【課題】ＴＦＴに接続された各配線を形成する際のプラズマエッチング工程においてチャージアップに起因するプラズマダメージが生じることを防止する。
【解決手段】ＴＦＴ１０のソース領域１３ｓに接続されたソース配線１７ｓ、ＴＦＴ１０のドレイン領域１３ｄに接続されたドレイン配線１７ｄ、およびＴＦＴ１０に対して電気的に接続されない配線１８を共通のプラズマエッチング工程によって形成する際、ソース配線１７ｓとドレイン配線１７ｄとの間隔を、ソース配線１７ｓと配線１８との間隔およびドレイン配線１７ｄと配線１８との間隔よりも狭くする。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑えつつ、信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】複数の信号配線３を基板１の複数の溝３０内にそれぞれ設けており、電磁波の照射に応じて電荷を発生する半導体層６及び当該半導体層６に発生した電荷を収集する収集電極１１を有するセンサ部１０３を基板１の上層に設けた。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせSOI基板を使用せずに容易な製造プロセスにより、微細で、高速且つ高性能なMIS電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板1上に酸化膜2を介して、横方向エピタキシャル半導体層3が設けられ、素子分離領域形成用の埋め込み絶縁膜4及び酸化膜2により島状に絶縁分離されている。絶縁分離された横方向エピタキシャル半導体層3上に選択的に縦方向エピタキシャル半導体層7が設けられ、上部には高濃度ドレイン領域10及び低濃度ドレイン領域9が設けられ、下部には高濃度ソース領域8が設けられ、側面にはゲート酸化膜11を介してゲート電極12が設けられている。高濃度ドレイン領域10、高濃度ソース領域8及びゲート電極12には、それぞれバリアメタル18を有する導電プラグ19を介してバリアメタル21を有するCu配線22が接続されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を微結晶化するトランジスタを有する装置において、周辺金属に影響を及ぼさないようにしつつ、トランジスタの特性を十分に確保できるようにすること。
【解決手段】本発明は、複数の画素部３０を備える表示領域１０と、表示領域１０の画素部３０に対応して設けられ、複数の駆動トランジスタ３１ａが表示領域１０の表示面に沿って並列に配置されてなる駆動部３１とを有する表示装置１である。また、駆動トランジスタ３１ａのチャネル領域を形成するにあたり、複数の駆動トランジスタ３１ａの並列となる方向に沿って固体レーザ光を走査して照射する表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】特性の向上を図ることのできる半導体装置（アレイ基板）の構成を提供する。
【解決手段】本発明に係るフレキシブル基板上に形成された半導体装置は、配線の一部を構成する第一配線層（ＧＬ１）と第二配線層（ＧＬ２）と、第一絶縁層（１５）と第二絶縁層（２３）とを少なくとも有し、該第一配線層は該第一絶縁膜上に形成されており、該第二配線層は該第二絶縁膜上に形成されており、該第二絶縁層は該第一配線層と該第二配線層との間に位置し、該第二配線層においては他の配線（ＳＬ１、ＳＬ２）との交差部を有さず、該第二配線層は、該第二絶縁層の一部を取り除いて該第一配線層と接続されている。かかる構成によれば、配線の一部を第一配線層と第二配線層とに分割したので、第一配線層下に第一絶縁層を分割して配置することができる。よって、機械的、または熱的な応力が加えられた場合であっても、下地絶縁膜におけるクラックの発生を低減できる。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に、単結晶半導体層を多層構造とした、多層集積回路を形成する場合の、工程数の簡略化を図る。また同歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板面内の半導体素子の半導体接合界面領域は、支持基板側から、すなわち基板の素子が形成されていない面からレーザを直接照射し加熱することができるよう配置される。１層目の半導体素子層、２層目の半導体素子層が形成された後、支持基板側からレーザを照射することで、１層目の半導体素子層及び２層目の半導体素子層の、半導体接合界面領域の活性化を同時に行う。支持基板と前記半導体素子層との間の層は光透過性とし、レーザを減衰しない構造とする。 （もっと読む）

【課題】保護回路の電気的特性を良好にさせ、占有面積を小さくすることを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを有する表示装置の信頼性を高めることを目的の一とする。
【解決手段】基板上に形成される第１配線と、第１配線と交差する第２配線と、第１配線及び第２配線を絶縁する絶縁膜とが形成され、第１配線及び第２配線の交差部において、第１配線または第２配線の一方が、第１配線または第２配線の他方側へ突出する保護回路である。また、第１配線及び第２配線を絶縁する絶縁膜は、第１配線及び第２配線の交差部において、凹部または分離部が形成され、当該領域において、第１配線または第２配線の一方が、第１配線または第２配線の他方側に突出する保護回路である。 （もっと読む）

【課題】信号配線の寄生容量の増加を抑制しつつ、薄膜トランジスタからのリーク電流の発生を抑制することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波に対して遮光性を有する導電性部材により形成され、半導体層６で発生した電荷を収集する下部電極１４を延伸させて、信号配線３のＴＦＴスイッチ４との接続部を含む一部分の電磁波の照射面側に遮光部を形成する。 （もっと読む）

【課題】溶解性に優れ、空気安定性、高い移動度、ＯＮ／ＯＦＦ比を有するビスチアゾール重合体を含む有機薄膜および有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる構成単位を含有することを特徴とする重合体。


