ＬＣＤのＴＦＴ基板及びその製造方法
【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板及びその製造方法が開示されている。
【解決手段】 シリコン元素を含む基板、前記基板上に形成された拡散防止膜、及び前記拡散防止膜上に形成され、前記拡散防止膜形成物質が０．５〜１５ａｔ％範囲で含まれた銅合金層を含んで形成される。前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等のような化合物を５０〜５０００Å範囲で蒸着して熱処理して、シリサイド化合物に変換して製造する。銅合金配線を用いてトランジスタ基板を製造するので、低い抵抗と高い伝導度を具現することができる。又、薄い厚さの拡散防止膜と同じ元素を添加した銅合金と用いて銅配線を形成したので、同時エッチングが可能であり、後続工程で基板との相互拡散を防止することができる。
【解決手段】 シリコン元素を含む基板、前記基板上に形成された拡散防止膜、及び前記拡散防止膜上に形成され、前記拡散防止膜形成物質が０．５〜１５ａｔ％範囲で含まれた銅合金層を含んで形成される。前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等のような化合物を５０〜５０００Å範囲で蒸着して熱処理して、シリサイド化合物に変換して製造する。銅合金配線を用いてトランジスタ基板を製造するので、低い抵抗と高い伝導度を具現することができる。又、薄い厚さの拡散防止膜と同じ元素を添加した銅合金と用いて銅配線を形成したので、同時エッチングが可能であり、後続工程で基板との相互拡散を防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤの薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）基板及びその製造方法に関し、より詳細には、低い比抵抗を有する銅配線を適用したＬＣＤのＴＦＴ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置は電気的な信号を視覚画像に変換させて、人が直接に情報を認識できるようにするのに用いられる電気光学的な装置である。このような表示装置のうち、液晶表示装置（以下、ＬＣＤという）は、液晶の光学的性質を用いて、液晶分子の配列を変化させる。
大型表示基板のＴＦＴでは、信号の遅延やイメージのちらつき（ｆｌｉｃｋｅｒｉｎｇ）を防止するために、ゲート抵抗を小さくする必要がある。銅やアルミニウムなどの金属は、小さい抵抗と大きい伝導度を有する。しかし、このような金属は、ＬＣＤ装置の製造に適していない。金属のうち、銅は最も低い比抵抗を有するが、銅はシリコン基板への接着力は低い。また、銅は酸化し易い。銅がシリコン基板に拡散されるのを防止する必要があり、また、銅配線をＴＦＴ工程に適用するために十分な接着力を確保しなければならない。
【０００３】
シリコン基板への銅拡散は素子の抵抗性接触特性（Ohmic contact characteristics）を低下させ、接着力の不良は薄膜のリフトオフやその薄膜の剥離現象を発生させる。このリフトオフや剥離現象は、製造工程で問題を発生させる虞がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明は、前記した従来技術の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、比抵抗が小さい銅配線を有し、シリコン基板への銅拡散を防止し、それにより素子特性を向上するＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を提供することにある。
本発明は、また、前記銅配線を有するＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の容易な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施態様によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板は、基盤、拡散防止膜、銅合金層からなる。前記基盤はシリコン元素を含む。前記拡散防止膜は基板上に形成される。前記銅合金層は前記拡散防止膜上に形成される。以下、原子濃度は“ａｔ％”で表す。銅合金層は拡散防止膜を形成するために使用される約０．５〜１５ａｔ％の物質を含む。
好ましくは、前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔ等の金属を含む一つのシリサイド化合物で形成され、前記拡散防止膜の厚さは約５０〜５，０００Åである。
【０００６】
又、前記銅合金層は、ゲート線、ソース電極、ドレイン電極、又はデータ線に対応する金属層を含むことができ、前記基板としては、シリコン基板、ガラス基板、又はプラスティック基板であってもよい。
本発明の一側面による表示装置用ＴＦＴ基盤の製造方法を以下に示す。拡散防止膜をシリコン基板上に形成する。銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着してゲート配線層を形成する。前記ゲート配線パターンはゲート線、ゲートパッド及びゲート電極を備える。その後ゲート絶縁膜を積層する。その後半導体層パターン及び抵抗性接触層パターンを形成する。その後データ配線物質を塗布及びパターンニングしてデータ配線を形成する。前記データ配線はデータ線、データパッド、ソース電極及びドレイン電極を備える。データ線は前記ゲート線と交差する。前記データパッドは前記データ線の一端部と連結する。前記ソース電極は前記データ線の一端部と連結し、前期ソース電極は前記ゲート電極に隣接する。前記ドレイン電極は前記ゲート電極を間に介在し、前記ソース電極の反対側に位置する。その後保護膜（Protecting layer）を含む保護層（Passivation layer）を形成する。前記保護膜は有機膜を含んでも良い。その後前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜をパターンニングし、接触孔を形成する。前記ゲートパッド、前記データパッド及び前記ドレイン電極を接触孔を通じてそれぞれ露出する。その後透明導電膜を積層する。その後前記透明導電膜をエッチングし補助ゲートパッド、補助データパッド及び画素電極を形成する。前記補助ゲートパッドを前記ゲートパッドに連結し、前記補助データパッドを前記データパッドに連結し、また前記画素電極を前記ドレイン電極に連結する。
特に、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属を含む化合物を蒸着し、約５０〜５，０００Åの厚さを有する拡散防止膜を形成する。前記蒸着化合物は、熱処理工程によってシリサイド化合物に変換される。
【０００７】
このような熱処理工程は、後続するゲート絶縁膜を積層する蒸着処理工程であってもよく、前記熱処理工程は、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下、約２００〜５００℃で行われてもよい。
本発明の他の側面による表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法を以下に示す。拡散防止膜を基板上に形成する。銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着してゲート配線層を形成する。その後ゲート配線層をエッチングしてゲートパターンを積層する。前記ゲートパターンはゲート線、ゲートパッド及びゲート電極を含む。その後ゲート絶縁膜を積層する。その後半導体層、抵抗性接触層及び導電体層を積層する。その後感光膜パターンを形成する。前記感光膜パターンは第１部分、第２部分及び第３部分を有する。前記第２部分は前記第１部分より厚い。前記第３部分は前記第１部分より薄い。その後感光膜パターンにより、データ線、データパッド、データ配線、抵抗性接触層及び半導体層パターンを形成する。前記データパッドを前記データ線の一端部と連結する。前記データ配線はソース電極及びドレイン電極を有する。その後保護膜（Protecting layer）を含む保護層（Passivation layer）を形成する。前記保護膜は有機膜を含んでも良い。前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜をパターンニングし、前記ゲートパッド、前記データパッド及び前記ドレイン電極を露出する接触孔を形成する。その後透明導電膜を積層する。その後前記透明導電膜をエッチングし、補助ゲートパッド、補助データパッド及び画素電極を形成する。前記補助ゲートパッドを前記ゲートパッドに連結する。前記補助データパッドを前記データパッドに連結する。前記画素電極を前記ドレイン電極に連結する。
本発明の他の側面による表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法を以下に示す。絶縁基板上に拡散防止膜を形成する。銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着してゲート配線層を形成する。その後前記基板上に、赤色フィルター、緑色フィルター及び青色フィルターを形成する。その後バッファー物質を蒸着して、前記データ配線と前記色フィルターを覆うバッファー層を形成する。その後前記バッファー層上にゲート配線層を形成する。その後前記ゲート配線層をエッチングしゲート配線を形成する。前記ゲート配線はゲート線及びゲート電極を含む。その後前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する。その後前記ゲート絶縁膜上に島形状の抵抗性接触層、半導体層パターン及び第１接触孔を形成する。前記データ線の一部を第１接触孔を通じて前記ゲート絶縁膜と前記バッファー層に露出させる。その後前記透明導電物質をエッチングしてソース電極、ドレイン電極及び画素配線を形成する。前記ドレイン電極は前記ソース電極と分離している。その後前記と同じ層の上に前記ソース電極と前記ドレイン電極を形成する。画素電極を含む前記画素配線を前記ドレイン電極に連結する。島形状の前記抵抗性接触層パターンを透明導電物質で覆う。その後前記抵抗性接触層パターンの露出部分を除去して、前記抵抗性接触層パターンを両方に分離する。前記抵抗接触性層パターンを前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明をより詳細に説明する。
ＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造に銅配線を適用するためには、銅配線とシリコン基板の間の接着力が不可欠である。又、後続する高温熱処理によりシリコン基板と銅との間で生じる反応を防ぐ。前記熱処理はＳｉＮｘ蒸着やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）アニーリング工程中に行うことができる。
【０００９】
本発明により、シリコン基板上に拡散防止膜を形成する。拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属により形成される。シリサイドは金属とシリコン基板間での反応により容易に形成される。純粋な銅金属の代わりに、前記金属の一部を含む合金を適用する。この合金により、界面でシリコン基板への銅元素の拡散を防止する。合金は拡散防止膜を形成するために適用される物質約０．５〜１５ａｔ％を含む。合金に添加する元素の含量が約０．５ａｔ％未満であれば、銅合金は基板に拡散される虞がある。合金に添加する元素の含量が増加すると、銅配線の比抵抗もまた増加し、それにより配線の抵抗性を増加させる。好ましくは、合金へ添加される元素の量は約１５ａｔ％を超過しない。
【００１０】
拡散防止膜の厚さの増加に応じて、拡散防止膜特性は改良される。しかし、銅合金配線と共に拡散防止膜をエッチングするためには、薄い拡散防止膜が好ましい。好ましくは、拡散防止膜の厚さが約５０〜１，０００Åである。
銅金属配線の形成後、ＳｉＮｘ蒸着工程のような高温工程を行う。前記拡散防止膜によって銅元素の基板への拡散が防止される。前記拡散防止膜は前記高温工程を通じてシリサイドに変換される。銅内部に添加される元素が界面または表面に拡散すると、拡散防止膜に元素が供給され、拡散防止膜の特性を向上し、追加的なシリサイドを生成する。又、表面へ拡散された合金元素は、後続工程で銅金属膜の耐化学性の向上にも寄与することができる。
【００１１】
シリサイドを形成するために、拡散防止膜成分を蒸着した後、別の熱処理工程を適用することも可能である。好ましくは、別の熱処理工程が、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下で、熱処理温度は約２００〜５００℃で行われる。このような熱処理工程は、工程単純化と費用及び時間減少のために省略することができる。また、後続する熱処理工程によって同じ熱処理効果を得ることができる。しかし、別の熱処理工程を行うと、より安定的な熱処理工程が可能であり、合金が熱処理された後、より安定した条件下で後続工程を進行できる。
【００１２】
そこで、ＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板は銅合金配線を用いて、低い比抵抗と高い伝導度を有するように生産される。
また、銅配線は薄い拡散防止膜とその拡散防止膜の物質を含む銅合金を用いて形成されるため、同時にエッチングをすることができる。後続する工程における銅配線と基板の間での相互拡散はまた、薄い拡散防止膜によって防止できる。
【００１３】
図１Ａ乃至図１Ｃは、本発明の方法の実施例によるＬＣＤのＴＦＴ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
図１Ａに示すように、シリコン基板１０上に拡散防止膜１１を形成し、拡散防止膜１１の上に銅合金配線１２を形成する。図１Ｂに示すように、前記配線はマスクを用いてエッチングされ、基板１０上に拡散防止膜パターン１１Ａ及び配線パターン１２Ｂを形成する。図１Ｃに示すように、配線パターン１２Ａ内にある拡散防止膜成分は別の熱処理工程や後続する熱処理工程によって表面へ拡散され、拡散防止膜パターン１１Ａはシリサイド化合物層１１Ｂに変換される。
【００１４】
以下、本発明の実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を添付の図面を参照して説明する。
図２は本発明の第１実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を示す配置図であり、図３は図２に示されたＴＦＴ基板の線ＩＩ−ＩＩ′に沿って切断した断面図である。
絶縁基板１０上に、ゲート配線を形成する。ゲート配線は二重層で、拡散防止膜２２１、２４１、２６１とゲート配線層２２２、２４２、２６２を含む。拡散防止膜２２１、２４１、２６１は金属のシリサイドを含み、ゲート配線２２２、２４２、２６２は拡散防止膜の成分を有する銅合金を含む。ゲート配線はＴＦＴのゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６を含む。ゲートパッド２４は、伸張されているゲート線２２の一端に連結し、外部からＴＦＴ基板について水平方向のゲート線２２へゲート信号を伝達し、また、ゲート電極２６はゲート線２２に連結する。
【００１５】
基板１０上に形成されたゲート絶縁膜３０は、ゲート配線２２、２４、２６を覆って形成されている。そのゲート絶縁膜３０は窒化珪素を含む。
ゲート電極２４のゲート絶縁膜３０の上には、半導体層４０が形成される。半導体層４０は非晶質珪素等の半導体物質を有する。半導体層４０上には、抵抗性接触層５４、５６が形成される。抵抗性接触層５４、５６は、シリサイド又はｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ+水素化非晶質珪素を有する。
【００１６】
抵抗性接触層５４、５６及びゲート絶縁膜３０上には、データ配線層６２、６５、６６及び６８が形成されている。データ配線６２、６５、６６、６８はモリブデン膜又はモリブデン−タングステン合金膜を有する。データ配線６２、６５、６６、６８は基板１０について縦方向に伸張されている。データ配線６２、６５、６６、６８はデータ線６２、ソース電極６５、データパッド６８及びドレイン電極６６を含む。データ線６２はゲート線２２と交差し、データ線６２は画素を定義する。ソース電極６５はデータ線６２から分離し、ソース電極６５は抵抗性接触層５４の上部まで延長される。データパッド６８はデータ線６２の一端部に連結され、データパッド６８は外部からの画素信号を受ける。ドレイン電極６６はソース電極６５から分離し、ドレイン電極６６は抵抗性接触層５６上に配置される。ドレイン電極はゲート電極２６を間に介在し、ソース電極６５の反対側に位置する。保護膜７０を含む保護膜はデータ配線６２、６５、６６、６８上に形成される。前記保護膜は有機膜を含んでいてもよい。
【００１７】
ドレイン電極６６及びデータパッド６８をそれぞれ露出させる接触孔７６、７８がそれぞれ形成される。ゲートパッド２４とゲート絶縁膜３０を露出させる別の接触孔７４が形成される。ドレイン電極６６及びデータパッド６８を露出させる前記接触孔７６、７８は多角形を有するか、円形の形状に形成される。各接触孔の面積は約２ｍｍ×６０μｍを超過しない。好ましくは、約０．５ｍｍ×１５μｍ以上である。
【００１８】
画素に位置する保護膜７０上には、画素電極８２が形成されている。画素電極８２は接触孔７６を通じてドレイン電極６６と電気的に連結されている。又、保護膜７０上には補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８が形成されている。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８は、接触孔７４、７８を通じてゲートパッド２４及びデータパッド６８とそれぞれ連結されている。ここで、画素電極８２と補助ゲート８６及び補助データパッド８８はＩＴＯからなる。
【００１９】
図２及び図３に示すように、維持キャパシタは画素電極８２及びゲート線２２を含む。維持キャパシタの維持容量が足りない場合には、ゲート配線２２、２４、２６と同じ層に維持容量用配線を追加することもできる。
また、画素電極８２は、データ線６２とも重なるように形成して、開口率を極大化している。このように、画素電極８２をデータ線６２と重なって形成しても、保護膜の誘電率が低いため、この間で形成される寄生容量は小さい。
【００２０】
以下に、図２乃至図８を参照して、本発明の実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法について詳細に説明する。
図４に示すように、基板１０上にＺｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｄ、Ｐｄ、Ｐｔのような金属を約５０〜１，０００Åの厚さで蒸着して拡散防止膜２２１、２４１、２６１を積層する。その後、金属元素を約０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着してゲート配線層２２２、２４２、２６２を積層する。前記金属元素は前記拡散防止膜の形成のために適用する。前記積層されたゲート配線層２２２、２４２、２６２はその後パターニングしてゲート線を形成する。前記ゲート線は横方向に伸張され、前記ゲート配線はゲート線２２、ゲート電極２６、及びゲートパッド２４を含む。
【００２１】
図５に示すように、その後、窒化珪素からなるゲート絶縁膜３０を形成する。非晶質珪素からなる半導体層４０をゲート絶縁膜３０上で積層する。ドーピングされた非晶質珪素層を半導体層４０上に積層する。半導体層４０とドーピングされた非晶質珪素層をその後、エッチングする。したがって、ゲート絶縁膜３０上に島形状の半導体層４０と抵抗性接触層５５、５６をフォトリソグラフィ工程で形成する。ゲート絶縁膜３０はゲート電極２６上に積層する。
【００２２】
