絶縁体組成物、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器
【課題】吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる絶縁体組成物、信頼性の高い有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】絶縁体組成物は、有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられるものであり、置換基に有機基を有し、特定の構造を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする。
【解決手段】絶縁体組成物は、有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられるものであり、置換基に有機基を有し、特定の構造を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁体組成物、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体的な電気伝導を示す有機材料（有機半導体材料）を使用した薄膜トランジスタの開発が進められている。
この薄膜トランジスタは、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
このような薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層の材料として無機材料を用いたものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ところが、無機材料を用いてゲート絶縁層を構成した場合、無機材料が吸湿性有するため、ゲート絶縁層が有機半導体層への水分の浸入をある程度阻止して、薄膜トランジスタの特性が経時的に低化することを抑制することができる。
しかしながら、ゲート絶縁層の形成に気相成膜法を用いるため、ゲート絶縁層の形成に手間と時間とを要するという問題や、ゲート絶縁層の形成時に有機半導体層に変質・劣化を生じさせてしまうおそれがある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１０３７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる絶縁体組成物、信頼性の高い有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の絶縁体組成物は、有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられ、置換基に有機基を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする。
これにより、吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる。
本発明の絶縁体組成物では、前記ポリシルセスキオキサン誘導体は、下記式（１）〜（３）で表される化合物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
【化１】
【化２】
【化３】
（式（１）〜（３）中、各Ｒは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換されたアリール基のいずれかを示す。また、式（１）中、ｎは、１〜３の整数を示す。）
これにより、吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる。
【０００７】
本発明の絶縁体組成物では、前記アルキル基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状、または、炭素数が４〜６の環状のものであることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
本発明の絶縁体組成物では、前記アルコキシ基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状のものであることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
【０００８】
本発明の絶縁体組成物では、前記アリール基は、フェニル基であることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
本発明の絶縁体組成物では、前記ハロゲン原子は、フッ素原子であることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
【０００９】
本発明の絶縁体組成物では、重合性化合物を含有することが好ましい。
これにより、光照射や加熱により、絶縁体組成物を硬化して、絶縁部を形成することができる。また、得られる絶縁部の機械的強度をより向上させることができる。
本発明の絶縁体組成物では、前記重合性化合物は、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、およびオキセタン系化合物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらのものは、特に反応性が高いことから好ましい。
【００１０】
本発明の絶縁体組成物では、熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。
これにより、乾燥（脱溶媒）により、絶縁体組成物を固化（硬化）して、絶縁部を形成することができる。また、得られる絶縁部の機械的強度をより向上させることができる。
本発明の絶縁体組成物では、前記ポリシルセスキオキサン誘導体の含有量は、０．１〜５０重量％であることが好ましい。
これにより、形成された絶縁部の機械的強度を確実に維持しつつ、ポリシルセスキオキサン誘導体を添加する効果、すなわち、高い吸湿性が得られる。
【００１１】
本発明の有機半導体装置は、本発明の絶縁体組成物を用いて形成された絶縁部を備えることを特徴とする。
これにより、絶縁部において水分が吸収され、有機半導体の水分による変質・劣化を防止することができる。その結果、信頼性の高い有機半導体装置が得られる。
本発明の有機半導体装置は、有機薄膜トランジスタを備え、
前記絶縁部は、前記有機薄膜トランジスタが備える絶縁層のうちの少なくとも１つであることが好ましい。
これにより、トランジスタ特性に優れ、その特性が経時的に劣化し難い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の有機半導体装置では、前記絶縁層は、ゲート絶縁層であることが好ましい。
これにより、トランジスタ特性の向上を図ることができる。
本発明の電子デバイスは、本発明の有機半導体装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の絶縁体組成物、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器について、好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の有機半導体装置とは、その一部に有機半導体層を有する装置のことを言い、例えば、基板上に、複数の有機薄膜トランジスタが形成されてなるアクティブマトリクス装置や、複数の有機ＥＬ素子が区画形成されてなる有機ＥＬ表示装置等が挙げられる。
【００１３】
以下では、本発明の有機半導体装置をアクティブマトリクス装置に適用した場合を一例に説明する。
図１は、本発明の有機半導体装置を適用したアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）である。なお、以下の説明では、図２中上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００１４】
図１に示すアクティブマトリクス装置３００は、基板５００と、いずれも基板５００上に設けられ、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられた有機薄膜トランジスタ１（以下、「薄膜トランジスタ１」と言う。）および後述する画素電極（個別電極）３０３とを有している。
そして、薄膜トランジスタ１が有するゲート電極５０は走査線３０２に、ソース電極２０ａはデータ線３０１に、ドレイン電極２０ｂは画素電極３０３に、それぞれ接続されている。
【００１５】
図２に示すように、本実施形態の薄膜トランジスタ１は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板５００上に設けられたバッファ層６０と、バッファ層６０上に、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０と、これらの各層を覆うように設けられた保護層７０とを有している。
【００１６】
以下、各部の構成について、順次説明する。
基板５００は、薄膜トランジスタ１（アクティブマトリクス装置３００）を構成する各層（各部）を支持するものである。
基板５００には、例えば、ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
薄膜トランジスタ１に可撓性を付与する場合には、基板５００には、プラスチック基板、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。
【００１７】
基板５００上には、バッファ層６０が設けられている。
このバッファ層６０は、後述する有機半導体層３０に水分が浸入するのを防止する機能や、基板５００がガラス材料等で構成される場合、基板５００から有機半導体層３０にイオン等が拡散するのを防止する機能を有する。
このようなバッファ層６０、後述するゲート絶縁層４０および保護層７０が、それぞれ、本発明の絶縁体組成物を用いて形成されている。なお、この絶縁体組成物については、後に詳述する。
【００１８】
バッファ層６０の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜７００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
バッファ層６０上には、所定の間隔離間して、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが設けられている。
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌまたはこれらを含む合金のような金属材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１９】
これらの中でも、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、それぞれ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔまたはこれらを含む合金を主とするものが好ましい。これらのものは、比較的仕事関数が大きいため、後述するように、有機半導体層３０がｐ型である場合には、ソース電極２０ａをこれらの材料で構成することにより、有機半導体層３０への正孔（キャリア）の注入効率を向上させることができる。
なお、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２０】
ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの距離、すなわち、図２に示すチャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル長Ｌの値を設定することにより、薄膜トランジスタ１の特性の向上（特に、ＯＮ電流値の上昇）を図ることができる。
また、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの長さ、すなわち、図２に示すチャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル幅Ｗの値を設定することにより、寄生容量を低減させることができ、薄膜トランジスタ１の特性の劣化を防止することができる。また、薄膜トランジスタ１の大型化を防止することもできる。
【００２１】
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触するように、有機半導体層３０が設けられている。
本実施形態では、この有機半導体層３０は、主としてｐ型の有機半導体材料で構成されている。ｐ型の有機半導体材料には、ポリマー有機半導体材料（高分子系有機半導体材料）、低分子系有機半導体材料のいずれも使用可能である。
【００２２】
ポリマー有機半導体材料としては、例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＦＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、フルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）等が挙げられる。
【００２３】
低分子系有機半導体としては、例えば、Ｃ６０、あるいは、金属フタロシアニンあるいはそれらの置換誘導体、あるいは、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料、あるいは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクチチオフェン（８Ｔ）、ジヘキシルクォーターチオフェン（ＤＨ４Ｔ）、ジヘキシルセキシチオフェン（ＤＨ６Ｔ）等が挙げられる。
【００２４】
この有機半導体層３０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
有機半導体層３０、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように、ゲート絶縁層（絶縁層）４０が設けられている。
このゲート絶縁層４０は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに対して、後述するゲート電極５０を絶縁するものである。
【００２５】
ゲート絶縁層４０の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層４０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとゲート電極５０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１の動作電圧を低くすることができる。
なお、ゲート絶縁層４０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
【００２６】
ゲート絶縁層４０上の所定の位置、すなわち、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域に対応する位置には、有機半導体層３０に電界をかけるゲート電極５０が設けられている。
このゲート電極５０の構成材料としては、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏまたはこれらを含む合金のような金属材料、およびそれらの酸化物等を用いることができる。
また、ゲート電極５０は、導電性有機材料で構成することもできる。
ゲート電極５０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２７】
また、以上のような各層を覆うようにして、保護層７０が設けられている。
この保護層７０は、有機半導体層３０に水分が浸入するのを防止する機能や、ゲート電極５０に異物が接触して、隣接する薄膜トランジスタ１同士がショートするのを防止する機能を有する。
保護膜７０の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜５μｍ程度であるのがより好ましい。
【００２８】
このような薄膜トランジスタ１では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加した状態で、ゲート電極５０にゲート電圧を印加すると、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０との界面付近にチャネルが形成され、チャネル領域をキャリア（正孔）が移動することで、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電流が流れる。
すなわち、ゲート電極５０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間に電圧を印加しても、有機半導体層３０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。
【００２９】
一方、ゲート電極５０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル（キャリアの流路）が形成される。この状態でソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加すると、チャネル領域を通って電流が流れる。
なお、薄膜トランジスタ１は、トップゲート型に限定されず、ボトムゲート型であってもよい。
前述したゲート絶縁層４０、バッファ層６０および保護層７０のような絶縁層（絶縁部）が、本発明の絶縁体組成物を用いて形成されている。
【００３０】
以下、本発明の絶縁体組成物について説明する。
本発明の絶縁体組成物は、置換基に有機基を有するポリシルセスキオキサン（以下、「ＰＳＱ」と略す。）誘導体を含有することを特徴とする。
ＰＳＱは、骨格部分にＳｉＯ３／２結合を有するポリシロキサンの総称であり、一般的には３官能のケイ素化合物を加水分解・縮合させることによって得られる。
【００３１】
本発明で用いるＰＳＱは、例えば、Ｈｙｂｒｉｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ，Ｉｎｃ．から購入することができる他、Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｙｌｅ， Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌａｇ， Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｉｎｃ．、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ、新実験化学講座，丸善等に記載されている一般的な有機化学的手法を適宜組み合わせることにより容易に製造できる。
【００３２】
ＰＳＱ誘導体は、Ｓｉ−Ｏ構造を有することに起因して極めて吸湿性が高く、かつ、置換基に有機基を有することから有機材料（有機ポリマー）との親和性が高い。
このため、ＰＳＱ誘導体を含有する絶縁体組成物を用いて、前述したゲート絶縁層４０、バッファ層６０および保護層７０の少なくとも１つを形成することにより、各層が高い吸湿性を有することとなる。そして、これらの層が水分を吸収することにより、有機半導体層３０に水分が浸入するのを未然に防ぐことができ、有機半導体層３０が経時的に変質・劣化するのを防止することができる。その結果、薄膜トランジスタ１の特性が経時的に劣化するのを防止することができる。
【００３３】
また、ＰＳＱ誘導体は、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性が高いため、本発明の絶縁体組成物を用いてゲート絶縁層４０を形成すると、ゲート絶縁層４０と有機半導体層３０との高い密着性を得ることができる。その結果、薄膜トランジスタ１の特性の向上を図ることができる。換言すれば、本発明の絶縁体組成物は、薄膜トランジスタ１が備える絶縁層の中でも、特に、ゲート絶縁層４０を形成する材料として好適である。
【００３４】
また、ＰＳＱ誘導体は、有機ポリマーとの親和性が高いことから、本発明の絶縁体組成物を、有機溶剤を含有する液状材料として用いることにより、前記各層を液相プロセスにより形成することができる。これにより、各層の製造時間およびコストの削減、ひいては、薄膜トランジスタ（有機半導体装置）１の製造時間およびコストの削減を図ることができる。また、有機溶剤の種類を選択することにより、ゲート絶縁層４０の形成に際して、有機半導体層３０に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、これを形成することができる。
このＰＳＱ誘導体の好ましい例は、下記式（１）〜（３）で表される化合物である。
【００３５】
【化４】
【００３６】
【化５】
【００３７】
【化６】
【００３８】
（式（１）〜（３）中、各Ｒは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換されたアリール基のいずれかを示す。また、式（１）中、ｎは、１〜３の整数を示す。）
アルキル基としては、炭素数が１〜１５のものが好ましく、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状、または、炭素数が４〜６の環状のものがより好ましい。
アルコキシ基としては、炭素数が１〜１５のものが好ましく、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状のものがより好ましい。
【００３９】
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ターフェニル基のような環状構造を１〜３個有するものが好ましく、フェニル基がより好ましい。
また、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のいずれであってもよいが、フッ素原子が好ましい。
【００４０】
このようなＲの具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、および、下記に示される置換フェニル基が挙げられる。
【００４１】
【化７】
【００４２】
Ｒとして、これらの置換基を有する式（１）〜（３）で表される化合物は、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
なお、ＰＳＱ誘導体としては、前記式（１）〜（３）で表される化合物のうちの少なくとも１種であればよいが、特に、式（２）、および式（３）で表される化合物を主成分とするものが好ましい。式（２）、および式（３）で表される化合物は、吸湿性に特に優れるものである。
【００４３】
このようなＰＳＱ誘導体の含有量（絶縁体組成物の全重量を基準とするＰＳＱ誘導体の割合）は、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、１〜５０重量％程度であるのがより好ましく、１０〜５０重量％程度であるのがさらに好ましい。これにより、形成された絶縁層（絶縁部）の機械的強度を確実に維持しつつ、ＰＳＱ誘導体を添加する効果、すなわち、高い吸湿性が得られる。
