【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】薄膜トランジスタ回路は各々所定サイズを越える結晶粒ＳＸを収容する複数の結晶粒規定領域１０に２次元的に区画される結晶化半導体薄膜５と、各々のチャネル領域ＣＨが対応結晶粒規定領域１０内の中央に配置される複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを相互接続する配線部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高電圧駆動のＭＩＳトランジスタを有する半導体装置であって、耐圧の向上と、微細化の向上が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体層１０と、
前記半導体層１０の上方に設けられたゲート絶縁層２０と、
前記ゲート絶縁層２０の上方に設けられたゲート電極２２と、
前記半導体層１０に設けられたソース領域またはドレイン領域となる不純物領域２８ａ，ｂと、
前記ゲート電極２２と電気的に接続されたフィールドプレート電極４４と、
前記フィールドプレート電極４４を覆う絶縁層と、を含み、
前記絶縁層は、比誘電率が異なる領域を有し、比誘電率が高い領域は、前記導電層の一の端部に接している。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された透明導電膜、および、これら薄膜トランジスタと透明導電膜を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記透明導電膜の界面には該アルミニウム合金の酸化皮膜が形成されており、該酸化皮膜の膜厚が１〜１０ｎｍで、該酸化皮膜中の酸素含有量が４４原子％以下である表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞれ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。 （もっと読む）

まず、基板上にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成し、ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する。次に、ゲート絶縁膜の上部に半導体パターン及びエッチング補助用パターンを形成した後、半導体パターン及びエッチング補助用パターンの上部に、ソース/ドレーン用導電体パターンとエッチング補助層を各々形成する。次に、エッチング補助層を除去しながら、ソース/ドレーン用導電体パターンからソース電極とドレーン電極を分離して、ソース及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線を形成し、ドレーン電極に連結される画素電極を形成する。
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【課題】 配線膜厚が２００〜１０００ｎｍ程度のサブμｍオーダの薄膜でも２．５μΩｃｍ以下の比抵抗を得ること配線層の形成方法および配線層を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板１上に下地絶縁膜２の窒化シリコン膜を形成し、この上に下地金属層３を形成し、この上に金属シード層４を形成し、この金属シード層４上に金属配線層７を形成した配線層であって、上記金属シード層４は主として結晶面が（１１１）に配向し、平均結晶粒径が０．２５μｍ以上であり、上記金属配線層は膜厚が２００乃至１０００ｎｍであり、無電解めっき法で形成された層である。 （もっと読む）

【課題】 電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、導電層のうち、少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備えるが、幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体。また、基板の一面上に形成される薄膜トランジスタ層と、薄膜トランジスタ層と電気的疎通をなす一つ以上の画素を備える画素層と、を含み、薄膜トランジスタは、層を別にして交互される二層以上の導電層を含み、導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備えるが、幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする平板ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流を増加させることなく半導体増幅装置の効率を向上させる。
【解決手段】 ＳＯＩ基板２０のドライバ段ＬＤＭＯＳＦＥＴ形成領域２０Ａおよび出力段ＬＤＭＯＳＦＥＴ形成領域２０ＢのそれぞれにＬＤＭＯＳＦＥＴが形成されている。ＬＤＭＯＳＦＥＴのソースは、ｐ^-型半導体層２３および絶縁層２２を貫通するｎ型打抜き層２５を介して基板２１および裏面電極７２に電気的に接続されている。ｎ型打抜き層２５とｐ^-型半導体層２３およびｐ型ウエル２８とは、ＰＮ接合が形成されることによって電気的に分離されている。ｐ型ウエル２８に形成されたｐ⁺型半導体領域４１は、プラグ５３ｃを介してベース電極５４ｃが電気的に接続されている。ＬＤＭＯＳＦＥＴのベース電位とソース電位とは独立に制御され、ＬＤＭＯＳＦＥＴのオン時にはベース電位をソース電位よりも高くし、オフ時にはベース電位をソース電位と等しくする。 （もっと読む）

