【課題】 プラスチック基板とガラス支持体を接着する接着剤をきれいに取り除くこと。
【解決手段】 プラスチック基板を支持体に接着剤で接着する段階と、プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階と、THF（Tetrahydrofuran）を含む溶媒を使用してプラスチック基板を支持体から取り除く段階と、を含む。このようにTHFを使用するとプラスチック基板は支持体からきれいに取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】 単一のシリコンウェーハ中に形成した互いに異なる回路に多様な負性微分抵抗（ＮＤＲ）特性を付与できるように製造工程中または出荷後のフィールドでの通常動作中に最大電流対最小電流比（ＰＶＲ）値などの特性値を調整できるようにしたＮＤＲデバイスを提供する。
【解決手段】 互いに異なるＮＤＲモードを発現するように動作中に多様にＮＤＲ特性を変える過程を含むＮＤＲ素子の制御の方法を開示している。ＮＤＲ素子（シリコン利用のＮＤＲ ＦＥＴなど）に印加するバイアスの条件を変えることによって、最大電流対最小電流比（ＰＶＲ）値（またはそれ以外の特性）をＮＤＲ素子利用回路の所望の動作変化の実現のために動的に変えることができる。例えば、メモリ用または論理回路用では、動作電力の削減のために最小電流値を休止期間中に小さくすることができる。すなわち、適応型ＮＤＲ素子を慣用の半導体回路の中で有利に活用することができる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスを構成する有機分子分解を抑制する。
【解決手段】電子デバイスは、有機分子３０５を構成要素とする電子デバイスであって、有機分子３０５の外周部は撥水性である。電子デバイスの構成としては、例えば、集積回路基板３００の上にゲート絶縁膜３０２が形成され、該ゲート絶縁膜３０２の上に、ゲート電極３０１の上側部分を介して対向するようにソース電極３０３及びドレイン電極３０４が形成されていると共に、ソース電極３０３とドレイン電極３０４とを接続するように有機分子３０５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】動作速度が速く且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリウレタンを１種以上含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】 本発明の目的は、ゲート長が高精度に制御され、かつ、ショートチャネル効果を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】 第１のゲート電極膜１７ａと、第１のゲート電極膜１７ａのゲート長よりも長いゲート長を具備する第２のゲート電極膜２０とを有する２段型ゲート電極２０ａを形成することにより、ゲート長が高精度に制御される。また、エクステンション領域２１は第２のゲート電極膜２０をマスクにして不純物導入がされるため、ショートチャネル効果を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】動作速度が速く且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び画素電極層を有し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接して一導電型を有する半導体層を有し、一導電性を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層上に絶縁層を有し、絶縁層はソース電極層又はドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は画素電極層に達する第２の開口部を有し、第１の開口部及び第２の開口部に、ソース電極層又はドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 （もっと読む）

【課題】 データ保持時間が十分に長く、高い歩留まりが得られるＦＢＣの形成を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１０、半導体基板上に絶縁膜１２０を介して形成され単結晶構造を有する第１導電型半導体層１３０、半導体層１３０に形成された第２導電型ソース領域１３２、ドレイン領域１３４、ソース・ドレイン領域の間に形成されフローティング状態にある第１導電型ボディ領域１３６、ボディ領域の表面中央部上に絶縁膜１４０を介して形成されたゲート電極を有する複数のトランジスタと、各トランジスタの隣接するもの同士のボディ領域を素子分離する素子分離絶縁膜２１１、ゲート電極を共通接続するワード線ＷＬ、ドレイン領域に電気的に接続されたビット線ＢＬ、ソース領域に電気的に接続されたソース線ＳＬを備え、ボディ領域１３６が絶縁膜１４０と接触する面積は、ボディ領域１３６が絶縁膜１２０と接触する面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ工程数を少なくする。
【解決手段】 ゲート絶縁膜４の上面に半導体薄膜形成用膜４１を成膜し、半導体薄膜形成用膜４１の上面にチャネル保護膜６を形成し、チャネル保護膜６を含む半導体薄膜形成用膜４１の上面にオーミックコンタクト層形成用膜４３及びソース・ドレイン電極形成用膜４４を成膜し、ソース・ドレイン電極形成用膜４４の上面にソース・ドレイン電極形成用レジスト膜４５ａ、４５ｂをフォトリソグラフィ法により形成する。そして、ソース・ドレイン電極形成用レジスト膜４５ａ、４５ｂ（チャネル保護膜６を含む）をマスクとして、ソース・ドレイン電極形成用膜４４、オーミックコンタクト層形成用膜４３及び半導体薄膜形成用膜４１を順次エッチングする。 （もっと読む）

