【課題】バリア性の高い保護層を有する積層構造、有機半導体素子、配線および表示装置、並びに有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導体または半導体を含む有機層と、絶縁材料により構成され、前記有機層を覆う保護層と、外周が前記絶縁材料と親和性を有する親和層に覆われ、前記保護層に分散された複数の粒体とを備えた積層構造。 （もっと読む）

【課題】 長期の室温（２０〜２５℃）保存安定性に優れ、さらに高感度で、精度よくパターン形成できるシリカ系感光性樹脂組成物、これを用いたパターン精度の高い硬化物が得られるシリカ系絶縁被膜の形成方法、電子部品を提供する。
【解決手段】 （ａ）成分：下記一般式（１）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、（ｂ）成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤からなる群より選択される少なくとも１種、（ｃ）成分：（ａ）成分を溶解可能な有機溶媒、（ｄ）成分：オニウム塩を必須成分として含有するシリカ系感光性樹脂組成物。
【化１】
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【課題】低温条件下かつ溶液塗布プロセスにより形成可能であり、薄膜トランジスタにおける電気特性であるヒステリシス、Ｏｎ/Ｏｆｆ比が良好な薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜及び該絶縁膜を備えた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】必須成分として（Ａ）アルケニル基を有する化合物、（Ｂ）ＳｉＨ基を有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒を含有する硬化性組成物を低温条件下によるポストベイクしたゲート絶縁膜を用いることにより、良好なトランジスタ特性が発現する。 （もっと読む）

【課題】半導体特性に影響を与えることなく、印刷法により形成される半導体の形状再現性に優れた電界効果型トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層およびゲート絶縁膜とが形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくともゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程を有し、該ゲート絶縁膜は露光によりシランカップリング剤と反応可能な官能基を生成し得る材料で形成されており、該工程の前に、ゲート絶縁膜上の半導体を形成する領域の周囲を露光する工程及び露光部においてフッ化アルキル基を有するシランカップリング剤と該官能基とを反応させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）

【課題】相分離誘電体構造を備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体層を堆積し、低誘電率材料、高誘電率材料及び液体を含む誘電体組成物を低誘電率材料及び高誘電率材料を相分離させずに液相堆積し、低誘電率材料および高誘電率材料の相分離を生成することを含む。低誘電率材料は半導体層に最も近い誘電体構造の領域内の高誘電率材料の濃度に比べて高濃度であり、半導体層の堆積は、誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の安定性に優れた有機薄膜トランジスタの製造方法と、有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体膜上に、（ａ）炭酸プロピレン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも１つの有機溶剤と、（ｂ）該有機溶剤に可溶な有機化合物を含有する絶縁膜形成液を用いてウェットプロセスによりゲート絶縁膜を形成することを特徴とするトップゲート型有機薄膜トランジスタの製造方法により解決される。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を添加しなくとも、ポリマー単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、低体積収縮を達成できるトリアジン環含有重合体、およびこれを含む膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】例えば、下記式（２０）で表されるような、トリアジン環を有する繰り返し単位構造を含む重合体は、それ単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、および低体積収縮を発揮し得る。
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【課題】基板側面に付着した異物の効率的な除去が可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａの側面に保護材３を形成する工程と、基板１０Ａの少なくとも一方の主面に機能層４Ａを形成する工程と、保護材３を基板１０Ａから剥離する工程と、
を有することを特徴とする、デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 印刷法で微細配線を精度良く形成するための平坦な配線層を形成でき、しかも、平坦な絶縁材料上に印刷した配線との接着力を得ることができる絶縁体インク、これを用いた絶縁層、複合層、回路基板、半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 分子量が４０以上、１０００未満のグリコールエーテルを含む分子量２００以上、５０，０００以下のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂の少なくともいずれか一種の樹脂を含む絶縁体インク。分子量が２００以上、５０，０００以下のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂の少なくともいずれか一種と硬化剤と溶媒を含むと好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）および金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ、を簡便で安価な方法で提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）のゲート絶縁層、あるいは金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。 （もっと読む）

