【課題】 ＬＣＤや有機ＥＬ表示装置は表示部全体の輝度が均一であることが望ましいが、特に有機ＥＬ表示装置は、画素毎の輝度ムラが大きく問題である。また有機ＥＬ素子は輝度半減期があり、長寿命化も課題であった。
【解決手段】 画素毎にフォトセンサを配置し、有機ＥＬ素子の発光量に応じて画素毎に輝度を調整する。輝度の調整は発光量の小さい画素に合わせて輝度の大きい画素の電流量を小さくすることにより実現する。これにより低消費電力化を図り輝度ムラを補正できる。また受光回路で構成されるフォトセンサを画素毎に配置することにより、輝度ムラの補正を行い、更に、輝度半減期における輝度補正が可能となり、長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜に５族元素（１５族元素）を有する半導体膜または希ガス元素
を有する半導体膜を形成し加熱して、触媒元素を結晶性半導体膜から除去した後、逆スタガ型ＴＦＴを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 安定製造が可能であり、また安価に低電圧動作、低消費電力、高速動作が可能である極薄膜ＳＯＩ基板を用いたＭＯＳ型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 極薄膜ＳＯＩ基板を用いたＭＯＳ型半導体装置において、ソースおよびドレイン上に薄い絶縁膜中に設けたコンタクトを介して多結晶シリコンを形成し、次に比較的厚い絶縁膜を設けコンタクトを形成し、金属配線とソースおよびドレインの電気的接合は多結晶シリコンを介して行うようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性の高く、且つしきい値電圧の変化量を高めることが可能な半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。また、信頼性の高い半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を、大面積基板を用いて製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングを行い、固溶体の主成分である金属元素の導電層と、シリコン粒子とからなる導電膜を成膜した後、金属元素の導電層を除去してシリコン粒子を露出する。また、当該シリコン粒子をフローティングゲート電極とする半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】 その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】大型基板と層間絶縁膜との間に発生する応力を緩和し、大型基板の反りを防止する。
【解決手段】大型基板１００上に導電層１５，１５ｂと層間絶縁膜１３，１４，１９，２５とが交互に積層して複数の素子基板を形成する工程において、大型基板１００に成膜した各層間絶縁膜１３，１４，１９，２５の互いに隣接する素子基板領域１０の境界位置に、大型基板１００の一端から他端へ貫通する分断溝１８０を複数本平行に形成する。各層間絶縁膜１３，１４，１９，２５に分断溝１８０を形成したので、大型基板１００と層間絶縁膜１３，１４，１９，２５との間の応力が緩和され、大型基板１００の反りが解消される。 （もっと読む）

【課題】大型化せずともチャネル抵抗を低くし、より効率よく電流が流れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＥＬディスプレイパネルにおいては、画素の有機ＥＬ素子２０の周囲には薄膜トランジスタ２３が設けられている。薄膜トランジスタ２３は、ゲート２３ｇと、ゲート２３ｇ上に形成されたゲート絶縁膜３１と、ゲート絶縁膜３１上に形成された半導体膜２３ｃと、半導体膜２３ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２３ｐと、チャネル保護膜２３ｐに一部重なるように半導体膜２３ｃの両端部上に形成された不純物半導体膜２３ａ，２３ｂと、不純物半導体膜２３ａ上に形成されたドレイン２３ｄと、不純物半導体膜２３ｂ上に形成されたソース２３ｓと、から構成されている。第三トランジスタ２３は、ドレイン重なり長さＤがソース重なり長さＳよりも大きくなるよう設けられている。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難である。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路は３つのＴＦＴおよび１つの容量、または２つのＴＦＴと１つの容量、１つの抵抗で構成されるので部品点数が削減できる。また動作もＨレベルのパルスの入力のみでよく、簡易な光量検出回路を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラスチック若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成した半導体装置であって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う半導体装置、及びその通信システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、ストレス・ピール・オフ法等の剥離方法を用い、熱的に脆弱なプラスチック基板へ、高機能集積回路を固定した半導体装置、具体的にはプロセッサであって、無線通信、例えばアンテナ又は受光素子により電力又は信号の送受信を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはチャネルを形成する領域に、結晶粒界がない薄膜を、安価な基板上に、簡単な方法で作製する。
