【課題】画素サイズが低減され、開口率が向上した複合型有機発光トランジスタおよび当該複合型有機発光トランジスタを容易に作製することができる製造方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に配置される、少なくとも１つの有機発光ダイオード素子と少なくとも１つの有機薄膜トランジスタ素子とを備える複合型有機発光トランジスタ素子であって、該有機発光ダイオード素子は、陽極と陰極との間に配置される第１の有機物層を有し、かつ、該有機薄膜トランジスタ素子は、ソース電極およびドレイン電極上に配置される第２の有機物層を有し、上記第１の有機物層と上記第２の有機物層とは、空間的に分離しており、上記第２の有機物層を構成する有機材料は、上記第１の有機物層を構成する有機材料と同一である複合型有機発光トランジスタ素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を必要最小限の面積で形成することができ、オフ電流の小さい有機半導体素子の製造方法の提供を主目的とする。
【解決手段】有機半導体層の表面に露出されたソース電極およびドレイン電極の間を覆うようにパッシベーション層形成用塗工液を塗工することにより、パターン状にパッシベーション層を形成するパッシベーション層形成工程と、真空紫外光を用いて上記パッシベーション層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と有し、上記有機半導体層の表面が上記パッシベーション層形成用塗工液に対する撥液性を備えるものであり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極の表面の上記パッシベーション層形成用塗工液に対する接触角が、上記有機半導体層の表面のそれよりも小さいことを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体活性層に有機材料を用いる薄膜トランジスタにおいて、その耐久性を向上させるための薄膜トランジスタ保護膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層及び保護層を有する薄膜トランジスタであって、保護層が少なくとも１層のバリア性に優れたスメクタイト族層状珪酸塩化合物を含有する薄膜により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線膜のエッチング加工において、溶け残り不良を抑制する。
【解決手段】酢酸濃度を５％以上含有する燐酸を主成分とするエッチング液、または、ヘキサン酸等の脂肪酸を含有するエッチング液により、レジスト上でのエッチング液の接触角を低減することができ、濡れ性を改善できる。このエッチング液を用いることによって、エッチング残りが生じ易いパターンにおいても、エッチング残りがないパターンを形成することができ、歩留まりよく液晶表示装置を製造できる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体分子の配向制御と有機半導体薄膜の成膜性の両立により、キャリア移動度の大きい有機半導体薄膜を精度よく形成する有機薄膜トランジスタの製造方法を与えることにある。
【解決手段】支持体上に、ゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、（１）有機半導体材料を堆積させる表面に、有機半導体材料との親和性を低下させる自己組織化単分子膜を低い密度で形成する工程、（２）前記有機半導体材料を堆積させる表面以外の領域に、同じ自己組織化単分子膜を（１）よりも高い密度で形成する工程、（３）（１）で形成された密度の低い自己組織化単分子膜上に有機半導体層を形成する工程、からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にフェナントロ［１，１０−ｂｃ：８，９−ｂ’ｃ’］ビスチオピラン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ｄｅｆ，ｐ]クリセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成することができるトランジスタ、トランジスタの製造方法、かかるトランジスタを備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のトランジスタ１の製造方法は、ソース電極３およびドレイン電極４を、平面視にてソース電極３とドレイン電極４との間の領域と、ソース電極３およびドレイン電極４とを合わせた複合領域２の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成されるように形成する第１の工程と、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料９を複合領域２内に滴下し平面視にて複合領域２と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、有機半導体層を形成する第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高温、高湿度下においても経時安定性に優れた有機電子デバイス、特に有機薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】有機電子デバイスを保護するための保護層を有する有機電子デバイスにおいて、該保護層に有機結晶性膜を用いることを特徴とする有機電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板上に形成されたソース領域１４ａ及びドレイン領域１４ｂ並びにチャネル領域１４ｃを有する多結晶半導体膜１４と、多結晶半導体膜１４上のチャネル領域１４ｃ以外に形成された金属膜１５と、多結晶半導体膜１４上のチャネル領域１４ｃの表面及びテーパ部に形成された第１のゲート絶縁膜１６と、第１のゲート絶縁膜１６及び金属膜１５上に形成された第２のゲート絶縁膜１７と、第２のゲート絶縁膜１７上に多結晶半導体膜１４のチャネル領域１４ｃと対向する位置に形成されたゲート電極１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置を構成する基板上に直接不揮発性メモリを形成することができ、しかも良好に動作する高信頼性のものを得る、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ１１０ａ，１１０ｂを構成する半導体層を形成するとともに、画素部及び駆動回路の少なくとも一方のスイッチング素子を構成する半導体層を形成する。