【課題】比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性基板（代表的にはプラスチックフィルム）に転置する技術を提供する。
【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜（Ｍｏ膜）及びその表面に酸化膜を形成し、モリブデン膜及びその表面上に比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離し、可撓性基板に転置する。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実質的に透明な板状の基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、そのうえに透明樹脂からなる保護層を形成した。前記カラーフィルターが基材３の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 （もっと読む）

【課題】オーミック層上に形成される金属電極の汚染を防止でき、ゲート絶縁層下部の積層物によるステップカバレージの悪化を緩和でき、積層物間の界面特性を向上できる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、基板上に形成されるチャネルと、チャネルの両側に設けられるソースオーミック層及びドレインオーミック層と、ソースオーミック層及びドレインオーミック層及びチャネルを覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に設けられるゲートと、ゲートを覆うILD層と、ILD層及びゲート絶縁層に形成されるコンタクトホールを介してソースオーミック層及びドレインオーミック層に接触するソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション層とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く湿式成膜法での薄膜の作製に適した有機半導体を提供する。
【解決手段】下記に示す特定の構造をもつフタロシアニン化合物を含む有機半導体、薄膜有機半導体、並びに該有機半導体よりなる電子素子。
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【課題】直接的に交流電流を制御し、高周波の交流電流を出力することができ、また、安定して大電力を出力することができ、さらに、製造原価のコストダウンを図ることの可能な電気光学装置、並びに、電流制御用ＴＦＴ基板及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】電気光学装置としての分散型無機ＥＬ表示装置１ｃは、データ線駆動回路１１、走査線駆動回路１２、電源線制御回路１３ａ、電流測定回路１５及びＴＦＴ基板１００ｃを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高い移動度と移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さいＴＦＴを得ることができる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に設けた４０乃至１００ｎｍの非単結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する際に、基板表面上で逆ピークパターンを有する光強度分布を形成して、この光強度分布の光強度勾配を制御して、幅より結晶成長方向に長い形状で粒長方向に｛１００｝に優先配向した結晶化粒４を配列させた結晶化粒列を形成し、この結晶化粒列の複数の結晶化粒に跨がり結晶成長方向に電流が流れるようにソース領域およびドレイン領域を設けてＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】下式またはその混合物からなる群から少なくとも１つ選択される半導体を含む電子デバイスである。（式中、各Ｒ_１〜Ｒ_１０は独立に、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、ハロゲン、アリールアルキル、シアノまたはニトロである。ａおよびｂは環の数を表し、ｎは反復基または部分の数を表す。）


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【課題】製造効率が良く動作特性の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上にソース電極７ｓとゲート電極３とドレイン電極７ｄと絶縁膜５と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法。ソース電極又はドレイン電極の少なくともいずれか一方の電極は外周の形状が円又は多角形であり、他方の電極は前記外周に対峙する内周の形状が一方の電極とほぼ同心であるソース電極７ｓ及びドレイン電極７ｄを形成するための電極形成工程と、有機半導体材料を滴下法により滴下することでソース電極７ｓ及びドレイン電極７ｄとを連結する有機半導体層を形成するための有機半導体層形成工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造でき、再現性の良い特性が得られる有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層1を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層１が下記一般式で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とする。
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【課題】プロセス技術が比較的簡単、且つ、少ない素子数で多値情報を記憶することができる新規のメモリを提供する。
【解決手段】第１の記憶素子における第１の電極の形状の一部を、第２の記憶素子における第１の電極の形状と異ならせることで、第１の電極と第２の電極の間の電気抵抗が変化する電圧値を異ならせて、１ビットを越える多値の情報の記憶を一つのメモリセルで行う。第１の電極を部分的に加工することで単位面積当たりの記憶容量を増大することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性が強化された有機絶縁膜を提供する。
【解決手段】不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物５乃至３５重量％、スチレン系化合物５乃至４０重量％、エポキシ系化合物５乃至４０重量％、イソボルニル系化合物０．１乃至１０重量％及びジシクロペンタジエン系化合物２０乃至４０重量％を重合して製造される有機絶縁膜用樹脂組成物及びその製造方法と前記樹脂組成物で形成された絶縁膜を含む表示板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単純な構造で配線やＴＦＴの影響を低減し、かつ、フレキシブルディスプレイに適した薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル絶縁基板上にゲート電極、ゲート配線、キャパシタ下部電極、キャパシタ配線を有し、それらの上に形成されたゲート絶縁膜の上に、ドレイン電極、それと接続されたドレイン配線、ソース電極、それと接続された画素電極が配置されており、ソース電極とドレイン電極の間隙を含むように半導体層が配置され、前記画素電極と電気的に接続され、前記絶縁物の一部分及び画素電極の上に広がる上部画素電極を有する薄膜トランジスタ装置であって、画素電極の厚さが、ドレイン電極、ドレイン配線、ソース電極の厚さよりも厚いことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタとキャパシタとをナノワイヤを用いて構成した新規な回路装置を提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタとキャパシタとを有する回路装置であって、