図６に示すように、モリブデン又はモリブデン−タングステン合金をその後蒸着して、データ配線層６５、６６、６８を積層する。データ配線層６５、６６、６８をその後エッチングして、データ線６２、ソース電極６５、データパッド６８及びドレイン電極６６を含むデータ配線を形成する。データ線６２はゲート線２２と交差する。ソース電極６５はデータ線６２に連結し、ソース電極６５はゲート電極２６の上部に延長する。データパッド６８はデータ線６２の一端に連結する。ドレイン電極６６はソース電極６５から分離し、ドレイン電極６６は、ゲート電極２６を間に介在し、ソース電極６５の反対側に位置する。
【００２３】
その後、データ配線６２、６５、６６、６８でカバーしない非晶質珪素層パターンの一部をエッチングして、非晶質珪素層パターンを両方に分離させ、半導体層パターン４０を露出させる。非晶質珪素層パターンを不純物でドーピングする。半導体層パターン４０を分離された非晶質珪素層５５、５６の間で蒸着する。好ましくは、露出された半導体層４０の表面をその後酸素プラズマにより安定化させる。その後、図７に示すように、保護膜を形成する。
【００２４】
その後、ゲート絶縁膜３０と保護膜をパターニングして、接触孔７４、７６、７８を形成する。ゲートパッド２４、ドレイン電極６６、及びデータパッド６８は接触孔７４、７６、７８でそれぞれ露出する。ここで、接触孔７４、７６、７８は多角形を有するか、円形の形状に形成することができる。接触孔７４、７８の面積は約２ｍｍ×６０μｍを超過しない。パッド２４、６８を接触孔７４、７８で露出させる。好ましくは、接触孔７４、７８の面積は０．５ｍｍ×１５μｍ以上である。
【００２５】
図２及び図３に示すように、その後、ＩＴＯ膜を蒸着する。その後、蒸着したＩＴＯ膜をエッチングする。そこで、補助ゲートパッド８６、補助データパッド８８及び画素電極８２をフォトリソグラフィ工程で形成する。画素電極８２、補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８を第１接触孔７６、第２接触孔７４及び第３接触孔７８を通じてドレイン電極６６、ゲートパッド２４及びデータパッド６８と連結する。好ましくは、窒素を予熱工程で用いる。予熱工程はＩＴＯを蒸着する前に行うことができる。窒素は接触孔７４、７６、７８を通じて露出されている金属膜２４、６６、６８の上部に金属酸化膜が形成されることを防止する。
【００２６】
以下、図８乃至１０を参照して、本発明の実施例による４枚のマスクを用いるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の単位画素構造について詳細に説明する。
図８は、本発明の別の実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を示す配置図であり、図９及び図１０は、それぞれ図８に図示された線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’及びＩＸ−ＩＸ’に沿って切断した断面図である。
【００２７】
まず、絶縁基板１０上に、二重層で構成されたゲート配線が形成されている。二重層の構成は、拡散防止膜２２１、２４１、２６１とゲート配線層２２２、２４２、２６２を有する。拡散防止膜２２１、２４１、２６１は金属珪素からなる。ゲート配線層２２２，２４２及び２６２は銅合金からなる。ゲート配線は、ゲート線２２、ゲートパッド２４、及びゲート電極２６を含む。
【００２８】
基板１０上には、維持電極線２８が形成されている。維持電極線２８はゲート線２２に平行である。維持電極線２８も拡散防止膜２８１とゲート配線層２８２で構成されている。維持キャパシタは維持電極線２８と導電体パターン６８で構成されている。維持キャパシタは電荷を維持し、画素の電荷保存能力を向上させる。維持電極線２８は導電体パターン６８と重なって形成されている。維持電極線は、画素電極８２とゲート線２２の重畳によって発生する維持容量が充分な時には形成しない場合もある。共通電極が上部基板に形成される。
【００２９】
ゲート配線２２、２４、２６及び維持電極線２８上には、ゲート絶縁膜３０が形成される。ゲート絶縁膜３０はゲート配線２２、２４、２６、２８を覆って、形成している。ゲート絶縁膜３０は窒化珪素（ＳｉＮX）からなることができる。
ゲート絶縁膜３０上には、半導体パターン４２、４８が形成されている。半導体パターン４２、４８は水素化非晶質珪素等の半導体物質からなる。半導体パターン４２、４８上には、抵抗性接触層パターン又は中間層パターン５５、５６、５８が形成されている。抵抗性接触層パターン及び中間層パターンは非晶質珪素からなることができる。非晶質珪素はリン（Ｐ）等のｎ型不純物が高濃度でドーピングされている。
【００３０】
抵抗性接触層パターン５５、５６、５８はデータ配線層６２、６４、６５、６６、６８上で形成される。データ配線層６２、６４、６５、６６、６８はモリブデン又はモリブデン合金からなる。データ配線は維持キャパシタ用のデータ線部６２、６８、６５及び導電体パターン６４を含む。データ線部６２、６８、６５はＴＦＴのデータ線６２、データパッド６８及びソース電極６５を有する。データ配線は、基板について縦方向に形成されている。データパッド６８はデータ線６２の一端に連結され、外部から画像信号の印加を受ける。ＴＦＴのソース電極６５はデータ線６２から分離される。維持キャパシタ用導電体パターン６４はデータ線部６２、６８、６５と分離され、ＴＦＴのドレイン電極６６及び維持線２８上に形成される。ドレイン電極６６はソース電極６５と分離しており、ドレイン電極６６は、ゲート電極を間に介在してソース電極６５の反対側に位置する。維持電極線２８を形成しない場合、維持キャパシタ用導電体パターン６４も形成しない。
【００３１】
抵抗性接触層パターン５５、５６、５８は半導体パターン４２、４８及びデータ配線６２、６４、６５、６６、６８の間の接触抵抗を減らす。抵抗接触層パターン５５、５６、５８はデータ配線６２、６４、６５、６６、６８と実質的に同一の形状をしている。半導体パターン４２、４８は抵抗性接触層パターン５５、５６、５８の下部で形成される。抵抗性接触層パターン５５、５６、５８上には、データ配線層６２、６４、６５、６６、６８が形成されている。データ線部中間層パターンはデータ線部６２、６５及び６８と実質的に同一の形状をしており、ドレイン電極用中間層パターンはドレイン電極６６と実質的に同一の形状をしている。維持キャパシタ用中間層パターンは維持キャパシタ用導電体パターンと実質的に同一の形状をしている。
【００３２】
半導体パターン４２、４８は、ＴＦＴのチャンネル部Ｃを除くと、データ配線６２、６４、６５、６６、６８及び抵抗性接触層パターン５５、５６、６８と同じ形状で形成されている。具体的には、維持キャパシタ用半導体パターンは維持キャパシタ用導電体パターンと実質的に同一の形状をしており、維持キャパシタ用導電体パターンは維持キャパシタ用接触層パターンと実質的に同じ形状である。しかし、ＴＦＴ用半導体パターンは、データ配線または接触層パターンと異なる。即ち、データ線部のソース電極６５とデータ線部のドレイン電極６６はＴＦＴのチャンネル部Ｃで互いに分離されている。データ線部中間層５５とドレイン電極用接触層パターン５６も分離されている。しかし、ＴＦＴ用半導体パターン４２は連結され、ＴＦＴのチャンネルを形成する。データ配線６２、６４、６５、６６、６８上には保護膜７０が形成されている。
【００３３】
保護膜７０は、接触孔７６、７８、７２及びもう一つの接触孔７４を有する。ドレイン電極６６、データパッド６４、及び維持キャパシタ用導電体パターン６８を接触孔７６、７８、７２で露出させる。ゲートパッド２４及びゲート絶縁膜３０はもう一つの接触孔７４で露出させる。
保護膜７０上には、画素電極８２が形成されている。画素電極８２はＴＦＴから画像信号を受けて、共通電極とともに電場を生成する。画素電極８２は、ＩＴＯ等の透明な導電物質からなる。画素電極８２はドレイン電極６６と接触孔７６を通じて電気的に連結され画素信号を受ける。画素電極８２はゲート線２２及びデータ線６２と重畳され開口率を向上させる。ゲート線２２及びデータ線６２は画素電極８２と隣接する。画素電極８２はゲート線２２またはデータ線６２と重畳されない場合もある。画素電極８２は、接触孔７２を通じて維持キャパシタ用導電体パターン６４と連結され、導電体パターン６４に画像信号を伝達する。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８は接触孔７４、７８を通じてそれぞれゲートパッド２４及びデータパッド６８と連結される。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８はパッド２４、６８及び外部回路装置との接着性を増大させる。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８はまた、パッド２４、６８をそれぞれ保護する。しかし、補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８は形成しなくてもよい。
【００３４】
以下に、図９乃至図１８Ｂを参照して、本発明の実施例による４枚のマスクを用いるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法について詳細に説明する。
図１１Ａ及び図１１Ａに示すように、基板１０上にＺｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等のような金属を蒸着して、拡散防止膜２２１、２４１、２６１、２８１を形成する。金属膜の厚さは約５０〜１，０００Åである。ゲート配線層２２２、２４２、２６２、２８２を形成するために拡散防止膜２２１、２４１、２６１及び２８１上に、銅合金層を形成する。銅合金層は拡散防止膜２２１、２４１、２６１及び２８１を形成するために適用される約０．５〜１５ａｔ％の金属元素を含む。ゲート配線及び維持キャパシタ線２８をフォトリソグラフィ工程で形成する。ゲート配線はゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６からなる。
