【課題】低抵抗率で且つ下地との密着性が高い信号線を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】信号線は、下地の上に銅合金膜を形成する。下地と銅合金膜の界面に、銅合金の添加金属元素の酸化物膜、珪化物膜、又は、窒化物膜を形成する。こうして、銅合金膜と、酸化物膜、珪化物膜、又は、窒化物膜の積層膜によって、信号線が形成される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の高輝度化、狭額縁化などを実現する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、下部基板１と、下部基板１に対向する上部基板と、下部基板１と上部基板の間に設けられた液晶層とを備えるものであって、下部基板１は、単位画素領域１２を区画するデータ配線及びゲート配線を３層以上の層構造を有する複数の配線４，５，６と、これら複数の配線のうち、第１の配線４を被覆する第１の絶縁膜７と、第１の絶縁膜７上に形成された第２の配線５を被覆する第２の絶縁膜８と、第２の絶縁膜８上に形成された第３の配線６を被覆する第３の絶縁膜９と、単位画素領域１２に保持容量を形成する上層透明電極１０及び下層透明電極１１とを有し、第３の配線６を下層透明電極１１と同層に形成するとともに、上層透明電極１０及び下層透明電極１１の間に第３の絶縁膜９を介在させて保持容量を形成している。 （もっと読む）

【課題】 アレイ基板において、電源ライン等の大電流を流す必要のある配線についても、製造コストやスループット等に影響を与えることなく線幅を削減可能とする。
【解決手段】 表示部の周辺に複数の配線層（第１配線２７及び第２配線２９）を有して構成される回路部を有するアレイ基板である。第１配線２７と第２配線２９は、互いに連続的に重なるように配置された２層重ね配線部３０を有し、配線の重なり部（２層重ね配線部３０）が１本の配線として機能する。この２層重ね配線部３０は、電源ライン等として利用される。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させることができるアクティブマトリクス基板及びＩＰＳ方式の液晶パネルの提供。
【解決手段】基板上に、互いに略直交するゲート配線１及びデータ配線３と、ゲート配線１に略平行な共通配線２とを備え、ゲート配線１とデータ配線３との交点近傍にＴＦＴ６を備え、ゲート配線１とデータ配線３とで囲まれる画素内に、画素電極４と対向電極５とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、画素電極４にはＴＦＴ６を介して共通配線２の共通電圧が供給され、対向電極５にはデータ配線３のドレイン電圧が供給されるものであり、データ配線３と対向電極５とが同電位となるためデータ配線３を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなく、また、データ配線３自体が対向電極５の一部となるため、開口部として利用できる面積を広く確保して開口率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ基板において、各配線間のクロストークを低減する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板は、透明基板上に配置され、ゲート電極４ａが分岐して延在するゲート配線１と、下部絶縁膜を介してゲート電極４ａの上方を覆う半導体層３と、半導体層３を介してゲート電極４ａの上側にそれぞれ一部が重なりかつゲート配線１とは交差しないようにそれぞれ別個に配置されたソース／ドレイン電極４ｂ，４ｃと、ソース／ドレイン電極４ｂ，４ｃを覆う上部絶縁膜と、この上部絶縁膜の上側においてゲート配線１と交差する方向に配置され、ソース電極４ｂに接続された上部ソース配線８と、ドレイン電極４ｃに電気的に接続された透明な画素電極１１とを備え、少なくともゲート配線１と上部ソース配線８とが交差する交差部２１では、ゲート配線１と上部ソース配線８との間に上記上部絶縁膜が配置されている。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
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【課題】コプラス時オン抵抗を低減化し、かつゲート漏れ電流を低減化した半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体層（３,４）上に窒化物系化合物半導体層（３,４）とショットキー接触するゲート電極７と、ゲート電極７上に形成された第１の絶縁膜１８と、ゲート電極７から離間した窒化物系化合物半導体層（３,４）上に窒化物系化合物半導体層（３,４）と低抵抗接触するソース電極５と、ゲート電極７と第１の絶縁膜１８を介して形成され、ソース電極５と電気的に接続し、平面的に見て、ゲート電極７の上を跨ぐように延伸しているソースＦＰ電極９と、ソースＦＰ電極９上に形成された第２の絶縁膜１０とを有する半導体装置であって、ソースＦＰ電極９の厚みはソース電極５の厚みよりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】一つのマスク工程にパターンの違う二つの絶縁膜を形成する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重絶縁膜が備えられた半導体装置において、前記絶縁膜は第1パターンの第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と異なるパターンおよび他の材料で前記第1絶縁膜上に備えられ、感光物質を含む第2絶縁膜を含み、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜が重畳される第1領域、前記第1絶縁膜が形成される第2領域、および絶縁膜が存在しない第3領域を含む。 （もっと読む）