【００４４】
また、本発明の絶縁体組成物に添加される他の成分としては、例えば、有機溶剤、重合性化合物、熱可塑性樹脂、無機充填剤、カップリング剤、アミン化合物、重合開始剤、重合促進剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
例えば、本発明の絶縁体組成物は、ＰＳＱ誘導体を有機溶剤に溶解して調製することができる。
この場合、乾燥（脱溶媒）により、絶縁体組成物を固化して、絶縁層（絶縁部）を形成することができる。
【００４５】
また、本発明の絶縁体組成物は、ＰＳＱ誘導体および重合性化合物を、有機溶剤に溶解して調製することができる。
この場合、乾燥（脱溶媒）の後、光照射や加熱により、絶縁体組成物を硬化して、絶縁層（絶縁部）を形成することができる。
また、得られる絶縁層（絶縁部）の機械的強度をより向上させることができる。
【００４６】
重合性化合物としては、例えば、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、オキセタン系化合物、スチレン系化合物、ポリイミド前駆体、ポリウレタン前駆体等が挙げられるが、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、およびオキセタン系化合物のうちの少なくとも１種が好ましい。これらのものは、特に反応性が高いことから好ましい。
アクリル酸系化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦ型（メタ）アクリレート、フェノール・ノボラック型（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型（メタ）アクリレート、トリスフェノールメタン型（メタ）アクリレート、ビスフェノールＳ型（メタ）アクリレート、ビスフェノール型（メタ）アクリレートのような芳香族（メタ）アクリレート化合物、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリン（メタ）アクリレートのような脂肪族（メタ）アクリレート化合物等が挙げられる。
【００４７】
エポキシ系化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキサイド、ビスフェノールＦ型エポキサイド、フェノール・ノボラック型エポキサイド、クレゾールノボラック型エポキサイド、トリスフェノールメタン型エポキサイド、ビスフェノールＳ型エポキサイド、ビスフェノール型エポキサイドのような芳香族エポキサイド化合物、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテルのようなグリシジルエーテル化合物、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、ビス（２，３−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（２，３−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル ３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル ３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンオキサイド、ビニルシクロヘキセンオキサイド、下記に示すような脂環族エポキシ化合物等が挙げられる。
【００４８】
【化８】
【００４９】
（これらの式において、ｍは１以上の整数であり、ｎ、ｐ、ｑおよびｒはそれぞれ独立して０以上の整数である。）
オキセタン系化合物としては、下記に示すようなオキセタン化合物等が挙げられる。
【００５０】
【化９】
【００５１】
また、この場合、重合開始剤（特に、光重合開始剤）を添加するのが好ましい。
この重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエーテル、チオキサントン、カンファーキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ケタール類、ジベンゾイル類、オニウム塩、およびこれらの核置換体等が挙げられ、これらの化合物から少なくとも１つを選択して用いることができる。
【００５２】
重合開始剤の好ましい例としては、例えば、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、α，α−ジメトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、および２，４−ジエチルキサントンとｐ−ジメチルアミノ安息香酸メチルとの混合物等が挙げられる。
【００５３】
また、本発明の絶縁体組成物は、ＰＳＱ誘導体および熱可塑性樹脂を、有機溶剤に溶解して調製することができる。
この場合、乾燥（脱溶媒）により、絶縁体組成物を固化（硬化）して、絶縁層（絶縁部）を形成することができる。
また、得られる絶縁層（絶縁部）の機械的強度をより向上させることができる。
【００５４】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体のようなポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系のような各種熱可塑性エラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
また、使用可能な溶剤としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア水溶液、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００５６】
＜電子デバイス＞
次に、本発明の電子デバイスとして、前述したようなアクティブマトリクス装置が組み込まれた電気泳動表示装置を一例に説明する。
図３は、電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図３に示す電気泳動表示装置２００は、前述したアクティブマトリクス装置３００と、このアクティブマトリクス装置３００上に設けられた電気泳動表示部４００とで構成されている。
【００５７】
この電気泳動表示部４００は、透明電極（共通電極）４０３を備える透明基板４０４と、バインダ材４０５により透明電極４０３に固定されたマイクロカプセル４０２とで構成されている。
そして、マイクロカプセル４０２が画素電極３０３に接触するようにして、アクティブマトリクス装置３００と電気泳動表示部４００とが接合されている。
各カプセル４０２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。
【００５８】
このような電気泳動表示装置２００では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されている薄膜トランジスタ１がＯＮとなる。
これにより、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極３０３とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極３０３に供給される。
これにより、画素電極３０３と透明電極４０３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極に向かって電気泳動する。
【００５９】
一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、薄膜トランジスタ１はＯＦＦとなり、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極３０３とは非導通状態となる。
したがって、走査線３０２への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２００の表示面側（透明基板４０４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２００では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
【００６０】
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス装置３００を有することにより、特定の走査線３０２に接続された薄膜トランジスタ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
なお、前述したような薄膜トランジスタ１を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた表示装置は、このような電気泳動表示装置２００への適用に限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置等に適用することもできる。
【００６１】
＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２００は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２００を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図４は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【００６２】
＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図５は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図４に示す構成と同様のものである。
【００６３】
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
【００６４】
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【００６５】
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２００を適用することが可能である。
【００６６】
以上、本発明の絶縁体組成物、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
前記実施形態では、有機半導体装置をアクティブマトリクス装置に適用した場合を代表に説明したが、本発明の有機半導体装置は、有機ＥＬ表示装置に適用することもできる。この場合、本発明の絶縁体組成物を用いて、例えば、各画素（有機ＥＬ素子）を区画するバンクや、保護膜等を形成することができる。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．絶縁体組成物の調製
まず、以下に示す各成分を混合して、絶縁体組成物Ａ〜Ｆを調整した。
＜絶縁体組成物Ａ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（１）で表される化合物（全Ｒがプロピル基） ：４０重量％
・重合性化合物
ビスフェノールＡ型アクリレート ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００６８】
＜絶縁体組成物Ｂ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（２）で表される化合物（全Ｒがエトキシ基） ：４０重量％
・重合性化合物
