【課題】プラスチック基板の熱膨張による整列誤差を最小化する。
【解決手段】第１間隔Ｌを有する複数のゲート電極を含むゲート線121を、熱膨張率を有する基板上に形成する段階；ゲート線121上にゲート絶縁膜140及び半導体層150,160を形成する段階；半導体層150,160を第１間隔Ｌと異なる第２間隔Ｌ＋αを有する半導体用マスクでパターニングし、複数の半導体部材154,164を形成する段階、半導体部材154,164及びゲート絶縁膜140上にソース電極を含むデータ線171及びソース電極と対向するドレイン電極175を形成する段階；ドレイン電極と接続されている画素電極を形成する段階；を含む。 （もっと読む）

【課題】 小型で、且つオン／オフ比の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、半導体層４２の裏面側の面を構成する第１チャネル領域１ａＡ、第１ソース領域（１ｂＡ，１ｄＡ）、第１ドレイン領域（１ｃＡ，１ｅＡ）と、半導体層４２の裏面に設けられた第１ゲート絶縁膜２Ａと、第１ゲート絶縁膜２Ａの裏面に設けられた第１ゲート電極３５Ａとを有する第１トランジスタ素子３０Ａと、半導体層４２の表面側の面を構成する第２チャネル領域１ａＢ、第２ソース領域（１ｂＢ，１ｄＢ）、第２ドレイン領域（１ｃＢ，１ｅＢ）と、半導体層４２の表面に設けられた第２ゲート絶縁膜２Ｂと、第２ゲート絶縁膜２Ｂの表面に設けられた第２ゲート電極３５Ｂとを有する第２トランジスタ素子３０Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有するトップゲート構造の薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 窒化シリコンからなる保護膜１１をマスクとして、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用膜およびｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層を連続してエッチングすることにより、保護膜１１下に半導体薄膜１０を形成し、半導体薄膜１０下の両側にオーミックコンタクト層８、９を形成し、そして半導体薄膜１０の上面全体に保護膜１１をそのまま残すことにより、加工精度を良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 レーザパターニングされた金属ゲートを有するＭＯＳトランジスタ、及びその製造方法。
【解決手段】 本方法は概して、誘電体薄膜上に金属含有材料の層を形成することであって、その誘電体薄膜は無機半導体を含む電気的機能性基板上にある、形成すること；金属含有材料層から金属ゲートをレーザパターニングすること；及び、金属ゲートに隣接する場所にある無機半導体内にソース端子及びドレイン端子を形成することを含む。そのトランジスタは概して、電気的機能性基板と；電気的機能性基板の少なくとも一部の上にある誘電体薄膜と；誘電体薄膜上にあるレーザパターニングされた金属ゲートと；金属ゲートに隣接する、ドープされた無機半導体層を含むソース端子及びドレイン端子とを備える。本発明は、１つ又は複数の従来のフォトリソグラフィ工程をなくすことにより、信頼性がある電気的特性を有するＭＯＳ薄膜トランジスタを迅速に、効率的に、及び／又は低コストで提供する点で好都合である。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌ等の低抵抗材料を高融点金属と積層した電極における抵抗上昇とオーバーハング形状のない薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層２を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層１と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層３とで挟んだ積層配線構造を使用し、下層配線層１と上層配線層３とで異なる金属又は合金を用いるか、あるいは、上層及び下層配線層１、３で同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料を使用し、それらの窒素含有量が異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、分離された有機半導体層にダメージを与えることなく経時劣化が少ない半導体装置を提供することをその課題とする。
【解決手段】
この発明は、絶縁性基板１上に複数の有機薄膜トランジスタ素子が設けられた半導体装置であって、有機薄膜トランジスタ素子は、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜２と、ソース電極６と、ドレイン電極５と、有機半導体層４と、有機半導体層保護層７を介して設けられた分割パターン化層８を備え、各有機薄膜トランジスタは、少なくとも互いの有機半導体層４が分離されることで互いに素子分離され、各有機半導体層４の分離端面部並びに分割パターン化層８の上部がパッシベーション保護層１１で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発光現象が確認された初歩的な段階にある有機半導体材料をディスプレイへ応用するためにどのようにすべきかという課題に対応して新規な構成ならびに機能を有する有機発光トランジスタを提案することにある。
【解決手段】 第１の電極３と第２の電極４よりなる一対の電極間に有機半導体層２を設け、該有機半導体層２を設けた領域に、絶縁層５を介して第３の電極６を設けてなる構造の有機トランジスタであって、一対の電極間に有機半導体層が発光する範囲内で電圧を印加し、さらに第３の電極に電圧を印加し、発光を制御する有機トランジスタにおいて、前記一対の電極が対向している電極間距離よりも、対向している領域の電極長さを長くした。 （もっと読む）