【課題】斜め方向からの迷光が、薄膜トランジスタのチャネル部に入ることで光リーク電流を発生させる場合がある。この現象は特に高輝度の光学系を用いる場合に顕著となり、画質の低下を招いている。
【解決手段】光導波路に侵入しうる光がチャネル部に到達しないようにするためには、第１絶縁体層の層厚ｔ（ｎｍ）、屈折率をｎとした場合、以下の式で表されるｔ＜（０．６１×λ）／（ｎ×ｓｉｎθ）。λを可視光波長の下限４００（ｎｍ）とし、遮光層端部とチャネル領域端部との距離をＬ_c（ｎｍ）として式変形するとｎｔ²／２４４（ｎｍ）＜Ｌ_c（ｎｍ）となる。この式を満たすように第１絶縁体層の層厚と、遮光層端部と、チャネル領域端部との距離と、を制御することで斜め方向の迷光による画質の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ドレイン間のブレークダウン電圧を向上させることができ、パワーデバイスへの適用に適した窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ型ＧａＮ層４が、順に積層された窒化物半導体積層構造部１を備えている。窒化物半導体積層構造部１には、壁面７および引き出し部５が形成されている。壁面７および引き出し部５にはゲート絶縁膜８が形成され、このゲート絶縁膜８上にはゲート電極９が形成されている。また、引き出し部５にはドレイン電極６が形成され、ｎ型ＧａＮ層４にはソース電極１１が形成されている。そして、ゲート絶縁膜８は、ｎ型ＧａＮ層４の上面および引き出し部５の上面に形成された第２部分１４と、壁面７に形成された第１部分１５とに区別され、第２部分１４の厚みが第１部分１５の厚みより厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を有し、ガラス基板への付着力が強く、且つ、耐プラズマ性及び可視光反射率の高い材料を実現し、且つ低抵抗化を図り得る銀合金材料を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１１において、ゲート配線１３およびゲート電極１７を構成材料として、銀とインジウムとを含む銀合金材料であって、銀に対するインジウムの含有量が０．５重量％以下である銀合金材料を用いることで、可視光反射率の高い材料を実現し、さらに、アルミニウム配線ではなし得ない低電気抵抗配線の形成を可能する。 （もっと読む）

【課題】信頼性、生産性に優れた、かつ、高解像度のアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、透明絶縁基板１上に形成されたゲート電極・配線２と、ゲート電極・配線２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成された半導体層１０と、半導体層１０上に形成されたソース電極６ｂ、ソース配線６ａ及びドレイン電極７と、ドレイン電極７に接続された画素電極９とを備えたものである。半導体層１０は、ＴＦＴを構成するＴＦＴ部１０ｂと、ソース配線６ａとゲート電極・配線２とが交差する領域に形成されたソース・ゲート交差部１０ａと、ＴＦＴ部１０ｂとソース・ゲート交差部１０ａとを接続する接続部１０ｃとが一体に形成されており、ソース電極６ｂ及びソース配線６ａにより、半導体層の接続部１０ｃ全部及びソース・ゲート交差部１０ａの接続部１０ｃ側の一部が覆われている。 （もっと読む）