プロピレングリコールジグリシジルエーテル ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００６９】
＜絶縁体組成物Ｃ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（３）で表される化合物（全Ｒがフェニル基） ：４０重量％
・重合性化合物
プロピレングリコールジグリシジルエーテル ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００７０】
＜絶縁体組成物Ｄ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（１）で表される化合物（全Ｒがフェニル基） ：３０重量％
式（３）で表される化合物（全Ｒがエチル基） ：１０重量％
・重合性化合物
ビスフェノールＡ型アクリレート ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００７１】
＜絶縁体組成物Ｅ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（３）で表される化合物（全Ｒが２−フルオロ−フェニル基）
：４０重量％
・熱可塑性樹脂
ポリプロピレン ：４０重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：２０重量％
【００７２】
＜絶縁体組成物Ｆ（比較例）＞
・重合性化合物
ビスフェノールＡ型アクリレート ：８０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００７３】
２．有機薄膜トランジスタの作製
以下に示すようにして、各実施例において、それぞれ、ガラス基板上に薄膜トランジスタを２００個ずつ作製した。
（実施例１）
［１］ まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、水を用いて洗浄した後、乾燥した。
【００７４】
［２］ 次に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の５％ｗｔ／ｖｏｌ酢酸ブチル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５００ｎｍのバッファ層を形成した。
【００７５】
［３］ 次に、バッファ層上に、フォトリソグラフィー法により、ソース電極およびドレイン電極の形成領域以外の領域にレジスト層を形成した。
そして、レジスト層から露出するバッファ層上に、蒸着法により金の薄膜を形成した後、レジスト層を剥離した。
これにより、平均厚さ１００ｎｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。
なお、ソース電極とドレイン電極との距離（チャネル長Ｌ）は２０μｍ、チャネル幅Ｗは１ｍｍであった。
【００７６】
［４］ 次に、バッファ層上に、フルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）の１％ｗｔ／ｖｏｌトルエン溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
［５］ 次に、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を覆うように、前記絶縁体組成物Ａを、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した。
その後、形成された液状被膜を６０℃×１０分間で乾燥した後、強度７ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１２０秒間照射して、絶縁体組成物を硬化させた。
これにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
【００７７】
［６］ 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する領域に、Ａｇ微粒子水分散液を、インクジェット法により塗布した後、８０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ１００ｎｍ、平均幅３０μｍのゲート電極を形成した。
［７］ 次に、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）の２％ｗｔ／ｖｏｌブタノ−ル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５００ｎｍの保護層を形成した。
【００７８】
（実施例２）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｂを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
（実施例３）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｃを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
【００７９】
（実施例４）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｄを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
（実施例５）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｅを用い、紫外線の照射を省略した以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
【００８０】
（比較例１）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｆを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
（比較例２）
前記工程［５］において、アルミナを真空蒸着法により被着させ、ゲート絶縁層を形成した以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
【００８１】
３．評価
各実施例および各比較例で作製した薄膜トランジスタに対して、それぞれ、耐湿試験を行った。
この耐湿試験は、１２０℃、１００％ＲＨ、０．２ＭＰａの条件下で５００時間、放置する前後でのトランジスタ特性の変化を確認することにより行った。
【００８２】
なお、トランジスタ特性は、従来から知られている方法により、市販の測定装置を用いて測定した。
その結果、各実施例の薄膜トランジスタでは、いくつかのものに、トランジスタ特性（しきい電圧値やＳ値）が若干低下するものが認められた程度であった。
また、ＰＳＱ誘導体として、式（２）、および式（３）で表される化合物を用いた実施例２、３、４、５の薄膜トランジスタで、トランジスタ特性の低下を認めるものの数が減少する傾向にあり、特に、式（２）、および式（３）で表される化合物を主成分とするＰＳＱ誘導体を用いた実施例２、３、５において、特に顕著であった。
【００８３】
これに対して、比較例１の薄膜トランジスタでは、多くのものに、トランジスタ特性の低下を認めた。
また、比較例２の薄膜トランジスタは、比較例１の薄膜トランジスタよりトランジスタ特性の低下が小さかったが、初期のトランジスタ特性が十分なものであるとは言い難いものであった。これは、ゲート絶縁層の形成時に、有機半導体層にダメージが生じることを示唆する結果であると推察される。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の有機半導体装置を適用したアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）である。
【図３】電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００８５】
１‥‥薄膜トランジスタ ２０ａ‥‥ソース電極 ２０ｂ‥‥ドレイン電極 ３０‥‥有機半導体層 ４０‥‥ゲート絶縁層 ５０‥‥ゲート電極 ６０‥‥バッファ層 ７０‥‥保護層 ２００‥‥電気泳動表示装置 ３００‥‥アクティブマトリクス装置 ３０１‥‥データ線 ３０２‥‥走査線 ３０３‥‥画素電極 ４００‥‥電気泳動表示部 ４０２‥‥マイクロカプセル ４２０‥‥電気泳動分散液 ４２１、４２２‥‥電気泳動粒子 ４０３‥‥透明電極 ４０４‥‥透明基板 ４０５‥‥バインダ材 ５００‥‥基板 ６００‥‥電子ペーパー ６０１‥‥本体 ６０２‥‥表示ユニット ８００‥‥ディスプレイ ８０１‥‥本体部 ８０２ａ、８０２ｂ‥‥搬送ローラ対 ８０３‥‥孔部 ８０４‥‥透明ガラス板 ８０５‥‥挿入口 ８０６‥‥端子部 ８０７‥‥ソケット ８０８‥‥コントローラー ８０９‥‥操作部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁体組成物、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体的な電気伝導を示す有機材料（有機半導体材料）を使用した薄膜トランジスタの開発が進められている。
この薄膜トランジスタは、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
このような薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層の材料として無機材料を用いたものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ところが、無機材料を用いてゲート絶縁層を構成した場合、無機材料が吸湿性有するため、ゲート絶縁層が有機半導体層への水分の浸入をある程度阻止して、薄膜トランジスタの特性が経時的に低化することを抑制することができる。
しかしながら、ゲート絶縁層の形成に気相成膜法を用いるため、ゲート絶縁層の形成に手間と時間とを要するという問題や、ゲート絶縁層の形成時に有機半導体層に変質・劣化を生じさせてしまうおそれがある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１０３７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる絶縁体組成物、信頼性の高い有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の絶縁体組成物は、有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられ、置換基に有機基を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする。
これにより、吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる。
本発明の絶縁体組成物では、前記ポリシルセスキオキサン誘導体は、下記式（１）〜（３）で表される化合物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
【化１】
【化２】
【化３】
（式（１）〜（３）中、各Ｒは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換されたアリール基のいずれかを示す。また、式（１）中、ｎは、１〜３の整数を示す。）
これにより、吸湿性の高い絶縁部を容易に形成することができる。
【０００７】
本発明の絶縁体組成物では、前記アルキル基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状、または、炭素数が４〜６の環状のものであることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