【００３５】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、ゲート絶縁膜３０をその後形成する。ゲート絶縁膜３０上に、半導体層４０を形成する。半導体層４０上に中間層５０を形成する。ゲート絶縁膜３０、半導体層４０及び中間層５０を化学気象蒸着法を用いて形成する。ゲートは絶縁膜３０の厚さは約１，５００Å〜５，０００Å、半導体層４０の厚さは約５００Å〜２，０００Å、中間層５０の厚さは約３００Å〜６００Åである。ゲート絶縁膜３０、半導体層４０及び中間５０は窒化珪素を含む。中間層５０上でＭｏＷをスパッタリングによって蒸着し、導電体層６０を形成する。その後導電体層６０上に、感光膜１１０を形成する。感光膜１１０の厚さは約１μｍ〜２μｍである。
【００３６】
図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、その後、照射工程及び現像工程により、感光膜パターン１１２及び１１４を形成する。照射工程はマスクを使用して行われる。感光膜パターン１１２及び１１４のうち、第１部分の厚さは、感光膜パターン１１２及び１１４の第２部分の厚さより薄い。第１部分１１４はＴＦＴのチャンネル部Ｃ上で蒸着する。ＴＦＴのチャンネル部はソース電極６５及びドレイン電極６６の間で蒸着する。第２部分はデータ配線６２、６４、６５、６６、６８が形成されるデータ配線部Ａで蒸着する。その他の部分Ｂで蒸着された感光膜は除去する。その他の部分Ｂは第１部分１１４及び第２部分１１２とは異なる。第１部分１１４と第２部分１１２の感光膜の残留している厚さの比はエッチング工程の状況に応じて変わる。好ましくは、第１部分１１４の厚さを第２部分１１２の厚さの約１／２以下にする。第１部分１１４の感光膜の残留している厚さは約４，０００Å以下であってもよい。
【００３７】
感光膜の厚さは第１領域１１４の光透過量の調節により決定することができる。光透過量はスリット、格子形態のパターンを形成するか、半透明膜を用いて調節することができる。
好ましくは、パターンの線幅またはパターン間の間隔は露光機の分解能より小さい。パターン間の間隔はパターンの線幅であってもよい。半透明膜を用いる場合には、マスクの透過率は、半透明膜の透過率及び厚さによって決定することができる。
【００３８】
このようなマスクを通じて感光膜に光を照射すると、光に直接露出される感光膜の部分では高分子が完全に分解され、半透明膜が蒸着されている感光膜の部分では、高分子は部分的に分解され、感光膜の遮られた部分では高分子が分解されない。
感光膜を現像すると、高分子分子が分解されない部分のみが残る。したがって、光が少なく照射された中央部分には、光に全然照射されない部分より薄い厚さの感光膜を残留させることができる。露光時間が長すぎると、全ての分子が分解される。それゆえ、露光時間は全ての高分子分子分解しないように調節される必要がある。
【００３９】
薄い厚さの感光膜１１４を形成するために、リフローが可能な物質からなる感光膜を用いることができる。薄い感光膜１１４は、照射工程, 現像工程及びリフロー工程で形成でき、それにより感光膜の露出部分に感光膜の露出されてない部分をリフローさせる。照射工程は従来のマスクを使用して行われる。マスクは光が透過する部分と光が透過しない部分を有する。
【００４０】
その後、感光膜パターン１１４及びその感光膜パターン１１４の下にある膜をエッチングする。感光膜パターン１１４の下にある膜は導電体層６０、中間層５０、及び半導体層４０からなる。データ配線及びデータ配線の下にある膜はデータ配線部Ａに残る。半導体層はチャンネル部Ｃに残る。残り部分Ｂの導電膜、中間層、及び半導体層は除去され、ゲート絶縁膜３０を露出する。残り部分Ｂはデータ配線部Ａまたはチャンネル部分Ｃとは異なる。
【００４１】
図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、その後、その他の部分Ｂの露出されている導電体層６０を除去して、中間層５０を露出させる。中間層５０上には露出されている導電体層６０を蒸着する。ドライエッチング又はウェットエッチング方法を用いることができる。好ましくは、感光膜パターン１１２、１１４が殆どエッチングされない条件下で、導電体層６０がエッチングされる。しかし、ドライエッチングの場合、感光膜パターン１１２、１１４をエッチングせずに導電体層６０をエッチングできないので、導電体層６０を感光膜パターン１１２、１１４と共にエッチングする。ドライエッチングの場合の第１部分１１４の厚さは、ウェットエッチングの場合の第１部分１１４の厚さより厚いので、ドライエッチングの過程で第１部分１１４が除去され下部の導電体層６０が露出されないようにする。
【００４２】
図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、チャンネル部Ｃの導電体層及びデータ配線部Ａの導電体層が残留し、その他の部分Ｂで導電体層６０は除去され、それにより中間層５０が露出される。チャンネル部Ｃ及びデータ配線部Ａの導電体層はソース／ドレイン用導電体パターン６７及び維持キャパシタ用導電体パターン６８を含む。残留している導電体パターン６７、６４は、ソース電極６５及びドレイン電極６６を除くと、データ配線６２、６４、６５、６６、６８の形態と同じである。ソース電極６５及びドレイン電極６６は残留している導電体パターンと連結している。ドライエッチングを用いた場合、感光膜パターン１１２、１１４もまたエッチングされる。
【００４３】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、その他の部分Ｂの露出された中間層５０、その他の部分Ｂの露出された半導体層４０、及び感光膜の第１部分をその後ドライエッチング方法で除去する。半導体部分４０は中間層の下に蒸着する。エッチングの間、ゲート絶縁膜３０は実質的にエッチングされない。半導体層４０のエッチング比は中間層５０のエッチング比と実質的に同一である。好ましくは、感光膜パターン１１２、１１４のエッチング比が半導体層４０に対するエッチング比と実質的に同一である。例えば、ＳＦ6とＨＣｌの混合気体や、ＳＦ6とＯ2の混合気体を用いることができる。感光膜パターン１１２、１１４のエッチング比が半導体層４０のエッチング比と実質的に同じ場合、第１部分１１４の厚さは半導体層４０の厚さと中間層５０の厚さとの和と同じであるか、小さい。
【００４４】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、チャンネル部Ｃの第１部分が除去されソース／ドレイン用導電体パターン６７が露出され、その他の部分Ｂの中間層５０及びその他の部分Ｂの半導体層４０が除去され、ゲート絶縁膜３０が露出される。データ配線部Ａの第２部分１１２はエッチングされ、データ配線部Ａの第２部分１１２の厚さが薄くなる。したがって、半導体パターン４２、４８が形成される。図面符号５７と５８は、ソース／ドレイン用導電体パターン６７の下部の中間層パターンと維持キャパシタ用導電体パターン６４の下部の中間層パターンを示す。
【００４５】
その後、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用導電体パターン表面に残っている感光膜を、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）を通じて除去する。
図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用導電体パターン及びチャンネル部Ｃのソース／ドレイン用中間層パターンをエッチングして除去する。ソース／ドレイン用導電体パターンは、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用中間層パターンの下に蒸着する。
【００４６】
ソース／ドレイン用導電体パターンと中間層パターンはドライエッチングすることができる。エッチング終点を探すのが難しいので、ドライエッチングの場合、ソース／ドレイン用導電体パターンと中間層パターンのエッチング選択比が大きいことが好ましい。したがって、エッチング選択比が大きくない場合、チャンネル部Ｃに残留する半導体パターン４２の厚さを調節することが容易ではない。
【００４７】
ドライエッチングはまた、ウェットエッチングと共に行うことができる。ソース／ドレイン用導電体層はウェットエッチングすることができ、中間層パターン５７はドライエッチングすることができる。ウェットエッチングと共にドライエッチングが行われる場合には、ソース／ドレイン用導電体パターンの側面がエッチングされ、中間層パターン５７は殆どエッチングされないので、階段形状で製作される。ＳＦ4とＨＣｌの混合気体やＣＦ4とＯ2の混合気体が中間層パターン５７及び半導体パターン４２をエッチングする時に用いることができる。ＣＦ4とＯ2の混合気体を用いて、均一な厚さを有する半導体パターンを形成することができる。図１６Ｂに示すように、半導体パターン４２の一部が除去され、半導体パターンの厚さが薄くなり、感光膜パターンの第２部分１１２もエッチングされ、感光膜パターンの第２部分１１２の厚さが薄くなる。好ましくは、エッチングは、ゲート絶縁膜３０がエッチングされない条件で行わなければならず、第２部分１１２がエッチングされその下部のデータ配線６２、６４、６５、６６、６８が露出されないように、感光膜パターンが厚い。
【００４８】
その結果、ソース電極６５とドレイン電極６６が分離されながら、データ配線６２、６４、６５、６６、６８と接触層パターン５５、５６、５８が形成される。データ配線６２、６４、６５、６６及び６８は接触層パターン５５、５６、５８上に位置する。
その後、データ配線部Ａに残っている感光膜第２部分１１２を除去する。しかし、第２部分の除去は、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用導電体パターン６７を除去した後行うことができる。第２部分は、導電体パターン５６の下の中間層パターン５７を除去された後行われる。
【００４９】