【課題】絶縁性が高く、かつ均一な膜厚を有するゲート絶縁膜を効率よく形成することができる電界効果型トランジスタの製造方法、及び該電界効果型トランジスタの製造方法により製造され、安定した特性を有する高性能な電界効果型トランジスタの提供。
【解決手段】前記第一の基材上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、第二の基材上にゲート絶縁膜形成用樹脂溶液を塗布し、ゲート絶縁膜を形成する塗布工程と、前記ゲート絶縁膜表面の流動性が消失するまで乾燥する乾燥工程と、前記ゲート電極と、前記ゲート絶縁膜表面とを接触させて接触体を形成する接触工程と、前記接触体に対し、ゲート絶縁膜形成用樹脂のガラス転移温度以上の熱を加える加熱工程と、前記接触体から前記第二の基材を剥離し、第一の基材上にゲート絶縁膜を形成する剥離工程とを少なくとも含む電界効果型トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を、基板上に形成される多孔質層のクラックの発生を抑制し、大面積化しても高性能なものとする。
【解決手段】半導体装置１を、基板２と半導体素子３との間にモノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシランからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルコキシシランと、テトラアルコキシシランとの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなり、０．７ｇ／ｃｍ³以下の密度を有する多孔質層４を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁性を実現しつつ、有機半導体分子を高いレベルで異方的配向させて優れたキャリア移動度を発揮可能な有機半導体素子用絶縁性配向膜を形成し得る有機半導体素子用絶縁性配向組成物を提供する。
【解決手段】光配向性基を有するポリオルガノシロキサン化合物と、ポリアミック酸及びポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の重合体とを含有する有機半導体素子用絶縁性配向組成物である。上記光配向性基は桂皮酸構造を有する基であることが好ましい。上記桂皮酸構造を有する基は、特殊なフェニルアクリル酸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】光照射によって誘電率を変化させることが可能な膜、およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０は、ガラス基板２１、ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３、半導体層（活性層）２４、ソース電極２５およびドレイン電極２６を備える。ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３および半導体層２４は、この順序でガラス基板２１上に積層されている。ソース電極２５およびドレイン電極２６は、半導体層２４上に形成されている。ゲート絶縁膜２３は、有機重合体と、その有機重合体中に分散された化合物とを含む溶液を、ガラス基板上に形成されたゲート絶縁膜上にスピンコート法によって塗布した。その化合物は、以下の式（１）で表される化合物および以下の（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である。［化学式（１）および（２）］
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【課題】電子グレードまで精製可能であり、所望の電気的特性を保持した状態で厚さを減少させた誘電体層の形成に用いることができる材料を提供する。
【解決手段】分子性ガラスと、架橋剤と、触媒と、を含む、液体組成物を用い、誘電体層を形成する。分子性ガラスとしては、アモルファス分子性材料であり、‐ＯＨ、‐ＮＨ２の何れかを含む、エステル分子、スピロ、ビスフェノールＡ、四面体アリールシラン、アダマンタン、環系、縮合環、トリアリールアミン、ベンゼン、ヘキサフェニルベンゼン、トリフェニルベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントラセン、ピレンを用いる。又、光を照射することで酸を発生させる化合物、ナノ粒子等の無機粒子、金属ナノ粒子、酸化金属ナノ粒子、その他の無機ナノ粒子を含んでいてもよい。 （もっと読む）

本発明は、基材に高疎水性を付与するために基材の表面を処理する方法に関する。さらに詳細には、上記方法は、基板の処理中に、低い表面エネルギーを有するが異なる鎖長を有する２つの異なる種類の有機シラン分子の自発的に生じる相分離を利用する。これらのドメイン（domain）とマトリクス（matrix）構造の高さ差から生じ、相分離され低い表面エネルギーを有する長い有機シラン分子及び短い有機シラン分子により形成された表面粗度は、それぞれロータス効果（Lotus effect）の超疎水性を再現する。このように、上記方法は上記基板を高疎水性とすることができる。最後に、基板の表面を高疎水性にする、上記基板表面の処理方法は、高疎水性の表面が、ＣＦ_３基を官能基として有する有機シランと上記有機シランより炭素鎖長が短くＣＨ_３基を官能基として有する有機シランとを使用して、化学気相蒸着によって混合自己組織化単分子膜を形成することにより得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 凸版反転印刷法による精密パターン形成が可能であり、極めて平滑な表面形状と大気下においても漏れ電流が小さいゲート絶縁膜を形成する絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。第二の課題は、該インキ組成物から形成された絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子素子を提供する。
【解決手段】 樹脂成分、体質成分、有機溶剤、及び、離型剤を含有する絶縁膜形成用インキ組成物であって、樹脂成分がポリビニルフェノール系樹脂を含有し、体質成分／樹脂成分の比が０．０３〜０．１の範囲であることを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された高分子と、高分子と酸素原子を介して結合を有し第４族元素、第５族元素、第６族元素、第１３族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子とを含む絶縁性薄膜からなるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体と、を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）