【課題】本発明は、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、トランジスタ特性に優れ、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板、および、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に接するように形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極とを備える有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、上記ゲート絶縁層が、絶縁性を有するバインダー樹脂と、光触媒と、有機シラン化合物とを含有することを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた有機半導体層を有する有機半導体素子において、有機半導体層の製膜後のプロセスによる劣化に対して、劣化した半導体特性を回復させる。
【解決手段】有機半導体を用いた電子素子を製造する時に、劣化した有機半導体と溶媒とを接触させ、前記有機半導体の半導体特性を回復させる半導体特性回復工程を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置よりもさらに薄型、好ましくはトータルの厚さが３０μｍ程度以下であり、かつ湾曲させたり、折り曲げたりしても特性が変化せず、もとの形状を回復することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子からなる厚さ２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の支持層２０３と、前記支持層２０３上に形成された素子とを含むことを特徴とする半導体装置、ならびに、基板２０１上にアルミニウムから構成される剥離層２０２、高分子からなる支持層２０３、素子を順に形成し、アルカリ溶液を用いて該剥離層２０２を溶解して該基板２０１を剥離する半導体装置の製造方法、および基板２０１上に高分子からなる支持層２０３、素子を順に形成し、機械的力を加えることにより該基板２０１を剥離する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ特性が良好で、さらには生産効率が高い溶液プロセスによって製造することのできる有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基体上に形成された第１の電極パターンと、該第１の電極パターンに接して形成された絶縁層と、該絶縁層に接して形成された第２の電極パターンと、金属と化学的結合力を有する官能基を有し、かつ該第２の電極パターンに該官能基を介して化学的に結合されたコーティング層と、該コーティング層に接して形成された有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタにおいて、該コーティング層の形成に用いられる電極表面処理剤が、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ及びその製造方法。
【化１】
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【課題】大気圧下での生産効率の高い、トランジスタ特性に優れた有機薄膜トランジスタの製造方法、及び該製造方法により作製した有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、ソース電極及びドレイン電極を予めパターニングした基板に大気圧プラズマ処理を行い、更にソース電極及びドレイン電極を形成する金属と化学的に結合する基を有する有機化合物で電極表面を処理することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の方法を用いて作製したＭＯＳＦＥＴよりも、十分大きな歪をＭＯＳＦＥＴのチャネル部分に加えることによって、電子又はホール移動度を増加させトランジスタの特性を向上させたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成されたｐ型のＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル層２０１とシリコン基板１０１との間に空洞２００が形成されている。更に、ゲート電極１０５及びソース・ドレイン領域１１２等を含むシリコン基板の１０１の表面を覆うように、常態で圧縮応力を有するシリコン窒化膜１０７が形成されている。このような構成により、チャネル層２０１に圧縮歪が作用している。 （もっと読む）

【課題】 プロセスマージンが広く、特性に優れ、且つ信頼性の高い酸化物薄膜トランジスタを作成する。
【解決手段】 アモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記活性層を形成する工程は、
導入酸素分圧が１×１０^−３Ｐａ以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第２の工程と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域に対し、トランジスタの電流駆動能力を向上させる方向に応力をかけることにより、さらに電流駆動能力が向上し、性能が向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、活性領域を区画する素子分離絶縁膜２と、活性領域に形成されたゲート絶縁膜７ａと、ゲート絶縁膜７ａ上に形成されたゲート電極８ａと、ゲート電極８ａの両側部における半導体基板中に形成されたソース・ドレイン領域１１ａと、ソース領域とドレイン領域の間における活性領域に形成されたチャネル形成領域とを有しているトランジスタを含む半導体装置であって、素子分離絶縁膜２は、チャネル形成領域に対し引張応力を印加する引張応力膜と圧縮応力を印加する圧縮応力膜を含み、または、引張応力膜または圧縮応力膜により形成され引張応力膜または圧縮応力膜の表面が活性領域の表面より低い位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度がよく且つプラスチック基材に密着性よく設けられたポリシリコン膜を有する、低コストの薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基材１０と、プラスチック基材１０上に形成された歪付与膜１１と、歪付与膜１１上に形成されたバッファ膜１２と、バッファ膜１２上に形成されたポリシリコン膜１３と、そのポリシリコン膜１３上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に、又はゲート絶縁膜１４のコンタクトホールを介して形成された電極１５と、電極１５等を覆う保護膜１８とを有する薄膜トランジスタ基板１により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第１の電極と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第２の電極と、第１の層間絶縁膜、第１の電極、及び第２の電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の一方に電気的に接続される第１の配線と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の他方に電気的に接続されない第２の配線とを有し、第２の配線と前記第１の電極または第２の電極の他方は、第２の層間絶縁膜中に形成された分断領域によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体層を高精細にパターニングすることが可能な有機トランジスタ及び該有機トランジスタを有するアクティブマトリックス表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタは、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体材料を含有する有機半導体層を有し、ソース電極及び／又はドレイン電極は、開口部を有する。 （もっと読む）