前述したように、ドライエッチングのみを用いるか、ウェットエッチングとドライエッチングを交互にすることができる。ドライエッチングのみを用いる場合、製造工程は比較的簡単であるが、エッチング条件は制御できない。しかしながら、ウェットエッチングとドライエッチングを交互にする場合、製造工程は複雑であるが、エッチング条件は制御可能である。その後、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、保護膜７０を形成する。
【００５０】
その後、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、保護膜７０とゲート絶縁膜３０をエッチングして、ドレイン電極６６、ゲートパッド２４、データパッド６８、及び維持キャパシタ用導電体パターン６４をそれぞれ露出させる接触孔７６、７４、７８、７２を形成する。エッチング工程はリソグラフィー工程によって行われる。接触孔７４、７８の面積は約２ｍｍ×６０μｍを超過しない。パッド２４、６８は接触孔７４、７８を通じて露出させる。好ましくは、接触孔７４、７８の面積は約０．５ｍｍ×１５μｍ以上である。
【００５１】
その後、図９乃至図１１に示すように、厚さ約４００Å〜５００ÅのＩＴＯ層を蒸着する。その後、ＩＴＯ層をパターンニングする。その結果、画素電極８２、補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８がフォトリソグラフィ工程により形成される。画素電極８２はドレイン電極６６及び維持キャパシタ用導電体パターンと連結され、補助ゲートパッド８６はゲートパッド２４と連結される。補助データパッド８８はデータパッド６８と連結される。
【００５２】
好ましくは、予熱工程で窒素が使用される。予熱はＩＴＯを蒸着する前に行われる。窒素は金属酸化膜が形成されることを防止する。金属酸化層は、接触孔７２、７４、７６、７８を通じて露出された金属膜２４、６４、６６、６８の上部で形成される。
本発明の別の実施例では、データ配線６２、６４、６５、６６、６８と接触層パターン５５、５６、５８及び半導体パターン４２、４８を１つのマスクを用いて形成し、ソース電極とドレイン電極を分離することにより、製造工程を単純化する。
【００５３】
本発明の実施例による方法は、ＡＯＣ（ａｒｒａｙ ｏｎ ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）構造にも適用されることができる。ＡＯＣ構造では、ＴＦＴアレイが色フィルター上に形成される。
図１９は、本発明の別の実施例によるＴＦＴ基板の配置図であり、図２０は、図１９に図示された線ＸＩＸ−ＸＩＸ’に沿って切断した断面図及び下部基板に向かい合う上部基板である。下部基板はＴＦＴ基板である。
【００５４】
下部絶縁基板１００上に拡散防止膜１１８、１１９、１２３及び銅合金からなるデータ配線１２０、１２１、１２４が形成されている。
データ配線１２０、１２１、１２４は、データ線１２０、データパッド１２４及び光遮断部１２１を含む。データ線１２０は基板について縦方向に延長されている。データパッド１２４はデータ線１２０の端に連結し、外部からの画素信号を受信し、受信した画素信号をデータ線１２０へ伝達する。光遮断部はデータ線１２０から分離され、基板１００の下部からＴＦＴの半導体層１７０に入射する光を遮断する。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断し、光遮断部１２１はデータ線１２０から分離して断絶された配線を形成することができる。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断するブラックマトリックスと実質的に同一の機能を有する。
【００５５】
下部絶縁基板１００上には、赤（Ｒ）色フィルター、青（Ｂ）色フィルター、緑（Ｇ）色フィルターを形成する。色フィルター１３１、１３２、１３３のエッジ部分はデータ配線１２０、１２１のエッジと重なる。色フィルター１３１、１３２、１３３はデータ線１２０を全部カバーするように形成することができる。
データ配線１２０、１２１、１２４及び色フィルター１３１、１３２、１３３上に、バッファー層１４０を形成する。バッファー層１４０は、色フィルター１３１、１３２、１３３からのガス抜け（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）を防止し、バッファー層１４０はまた、色フィルター１３１、１３２、１３３が後続工程での熱及びプラズマエネルギーによって損傷されることを防止する。又、バッファー層１４０はデータ配線１２０、１２１、１２４とＴＦＴアレイを分離しているので、これらの間の寄生容量を低減するためには、誘電率が低く、厚さが厚いほど好ましい。
【００５６】
バッファー層１４０上には、二重層構造のゲート配線が形成されている。二重層構造は、下層５０１と上層５０２からなる。下層５０１はアルミニウム及びアルミニウム合金等の物質からなり、上層５０２はモリブデン及びモリブデン合金等の物質からなる。
ゲート配線は、ゲート線１５０、ゲートパッド１５２及びＴＦＴのゲート電極１５１を含む。ゲート線１５０は横方向に延長されデータ線１２０と交差して単位画素を定義する。ゲートパッド１５２はゲート線１５０の端に連結され外部からの画素信号の印加を受けてその画素信号をゲート線１５０に伝達する。ゲート線１５０はＴＦＴのゲート電極１５１を有する。
【００５７】
ゲート線１５０は、画素電極４１０と重なって画素の電荷保存能力を向上させる維持キャパシタを構成する。ゲート線１５０の重畳によって発生する維持容量と画素電極４１０が充分ではない場合、維持容量用共通電極を形成することもできる。
好ましくは、ゲート配線を二重層以上で形成する場合に、一つの層は抵抗が小さく、他の層は接着性が大きい。二重層構造はＡｌ（又は、Ａｌ合金）及びＭｏＷからなることができる。
【００５８】
ゲート配線１５０、１５１、１５２及びバッファー層１４０上には、低温蒸着ゲート絶縁膜１６０が形成されている。この際、低温蒸着ゲート絶縁膜１６０は、有機絶縁膜、低温非晶質酸化珪素膜、または低温非晶質窒化珪素膜で形成することができる。本発明の別の実施例によるＴＦＴ構造の下部基板に色フィルターが形成される。ゲート絶縁膜は高温で蒸着されず、例えば、約２５０℃以下の低温条件で蒸着される。
【００５９】
ゲート電極１５１のゲート絶縁膜１６０上には、二重層構造の半導体層１７１が形成されている。二重層構造の半導体層１７１は島形状である。半導体層１７１の下層半導体層７０１はバンドギャップが高い非晶質珪素で形成され、半導体層１７１の上層半導体層７０２は下層半導体７０１のバンドギャップと比較して、バンドギャップが低い非晶質珪素で形成される。例えば、下層半導体層７０１のバンドギャップを約１．９〜２．１ｅＶで、上層半導体層７０２のバンドギャップを約１．７〜１．８ｅＶで形成することができる。下層半導体層７０１の厚さが約５０〜２００Åであり、上層半導体層７０２の厚さは約１，０００〜２，０００Åで形成することができる。
【００６０】
上層半導体層７０２と下層半導体層７０１との間には、バンドオフセットが形成される。下層半導体層７０１は上層半導体層７０２と異なるバンドギャップを有する。バンドオフセットはバンドギャップの差異と実質的に同一である。ＴＦＴがオン状態になると、下層半導体層７０１と上層半導体層７０２の間に位置するバンドオフセット領域にチャンネルが形成される。このバンドオフセット領域の原子構造は、基本的に同じであるので、バンドオフセット領域は欠陥が少ない。したがって、ＴＦＴの特性は改良される。半導体層１７１は単一層で形成することもできる。
【００６１】
半導体層１７１上には、抵抗性接触層１８２、１８３が形成されている。抵抗性接触層１８２、１８３はｎ型不純物が高濃度でドーピングされている非晶質珪素、微細結晶化された珪素又は金属シリサイドを含み、抵抗性接触層１８２、１８３は互いに分離されている。
抵抗性接触層上には、画素配線４１０、４１１、４１２が形成されている。画素配線４１０、４１１、４１２はソース電極４１２、ドレイン電極４１１及び画素電極４１０を含む。ソース電極４１２は、ゲート絶縁膜１６０及びバッファー層１４０に形成されている接触孔１６１を通じてデータ線１２０と連結されている。ドレイン電極４１１は、画素電極４１０と連結されており、ＴＦＴからの画像信号を画素電極４１０に伝達する。画素配線４１０、４１１、４１２はＩＴＯを有している。ＩＴＯは透明な導電物質である。
【００６２】
補助ゲートパッド４１３及び補助データパッド４１４が接触孔１６２、１６４を通じてゲートパッド１５２及びデータパッド１２４とそれぞれ連結されている。補助ゲートパッド４１３及び補助データパッド４１４は、画素配線４１０、４１１、４１２と実質的に同じ層として形成される。補助ゲートパッド４１３はモリブデン−タングステン合金膜と直接接触しており、補助データパッド４１４は銅合金層と直接接触している。モリブデン−タングステン合金膜はゲートパッド１５２の上部膜５０２であり、銅合金層はデータパッド１２４の上部膜２０２である。画素電極４１０は、画素電極４１０に隣接するゲート線１５０及び画素電極４１０に隣接するデータ線１２０と重なっており、それにより開口率を向上させる。画素電極４１０はゲート線１５０またはデータ線１２０と重ならない場合もある。
【００６３】
ソース電極４１２及びドレイン電極４１１の上部には、保護膜１９０が形成されており、その保護膜１９０上には感光性有色有機膜４３０が形成されている。保護膜１９０はＴＦＴを保護する。感光性有色有機膜４３０は濃い色を有し、光吸収に優れている。有色有機膜４３０は、ＴＦＴの半導体層１７１に入射する光を遮断する役割を果たし、有色有機膜４３０は有色有機膜４３０の高さを調節する。したがって、有色有機膜４３０は下部絶縁基板１００とこれと向かい合う上部絶縁基板２００との間の間隔を維持する。つまり、有色有機膜４３０はスペーサーとして用いられる。保護膜１９０と有機膜４３０は、ゲート線とデータ線１２０に沿って形成することができる。有機膜４３０はまた、ゲート配線とデータ配線の周囲で漏洩される光を遮断することができる。
【００６４】
一方、上部基板２００は、ＩＴＯ又はＩＺＯを有し、共通電極２１０が上部基板２００の全面積に形成されている。共通電極２１０は画素電極４１０と共に電場を生成する。
