【課題】 ２回のマスクのみでＴＦＴ−ＬＣＤのアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に透明導電層、第１金属層、第１絶縁層、半導体層、第２絶縁層及び犠牲層を順に形成する。一回目マスクにより厚さの異なるフォトレジストパターンを犠牲層上に形成する。フォトレジストパターンをマスクとして、一連のエッチング工程によりゲートを含むゲート線、ゲートの真上にあるチャネル層、ゲート線端部にあるゲートパッド、画素電極及びソースパッドを画定する。絶縁スペーサをゲートとゲート線の側壁上に形成する。第２回目マスクを利用して、ソース線、ソース、ドレインを形成し、ソース線端部をソースパッドに接続し、ソースをソース線とチャネル層に接続し、ドレインをチャネル層と画素電極に接続する。 （もっと読む）

【課題】浅い高濃度のソース・ドレイン層を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、シリコンからなる表面領域を持つ基板、表面領域上に形成されたゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、ゲート電極の両側に設けられた側壁絶縁膜、側壁絶縁膜下からその外側に向かった部分の基板表面に形成された溝内に不純物を含むシリコン膜を堆積して形成された埋め込み形成型のソースおよびドレイン層を具備し、溝の底部のシリコン膜の不純物濃度は１×１０¹⁹〜１×１０²²ｃｍ^-3、かつ、溝の深さ方向に沿ったシリコン膜の不純物濃度は一定であり、かつ、埋め込み型形成型のソースおよびドレイン層は、側壁絶縁膜下に形成された第１の埋め込み形成型のソースおよびドレイン層、側壁絶縁膜外側に形成され、第１の埋め込み形成型のソースおよびドレイン層よりも厚い第２の埋め込み型形成型のソースおよびドレイン層を含む。 （もっと読む）

本発明は、第１の基板上に金属膜、絶縁膜及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板を接着したのち、前記第１の粘着材を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成することを特徴とする。
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【課題】溶液加工性で、薄膜トランジスタのゲート誘電体層を作製するのに使用することができる誘電材料組成物を提供する。
【解決手段】シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物から調製した誘電材料、そのような誘電材料を含む薄膜トランジスタなどの電子デバイスを提供する。シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物は、例えば、シロキサンまたはシルセスキオキサンなどのシロキシ成分を含む。シロキシ／金属酸化物ハイブリッド組成物は、溶液堆積技術を用いる薄膜トランジスタのための誘電体層の調製に用いられる。 （もっと読む）

【課題】第２半導体層の側壁に絶縁膜を形成して、第１半導体層の結晶方位を引き継いだエピタキシャル成長層を形成することで、結晶方位（１００）の半導体層と結晶方位（１１０）の半導体層を同一基板上に結晶欠陥を抑制して形成することを可能とする。
【解決手段】第１半導体層１１と絶縁層１２と第２半導体層１３とを順に積層した基板を用い、第２半導体層１３上に酸化膜エッチング時の耐性と耐酸化性とを有するマスク層１５を形成する工程と、第１領域のマスク層１５から絶縁層１２までを第１半導体層１１上に残して第２領域の第１半導体層１１を露出させる工程と、第１半導体層１１表層と第２半導体層１３の露出した側壁を酸化する工程と、マスク層１５をエッチングマスクに用いて酸化層２１を除去し、第１半導体層１１を露出させる工程と、露出された第１半導体層１１上にエピタキシャル成長層１７を形成する工程とを備えた製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｈ_２洗浄を行っても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法、及び透明電極上に窒化膜を蒸着しても画素の透過率を確保できる薄膜トランジスタ表示板及び製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上のゲート線、窒素を含む透明な導電体からなる基板上の共通電極、ゲート線及び共通電極上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上の半導体層、ソース電極を有するデータ線及びソース電極と対向する半導体層上のドレイン電極、ドレイン電極と接続され共通電極と重畳する画素電極を備える。共通電極をＩＺＯＮ、ＩＴＯＮ又はａ−ＩＴＯＮで、又はＩＴＯ／ＩＴＯＮ、ＩＺＯ／ＩＺＯＮ又はａ−ＩＴＯ／ａ−ＩＴＯＮの二重層で形成することにより、共通電極上に窒化膜を蒸着する場合に投入されるＨ_２やＳｉＨ_４ガスによってＩＺＯ、ＩＴＯ又はａ−ＩＴＯ物質内の金属成分が還元されＳｎ又はＺｎが析出されるのを防ぐ。 （もっと読む）