【課題】段差部の凹角部分における配線層の断線を防止する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板４２は、ガラス基板２２と、ガラス基板２２に突出した状態で設けられたドライバ部５０と、ドライバ部５０の表面とガラス基板２２の表面とに沿って形成された段差部５３と、段差部５３の表面に設けられ、段差部５３における少なくとも一部の凹角形状を補償する絶縁性の凹角補償膜５４と、凹角補償膜５４の表面に沿って形成されると共にドライバ部５０に接続された配線層３７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ソースセルとドレインセルが市松模様状に配置された低オン抵抗の横型ＭＯＳトランジスタを有してなる半導体装置であって、高密度配線に有利なプラグ技術と両立可能で、制御ＩＣ等との複合化に好適な小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】ソースセル１０２，１０３とドレインセル１０４，１０５が、それぞれ、コンタクトプラグ３１，３２によって、平坦化された第１配線層４１，４２に接続されてなり、コンタクト３１ｂで示されたソースコンタクトプラグが、コンタクト３２ａで示されたドレインコンタクトプラグのコンタクト面内における最小幅Ｗ２より小さな最小幅Ｗ１を有するコンタクト３１ｂ１〜３１ｂ５で示された小コンタクトプラグの複数個の組み合わせからなる半導体装置１１０とする。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の向上を図った表示装置の提供。
【解決手段】基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、
前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、
前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成している。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の画質むらを容易に低減する。
【解決手段】 複数本の走査信号線と、複数本の映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴおよび複数個の画素電極とを有する表示パネルを備える表示装置であって、ある１つのＴＦＴが配置された領域における前記走査信号線の幅と、前記ある１つのＴＦＴとは異なる別の１つのＴＦＴが配置された領域における前記走査信号線の幅とが異なるときに、前記ある１つのＴＦＴにおけるチャネル幅およびチャネル長と、前記別のＴＦＴにおけるチャネル幅およびチャネル長とが概ね等しく、前記ある１つのＴＦＴの前記ソース電極と前記走査信号線とが平面でみて重なる領域の面積と、前記別の１つのＴＦＴの前記ソース電極と前記走査信号線とが平面でみて重なる領域の面積とが概ね等しい表示装置。 （もっと読む）

【課題】従来の表示装置の信号配線は、信号配線の下部あるいは周囲に鬆が発生して、パッシベーション膜の被膜性が悪化する問題があった。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、信号配線を有する表示装置であって、信号配線は、アルミニウムを主成分とし、絶縁層１０上に絶縁層１０と接するように形成される下層配線１１と、４族乃至６族元素を主成分とし、下層配線１１の上層に下層配線１１と接するように形成され、下層配線１１の端部よりも内側に端部が位置する上層配線１２とを有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に薄膜トランジスタアレイを形成したアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１と、プラスチック基板１上に形成された複数の走査配線２と、絶縁膜を介して走査配線２と交差する複数の信号配線５と、プラスチック基板１上に形成され、対応する走査配線２上の走査信号に応答して動作する複数の薄膜トランジスタ１０と、薄膜トランジスタ１０を介して信号配線５と電気的に接続される複数の画素電極１４とを備えている。対応する画素電極１４と薄膜トランジスタ１０は、導電部材９によって相互接続されており、画素電極１４および導電部材９は、それぞれ、隣接する異なる走査配線と交差している。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の映像信号線と画素電極との間に生じる寄生容量に起因した画質の低下を防ぐとともに、開口率の低下を抑える。
【解決手段】 複数本の走査信号線と、複数本の映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個の画素電極とを有する表示パネルを備える表示装置であって、前記映像信号線は、当該映像信号線からみて前記走査信号線の延在方向に配置され、かつ、平面でみたときに当該映像信号線に隣接する画素電極と重なる領域を有する導電性の寄生容量調整層と電気的に接続しており、前記画素電極は、平面で見たときの前記映像信号線と当該画素電極との距離が近づくと、当該映像信号線に接続している前記寄生容量調整層と当該画素電極とが重なる領域が狭くなり、平面で見たときの前記映像信号線と当該画素電極との距離が離れると、当該映像信号線に接続している前記寄生容量調整層と当該画素電極とが重なる領域が広くなる切り欠きを有する。 （もっと読む）