【課題】 製造工程を増やすことなく、容量素子の誘電体膜の膜厚をＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くすることのできる薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、この電気光学装置、およびこの電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０に蓄積容量７０を構成する際、レジストマスク４０１の開口４０１ａから半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物を導入するとともに、このレジスマスク４０１の開口４０１ａから誘電体膜２ｃの表面をエッチングする。このため、製造工程を増やすことなく、蓄積容量７０の誘電体膜２ｃの膜厚をＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２ａの膜厚よりも薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶方位がそろった結晶粒から構成された結晶質半導体膜であって、結晶粒の平均粒径が約４μｍ以下に微細化された結晶質半導体膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】非晶質領域で構成されたチャネル部におけるキャリア移動度が高く、しかも結晶化領域で構成されたソース・ドレインの活性化効率が高い、非晶質−結晶質混成の薄膜トランジスタを、プラスチック基板を用いることが可能な低温プロセスで得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に非晶質の半導体薄膜５を形成し、半導体薄膜５上にゲート絶縁膜７を介してゲート電極９をパターン形成する。ゲート電極９をマスクにして半導体薄膜５に不純物を導入する。ゲート電極９をマスクにして半導体薄膜５に対して所定速度で照射位置を移動させながら半導体薄膜５にレーザ光Ｌｈを連続照射することにより、半導体薄膜５を結晶化すると共に半導体薄膜５中において水素ガスを膨張させることなくレーザ光Ｌｈの照射部から余剰水素を除去する。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと、基板上に形成された第１の配線と、薄膜トランジスタの多結晶珪素膜からなる活性層と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極、及び第１の配線上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成され、第１の絶縁膜に設けられた複数のコンタクトホールを介して第１の配線と電気的に接続している第２の配線と、薄膜トランジスタ及び第２の配線上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、第２の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、基板と対向して配置された対向基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。また、バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部を酸化して酸化物層を形成した後、該酸化物層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に所望の形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する。この場合、チャネル長Ｌは２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔により決定され、チャネル幅Ｗはコンタクトホール１０、１１の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴ等の薄膜半導体装置において、耐電圧性を高め、オフリーク電流を低減する。
【解決手段】 チャネル領域と不純物がドープされたソース領域及びドレイン領域とを含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極とを備える。ソース領域及びドレイン領域の夫々における、島状の平面パターンの周辺領域のうち少なくともチャネル領域に隣接する第１部分は、周辺領域を除くと共にチャネル領域に沿ってチャネル領域に隣接する第２部分を除く中央領域と比べて、不純物の濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】
有機TFTの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、マスクを用いたエッチングにより有機材料を含む半導体層を形成し、マスクを除去せず半導体層上に残した状態で有機ＴＦＴを完成させる。そして、残存するマスクを使って、水、光または酸素等による劣化から半導体層を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

【課題】チャンネル部の有機樹脂層をプラスチックからなる基板側およびこの基板に対向する表面側から侵入する水、水素、酸素などから保護することが可能な有機半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチックからなる基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を含む前記基板上に形成されたＳｉＮ_xまたはＡｌ₂Ｏ₃からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極の間のチャンネル領域を少なくとも含む前記ゲート絶縁膜上に形成された有機半導体層と、少なくとも前記有機半導体層に形成されたＳｉＮ_x層を含む保護層とを具備したことを特徴とする有機半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、湿式法を用いて容易に作製できる電子デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の電子デバイスの一は、第１の層と第２の層とを有する。第１の層は、共役二重結合を含む化合物を含む。ここで、第１の化合物の分子量は１００〜１０００であることが好ましい。第２の層は、前記第１の化合物が二分子、付加反応により環を形成することによって生成された第２の化合物を含む。ここで、電子デバイスとしては、発光素子、トランジスタ等の素子が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に第１の膜１０２を形成する工程と、前記第１の膜１０２上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜１０２上にマスク１０３を形成する工程と、前記マスク１０３を用いて前記第１の膜１０２をパターニングして前記基板１０１上に塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５を形成する工程と、前記マスク１０３を除去する工程と、前記塗れ性の低い領域１０４に挟まれた前記塗れ性の高い領域１０５に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は第１金属と第１金属より原子量が大きい金属とが所定の組成比を有するように形成されたスパッタリング用ターゲットを利用して非晶質シリコーン層及びキャッピング層が形成された基板上に金属触媒層を形成し、基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に薄膜からなる集積回路を形成し、基板から剥離する際、集積回路に亀裂（クラックとも呼ぶ）が生じることがあった。
【解決手段】 本発明は、エッチングの進行方向を一方向に固定し、エッチングの進行に合わせて被剥離層の反りを一方向にすることで亀裂の発生を抑えるというものである。例えば、基板上に設けた剥離層をパターニングして、下地絶縁層を形成し、基板と下地絶縁層とが接する部分で固定させれば、基板と下地絶縁層とが接する部分はエッチングされないことを利用してエッチングの進行を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を単純化し、製造費用を最少化でき、かつ安定した特性を確保できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタ表示板は、画素部と駆動部を有する絶縁基板、絶縁基板上に形成され、ソース領域及びドレイン領域、チャンネル領域及び低濃度ドーピング領域を有する多結晶シリコン層、多結晶シリコン層を覆うゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜を介在してチャンネル領域と重畳し、不純物がドーピングされているケイ素を有する不純物層、不純物層上部に形成されているゲート電極、ゲート電極を覆い、各々ソース領域及びドレイン領域を露出させる第１及び第２コンタクトホールを有する層間絶縁膜、層間絶縁膜上に形成され、第１コンタクトホールを介してソース領域と接続されるソース電極、層間絶縁膜上に形成され、第２コンタクトホールを介してドレイン領域と接続されるドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】カレントコピー型回路を画素回路に採用した表示装置で表示ムラが発生するのを防止すること。
【解決手段】本発明の表示装置は、各画素ＰＸが、薄膜トランジスタＤＲ２と、電源端子ＮＤ１と薄膜トランジスタＤＲ２との間に接続されると共に薄膜トランジスタＤＲ２とは導電型が異なる薄膜トランジスタＤＲ１と、一方の電極が薄膜トランジスタＤＲ１のゲートに接続され、他方の電極が定電位に設定されるキャパシタＣ１と、薄膜トランジスタＤＲ１のゲートとドレインとの間に接続されたスイッチＳＷ１ａと、薄膜トランジスタＤＲ２のゲートとソースとの間に接続された第２キャパシタＣ２と、薄膜トランジスタＤＲ２のゲートとドレインとの間に接続されたスイッチＳＷ２ｂと、薄膜トランジスタＤＲ２と電源端子ＮＤ２との間に直列に接続されたスイッチＳＷ３及び表示素子ＯＬＥＤと、薄膜トランジスタＤＲ２のスイッチＳＷ３に接続された端子と映像信号線ＤＬとの間に接続されたスイッチＳＷ２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）