以下、図１９乃至図２８を参照して、本発明の別の実施例によるＴＦＴ基板の製造方法について、詳細に説明する。
図２１に示すように、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔのような金属を下部絶縁基板１００上で蒸着して、拡散防止膜１２０、１２１、１２４を形成する。拡散防止膜１２０、１２１、１２４の厚さは約５０〜１，０００Åである。その後、その拡散防止膜１２０、１２１、１２４の上に、前記拡散防止膜の形成のために適用した金属元素を０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着した。その後蒸着した合金の上に感光膜パターンを形成する。蒸着された合金はその後ドライエッチング又はウェットエッチングされる。したがって、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程で、下部絶縁基板１００上にデータ配線１２０、１２１、１２４を形成する。データ配線１２０、１２１、１２４はデータ線１２０、データパッド１２４、及び光遮断部１２１を含む。その後、拡散防止膜は大気圧下約４００℃の温度で熱処理して、シリサイドを形成する。
【００６５】
図２２に示すように、赤色（Ｒ）顔料、緑色（Ｇ）顔料及び青色（Ｂ）顔料を含む感光性物質を順次に塗布して、マスクを用いた写真工程でパターニングする。その結果、マスクを用いた写真工程で、赤色フィルター１３１、緑色フィルター１３２及び青色フィルター１３３を順次に形成する。
その後、赤色フィルター１３１、緑色フィルター１３２及び青色フィルター１３３を形成するために３枚のマスクを用いる。しかし、赤色フィルター１３１、緑色フィルター１３２及び青色フィルター１３３を形成するために一つのマスクを使用することができ、それにより製造費用を低減させる。又、マスクを使用せず、レーザ転写法や印刷（ｐｒｉｎｔ）法を用いることもでき、それにより製造費用を最小化することもできる。好ましくは、色フィルター１３１、１３２、１３３のエッジは、データ線１２０のエッジと重なる。図２２に示すように、その後、絶縁基板１００上部にバッファー層１４０を形成する。
【００６６】
その後、アルミニウム又はアルミニウム合金のような第１導電物質とモリブデン又はモリブデン合金のような第２導電物質をスパッタリング等の方法で連続蒸着して、蒸着した導電物質をその後パターンニングする。その結果、バッファー層１４０上にマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で、ゲート配線１５０、１５１、１５２を形成する。ゲート配線１５０、１５１、１５２はゲート線１５０、ゲート電極１５１、及びゲートパッド１５２を含む。ゲート配線１５０、１５１、１５２は、単一層構造で形成することができる。
【００６７】
その後、図２４に示すように、ゲート配線１５０、１５１、１５２及びバッファー層１４０上に低温蒸着ゲート絶縁膜１６０、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２、及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０を順次に蒸着する。
ゲート絶縁膜１６０は、有機絶縁膜、低温非晶質酸化珪素膜及び低温非晶質窒化珪素膜を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜１６０は、約２５０℃以下のような低い蒸着温度でも蒸着されることができる。
【００６８】
第１非晶質珪素膜７０１は、約１．９〜２．１ｅＶのバンドギャップを有する非晶質珪素膜で形成し、第２非晶質珪素膜７０２は、約１．７〜１．８ｅＶのバンドギャップを有する非晶質珪素膜で形成する。第１非晶質珪素膜７０１は、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、又はＣ2Ｈ6を添加したＳｉＨ4ガスを使用したchemical vapor deposition（ＣＶＤ）法によって蒸着することができる。ＳｉＨ4は非晶質珪素を形成するために使用される。例えば、ＳｉＨ4及びＣＨ4をＣＶＤ装置に１：９の比率で投入して、蒸着工程を進行すると、Ｃが約５０％程度含まれ、約２．０〜２．３ｅＶのバンドギャップを有する非晶質珪素膜を蒸着することができる。非晶質珪素層のバンドギャップは、蒸着工程条件によって影響を受け、炭素化合物の添加量によって、バンドギャップを約１．７〜２．５ｅＶにすることができる。
【００６９】
低温蒸着ゲート絶縁膜１６０、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０は、同じＣＶＤ装置でインシチュ（in situ）で、連続的に蒸着することができる。
図２５に示すように、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２、及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０をパターニングして、島形状の半導体層１７１、抵抗性接触層１８１及び接触孔１６１、１６２、１６４をマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で形成する。低温蒸着ゲート絶縁膜１６０と有機絶縁膜１４０上に接触孔１６１、１６２、１６４を蒸着する。データ線１２０、ゲートパッド１５２、及びデータパッド１２４を接触孔１６１、１６２、１６４を通じてそれぞれ露出させる。
【００７０】
その後、ゲート電極１５１上で蒸着された膜７０１、７０２、１８０の部分を除き、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０は除去される。ゲートパッド１５２上の膜７０１、７０２、１８０の部分及びゲートパッド１５２上のゲート絶縁膜１６０の部分は除去される。データ線１２０及びデータパッド１２４上の膜７０１、７０２、１８０、１６０の部分は除去される。データ線１２０及びデータパッド１２４上の有機絶縁膜１４０の部分もまた除去される。
【００７１】
一つのマスクのみを用いたフォトリソグラフィ工程で形成するためには、部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンをエッチングマスクとして使用する。
図２６に示すように、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０の上部に感光膜を塗布する。感光膜の厚さは約１μｍ〜２μｍである。その後、感光膜パターン３１２、３１４を写真工程により形成する。写真工程はマスクを用いた照射工程及び現像工程からなる。
【００７２】
第１部分３１２は、第２部分３１４より厚い。データ線１２０、データパッド１２４、及びゲートパッド１５２上の感光膜の部分を除去する。感光膜パターン３１２はゲート電極１５１の上で蒸着する。好ましくは、第２部分３１４の厚さに対する第１部分３１２の厚さの比が１／２以下である。第１部分３１２の感光膜の残り厚さは、約４，０００Å以下であることができる。
【００７３】
位置によって異なる厚さを備えた感光膜を形成するために多様な方法が使用される。ここでは、陽性感光膜を用いる。
感光膜がマスクを通じて露出されると、感光膜の光に直接照射される部分の高分子は完全に分解され、感光膜の半透明膜が形成される部分の高分子は部分的に分解され、感光膜の覆われた部分の高分子は分解されない。
【００７４】
感光膜を現像すると、高分子が分解されない部分はそのまま残る。したがって、部分的に照射された部分の感光膜の厚さは照射されていない部分の感光膜の厚さに比べ薄い。照射時間が長すぎると、全ての高分子が分解される。したがって、全ての高分子が分解されないように、照射時間を調節する必要がある。
感光膜を現像すると、第１部分３１２の高分子がそのまま残り、第２部分３１４の高分子は部分的に除去されるので、第２部分３１４の厚さは第１部分３１２の厚さより薄く、Ｃ領域の高分子は完全に除去される。第２部分３１４は部分的に光で照射される。その結果、位置によって異なる厚さを有する感光膜パターンが形成される。
【００７５】
図２７に示すように、その後、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０、第２非晶質珪素膜７０２、第１非晶質珪素膜７０１、及び低温蒸着ゲート絶縁膜１６０をドライエッチングして、ゲートパッド１５２を露出させる接触孔１６２を形成し、Ｃ領域のバッファー層１４０を露出させる。Ｃ領域のバッファー層１４０をドライエッチングして、データ線１２０及びデータパッド１２４を露出させる接触孔１６１、１６４を形成する。ドライエッチングは感光膜パターン３１２、３１４をエッチングマスクとして用いて行われる。
【００７６】
その後、酸素を用いたアッシング工程で、感光膜の第２部分３１４を完全に除去する。
その結果、感光膜パターンの第２部分３１４は除去され、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０が露出され、感光膜パターンの第１部分３１２の厚さは感光膜パターンの第２部分３１２の厚さと実質的に同一にまで減少する。
その後、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０、第１非晶質珪素膜７０１及び第２非晶質珪素膜７０２は残っている感光膜パターンの第１部分３１２をエッチングマスクとして用いてエッチングする。その結果、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０、第１非晶質珪素膜７０１及び第２非晶質珪素膜７０２は除去され、半導体層１７１と抵抗性接触層１８１を残留させる。島形状の半導体層１７１は、その下でゲート電極が形成されるゲート絶縁膜１６０上に形成される。ゲート絶縁膜１６０はゲート電極１５１上で蒸着する。
【００７７】
その後、残っている感光膜の第１部分３１２を除去する。第１部分３１２の残っている感光膜を除去するために、酸素を用いたアッシング工程を適用することができる。