【課題】液滴塗布法で形成することで生じる半導体層の膜厚のバラツキに起因する不都合を解消し、素子特性の向上を図った、有機トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】液滴塗布法で形成され、膜厚が５０ｎｍを越える部位を有する有機半導体層１４を有し、チャネル領域１７が、有機半導体層１４中の、膜厚が５０ｎｍ以下の部位に選択的に形成されている有機トランジスタ１０。チャネル領域１７は、有機半導体層１４中の、膜厚が１０ｎｍ以上の部位に形成されているのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】トップゲート型薄膜トランジスタの島状半導体薄膜の端部で発生するシリコン薄膜端部でのゲート電界の集中やシリコン薄膜端部近辺の固定電荷起因の閾値のずれによる電流成分を消失させる。
【解決手段】島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lのソース側かドレイン側のどちらか片側において、ゲート電極ＧＴを該島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの輪郭に沿って切れ目なく延長させて分岐閉路ＤＥＴを設け、サブチャネルとなる島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの端部の電流成分経路を無くす。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の封止層形成時、および、封止層形成後に有機半導体の特性劣化が起こらない有機トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板００１と、基板００１上に形成されたゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を含んでなるトランジスタ層１０１とを有する有機トランジスタにおいて、少なくともチャネル部上を覆うようにして有機半導体層上に封止層２００が形成され、封止層２００は、少なくとも樹脂２０１および無機微粒子２０２を用いて構成されている有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で、劣化の少ない高性能な有機薄膜トランジスタ、表示装置、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有有する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層上には、有機半導体層を密閉する第１の保護層と、第１の保護層よりも広い領域を覆う第２の保護層との、少なくとも２層の保護層を有し、第１の保護層、または第２の保護層の何れか一方が光吸収材料を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高性能かつ高信頼性を有する薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタ装置は、絶縁基板１上にソース領域２ａ、ドレイン領域２ｂおよびチャネル領域２ｃを含む半導体層２と、半導体層２を覆う第１のゲート絶縁層３ａと、第１のゲート絶縁層３ａ上を覆う平坦化膜たる第２のゲート絶縁層３ｂと、第２のゲート絶縁層３ｂ上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆う層間絶縁層５とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】電流がオンするしきい値電圧の低い有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該有機半導体層が下記式（１）で表される繰り返し単位と下記式（２）で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ。




〔Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃、Ａｒ₆およびＡｒ₇はアリーレン基または２価の複素環基を、Ａｒ₄、Ａｒ₅およびＡｒ₈はアリール基または１価の複素環基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】パターニングされた有機半導体層を有する有機電界効果トランジスタにおいて、パターニングにより有機半導体層のエッジ部分が劣化した場合でも、該エッジ部分を流れるオフ電流を抑制し、良好な半導体特性を有する有機電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層４ａと、パターニングされた有機半導体層５ａと、該ゲート絶縁層４ａにより該有機半導体層５ａと隔離されたゲート電極３と、該有機半導体層５ａに接して設けられたソース電極１及びドレイン電極２ａとを有する有機電界効果トランジスタ１０１において、該有機半導体層のエッジ部分５’ａと、該ソース電極１及び該ドレイン電極２ａのうち少なくとも一方とが接触しないように配置する。 （もっと読む）

【課題】電流がオンするしきい値電圧の低い有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該有機半導体層が下式（１）で表される繰り返し単位と下式（２）で表される繰り返し単位とを有する高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ。




〔式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂およびＡｒ₃はアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃およびＲ₄はアルキル基を表す。Ａ環，Ｂ環，Ｃ環およびＤ環は芳香環を示し、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、等を表し、ａは０または１を表す。〕 （もっと読む）

【課題】比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性基板（代表的にはプラスチックフィルム）に転置する技術を提供する。
【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜（Ｍｏ膜）及びその表面に酸化膜を形成し、モリブデン膜及びその表面上に比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離し、可撓性基板に転置する。 （もっと読む）