本発明の絶縁体組成物では、前記アルコキシ基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状のものであることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
【０００８】
本発明の絶縁体組成物では、前記アリール基は、フェニル基であることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
本発明の絶縁体組成物では、前記ハロゲン原子は、フッ素原子であることが好ましい。
これにより、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
【０００９】
本発明の絶縁体組成物では、重合性化合物を含有することが好ましい。
これにより、光照射や加熱により、絶縁体組成物を硬化して、絶縁部を形成することができる。また、得られる絶縁部の機械的強度をより向上させることができる。
本発明の絶縁体組成物では、前記重合性化合物は、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、およびオキセタン系化合物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらのものは、特に反応性が高いことから好ましい。
【００１０】
本発明の絶縁体組成物では、熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。
これにより、乾燥（脱溶媒）により、絶縁体組成物を固化（硬化）して、絶縁部を形成することができる。また、得られる絶縁部の機械的強度をより向上させることができる。
本発明の絶縁体組成物では、前記ポリシルセスキオキサン誘導体の含有量は、０．１〜５０重量％であることが好ましい。
これにより、形成された絶縁部の機械的強度を確実に維持しつつ、ポリシルセスキオキサン誘導体を添加する効果、すなわち、高い吸湿性が得られる。
【００１１】
本発明の有機半導体装置は、本発明の絶縁体組成物を用いて形成された絶縁部を備えることを特徴とする。
これにより、絶縁部において水分が吸収され、有機半導体の水分による変質・劣化を防止することができる。その結果、信頼性の高い有機半導体装置が得られる。
本発明の有機半導体装置は、有機薄膜トランジスタを備え、
前記絶縁部は、前記有機薄膜トランジスタが備える絶縁層のうちの少なくとも１つであることが好ましい。
これにより、トランジスタ特性に優れ、その特性が経時的に劣化し難い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の有機半導体装置では、前記絶縁層は、ゲート絶縁層であることが好ましい。
これにより、トランジスタ特性の向上を図ることができる。
本発明の電子デバイスは、本発明の有機半導体装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の絶縁体組成物、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器について、好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の有機半導体装置とは、その一部に有機半導体層を有する装置のことを言い、例えば、基板上に、複数の有機薄膜トランジスタが形成されてなるアクティブマトリクス装置や、複数の有機ＥＬ素子が区画形成されてなる有機ＥＬ表示装置等が挙げられる。
【００１３】
以下では、本発明の有機半導体装置をアクティブマトリクス装置に適用した場合を一例に説明する。
図１は、本発明の有機半導体装置を適用したアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）である。なお、以下の説明では、図２中上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００１４】
図１に示すアクティブマトリクス装置３００は、基板５００と、いずれも基板５００上に設けられ、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられた有機薄膜トランジスタ１（以下、「薄膜トランジスタ１」と言う。）および後述する画素電極（個別電極）３０３とを有している。
そして、薄膜トランジスタ１が有するゲート電極５０は走査線３０２に、ソース電極２０ａはデータ線３０１に、ドレイン電極２０ｂは画素電極３０３に、それぞれ接続されている。
【００１５】
図２に示すように、本実施形態の薄膜トランジスタ１は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板５００上に設けられたバッファ層６０と、バッファ層６０上に、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０と、これらの各層を覆うように設けられた保護層７０とを有している。
【００１６】
以下、各部の構成について、順次説明する。
基板５００は、薄膜トランジスタ１（アクティブマトリクス装置３００）を構成する各層（各部）を支持するものである。
基板５００には、例えば、ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
薄膜トランジスタ１に可撓性を付与する場合には、基板５００には、プラスチック基板、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。
【００１７】
基板５００上には、バッファ層６０が設けられている。
このバッファ層６０は、後述する有機半導体層３０に水分が浸入するのを防止する機能や、基板５００がガラス材料等で構成される場合、基板５００から有機半導体層３０にイオン等が拡散するのを防止する機能を有する。
このようなバッファ層６０、後述するゲート絶縁層４０および保護層７０が、それぞれ、本発明の絶縁体組成物を用いて形成されている。なお、この絶縁体組成物については、後に詳述する。
【００１８】
バッファ層６０の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜７００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
バッファ層６０上には、所定の間隔離間して、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが設けられている。
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌまたはこれらを含む合金のような金属材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１９】
これらの中でも、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、それぞれ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔまたはこれらを含む合金を主とするものが好ましい。これらのものは、比較的仕事関数が大きいため、後述するように、有機半導体層３０がｐ型である場合には、ソース電極２０ａをこれらの材料で構成することにより、有機半導体層３０への正孔（キャリア）の注入効率を向上させることができる。
なお、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２０】
ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの距離、すなわち、図２に示すチャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル長Ｌの値を設定することにより、薄膜トランジスタ１の特性の向上（特に、ＯＮ電流値の上昇）を図ることができる。
また、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの長さ、すなわち、図２に示すチャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル幅Ｗの値を設定することにより、寄生容量を低減させることができ、薄膜トランジスタ１の特性の劣化を防止することができる。また、薄膜トランジスタ１の大型化を防止することもできる。
【００２１】
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触するように、有機半導体層３０が設けられている。
本実施形態では、この有機半導体層３０は、主としてｐ型の有機半導体材料で構成されている。ｐ型の有機半導体材料には、ポリマー有機半導体材料（高分子系有機半導体材料）、低分子系有機半導体材料のいずれも使用可能である。
【００２２】
ポリマー有機半導体材料としては、例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＦＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、フルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）等が挙げられる。
【００２３】
低分子系有機半導体としては、例えば、Ｃ６０、あるいは、金属フタロシアニンあるいはそれらの置換誘導体、あるいは、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料、あるいは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクチチオフェン（８Ｔ）、ジヘキシルクォーターチオフェン（ＤＨ４Ｔ）、ジヘキシルセキシチオフェン（ＤＨ６Ｔ）等が挙げられる。
【００２４】
この有機半導体層３０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
有機半導体層３０、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように、ゲート絶縁層（絶縁層）４０が設けられている。
このゲート絶縁層４０は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに対して、後述するゲート電極５０を絶縁するものである。
【００２５】
ゲート絶縁層４０の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層４０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとゲート電極５０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１の動作電圧を低くすることができる。
なお、ゲート絶縁層４０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
【００２６】
ゲート絶縁層４０上の所定の位置、すなわち、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域に対応する位置には、有機半導体層３０に電界をかけるゲート電極５０が設けられている。
このゲート電極５０の構成材料としては、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏまたはこれらを含む合金のような金属材料、およびそれらの酸化物等を用いることができる。