【課題】 抵抗が低く、画素電極または半導体層との接触性が優れた配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、液晶表示装置または有機発光表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配線に関し、モリブデン（Ｍｏ）にニオビウム（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）またはチタニウム（Ｔｉ）を所定量含むモリブデン合金層とアルミニウム層の積層構造を形成することによって、既存の純粋モリブデン（Ｍｏ）を使用した場合に比べて、モリブデン合金層とアルミニウム層の相対的なエッチング速度の差が減少し、エッチング工程時におけるアンダーカット、オーバーハング及びマウスバイトなどが発生しない。更に、半導体層または画素電極との接触特性も改善されたことを特徴とする低抵抗性及び耐薬品性を同時に有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、工程を単純化すると共に、コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供するところにある。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイ基板は、基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートライン上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲートラインと交差されるように形成され、ＷＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＮｉＳｉ_ｘのうち少なくともいずれか一つを含むデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインの交差部に位置する薄膜トランジスタと、前記ゲートライン及びデータラインの交差で設けられた画素領域に形成され、前記薄膜トランジスタと接続される画素電極と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出装置から液滴を吐出してＴＦＴ用ソース電極またはドレイン電極を設けること。
【解決手段】 配線パターン形成方法は、バンクパターンに縁取られたパターン形成領域における所定のセクションへ液状の導電性材料の液滴を吐出して、パターン形成領域を覆う導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を含んでいる。セクションのＸ軸方向に沿った長さをＬとし、Ｙ軸方向に沿った長さをＭとすると、吐出される液滴の直径φは、Ｌ以下であるとともに、Ｍ以下である。そして、ステップ（Ａ）は、バンクパターンから少なくとも直径φの１／２倍離れた位置に液滴の中心が当たるように、液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 低コスト化が図れ、キャリア移動度および電流のＯＮ/ＯＦＦ比が改善された信頼性の高い薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の主面および第２の主面が平坦であり、かつ、均一な厚みを有する絶縁基板３と、絶縁基板３の第１の主面上に形成されたゲート電極４と、絶縁基板３の第２の主面上に形成され、有機半導体、カーボンナノチューブ、あるいは、カーボンナノチューブを少なくとも含む有機分散材料により構成されるチャネル層２と、チャネル層２上でゲート電極４の両側に位置するように形成されたソース電極１およびドレイン電極５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程の簡素化、及び画素の開口率を低減しないストレージキャパシタの形成。
【解決手段】基板上にゲート電極を有するゲート線と維持電極線を形成し、それら線上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、その上にオーミック接触部材を形成する。オーミック接触部材上にソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成し、それらの上に保護膜を蒸着する。保護膜上に第１感光膜を形成し、それをマスクとして保護膜をエッチングし、データ線の一部とゲート絶縁膜の第１部分を露出させる。第１感光膜を変化させ第２感光膜を形成し、それをマスクとして保護膜をエッチングし、ゲート絶縁膜の第２部分とドレイン電極の少なくとも一部を露出させ、且つゲート絶縁膜の第１部分を除去してゲート線の一部を露出させる。導電体膜を蒸着する。第２感光膜を除去してドレイン電極と接続される画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化した有機薄膜トランジスタの製造方法及びこれを利用した液晶表示素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ（静電気放電）等のサージに対する耐性をより安定して高く確保することのできる構造を有し、大量生産した場合にもより高い信頼性をもって製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板内の素子領域の内部に配置されるソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max１と、同素子領域の最も外側に配置されるドレイン層に隣接するソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max２とが、「Ｖ_max１＜Ｖ_max２」なる関係式を満足するような構造とする。さらに、半導体層１４の表面の、素子領域の最も外側に配置されるドレイン層Ｎ２２と素子領域の内部に配置されるドレイン層Ｎ１２との間に段差をつけて、ドレイン層Ｎ２２の下方における半導体層１４の深さ方向の幅ｄ２を、ドレイン層Ｎ１２の下方における半導体層１４の深さ方向の幅ｄ１よりも大きな幅に設定する。 （もっと読む）

【課題】 耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。
【解決手段】（Ａ）基体１０上にホトレジスト被膜を形成する工程、および（Ｂ）選択的露光を含むホトリソグラフィ工程を経て、前記ホトレジスト被膜を、肉厚部ｒ１と肉薄部ｒ２を有する段状レジストパターンＲの形状にパターニングする工程を有するレジストパターンの形成方法であって、（ａ）ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）が８０００を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、（ｂ）ナフトキノンジアジド基含有化合物、および（ｄ）有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を用いて前記ホトレジスト被膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 シリサイド膜を薄くしても細線効果を抑えることが可能なシリサイド膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後，基板を約３００℃に調整し，ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜２１（膜厚１５ｎｍ）を形成する。基板を大気に曝すことなく連続的にチタン窒化膜２３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。チタン窒化膜と未反応のチタン膜を除去した後，２回目の熱処理（８５０℃）を行う。高抵抗の結晶構造Ｃ４９を有するシリサイド膜３１，３２，３３は，低抵抗の結晶構造Ｃ５４を有するシリサイド膜に相転移する。 （もっと読む）

【課題】 蒸留又は昇華により精製される有機低分子材料を材料利用効率の高いインクジェット法を用い、スループットが高く、大型有機ＥＬパネルや有機薄膜トランジスタ等の電子装置の製造が可能なる方法を提供する。
【解決手段】 ２種類の溶剤を混合し、最適インク粘度の確保と、乾燥過程におけるインクの表面張力並びに上記有機材料の溶解限を増加させることによって、隔壁層で区画された凹領域のみに選択的に、インクジェット法で有機材料の非晶質膜形成する。２種類の溶剤の第一の溶剤は溶解度が０．５ｗｔ％以上の第１溶媒で、第二の溶剤は溶解度が０．１ｗｔ％以下の第２溶媒である。第１溶媒の沸点は第２溶媒の沸点よりも高い方が望ましく、このインク溶剤系を用いることによって、インク中の第１溶媒の比率が乾燥と共に増加することから、結晶核や凝集の発生を抑制でき、均一な非晶質薄膜形成が可能となる。 （もっと読む）