本発明は、局所的にレジスト膜を形成する手段と、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下におけるプラズマ処理により局所的に成膜、エッチング、若しくはアッシングする手段を用いて、表示装置製造の低コスト化を実現する表示装置の作製方法について提案する。
本発明の表示装置の製造方法は、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下で、局所的に導電膜を形成し、配線を形成する工程を有することを特徴としている。ここで、配線とは、アクティブマトリクス型の表示装置の画素部においてゲート配線やソース配線として機能する配線の他、外部入力端子から画素部へ信号を送るための接続配線や、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と画素電極とを接続するための配線など、全ての配線を含む。
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【課題】軽量、薄型化が容易であって、しかも耐熱性に優れた表示装置用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 この表示装置用基板２００は、無機層状物質を主体とする主基板２０２と、この主基板上に配置される不純物阻止層２０３と、この不純物阻止層２０３上に配置される半導体層２１２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とドレイン電極間の寄生容量を均一に確保して画面の点滅現象を防止する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板には、ゲート線（１２１）及びゲート線と絶縁されて交差しているデータ線（１７１）が形成されている。各々のゲート線のゲート電極（１２４）及びデータ線のソース電極（１７３）と連結されており、ゲート電極と絶縁されて重なり、２本の分枝を有するドレイン電極（１７５）と連結された薄膜トランジスタとゲート線、データ線及び薄膜トランジスタを覆う保護膜（１８０）が形成されている。保護膜の上部にはドレイン電極と連結されている画素電極（１９０）が形成されている。この時、２本の分枝は一直線上に所定の距離をおいて離隔された形態で配置されている。 （もっと読む）

【課題】フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する段階と、この薄膜上部にパターン形状が定義されたマスクを整列する段階と、このマスクに定義されたパターン形状を有するように前面にフェムト秒レーザーを照射して薄膜を選択的に除去する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程に新たな専用工程の追加を伴うことなく、オン抵抗と降伏電圧とのトレードオフの関係（相反関係）を打破して、オン抵抗を低く維持しながら降伏電圧（耐圧）を高めることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネルとなる不純物領域、すなわちチャネル領域Ｐ１１についてはこれを、ゲート電極１４の直下にあたる部分の不純物濃度が選択的に高められた濃度分布をもつものとし、ドレインとなる不純物領域、すなわちドレイン領域Ｎ１２についてはこれを、配線とのコンタクト部分（ドレイン層Ｎ１２ｂ）を除く全域にわたって均一な濃度分布をもつものとする。さらに、チャネル領域Ｐ１１の近傍にＬＯＣＯＳ酸化膜１２を設け、チャネル領域Ｐ１１に隣接してＬＯＣＯＳ酸化膜１２のチャネル側端辺に電流経路を形成するようなドリフト層Ｎ１２ａを形成する。 （もっと読む）

スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等を、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を有する基板に対して裏面からの光照射によって、選択的に基板表面を改質し、ぬれ性を制御する。改質された表面上に、導電性材料又は絶縁性材料を吐出（噴出なども含む）などによって、付着させ、導電層、絶縁層を形成する。また、光触媒物質の光吸収、エネルギー放射作用によって、光による処理効率を向上させることができる。また、導電層上にも選択的にマスク層を形成し、非照射領域である導電層上の領域のぬれ性も制御する。 （もっと読む）