また、ゲート電極５０は、導電性有機材料で構成することもできる。
ゲート電極５０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２７】
また、以上のような各層を覆うようにして、保護層７０が設けられている。
この保護層７０は、有機半導体層３０に水分が浸入するのを防止する機能や、ゲート電極５０に異物が接触して、隣接する薄膜トランジスタ１同士がショートするのを防止する機能を有する。
保護膜７０の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜５μｍ程度であるのがより好ましい。
【００２８】
このような薄膜トランジスタ１では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加した状態で、ゲート電極５０にゲート電圧を印加すると、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０との界面付近にチャネルが形成され、チャネル領域をキャリア（正孔）が移動することで、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電流が流れる。
すなわち、ゲート電極５０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間に電圧を印加しても、有機半導体層３０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。
【００２９】
一方、ゲート電極５０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル（キャリアの流路）が形成される。この状態でソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加すると、チャネル領域を通って電流が流れる。
なお、薄膜トランジスタ１は、トップゲート型に限定されず、ボトムゲート型であってもよい。
前述したゲート絶縁層４０、バッファ層６０および保護層７０のような絶縁層（絶縁部）が、本発明の絶縁体組成物を用いて形成されている。
【００３０】
以下、本発明の絶縁体組成物について説明する。
本発明の絶縁体組成物は、置換基に有機基を有するポリシルセスキオキサン（以下、「ＰＳＱ」と略す。）誘導体を含有することを特徴とする。
ＰＳＱは、骨格部分にＳｉＯ３／２結合を有するポリシロキサンの総称であり、一般的には３官能のケイ素化合物を加水分解・縮合させることによって得られる。
【００３１】
本発明で用いるＰＳＱは、例えば、Ｈｙｂｒｉｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ，Ｉｎｃ．から購入することができる他、Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｙｌｅ， Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌａｇ， Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｉｎｃ．、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ、新実験化学講座，丸善等に記載されている一般的な有機化学的手法を適宜組み合わせることにより容易に製造できる。
【００３２】
ＰＳＱ誘導体は、Ｓｉ−Ｏ構造を有することに起因して極めて吸湿性が高く、かつ、置換基に有機基を有することから有機材料（有機ポリマー）との親和性が高い。
このため、ＰＳＱ誘導体を含有する絶縁体組成物を用いて、前述したゲート絶縁層４０、バッファ層６０および保護層７０の少なくとも１つを形成することにより、各層が高い吸湿性を有することとなる。そして、これらの層が水分を吸収することにより、有機半導体層３０に水分が浸入するのを未然に防ぐことができ、有機半導体層３０が経時的に変質・劣化するのを防止することができる。その結果、薄膜トランジスタ１の特性が経時的に劣化するのを防止することができる。
【００３３】
また、ＰＳＱ誘導体は、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性が高いため、本発明の絶縁体組成物を用いてゲート絶縁層４０を形成すると、ゲート絶縁層４０と有機半導体層３０との高い密着性を得ることができる。その結果、薄膜トランジスタ１の特性の向上を図ることができる。換言すれば、本発明の絶縁体組成物は、薄膜トランジスタ１が備える絶縁層の中でも、特に、ゲート絶縁層４０を形成する材料として好適である。
【００３４】
また、ＰＳＱ誘導体は、有機ポリマーとの親和性が高いことから、本発明の絶縁体組成物を、有機溶剤を含有する液状材料として用いることにより、前記各層を液相プロセスにより形成することができる。これにより、各層の製造時間およびコストの削減、ひいては、薄膜トランジスタ（有機半導体装置）１の製造時間およびコストの削減を図ることができる。また、有機溶剤の種類を選択することにより、ゲート絶縁層４０の形成に際して、有機半導体層３０に変質・劣化が生じるのを防止しつつ、これを形成することができる。
このＰＳＱ誘導体の好ましい例は、下記式（１）〜（３）で表される化合物である。
【００３５】
【化４】
【００３６】
【化５】
【００３７】
【化６】
【００３８】
（式（１）〜（３）中、各Ｒは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換されたアリール基のいずれかを示す。また、式（１）中、ｎは、１〜３の整数を示す。）
アルキル基としては、炭素数が１〜１５のものが好ましく、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状、または、炭素数が４〜６の環状のものがより好ましい。
アルコキシ基としては、炭素数が１〜１５のものが好ましく、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状のものがより好ましい。
【００３９】
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ターフェニル基のような環状構造を１〜３個有するものが好ましく、フェニル基がより好ましい。
また、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のいずれであってもよいが、フッ素原子が好ましい。
【００４０】
このようなＲの具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、および、下記に示される置換フェニル基が挙げられる。
【００４１】
【化７】
【００４２】
Ｒとして、これらの置換基を有する式（１）〜（３）で表される化合物は、有機材料（特に、有機ポリマー）との親和性（相溶性）が高いものとなる。
なお、ＰＳＱ誘導体としては、前記式（１）〜（３）で表される化合物のうちの少なくとも１種であればよいが、特に、式（２）、および式（３）で表される化合物を主成分とするものが好ましい。式（２）、および式（３）で表される化合物は、吸湿性に特に優れるものである。
【００４３】
このようなＰＳＱ誘導体の含有量（絶縁体組成物の全重量を基準とするＰＳＱ誘導体の割合）は、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、１〜５０重量％程度であるのがより好ましく、１０〜５０重量％程度であるのがさらに好ましい。これにより、形成された絶縁層（絶縁部）の機械的強度を確実に維持しつつ、ＰＳＱ誘導体を添加する効果、すなわち、高い吸湿性が得られる。
【００４４】
また、本発明の絶縁体組成物に添加される他の成分としては、例えば、有機溶剤、重合性化合物、熱可塑性樹脂、無機充填剤、カップリング剤、アミン化合物、重合開始剤、重合促進剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
例えば、本発明の絶縁体組成物は、ＰＳＱ誘導体を有機溶剤に溶解して調製することができる。
この場合、乾燥（脱溶媒）により、絶縁体組成物を固化して、絶縁層（絶縁部）を形成することができる。
【００４５】
また、本発明の絶縁体組成物は、ＰＳＱ誘導体および重合性化合物を、有機溶剤に溶解して調製することができる。
この場合、乾燥（脱溶媒）の後、光照射や加熱により、絶縁体組成物を硬化して、絶縁層（絶縁部）を形成することができる。
また、得られる絶縁層（絶縁部）の機械的強度をより向上させることができる。
【００４６】
重合性化合物としては、例えば、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、オキセタン系化合物、スチレン系化合物、ポリイミド前駆体、ポリウレタン前駆体等が挙げられるが、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、およびオキセタン系化合物のうちの少なくとも１種が好ましい。これらのものは、特に反応性が高いことから好ましい。
アクリル酸系化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦ型（メタ）アクリレート、フェノール・ノボラック型（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型（メタ）アクリレート、トリスフェノールメタン型（メタ）アクリレート、ビスフェノールＳ型（メタ）アクリレート、ビスフェノール型（メタ）アクリレートのような芳香族（メタ）アクリレート化合物、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリン（メタ）アクリレートのような脂肪族（メタ）アクリレート化合物等が挙げられる。
【００４７】
エポキシ系化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキサイド、ビスフェノールＦ型エポキサイド、フェノール・ノボラック型エポキサイド、クレゾールノボラック型エポキサイド、トリスフェノールメタン型エポキサイド、ビスフェノールＳ型エポキサイド、ビスフェノール型エポキサイドのような芳香族エポキサイド化合物、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテルのようなグリシジルエーテル化合物、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、ビス（２，３−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（２，３−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル ３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル ３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ジシクロペンタジエンオキサイド、ビニルシクロヘキセンオキサイド、下記に示すような脂環族エポキシ化合物等が挙げられる。
【００４８】
【化８】
【００４９】
（これらの式において、ｍは１以上の整数であり、ｎ、ｐ、ｑおよびｒはそれぞれ独立して０以上の整数である。）
オキセタン系化合物としては、下記に示すようなオキセタン化合物等が挙げられる。
【００５０】
【化９】
【００５１】
また、この場合、重合開始剤（特に、光重合開始剤）を添加するのが好ましい。