前記電界効果型トランジスタは、第１のナノワイヤからなるチャネルを有し、
前記キャパシタは、導電性を有する第２のナノワイヤからなる第１の電極と、前記第１の電極の外周を部分的に被覆する誘電体層と、前記誘電体層の外周を被覆する第２の電極とを含み構成され、
前記電界効果型トランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つに、前記キャパシタの前記第１又は第２の電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗金属配線の不良を防止することのできる表示基板及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】第１方向に延長して形成される複数のゲート配線と、前記ゲート配線と交差する第２方向に延長し、モリブデンまたはモリブデン合金で形成された第１下部層とアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成された第１上部層とで構成される複数のソース配線と、前記ゲート配線とソース配線によって定義される複数の画素部と、各画素部に形成され、ゲート配線から延長したゲート電極とソース配線から延長したソース電極とを含むスイッチング素子と、透明導電物質で形成され、前記スイッチング素子のドレイン電極と電気的に接続される画素電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】高精細でありトランジスタ特性の良好な、フレキシブルで大面積にも対応でき量
産性のある、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的
とする。
【解決手段】基材上に、少なくとも下部電極のゲート電極、上部電極のソース電極及びド
レイン電極、絶縁層のゲート絶縁層、半導体からなる活性層の半導体活性層を含む層構成
の薄膜トランジスタであって、少なくとも上部電極が前記基材とは異なる第二の基材上の
、例えば、表面に凹部、又は凸部、又は平部を有する基材の凹部、又は凸部、又は平部に
電極材料が形成された後、前記基材のゲート絶縁層上に転写されて、上部電極のソース電
極及びドレイン電極を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】マスク数を減少させて製造工程を単純化し、製造コストを低減できる液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素部とパッド部とに区分される第１基板及び第１基板と対向して貼り合せる第２基板を準備し、第１マスク工程により第１基板の画素部にゲートラインとゲートラインの一部からなるゲート電極を形成しゲートライン上部に非晶質シリコン薄膜パターンとｎ＋非晶質シリコン薄膜パターンを形成し、第２マスク工程によりゲートライン上部にゲートラインより幅が狭く非晶質シリコン薄膜パターンからなるアクティブパターンとソース／ドレイン電極を形成しゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインを形成し、第３マスク工程により画素部の画素領域にドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成し、第１、第２基板の間に液晶層を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の構成では、半導体層と電極の界面に同一の吸着分子層を挿入したため、キャリアの注入効率は改善したが、撥水性を十分上げることができないという課題があった。
【解決手段】本発明の有機FETでは、ソース電極３およびドレイン電極５の上面に絶縁層４と第一の有機分子層６を、ソース電極３およびドレイン電極５の側面に第二の有機分子層７を挿入する。第一の有機分子層６にシランカップリング剤を用いるため、電極表面の撥水性が上がり、第二の有機分子層７にチオール化合物を用いるため、キャリアの注入効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、酸化物半導体を半導体活性層に用い、大気中動作を行っても、ヒステリシスの変化、閾値のシフト、およびオフ電流が大きくなることのない半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基材上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極上に、ゲート絶縁層、ソース電極とドレイン電極を順次備え、前記ソース電極とドレイン電極間に半導体活性層を設けたトランジスタにおいて、前記半導体活性層の、前記ゲート絶縁層、ソース電極、およびドレイン電極と接触する接触面以外の面に保護層を設けることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極が形成されて成るボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜と、半導体活性層間で汚れ付着等による汚染のない清浄な界面を実現と、生産性が高く、安価かつ大量に生産できる上、特性の優れたフレキシブル薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極を形成した可撓性プラスチックの基材２上に、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層を形成するボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法であって、ロール状の基材２を連続巻取方式の成膜装置１２の真空成膜室内で、ゲート絶縁膜と酸化物からなる半導体活性層とを大気開放することなく連続してスパッタ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】吐出不良の発生を防止することでインクジェットによるパターニング特性を向上することができる導電パターン形成装置の提供。
【解決手段】導電性微粒子を分散媒に分散してなるインクをインクジェットヘッド１のノズル２から吐出させることにより導電パターンを形成する導電パターン形成装置において、ノズル２近傍の雰囲気の分散媒蒸気圧を検知する分散媒蒸気圧検知装置３と、この分散媒蒸気圧検知装置３の検知結果に基づいて分散媒蒸気圧を制御する分散媒蒸気圧制御装置４とを備え、この分散媒蒸気圧検知装置３によりノズル２近傍の雰囲気の分散媒蒸気圧を検知し、その検知結果に基づいて分散媒蒸気圧制御装置４により分散媒蒸気圧を制御してインクジェットノズルの乾燥によるインク不吐出を防止するようにした。 （もっと読む）