半導体層を覆って第１の絶縁膜３５とフローティングゲート電極３６とを順に形成し、フローティングゲート電極３６を覆って第２の絶縁膜３７を形成する。第２の絶縁膜３７上にゲート電極３８を形成する。ゲート電極３８及びフローティングゲート電極３６をマスクにして絶縁膜１８をエッチングした後、第３の絶縁膜４０を形成する。そして、第３の絶縁膜４０を介し、フローティングゲート電極３６上にコントロールゲート電極６０を形成し、電気光学装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属膜と絶縁膜との反応物の生成を抑制し、良好な電気的特性を備える半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１１と、半導体層１２と、絶縁膜１３と、保護膜１５と、ソース電極２１と、ドレイン電極２２と、ゲート電極２３と、を備える。半導体装置１０は絶縁膜１３の少なくとも上面を覆うように形成された保護膜１５を備えることによって、ソース電極２１とドレイン電極２２とに含まれるアルミニウムと絶縁膜１３とが反応することを抑制することができ、電極の抵抗増加、電流コラプスの増加を抑え、良好な電気的特性を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性および耐候性に優れ、かつ消費電力の少ないトランジスタ、かかるトランジスタを容易に製造可能なトランジスタの製造方法、トランジスタを備えるトランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、ソース電極３およびドレイン電極４と、有機半導体層５と、ゲート絶縁層６と、ゲート電極７とを有している。また、ゲート絶縁層６のほぼ全面を覆うように保護膜８が設けられている。このうち、ゲート絶縁層６は、原料ガスをプラズマ重合し、得られた重合物を堆積させることにより形成されている。原料ガスとしては、フッ素系ガスが好ましく用いられる。このようなゲート絶縁層６は、緻密であり、密度が大きい。また、薄膜化しても、十分な絶縁特性を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層とその下部層との接着力が強固であり、半導体特性が優れた半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明による半導体素子１０１は、ガラス基板１の上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２の上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３の上に形成された微結晶シリコン層４と、微結晶シリコン層４の上面１１を覆うと共に、微結晶シリコン層４の側壁部１２の少なくとも一部を覆うように形成されたアモルファスシリコン層５と、アモルファスシリコン層５の上に形成されたソース電極７及びドレイン電極８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明はより剥がれやすく、製造工程におけるコストをより低減可能な剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明の剥離方法は、基板上（１００）に剥離層（１２０）を介して存在する被剥離物（１４０）を上記基板から剥離する方法であって、上記剥離層（１２０）の全部又は一部をシリサイド層によって形成し、上記剥離層に光を照射して上記基板と上記被剥離物の間に剥離を生ぜしめることを特徴する。シリサイド層としては遷移金属シリサイドが望ましい。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性及び安定性に優れる有機ｐ型半導体として利用可能な分岐型化合物を提供すること。
【解決手段】コア部と該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部とから構成される分岐型化合物であって、側鎖部の少なくとも１つは、一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返してなり、Ｌは、連結により共役を生じる共役形成単位が複数連結して構成され、共役形成単位としてチエニレン単位を含み、該チエニレン単位はＬ中に少なくとも３つ含まれており、Ｌの末端に存在する共役形成単位は、フェニル基又は置換フェニル基である分岐型化合物。式中、Ｌは２価の有機基、Ｔは３価の有機基。
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ｆｇ,ｉｊ]ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】溶剤や樹脂に対する溶解・相溶性に優れ、高いキャリア移動度を持つ電荷輸送性材料を用い動作速度が速く製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを含む有機半導体を備えた有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタの本質的な課題であるソース電極端、ドレーン電極端でのペンタセン結晶軸不整合を解消し、正孔電流を増加させることのできる有機半導体薄膜トランジスタおよびその製造方法を得る。
【解決手段】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタであって、ソース電極５とドレーン電極６との間に、両電極端の段差を平坦化するように連続的に設けられた平坦化層７をさらに備え、平坦化層７は、結晶配向規制力を有し、平坦化されたソース電極、平坦化層、およびドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、トランジスタ特性に優れ、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板、および、上記基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に接するように形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層に接するように形成されたソース電極およびドレイン電極とを備える有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子であって、上記ゲート絶縁層が、絶縁性を有するバインダー樹脂および光触媒を含有する絶縁性光触媒層と、絶縁性光触媒層上に形成され、有機シラン化合物からなる珪素化合物層と、を有するものであることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）