【課題】 電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 層を異ならせて互いに交差する二層以上の導電層を備える電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置において、導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を異ならせる幅変動部を備え、幅変動部を備える導電層２４０と隣接する導電層のうち、少なくとも何れか一つには、これら導電層同士が交差しないその一つの導電層の非交差部に静電気を誘発させる電荷を集中させるためのダミー部２４１が備えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置及びその平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンネル領域、ソース、及びドレイン領域を有する活性層と、前記チャンネル領域に信号を印加するゲート電極と、前記ソース及びドレイン領域にそれぞれ接続し、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金のうち少なくとも一つを含むソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と前記活性層との間に介在され、シリコンナイトライドを含む絶縁膜と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。これにより、ソース／ドレイン電極の配線抵抗を低め、活性層からの汚染を防止し、画素電極との接触抵抗特性が改善され、活性層への水素供給を円滑にして移動度、オンカレント特性、スレショルド電圧特性などに優れたＴＦＴ及びそれを備えた平板表示装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 高機能・多機能システムインディスプレイを安価に得る。
【解決手段】 ゲート酸化膜／チャネルを構成する多結晶シリコン界面の欠陥をフッ素により終端することにより、低温ポリシリコン薄膜トランジスタの高性能化・高信頼化を図ると共に、その効果を最大限に得るため、薄膜トランジスタのチャネル部分に、粒界のポテンシャルバリアによる散乱が支配的ではない材料、すなわちチャネルを分断する粒界が少ない略帯状結晶薄膜ＳＰＳＩを用いる。これにより、急峻な伝達特性と優れたホットキャリア耐性の双方を有し高性能と高信頼性を両立した薄膜トランジスタを実現し、低電力で高速に動作する様々な回路を画素部と同一のガラス基板上に形成することが出来、高機能・多機能システムインディスプレイを安価に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 チャネルに応力が印加されるMOSトランジスタの特性のばらつきを防ぐことができる半導体装置とその製造方法を提供すること、及び、MOSトランジスタのチャネルにおけるキャリア分布を直接測定することができる半導体装置の評価方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン（半導体）基板１０と、シリコン基板１０の上に順に形成されたゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４ｃと、ゲート電極１４ｃの横のシリコン基板１０のリセス（穴）１０ａ、１０ｂに形成されたソース/ドレイン材料層１８ａ、１８ｂと、を有し、リセス１０ａ、１０ｂのゲート電極１４ｃ寄りの側面１０ｃ、１０ｄが、シリコン基板１０の少なくとも一つの結晶面で構成されることを特徴とする半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加（混入）して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第１の絶縁層と、無機材料を含む第２の絶縁層とを積層して形成する。 （もっと読む）

【課題】 環境温度が変化したり、経時変化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、環境温度の変化の補償機能と経時変化の補償機能を備えた表示装置である。本発明の表示装置は、発光素子と、発光素子に接続する駆動用トランジスタと、モニタ用発光素子とを備えている。このモニタ用発光素子を利用して、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、薄膜トランジスタの電気的な特性を検査するためのテスト用パッドを有する薄膜トランジスタアレイ基板とこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明による表示装置は、基板と、前記基板上に形成されて複数のデータ線と複数の走査線によって定義される複数の画素を含む画像表示部と、前記画像表示部のテストを行うためのダミーパッド部と、前記ダミーパッド部を覆う第１絶縁膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタの静電容量を増加させて、有機エレクトロルミネセンス素子の開口率を増加させることのできる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ゲート電極及びキャパシタの誘電体膜に用いられるゲート絶縁膜の厚さを互いに異ならせて形成することで、静電容量の大きさを減少することなくキャパシタの表面積を減少させて、有機エレクトロルミネセンス素子の開口率を増加させることのできる技術である。 （もっと読む）

【課題】 長期的には光照射による有機半導体層の劣化を防止し、短期的には照射される光の変化などが有機半導体素子の動作の不安定な要因や一種のノイズとして振舞うことを防止することが可能な有機半導体素子技術を提供すること。
【解決手段】 カーボンブラックを１２重量％混入したポリカーボネート基板２０１上に、絶縁膜２１２ｂを設けた後、カソード電極２０２を作製し、この上に、有機半導体材料２０４を蒸着などで作製している。その上に、アノード電極２０３を作製する。基板材料にポリカーボネートを電気的絶縁層を兼ねて利用し、遮光層として裏面側にポリカーボネートの原料（２１１ａ）にフィラーとしてカーボンブラックを約１２重量％混合したものを塗布することで作製した。有機半導体材料および電極と前記遮光性ポリカーボネートの間に絶縁性の膜２１２ｂを設けてもよいが、基板材のポリカーボネート材の絶縁性を利用してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 しかし、薄膜トランジスタを有する表示装置では、同一対象物、例えば同一絶縁膜のエッチング条件を最適化することが難しかった。これは、同一絶縁膜において、エッチングする絶縁膜の膜厚や面積が異なるためである。特に面積の小さなコンタクトホールは、エッチングする量がその他の開口部と異なる。
【解決手段】 上記課題を鑑み本発明は、第１のマスクを用いて、第１の領域の対象物をエッチングして広面積な開口部を形成し、第２のマスクを用いて、第２の領域の前記対象物をエッチングして微細な開口部、つまりコンタクトホールを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路において、今後のさらなるゲート電極の微細化を進める技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、レジストマスクをエッチングにより後退させて導電膜のエッチングを行い、ゲート配線の断面形状は上層配線とコンタクト可能な幅を有する台形とし、且つ、ゲート配線から分岐するゲート電極の断面形状を意図的に３つの内角をもつ形状、代表的には三角形状として１μｍ以下のゲート幅を実現する。本発明により、オン電流の増大が実現し、高速動作する回路（代表的にはＣＭＯＳ回路やＮＭＯＳ回路）を得ることができる。 （もっと読む）