【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板及びその製造方法が開示されている。
【解決手段】 シリコン元素を含む基板、前記基板上に形成された拡散防止膜、及び前記拡散防止膜上に形成され、前記拡散防止膜形成物質が０．５〜１５ａｔ％範囲で含まれた銅合金層を含んで形成される。前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等のような化合物を５０〜５０００Å範囲で蒸着して熱処理して、シリサイド化合物に変換して製造する。銅合金配線を用いてトランジスタ基板を製造するので、低い抵抗と高い伝導度を具現することができる。又、薄い厚さの拡散防止膜と同じ元素を添加した銅合金と用いて銅配線を形成したので、同時エッチングが可能であり、後続工程で基板との相互拡散を防止することができる。
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【課題】 本発明はプラスチック基板若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成したプロセッサであって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う無線プロセッサ、無線メモリ、及びその情報処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって島状に分離された半導体膜により、少なくともチャネル形成領域が形成されるトランジスタを有する素子形成領域、及びアンテナを有し、トランジスタは、可撓性基板上に固定されおり、素子形成領域により高機能集積回路が形成されている無線プロセッサであり、当該無線プロセッサと、半導体装置とは、アンテナを介してデータ送受信を行うことを特徴とする情報処理システムである。 （もっと読む）

【課題】 ＬＤＤ又はＧＯＬＤ構造を有する半導体装置の製造工程を簡略化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造方法であって、半導体層上にソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域に対応するレジストの膜厚を、ソース側低濃度領域、ドレイン側低濃度領域及びチャネル領域に対応するレジストの膜厚より薄く形成する工程と、レジストをマスクとして半導体層を所定パターンにエッチングするとともに、半導体層に高濃度不純物を注入し、ソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い特性及び信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜上の電極や配線形成後のドライエッチングにおけるエッチングダメージを防止する。ドライエッチングのプラズマによる荷電粒子の発生を、半導体層に達しないように、導電層を形成してダメージを抑制する。これにより、特に微細化な構造を持つ薄膜トランジスタにおいて、トランジスタ特性の劣化を生じさせない方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル方向の結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 所定の周期で配置されて互いに同じパターンを有する複数の単位領域からなる位相変調素子（１）と、該位相変調素子を介した光束を２つの非干渉性の光束に分割するための光束分割素子（２）と、位相変調素子と非単結晶半導体膜との間に配置された結像光学系（４）とを備えている。位相変調素子の単位領域は、基準面と、中心近傍に配置されて基準面に対して第１位相差を有する第１位相領域と、その近傍に配置されて基準面に対して第１位相差とは絶対値が等しく且つ符号の異なる第２位相差を有する第２位相領域とを有する。隣り合う２つの単位領域の間では、基準面は互いに同じ位相差を有し、第１位相領域および第２位相領域は基準面に対して互いに反転した位相差を有する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、基板上の積層構造に形成されたコンタクトホール内の断線不良を防止する。
【解決手段】 基板上に下部層間絶縁層の前駆膜を成膜する第１工程と、前駆膜を加熱して流動化させることにより前駆膜の表面に対して平坦化処理を施す第２工程と、第２工程の後に、前駆膜の表面の少なくとも一部を第１のエッチング処理を施して後退させることで下部絶縁層を形成する第３工程と、下部層間絶縁層上に上部層間絶縁層を形成する第４工程と、上部導電層及び下部導電層を互いに電気的に接続するためのコンタクトホールを、下部層間絶縁層の表面において第１のエッチング処理により後退させた部分を通過するように、上部層間絶縁層及び下部層間絶縁層に第２のエッチング処理によって開孔する第５工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ表示板の製造工程を簡素化する。また、画素電極の断線を防止できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階と、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上にオーミック接触部材を形成する段階と、前記オーミック接触部材上にデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、前記データ線及び前記ドレイン電極上に保護膜を蒸着する段階と、前記保護膜上に第１感光膜を形成する段階と、前記第１感光膜をマスクとして前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜をエッチングすることによって、前記ドレイン電極の少なくとも一部と前記基板の少なくとも一部を露出させる段階と、導電体膜を蒸着する段階と、並びに前記第１感光膜を除去し、前記ドレイン電極の露出した部分上に画素電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウェハから形成されるＩＣチップは利用形態の増大、需要の増大が予想され、さらなる低コスト化が要求される。
そこで本発明は、さらなる低コストでの生産が可能なＩＣチップの構造、プロセスの提供を課題とする。
【解決手段】 本発明において、剥離層に金属膜と、該金属膜を有する反応物を用いることを特徴とする。金属膜、又は金属を有する反応物はエッチング速度が高く好ましく、さらに、金属膜、又は金属を有する反応物をエッチングする化学的手段に加え、物理的手段を用いることができ、より簡便に、短時間で剥離層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル方向の結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 非単結晶半導体膜（５）に所定の光強度分布の光束を照射して結晶化する結晶化装置。所定の周期で配置されて互いにほぼ同じパターンを有する複数の単位領域からなる位相変調素子（１）と、この位相変調素子と非単結晶半導体膜との間に配置された結像光学系（３）とを備えている。位相変調素子の単位領域は、一定の位相を有する基準面と、単位領域の中心近傍に配置されて基準面に対して第１位相差を有する第１位相領域と、その近傍に配置されて基準面に対して第１位相差とほぼ同じ位相差を有する第２位相領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブトランジスタの製造方法に関し、カーボンナノチューブトランジスタの製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 ソース部５、ドレイン部６、及び、ソース部５とドレイン部６との間の領域以外の領域上に堆積したカーボンナノチューブ９を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその装置の配置及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数のワードライン選択信号と複数のカラム選択信号に応答してアクセスされる複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイ、ロウアドレスをデコーディングして複数のワードライン選択信号を発生するロウデコーダ、及びカラムアドレスをデコーディングして複数のカラム選択信号を発生するカラムデコーダを備える。ロウ及びカラムデコーダは、複数のインバータ及び複数のＮＡＮＤゲートを備える。複数のインバータそれぞれは、少なくとも一つの第１プルアップトランジスタ及び第１プルダウントランジスタを備る。複数のＮＡＮＤゲートそれぞれは、少なくとも２個の第２プルアップトランジスタ及び少なくとも２個の第２プルダウントランジスタを備える。第１及び第２プルアップトランジスタ及び第１及び第２プルダウントランジスタは、少なくとも２層に積層して配置され。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮させた半導体装置の提供。
【解決手段】多結晶質半導体層におけるリッジに重金属等の不純物元素が偏析することが分かった。このリッジを積極的に利用し、ゲッタリングサイト１２２０,１２２１を形成することにより近接ゲッタリングを行う。さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】水蒸気アニールによる半導体薄膜の処理を行う場合であっても導電型によらずにしきい値電圧を確保できる薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板３１上にＴＦＴ４０、４３を形成し、これらを覆う状態で少なくとも最下層を構成する膜中に水酸基が含有されない層間絶縁膜４０を形成する。その後、水分雰囲気中において熱処理を行うことによりＴＦＴ４０、４３を構成する半導体薄膜３４のダングリングボンドに酸素または水素を結合させると共に、層間絶縁膜４０の緻密化を図る。層間絶縁膜４０は、例えば窒化シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート容量が小さく、短チャネル効果が抑制された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作製する。またゲート配線の配線抵抗を減少させ、回路面積の減少とＴＦＴの高速駆動を可能にする。
【解決手段】 ゲート電極を二層にし、下層の幅を上層よりも小さくすることにより、ゲート電極と半導体膜からなる活性層の重なる面積が小さくなる。これによりゲート容量を減少させ、短チャネル効果を抑制することができるので、ＴＦＴを高速駆動させることが可能である。また、ゲート電極と配線を一体形成せず別々に形成することによって、ＴＦＴによって構成される回路面積も縮小でき、高速化に寄与できる。 （もっと読む）