【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成された有機発光素子を有する発光装置、プラスチック基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板または石英基板上に形成した素子（ＴＦＴや、有機化合物を含む発光素子や、液晶を有する素子や、メモリー素子や、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子や、シリコン抵抗素子など）を含む被剥離層１２を基板から剥離した後、熱伝導性の高いプラスチック基板１０に転写する。 （もっと読む）

【課題】金属粒子を核として結晶成長を行い形成するシリコン・ワイヤは、金属汚染の課題がある。
【解決手段】リソグラフィーとエッチングという通常のシリコン・プロセスを用いて、ＳＯI基板に対し、リソグラフィーを用いた加工とフッ酸によるウェット・エッチングを行うことで、シリコン・ブリッジを形成する。その後、高温で熱酸化膜を形成し、良質なゲート絶縁膜を形成することが望ましい。また、引き続き、同軸上のゲート電極まで形成することが望ましい。然る後に、シリコン・ブリッジの橋の部分のシリコンをレジスト膜中に埋めた後に、橋げた上部のシリコンを除去する。然る後に、レジスト膜中に埋めたシリコン・ワイヤを回収することで、フッ酸溶液中にシリコン・ワイヤを分散させることなく、シリコン・ワイヤを回収し、シリコン・ワイヤ４をチャネル部として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）

リソグラフィ工程と印刷工程との複合技術を用いて有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び他の部品が基板（206）上に製造される半導体デバイス及びその製造方法が提供される。リソグラフィによって定められたレジストパターン（211、311）が、障壁と、後に印刷材料を導くように機能するキャビティとをもたらす。集積回路の別個の部品が基板（206）上に別々のアイランドを形成する。応力による隣接する膜のクラック及び剥離のおそれが低減され、また、デバイスの可撓性が増大される。
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導電部所有体５００の表面に被覆膜１００を形成する工程と、上記被覆膜１００が形成された導電体５００上に感光性膜１１０を形成する工程と、上記感光性膜１１０を、凹部又は凸部のパターンに対応するパターンに露光する工程と、上記露光された感光性膜１１０を現像する工程と、上記現像された感光性膜１１０をベーキングする工程とを有する電子装置の製造方法。該製造方法により、金属膜が必要以上に除去されてしまう現象を防止又は緩和する。
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【課題】 半導体装置が微細化しても細線効果による性能低下を抑制できる、高集積化に適した新たな３次元半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】 上記課題を解決した半導体装置は、半導体層中にこの半導体層表面に垂直に形成されたトレンチと、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記トレンチの深さ方向に形成された複数の素子分離と、前記トレンチの側面に沿って形成され、絶縁膜と電極とを備えた複数の機能素子と、前記電極に接続し、前記複数の機能素子を第１の方向に接続する第１の配線と、前記トレンチの側面及び底面の前記半導体層中に形成され、前記素子分離により分離され、前記機能素子を前記第１の方向は異なる第２の方向に電気的に接続する第２の配線とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 表示が明るく、且つ表示むらのない広視野角の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、ＴＦＴ１０４が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成されたＣＦ基板との間に負の誘電異方性を有する液晶が封入され、ＴＦＴ基板側に、画素電極１０５と、画素電極１０５の周囲に形成された補助電極１０７とを備える。画素電極１０５は、中心部に、ゲート絶縁膜をエッチングすることにより形成された凹部１０５ａを有するように形成され、液晶分子を凹部１０５ａの形状に応じて画素中心に向って傾けて配列させる。 （もっと読む）

【課題】ソースドレインエクステンションからゲート絶縁膜へのボロンの拡散が抑制された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上層部に所定の間隔で形成された一対のソースドレインエクステンションと、前記半導体基板上の前記一対のソースドレインエクステンションに挟まれた領域に前記ソースドレインエクステンションとオーバーラップする領域を有して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記ソースドレインエクステンションとのオーバーラップ領域に対応する領域のみが、窒素が導入された窒素導入領域とされている。 （もっと読む）