この重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエーテル、チオキサントン、カンファーキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ケタール類、ジベンゾイル類、オニウム塩、およびこれらの核置換体等が挙げられ、これらの化合物から少なくとも１つを選択して用いることができる。
【００５２】
重合開始剤の好ましい例としては、例えば、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、α，α−ジメトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、および２，４−ジエチルキサントンとｐ−ジメチルアミノ安息香酸メチルとの混合物等が挙げられる。
【００５３】
また、本発明の絶縁体組成物は、ＰＳＱ誘導体および熱可塑性樹脂を、有機溶剤に溶解して調製することができる。
この場合、乾燥（脱溶媒）により、絶縁体組成物を固化（硬化）して、絶縁層（絶縁部）を形成することができる。
また、得られる絶縁層（絶縁部）の機械的強度をより向上させることができる。
【００５４】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体のようなポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系のような各種熱可塑性エラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
また、使用可能な溶剤としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア水溶液、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００５６】
＜電子デバイス＞
次に、本発明の電子デバイスとして、前述したようなアクティブマトリクス装置が組み込まれた電気泳動表示装置を一例に説明する。
図３は、電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図３に示す電気泳動表示装置２００は、前述したアクティブマトリクス装置３００と、このアクティブマトリクス装置３００上に設けられた電気泳動表示部４００とで構成されている。
【００５７】
この電気泳動表示部４００は、透明電極（共通電極）４０３を備える透明基板４０４と、バインダ材４０５により透明電極４０３に固定されたマイクロカプセル４０２とで構成されている。
そして、マイクロカプセル４０２が画素電極３０３に接触するようにして、アクティブマトリクス装置３００と電気泳動表示部４００とが接合されている。
各カプセル４０２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。
【００５８】
このような電気泳動表示装置２００では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されている薄膜トランジスタ１がＯＮとなる。
これにより、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極３０３とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極３０３に供給される。
これにより、画素電極３０３と透明電極４０３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極に向かって電気泳動する。
【００５９】
一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、薄膜トランジスタ１はＯＦＦとなり、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極３０３とは非導通状態となる。
したがって、走査線３０２への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２００の表示面側（透明基板４０４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２００では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
【００６０】
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス装置３００を有することにより、特定の走査線３０２に接続された薄膜トランジスタ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
なお、前述したような薄膜トランジスタ１を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた表示装置は、このような電気泳動表示装置２００への適用に限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置等に適用することもできる。
【００６１】
＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２００は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２００を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図４は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【００６２】
＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図５は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図４に示す構成と同様のものである。
【００６３】
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
【００６４】
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【００６５】
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２００を適用することが可能である。
【００６６】
以上、本発明の絶縁体組成物、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
前記実施形態では、有機半導体装置をアクティブマトリクス装置に適用した場合を代表に説明したが、本発明の有機半導体装置は、有機ＥＬ表示装置に適用することもできる。この場合、本発明の絶縁体組成物を用いて、例えば、各画素（有機ＥＬ素子）を区画するバンクや、保護膜等を形成することができる。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．絶縁体組成物の調製
まず、以下に示す各成分を混合して、絶縁体組成物Ａ〜Ｆを調整した。
＜絶縁体組成物Ａ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（１）で表される化合物（全Ｒがプロピル基） ：４０重量％
・重合性化合物
ビスフェノールＡ型アクリレート ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００６８】
＜絶縁体組成物Ｂ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（２）で表される化合物（全Ｒがエトキシ基） ：４０重量％
・重合性化合物
プロピレングリコールジグリシジルエーテル ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００６９】
＜絶縁体組成物Ｃ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（３）で表される化合物（全Ｒがフェニル基） ：４０重量％
・重合性化合物
プロピレングリコールジグリシジルエーテル ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００７０】
＜絶縁体組成物Ｄ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（１）で表される化合物（全Ｒがフェニル基） ：３０重量％
式（３）で表される化合物（全Ｒがエチル基） ：１０重量％
・重合性化合物
ビスフェノールＡ型アクリレート ：４０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００７１】
＜絶縁体組成物Ｅ（本発明）＞
・ＰＳＱ誘導体
式（３）で表される化合物（全Ｒが２−フルオロ−フェニル基）
：４０重量％
・熱可塑性樹脂
ポリプロピレン ：４０重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：２０重量％
【００７２】
＜絶縁体組成物Ｆ（比較例）＞
・重合性化合物
ビスフェノールＡ型アクリレート ：８０重量％
・重合開始剤
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ： １重量％
・有機溶剤
ジエチレングリコールエチルエーテル ：１９重量％
【００７３】
２．有機薄膜トランジスタの作製
以下に示すようにして、各実施例において、それぞれ、ガラス基板上に薄膜トランジスタを２００個ずつ作製した。
（実施例１）
［１］ まず、ガラス基板（ＮＥＣコーニング社製、「ＯＡ１０」）を用意し、水を用いて洗浄した後、乾燥した。
【００７４】
［２］ 次に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の５％ｗｔ／ｖｏｌ酢酸ブチル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５００ｎｍのバッファ層を形成した。
【００７５】
［３］ 次に、バッファ層上に、フォトリソグラフィー法により、ソース電極およびドレイン電極の形成領域以外の領域にレジスト層を形成した。
そして、レジスト層から露出するバッファ層上に、蒸着法により金の薄膜を形成した後、レジスト層を剥離した。
これにより、平均厚さ１００ｎｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。
なお、ソース電極とドレイン電極との距離（チャネル長Ｌ）は２０μｍ、チャネル幅Ｗは１ｍｍであった。
【００７６】
［４］ 次に、バッファ層上に、フルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）の１％ｗｔ／ｖｏｌトルエン溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
［５］ 次に、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を覆うように、前記絶縁体組成物Ａを、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した。
その後、形成された液状被膜を６０℃×１０分間で乾燥した後、強度７ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１２０秒間照射して、絶縁体組成物を硬化させた。
これにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
【００７７】