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコシキ基もしくはチオアルコキシ基から選択される基であり同一でも異なっていても良く、且つ、少なくとも一つが水素以外の置換基を有する。ｎは１以上の整数を示し、ｎが２以上の場合、Ｒ_３およびＲ_４は同一でも異なる基でもよい。） （もっと読む）

【課題】大型絶縁基板に非単結晶Ｓｉ半導体素子と単結晶Ｓｉ半導体素子とを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置を製造する場合に、単結晶Ｓｉ部分の製造工程を簡略化し、かつ大型絶縁基板に転写した後、高精度のフォトリソグラフィなしに微細な単結晶Ｓｉ半導体素子の素子分離を実現し得る半導体基板、半導体装置、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル領域１７、ソース領域４及びドレイン領域５を含む活性層６を有し、ウエル構造及びチャネルストップ領域を有しない単結晶Ｓｉウエハ８と、単結晶Ｓｉウエハ８上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極２と、活性層６の周囲の単結晶Ｓｉウエハ８上に形成された、ゲート絶縁膜３よりも膜厚の厚いＬＯＣＯＳ酸化膜７と、ゲート電極２及びＬＯＣＯＳ酸化膜７上に形成された平坦化絶縁膜１を有する。 （もっと読む）

【課題】剥離層と近づけて配置される電極パッド等の導電膜を有する被転写体を良好に転写することが可能な製造技術を提供すること。
【解決手段】(a)第１基板(10)上に設けられた剥離層(11)上にデバイス層(30)を形成し、(b)デバイス層の一部を除去することにより、剥離層の一部を露出させる開口(32)を形成し、(c)開口を介して剥離層の一部と接した部位を有し、デバイス層と接合した保護絶縁膜(19)を形成し、(d)開口において保護絶縁膜を介して剥離層と対向配置された部位を有し、デバイス層と接合した導電膜(14)を形成し、(e)接着層を介してデバイス層と第２基板とを接合し、(f)剥離層にエネルギーを付与することによって当該剥離層に剥離を生じさせることにより、デバイス層、導電膜及び保護絶縁膜を第２基板上へ転写する、ことを含む薄膜デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。
【解決手段】半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＳｉおよび／またはＧｅ：０．１〜１．５ 原子％、Ｎｉおよび／またはＣｏ：０．１〜３．０原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．５ 原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】データ線から発生する電気力線が画素電極に進入することを防止し、開口率を大きくすることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板１００Ａは、データ線１２を覆う無機絶縁膜１５と、データ線１２の上方において無機絶縁膜１５上に設けられた突起状の有機絶縁膜２１と、有機絶縁膜２１を覆い、かつ、上方から見たときにデータ線１２を覆うシールド共通電極２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】引き回し領域が占有する領域を狭めた場合でも、下層側の第１配線と上層側の第２配線との位置関係が配線毎にばらつくことのない半導体装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置において、第１配線３ｓを覆う層間絶縁膜７の表面には、第１配線３ｓが反映されてなる凸部７ａが形成されている。第２導電膜６を形成した後、レジストマスク１５０を形成し、このレジストマスク１５０をアッシングすると、凸部７ａに挟まれた溝７ｂ内にレジストマスク１５０を選択的に残すことができる。従って。レジストマスク１５０を用いて第２導電膜６をエッチングすると、第１配線３ｓに対して自己整合的に第２配線６ｓを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】種々の平坦化プロセスを用いて種々の平坦構造を形成することにより、加工精度を確保すると共に信頼性の高い、優れた特性の薄膜半導体素子を製造する方法、それによって製造された薄膜半導体素子、及びその薄膜半導体素子を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板上に非晶質半導体層を形成する工程、前記非晶質半導体層を結晶化する工程、前記結晶化された半導体層をパターニングして島状結晶質半導体層を形成する工程、前記島状結晶質半導体層の周囲との段差を第１の絶縁膜で埋め、表面段差０．１μｍ以下の第１の平坦構造を形成する工程、前記第１の平坦構造上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上に導電性膜を形成する工程、前記導電性膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程、及び前記ゲート電極をマスクとして前記島状結晶質半導体層に不純物を導入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等の半導体素子を介して上層と下層に形成された配線層間の良好な接続を可能にし、配線の自由度を向上させた半導体装置及びその作製方法を提供すること目的の一とする。
【解決手段】絶縁体でなる基板上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成された第１の配線層と、第１の絶縁層上の第１の配線層が形成された領域以外の領域に形成された第２の絶縁層と、第１の配線層及び第２の絶縁層上に形成され、チャネル形成領域と不純物領域を有する単結晶半導体層と、単結晶半導体層のチャネル形成領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、第１の配線層、第２の絶縁層、単結晶半導体層及びゲート電極を覆うように形成された第３の絶縁層と、第３の絶縁層上に形成された第２の配線層とを設け、第１の配線層と単結晶半導体層の不純物領域が接続し、第１の配線層と第２の配線層が電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、信頼性のある表示装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。さらに、基板上にゲート配線層とソース配線層を同工程で形成し、ゲート配線層とソース配線層の交差部においてはソース配線層を分断（切断）した形状とする。分断されたソース配線層は開口（コンタクトホール）を介してゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と同工程で形成された導電層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及びデータ線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続されたゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。 （もっと読む）