【課題】 塗布対象物との密着性が、従来よりも改善された導電性インキ組成物を提供する。また、金属の粒成長を抑制し、表面平滑性に優れた膜を形成することができる導電性インキ組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも貴金属を含む合金からなる金属微粒子の表面を、少なくとも二種の有機化合物からなる保護コロイドで被覆されてなる固形物を有機溶媒に分散させて導電性インキ組成物とする。上記保護コロイドには、例えば、（Ａ）アミン類と、（Ｂ）カルボン酸とを含む原料から得られる保護コロイドを使用する。上記導電性インキ組成物を塗布、焼成することで、粒成長が抑制され、表面平滑性に優れ、塗布対象物との密着性が従来よりも改善された金属膜を得ることができる。 （もっと読む）

アセンブリは、互いに重ねて形成された窒化物エッチストップ層を有する多層窒化物スタックを備え、これら窒化物エッチストップ層の各々は、膜形成プロセスを使用して形成される。多層窒化物スタックを形成する方法は、単一ウエハ堆積チャンバに基板を配置し、堆積の直前に基板に熱的ショックを与えることを含む。第１の窒化物エッチストップ層が基板上に堆積される。第２の窒化物エッチストップ層が第１の窒化物エッチストップ層上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】 パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】 基板１の上に有機半導体層２を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層３を、ＣＶＤ法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層４を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層５を形成する。マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。パターニング終了後もマスク層５は保護層として残す。 （もっと読む）

【課題】駆動能力の向上と、光リークの防止とを両立することが容易であり、画像品質を向上する。
【解決手段】表示部１２の画素をスイッチング制御する画素トランジスタ１６のチャネル領域を、多結晶の半導体により形成し、単結晶の半導体の場合よりも光感度を低くして、光リークを抑制する。そして、表示部１２を駆動する駆動部１３の駆動トランジスタ１８のチャネル領域を単結晶の半導体により形成し、多結晶の半導体の場合よりキャリア移動度を高くして、駆動能力を向上する。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有し，常温で製造可能であり，活性層とソースおよびドレイン電極間のコンタクト抵抗が改善され，多数の異種ＴＦＴの同時形成工程を簡単にする薄膜トランジスタおよびこれを備えたフラットパネルディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一つのナノ粒子１２を有する少なくとも２層のナノ粒子層１１ａ，１１ｂを含む活性層１１と，活性層１１から絶縁されるゲート電極１４と，活性層１１のいずれか１層のナノ粒子層１１ａまたは１１ｂとコンタクトされるソースおよびドレイン電極１６と，を含み，ナノ粒子層１１ａ，１１ｂ間には絶縁層１１ｃが介在される。 （もっと読む）

【課題】 照射方向の往路と復路とで照射ビームのエネルギー強度を可変することにより、均一な結晶膜を作製することのできるレーザ照射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ発振器と、ビーム強度可変手段と、レーザ光を照射面に対して斜めに入射するように設定されたレーザ照射装置において、前記レーザ光を前記照射面に対し相対的に走査するとともに、走査する方向によりビーム強度を可変することであり、更に、レーザは、連続発振の固体レーザ、気体レーザ、金属レーザ、または発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザであることを特徴とする。 （もっと読む）