［６］ 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する領域に、Ａｇ微粒子水分散液を、インクジェット法により塗布した後、８０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ１００ｎｍ、平均幅３０μｍのゲート電極を形成した。
［７］ 次に、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）の２％ｗｔ／ｖｏｌブタノ−ル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５００ｎｍの保護層を形成した。
【００７８】
（実施例２）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｂを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
（実施例３）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｃを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
【００７９】
（実施例４）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｄを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
（実施例５）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｅを用い、紫外線の照射を省略した以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
【００８０】
（比較例１）
前記工程［５］において、前記絶縁体組成物Ｆを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
（比較例２）
前記工程［５］において、アルミナを真空蒸着法により被着させ、ゲート絶縁層を形成した以外は、前記実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。
【００８１】
３．評価
各実施例および各比較例で作製した薄膜トランジスタに対して、それぞれ、耐湿試験を行った。
この耐湿試験は、１２０℃、１００％ＲＨ、０．２ＭＰａの条件下で５００時間、放置する前後でのトランジスタ特性の変化を確認することにより行った。
【００８２】
なお、トランジスタ特性は、従来から知られている方法により、市販の測定装置を用いて測定した。
その結果、各実施例の薄膜トランジスタでは、いくつかのものに、トランジスタ特性（しきい電圧値やＳ値）が若干低下するものが認められた程度であった。
また、ＰＳＱ誘導体として、式（２）、および式（３）で表される化合物を用いた実施例２、３、４、５の薄膜トランジスタで、トランジスタ特性の低下を認めるものの数が減少する傾向にあり、特に、式（２）、および式（３）で表される化合物を主成分とするＰＳＱ誘導体を用いた実施例２、３、５において、特に顕著であった。
【００８３】
これに対して、比較例１の薄膜トランジスタでは、多くのものに、トランジスタ特性の低下を認めた。
また、比較例２の薄膜トランジスタは、比較例１の薄膜トランジスタよりトランジスタ特性の低下が小さかったが、初期のトランジスタ特性が十分なものであるとは言い難いものであった。これは、ゲート絶縁層の形成時に、有機半導体層にダメージが生じることを示唆する結果であると推察される。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の有機半導体装置を適用したアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）である。
【図３】電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００８５】
１‥‥薄膜トランジスタ ２０ａ‥‥ソース電極 ２０ｂ‥‥ドレイン電極 ３０‥‥有機半導体層 ４０‥‥ゲート絶縁層 ５０‥‥ゲート電極 ６０‥‥バッファ層 ７０‥‥保護層 ２００‥‥電気泳動表示装置 ３００‥‥アクティブマトリクス装置 ３０１‥‥データ線 ３０２‥‥走査線 ３０３‥‥画素電極 ４００‥‥電気泳動表示部 ４０２‥‥マイクロカプセル ４２０‥‥電気泳動分散液 ４２１、４２２‥‥電気泳動粒子 ４０３‥‥透明電極 ４０４‥‥透明基板 ４０５‥‥バインダ材 ５００‥‥基板 ６００‥‥電子ペーパー ６０１‥‥本体 ６０２‥‥表示ユニット ８００‥‥ディスプレイ ８０１‥‥本体部 ８０２ａ、８０２ｂ‥‥搬送ローラ対 ８０３‥‥孔部 ８０４‥‥透明ガラス板 ８０５‥‥挿入口 ８０６‥‥端子部 ８０７‥‥ソケット ８０８‥‥コントローラー ８０９‥‥操作部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられ、置換基に有機基を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする絶縁体組成物。
【請求項２】
前記ポリシルセスキオキサン誘導体は、下記式（１）〜（３）で表される化合物のうちの少なくとも１種である請求項１に記載の絶縁体組成物。
【化１】
【化２】
【化３】
（式（１）〜（３）中、各Ｒは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換されたアリール基のいずれかを示す。また、式（１）中、ｎは、１〜３の整数を示す。）
【請求項３】
前記アルキル基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状、または、炭素数が４〜６の環状のものである請求項２に記載の絶縁体組成物。
【請求項４】
前記アルコキシ基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状のものである請求項２または３に記載の絶縁体組成物。
【請求項５】
前記アリール基は、フェニル基である請求項２ないし４のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項６】
前記ハロゲン原子は、フッ素原子である請求項２ないし５のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項７】
重合性化合物を含有する請求項１ないし６のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項８】
前記重合性化合物は、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、およびオキセタン系化合物のうちの少なくとも１種である請求項７に記載の絶縁体組成物。
【請求項９】
熱可塑性樹脂を含有する請求項１ないし８のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項１０】
前記ポリシルセスキオキサン誘導体の含有量は、０．１〜５０重量％である請求項１ないし９のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の絶縁体組成物を用いて形成された絶縁部を備えることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項１２】
当該有機半導体装置は、有機薄膜トランジスタを備え、
前記絶縁部は、前記有機薄膜トランジスタが備える絶縁層のうちの少なくとも１つである請求項１１に記載の有機半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁層は、ゲート絶縁層である請求項１２に記載の有機半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれかに記載の有機半導体装置を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
有機半導体装置が備える絶縁部の形成に用いられ、置換基に有機基を有するポリシルセスキオキサン誘導体を含有することを特徴とする絶縁体組成物。
【請求項２】
前記ポリシルセスキオキサン誘導体は、下記式（１）〜（３）で表される化合物のうちの少なくとも１種である請求項１に記載の絶縁体組成物。
【化１】
【化２】
【化３】
（式（１）〜（３）中、各Ｒは、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、または、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換されたアリール基のいずれかを示す。また、式（１）中、ｎは、１〜３の整数を示す。）
【請求項３】
前記アルキル基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状、または、炭素数が４〜６の環状のものである請求項２に記載の絶縁体組成物。
【請求項４】
前記アルコキシ基は、炭素数が１〜１０の直鎖状あるいは分枝状のものである請求項２または３に記載の絶縁体組成物。
【請求項５】
前記アリール基は、フェニル基である請求項２ないし４のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項６】
前記ハロゲン原子は、フッ素原子である請求項２ないし５のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項７】
重合性化合物を含有する請求項１ないし６のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項８】
前記重合性化合物は、アクリル酸系化合物、エポキシ系化合物、およびオキセタン系化合物のうちの少なくとも１種である請求項７に記載の絶縁体組成物。
【請求項９】
熱可塑性樹脂を含有する請求項１ないし８のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項１０】
前記ポリシルセスキオキサン誘導体の含有量は、０．１〜５０重量％である請求項１ないし９のいずれかに記載の絶縁体組成物。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の絶縁体組成物を用いて形成された絶縁部を備えることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項１２】
当該有機半導体装置は、有機薄膜トランジスタを備え、
前記絶縁部は、前記有機薄膜トランジスタが備える絶縁層のうちの少なくとも１つである請求項１１に記載の有機半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁層は、ゲート絶縁層である請求項１２に記載の有機半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれかに記載の有機半導体装置を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−２５３５１０（Ｐ２００６−２５３５１０Ａ）
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−７００７４（Ｐ２００５−７００７４）
【出願日】平成１７年３月１１日（２００５．３．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月１１日（２００５．３．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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