図２８に示すように、その後、ＩＴＯ層を蒸着してパターニングする。そこで、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程で、画素電極４１０、ソース電極４１２、ドレイン電極４１１、補助ゲートパッド４１３、及び補助データパッド４１４を形成する。
【００７８】
ソース電極４１２及びドレイン電極４１１をエッチングマスクとして用いて、抵抗性接触層１８１をエッチングして、それにより抵抗性接触層パターンを形成し、半導体層１７１を露出する。抵抗性接触層１８１はソース電極４１２及びドレイン電極４１１の間で蒸着する。抵抗性接触層パターン１８２，１８３は第１部分１８２と第１部分１８２から分離した第２部分１８３を有する。半導体層１７１はソース電極４１２及びドレイン電極４１１の間で蒸着する。
【００７９】
図１９及び図２０に示すように、下部絶縁基板１００の上部に窒化珪素や酸化珪素等の第１絶縁膜と黒色顔料を含む感光性有機物質等の第２絶縁膜を順次蒸着して、マスクを用いた写真工程で、有色有機膜４３０を形成する。写真工程は照射工程と現像工程からなる。第１絶縁物質と第２絶縁物質は色有機膜をエッチングマスクとして用いてエッチングし、保護膜１９０を形成する。有色有機膜４３０は、ＴＦＴに入射する光を遮断できる。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断し、光遮断部１２１はデータ線１２０から分離しており、接続されない配線（disconnected wiring）を形成することができる。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断するブラックマトリックスと実質的に同一の機能を有する。光遮断部１２１はまた、ゲート配線またはデータ配線上に形成され、ゲート配線やデータ配線に隣接する漏洩する光を遮断することができる。光遮断部１２１はまた、有機膜４３０の高さを調節して間隔維持材として用いることができる。
【００８０】
上部絶縁基板２００の上には、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明な導電物質を積層して、共通電極２１０を形成する。
銅合金配線は、本発明の実施例によるゲート配線やデータ配線として用いられる。しかし、銅合金配線は基板上に形成される全ての金属層としても適用することができる。銅合金配線はソース／ドレイン電極にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
上述したように、ＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板は銅合金配線を用いて製造され、低い抵抗と高い伝導度を備える。
又、薄い厚さの拡散防止膜とその拡散防止膜と同じ元素を添加した銅合金を用いて銅合金を形成するので、同時エッチングが可能である。後続工程での銅配線と基板間との相互拡散はまた薄い拡散防止膜により防止することができる。
【００８２】
以上、上述した実施例を参照して本発明を詳細に説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１Ａ】本発明の方法によって液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の方法によって液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の方法によって液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板である。
【図３】図２のＩＩ−ＩＩに沿って切断した断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図７】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図９】図８のＶＩＩ−ＶＩＩ’に沿って切断した断面図である。
【図１０】図８のＩＸ−ＩＸ’に沿って切断した断面図である。
【図１１Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１１Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１２Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１４Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１４Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１５Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１５Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１６Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１６Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１７Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１７Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１８Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１８Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１９】本発明の第３実施例による薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２０】図１９に図示された薄膜トランジスタ基板をＸＩＸ−ＸＩＸ’に沿って切断した断面図である。
【図２１】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２７】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２８】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ シリコン基板
１１ 拡散防止膜
１１ａ 拡散防止膜パターン
１１ｂ シリサイド化合物層
１２ 銅合金配線
１２ａ 配線パターン
２２ ゲート線
２４ ゲートパッド
２６ ゲート電極
３０ ゲート絶縁膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤの薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）基板及びその製造方法に関し、より詳細には、低い比抵抗を有する銅配線を適用したＬＣＤのＴＦＴ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置は電気的な信号を視覚画像に変換させて、人が直接に情報を認識できるようにするのに用いられる電気光学的な装置である。このような表示装置のうち、液晶表示装置（以下、ＬＣＤという）は、液晶の光学的性質を用いて、液晶分子の配列を変化させる。
大型表示基板のＴＦＴでは、信号の遅延やイメージのちらつき（ｆｌｉｃｋｅｒｉｎｇ）を防止するために、ゲート抵抗を小さくする必要がある。銅やアルミニウムなどの金属は、小さい抵抗と大きい伝導度を有する。しかし、このような金属は、ＬＣＤ装置の製造に適していない。金属のうち、銅は最も低い比抵抗を有するが、銅はシリコン基板への接着力は低い。また、銅は酸化し易い。銅がシリコン基板に拡散されるのを防止する必要があり、また、銅配線をＴＦＴ工程に適用するために十分な接着力を確保しなければならない。
【０００３】
シリコン基板への銅拡散は素子の抵抗性接触特性（Ohmic contact characteristics）を低下させ、接着力の不良は薄膜のリフトオフやその薄膜の剥離現象を発生させる。このリフトオフや剥離現象は、製造工程で問題を発生させる虞がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明は、前記した従来技術の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、比抵抗が小さい銅配線を有し、シリコン基板への銅拡散を防止し、それにより素子特性を向上するＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を提供することにある。
本発明は、また、前記銅配線を有するＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の容易な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施態様によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板は、基盤、拡散防止膜、銅合金層からなる。前記基盤はシリコン元素を含む。前記拡散防止膜は基板上に形成される。前記銅合金層は前記拡散防止膜上に形成される。以下、原子濃度は“ａｔ％”で表す。銅合金層は拡散防止膜を形成するために使用される約０．５〜１５ａｔ％の物質を含む。
好ましくは、前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔ等の金属を含む一つのシリサイド化合物で形成され、前記拡散防止膜の厚さは約５０〜５，０００Åである。
【０００６】
又、前記銅合金層は、ゲート線、ソース電極、ドレイン電極、又はデータ線に対応する金属層を含むことができ、前記基板としては、シリコン基板、ガラス基板、又はプラスティック基板であってもよい。