【課題】吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる絶縁体組成物、信頼性の高い有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】絶縁体組成物は、有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられるものであり、置換基に有機基を有し、特定の構造を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、均一な膜厚の無機酸化物膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機酸化物膜を備える電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板（基材）２上に、無機酸化物を主材料として構成される無機酸化物膜６を形成する成膜方法であり、無機酸化物膜６を形成する膜形成領域３１に無機粒子４を付着させる第１の工程と、基板２を加熱しつつ、この基材２に無機酸化物の前駆体を含有する液状材料をミスト５として供給し、この前駆体を熱により反応させて無機酸化物に変化させ、無機粒子４を核としてこの無機酸化物を膜形成領域３１上に集積して、無機酸化物膜６を成長させる第２の工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 光源の発光制御が簡易であり、かつ、読取画像の高精細化が可能な構成で、被写体画像をカラー画像として良好に読み取ることができるフォトセンサ、及び、該フォトセンサを適用した画像読取装置を提供する。
【解決手段】 フォトセンサは、透明な絶縁性基板ＳＵＢの一面側に、最上層の受光部となる第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡと、中間層の受光部となる第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢと、最下層の受光部となる第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣと、が積層形成された構成を有している。ここで、第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡの半導体層１１ａの膜厚は５０ｎｍ、第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢの半導体層１１ｂの膜厚は１５０ｎｍ、第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣの半導体層１１ｃの膜厚は３００ｎｍに設定されている。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物か、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つソース電極、ドレイン電極、ゲート電極のうち少なくとも１つが、可視域の光に対して透過性を有する。電界効果トランジスタの活性層が非晶質酸化物を備え、且つゲート絶縁膜が、非晶質酸化物に接する第１層と、第１層に積層されている、該第１層とは異なる第２層を含み構成されている。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が優れた大きな結晶粒を有する結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による結晶質半導体膜の製造方法は、結晶核形成部（２ａ）と、素子形成部（２ｂ）と、狭小部（２ｃ）とを含む半導体膜（２）が形成された基板（１）を用意する工程と、絶縁膜（３）を形成する工程と、絶縁膜（３）を用いてキャップ膜（３Ｃ）を形成する工程であって、結晶核形成部（２ａ）に対する所定の波長の光の反射率が、端部よりも中央において高くなるように、キャップ膜部分（３ａＣ）の屈折率を変化させる工程と、所定の波長の光によって、キャップ膜部分（３ａＣ）を介して結晶核形成部（２ａ）を照射して、結晶核形成部（２ａ）を結晶化する工程と、結晶核形成部（２ａ）において結晶化された結晶から、狭小部（２ｃ）を介して素子形成部（２ｂ）を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】サイズの小さいＬＤＤ領域を持ったＴＦＴを、工程数の少ないプロセスで作製し、各回路に応じた構造のＴＦＴを作り分けることを課題とする。
【解決手段】本発明は、ゲート電極を積層とし、下層のゲート電極のゲート長を上層のゲート電極のチャネル長方向の長さよりも長くし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。この際に、レジストの後退幅を利用して上層のゲート電極のみをエッチングし、ハットシェイプ型を形成する。これにより、微細なＴＦＴにおいてもＬＤＤ領域を形成することができるようになり、各回路に応じた構造のＴＦＴを作り分けることが可能となった。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）

従来のフォトリソグラフィーを用いた配線作製工程では、レジストや配線材料、またプラズマ処理時に必要なプロセスガス等の多くが無駄になってしまう。また真空装置等の排気手段が必要であることから、装置全体が大型化するため、処理基板の大型化に伴い製造コストが増加することが問題になっていた。本発明では、レジストや配線材料を液滴として、基板上の必要な箇所に直接線状または点状に噴射して、パターンを描画するという手段を適用する。またアッシングやエッチング等の気相反応プロセスを大気圧又は大気圧近傍下で行う手段を適用する。
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【課題】Ｈ_２洗浄を行っても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法、及び透明電極上に窒化膜を蒸着しても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上のゲート線、窒素を含む透明な導電体からなる基板上の共通電極、ゲート線及び共通電極上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上の半導体層、ソース電極を有するデータ線及びソース電極と対向する半導体層上のドレイン電極、ドレイン電極と接続され共通電極と重畳する画素電極を備える。共通電極をＩＺＯＮ、ＩＴＯＮ又はａ−ＩＴＯＮで、又はＩＴＯ／ＩＴＯＮ、ＩＺＯ／ＩＺＯＮ又はａ−ＩＴＯ／ａ−ＩＴＯＮの二重層で形成することにより、共通電極上に窒化膜を蒸着する場合に投入されるＨ_２やＳｉＨ_４ガスによってＩＺＯ、ＩＴＯ又はａ−ＩＴＯ物質内の金属成分が還元されＳｎ又はＺｎが析出されるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 短チャネルで高い電気的特性を有する有機トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成されるボトムゲート構造の有機トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜が、ソース・ドレイン電極に近接する部分で表面エネルギーが低く、ゲート電極に近接する部分で相対的に表面エネルギーが高く、膜厚方向に組成が異なる有機トランジスタおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタを備えた基板の製造方法、及びそれにより製造された薄膜トランジスタを備えた基板と、平板表示装置の製造方法、及びそれにより製造された平板表示装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル装置に応用できるように、薄膜トランジスタをプラスチック材の基板上に備えるためのものであって、そのために、基材に複数の導電パターンが備えられたフィルムを準備するステップと、基板上に前記フィルムを貼り合わせるステップと、前記フィルム上に、前記導電パターンと電気的に連結されたＴＦＴを形成するステップと、前記フィルム上に、前記ＴＦＴを覆うように絶縁膜を形成するステップとを含むことを特徴とするＴＦＴを備える基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの結晶質半導体層における活性領域に含まれる触媒元素の濃度を十分に低減させ、そのような装置を、工程数を増やす事なく、かつ低コストに製造する事を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０は、チャネル領域７、ソースおよびドレイン領域９を含む結晶質領域を有する半導体層１３と、半導体層１３の少なくともチャネル領域７、ソースおよびドレイン領域９の上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してチャネル領域７に対向するように形成されたゲート電極５とを有し、半導体層１３は、ソースおよびドレイン領域９よりも高い濃度で触媒元素を含むゲッタリング領域１１をさらに有し、ゲッタリング領域１１の上のゲート絶縁膜３は、ゲート絶縁膜３のうち少なくともゲート電極５と半導体層１３との間に位置する部分よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】 結晶方位がそろった結晶粒から構成された結晶質半導体膜であって、結晶粒の平均粒径が約４μｍ以下に微細化された結晶質半導体膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）水蒸気を含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 （もっと読む）