレイン電極に接続されている画素電極を有する有機ＥＬ素子と、を含む、有機ＥＬデバイスであって、前記半導体素子Ａのソース電極およびドレイン電極、ならびに前記半導体素子Ｂのゲート電極は、同一平面上に配置されている、有機ＥＬデバイス。
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【課題】プラズマプロセス中における半導体素子の損傷のないＳＯＩ基板を用いる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。ここで、第１の配線層が、不純物拡散領域に、直接か、または、第１の配線層より下層の配線層の配線を介して接続された、少なくとも１つの配線を有し、活性層の第２の領域に形成されたダミー不純物拡散領域が、不純物拡散領域に、第１の配線層の配線もしくは第１の配線層より下層の配線層の配線を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】層を異ならせて互いに交差する二層以上の導電層を備える電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置において、導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を異ならせる幅変動部を備え、幅変動部を備える導電層２４０と隣接する導電層のうち、少なくとも何れか一つには、これら導電層同士が交差しないその一つの導電層の非交差部に静電気を誘発させる電荷を集中させるためのダミー部２４１が備えられることを特徴とする。 （もっと読む）