【解決手段】 大出力のエネルギービーム６を、互いに略垂直な方向に細線部を有する薄膜４に対して、細線部５の長手方向から略４５度傾いた方向７に移動させながら照射することにより、基板上での高精度な位置合わせを必要とせずに、任意の場所に任意の大きさで結晶性薄膜を形成する。この細線部にダイオードのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはトランジスタのチャネルを形成することにより、単結晶を用いた場合の特性に近く、かつ、特性が揃った結晶性薄膜半導体装置を作製することができる。また、この結晶性薄膜半導体装置を用いることにより、開口率が高い液晶ディスプレイ装置や、周辺回路が内蔵された高性能なディスプレイ装置等を作製することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 装置を煩雑にせず、半導体膜の結晶ラテラル成長位置を制御することを課題とする。
【解決手段】 絶縁基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部の上に絶縁膜でなる反射膜を形成し、前記反射膜をマスクとしてレーザー光を照射することにより、露出された前記半導体膜を結晶化することを特徴とする。また、上記発明の構成において、前記反射膜は、屈折率の高い絶縁膜と屈折率の低い絶縁膜とが交互に積層された構造であることを特徴とする。具体的には、酸化珪素膜と、前記酸化珪素膜上に接して形成された窒化珪素膜と、からなることを特徴とする。より好ましくは、酸化珪素膜と、窒化珪素膜と、を何層か積層して反射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 スタックコンタクトにおける接触抵抗を抑制させる。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に設けられた配線と、該配線と薄膜トランジスタの少なくとも半導体層とを層間絶縁する層間絶縁層と、該層間絶縁層に掘られており且つ基板面上で平面的に見て長手状に延びる第１の穴、及び、夫々、第１の穴の底部から層間絶縁層を貫通して半導体層の表面に至り且つ第１の穴の長手方向に沿って配列された複数の第２の穴を含んでおり、配線と半導体層とを層間絶縁層を介して接続するコンタクトホールとを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を簡略化することができ、低抵抗のソース、ドレインを具備した高性能かつ高信頼性の薄膜トランジスタを有する半導体装置、その製造方法、薄膜トランジスタアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 導電型が異なる薄膜トランジスタを含んで構成される半導体装置であって、上記薄膜トランジスタは、基板上に半導体層を形成し、この半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、ゲート電極をマスクにして半導体層に低濃度の不純物を注入して導電型が異なる低濃度不純物領域をそれぞれ形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールスペーサーを形成した後に、ソース、ドレイン領域のみに高濃度不純物層としてＳｉＧｅを選択的に形成し、一方の導電型の低濃度不純物領域上のＳｉＧｅにのみ高濃度不純物層中の不純物とは異なる他の不純物をドーピングし、低濃度不純物領域上に同じ導電型の高濃度不純物領域を形成したものである半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
簡便な方法で素子寿命の長い有機薄膜素子を提供し得る有機薄膜素子の製造方法、それを利用した電気光学装置の製造方法及び電子機器の製造方法の提供。
【解決手段】
少なくとも一の透明電極を備えた一対の薄膜電極間に有機薄膜を含んで構成される有機薄膜素子の製造方法であって、基材上に透明電極形成材料を含む原料液を噴霧することにより透明電極を形成する工程と、前記透明電極上に有機薄膜を形成する工程と、を含む有機薄膜素子の製造方法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 レンズアレイを用いて結晶化等を行う際に照射体において反射した戻り光による悪影響を回避した、レーザ発振器の安定性を高く保ち、かつ均一なレーザ処理をすることができるレーザ照射技術、並びにそれを用いる結晶化方法及び半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されたレーザ光をシリンドリカルレンズアレイ等のレンズアレイを通過させて複数に分割し、分割後のレーザ光を焦点を結ぶ位置でスリットの開口を通過させ、その後更に集光レンズを通過させて照射面上に照射する。
このようにして、スリットを用いることにより照射体で反射した戻り光をカットし、レーザの出力又は周波数の変動や、ロッドの破壊を防ぐものであり、その結果レーザ光の出力を安定化させ、これによって、安定して強度分布の均一なレーザ光を照射面において照射することができ、均一なアニールを行う。 （もっと読む）