本発明の一側面による表示装置用ＴＦＴ基盤の製造方法を以下に示す。拡散防止膜をシリコン基板上に形成する。銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着してゲート配線層を形成する。前記ゲート配線パターンはゲート線、ゲートパッド及びゲート電極を備える。その後ゲート絶縁膜を積層する。その後半導体層パターン及び抵抗性接触層パターンを形成する。その後データ配線物質を塗布及びパターンニングしてデータ配線を形成する。前記データ配線はデータ線、データパッド、ソース電極及びドレイン電極を備える。データ線は前記ゲート線と交差する。前記データパッドは前記データ線の一端部と連結する。前記ソース電極は前記データ線の一端部と連結し、前期ソース電極は前記ゲート電極に隣接する。前記ドレイン電極は前記ゲート電極を間に介在し、前記ソース電極の反対側に位置する。その後保護膜（Protecting layer）を含む保護層（Passivation layer）を形成する。前記保護膜は有機膜を含んでも良い。その後前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜をパターンニングし、接触孔を形成する。前記ゲートパッド、前記データパッド及び前記ドレイン電極を接触孔を通じてそれぞれ露出する。その後透明導電膜を積層する。その後前記透明導電膜をエッチングし補助ゲートパッド、補助データパッド及び画素電極を形成する。前記補助ゲートパッドを前記ゲートパッドに連結し、前記補助データパッドを前記データパッドに連結し、また前記画素電極を前記ドレイン電極に連結する。
特に、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属を含む化合物を蒸着し、約５０〜５，０００Åの厚さを有する拡散防止膜を形成する。前記蒸着化合物は、熱処理工程によってシリサイド化合物に変換される。
【０００７】
このような熱処理工程は、後続するゲート絶縁膜を積層する蒸着処理工程であってもよく、前記熱処理工程は、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下、約２００〜５００℃で行われてもよい。
本発明の他の側面による表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法を以下に示す。拡散防止膜を基板上に形成する。銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着してゲート配線層を形成する。その後ゲート配線層をエッチングしてゲートパターンを積層する。前記ゲートパターンはゲート線、ゲートパッド及びゲート電極を含む。その後ゲート絶縁膜を積層する。その後半導体層、抵抗性接触層及び導電体層を積層する。その後感光膜パターンを形成する。前記感光膜パターンは第１部分、第２部分及び第３部分を有する。前記第２部分は前記第１部分より厚い。前記第３部分は前記第１部分より薄い。その後感光膜パターンにより、データ線、データパッド、データ配線、抵抗性接触層及び半導体層パターンを形成する。前記データパッドを前記データ線の一端部と連結する。前記データ配線はソース電極及びドレイン電極を有する。その後保護膜（Protecting layer）を含む保護層（Passivation layer）を形成する。前記保護膜は有機膜を含んでも良い。前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜をパターンニングし、前記ゲートパッド、前記データパッド及び前記ドレイン電極を露出する接触孔を形成する。その後透明導電膜を積層する。その後前記透明導電膜をエッチングし、補助ゲートパッド、補助データパッド及び画素電極を形成する。前記補助ゲートパッドを前記ゲートパッドに連結する。前記補助データパッドを前記データパッドに連結する。前記画素電極を前記ドレイン電極に連結する。
本発明の他の側面による表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法を以下に示す。絶縁基板上に拡散防止膜を形成する。銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着してゲート配線層を形成する。その後前記基板上に、赤色フィルター、緑色フィルター及び青色フィルターを形成する。その後バッファー物質を蒸着して、前記データ配線と前記色フィルターを覆うバッファー層を形成する。その後前記バッファー層上にゲート配線層を形成する。その後前記ゲート配線層をエッチングしゲート配線を形成する。前記ゲート配線はゲート線及びゲート電極を含む。その後前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する。その後前記ゲート絶縁膜上に島形状の抵抗性接触層、半導体層パターン及び第１接触孔を形成する。前記データ線の一部を第１接触孔を通じて前記ゲート絶縁膜と前記バッファー層に露出させる。その後前記透明導電物質をエッチングしてソース電極、ドレイン電極及び画素配線を形成する。前記ドレイン電極は前記ソース電極と分離している。その後前記と同じ層の上に前記ソース電極と前記ドレイン電極を形成する。画素電極を含む前記画素配線を前記ドレイン電極に連結する。島形状の前記抵抗性接触層パターンを透明導電物質で覆う。その後前記抵抗性接触層パターンの露出部分を除去して、前記抵抗性接触層パターンを両方に分離する。前記抵抗接触性層パターンを前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明をより詳細に説明する。
ＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造に銅配線を適用するためには、銅配線とシリコン基板の間の接着力が不可欠である。又、後続する高温熱処理によりシリコン基板と銅との間で生じる反応を防ぐ。前記熱処理はＳｉＮｘ蒸着やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）アニーリング工程中に行うことができる。
【０００９】
本発明により、シリコン基板上に拡散防止膜を形成する。拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属により形成される。シリサイドは金属とシリコン基板間での反応により容易に形成される。純粋な銅金属の代わりに、前記金属の一部を含む合金を適用する。この合金により、界面でシリコン基板への銅元素の拡散を防止する。合金は拡散防止膜を形成するために適用される物質約０．５〜１５ａｔ％を含む。合金に添加する元素の含量が約０．５ａｔ％未満であれば、銅合金は基板に拡散される虞がある。合金に添加する元素の含量が増加すると、銅配線の比抵抗もまた増加し、それにより配線の抵抗性を増加させる。好ましくは、合金へ添加される元素の量は約１５ａｔ％を超過しない。
【００１０】
拡散防止膜の厚さの増加に応じて、拡散防止膜特性は改良される。しかし、銅合金配線と共に拡散防止膜をエッチングするためには、薄い拡散防止膜が好ましい。好ましくは、拡散防止膜の厚さが約５０〜１，０００Åである。
銅金属配線の形成後、ＳｉＮｘ蒸着工程のような高温工程を行う。前記拡散防止膜によって銅元素の基板への拡散が防止される。前記拡散防止膜は前記高温工程を通じてシリサイドに変換される。銅内部に添加される元素が界面または表面に拡散すると、拡散防止膜に元素が供給され、拡散防止膜の特性を向上し、追加的なシリサイドを生成する。又、表面へ拡散された合金元素は、後続工程で銅金属膜の耐化学性の向上にも寄与することができる。
【００１１】
シリサイドを形成するために、拡散防止膜成分を蒸着した後、別の熱処理工程を適用することも可能である。好ましくは、別の熱処理工程が、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下で、熱処理温度は約２００〜５００℃で行われる。このような熱処理工程は、工程単純化と費用及び時間減少のために省略することができる。また、後続する熱処理工程によって同じ熱処理効果を得ることができる。しかし、別の熱処理工程を行うと、より安定的な熱処理工程が可能であり、合金が熱処理された後、より安定した条件下で後続工程を進行できる。
【００１２】
そこで、ＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板は銅合金配線を用いて、低い比抵抗と高い伝導度を有するように生産される。
また、銅配線は薄い拡散防止膜とその拡散防止膜の物質を含む銅合金を用いて形成されるため、同時にエッチングをすることができる。後続する工程における銅配線と基板の間での相互拡散はまた、薄い拡散防止膜によって防止できる。
【００１３】
図１Ａ乃至図１Ｃは、本発明の方法の実施例によるＬＣＤのＴＦＴ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
図１Ａに示すように、シリコン基板１０上に拡散防止膜１１を形成し、拡散防止膜１１の上に銅合金配線１２を形成する。図１Ｂに示すように、前記配線はマスクを用いてエッチングされ、基板１０上に拡散防止膜パターン１１Ａ及び配線パターン１２Ｂを形成する。図１Ｃに示すように、配線パターン１２Ａ内にある拡散防止膜成分は別の熱処理工程や後続する熱処理工程によって表面へ拡散され、拡散防止膜パターン１１Ａはシリサイド化合物層１１Ｂに変換される。
【００１４】
以下、本発明の実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を添付の図面を参照して説明する。
図２は本発明の第１実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を示す配置図であり、図３は図２に示されたＴＦＴ基板の線ＩＩ−ＩＩ′に沿って切断した断面図である。
絶縁基板１０上に、ゲート配線を形成する。ゲート配線は二重層で、拡散防止膜２２１、２４１、２６１とゲート配線層２２２、２４２、２６２を含む。拡散防止膜２２１、２４１、２６１は金属のシリサイドを含み、ゲート配線２２２、２４２、２６２は拡散防止膜の成分を有する銅合金を含む。ゲート配線はＴＦＴのゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６を含む。ゲートパッド２４は、伸張されているゲート線２２の一端に連結し、外部からＴＦＴ基板について水平方向のゲート線２２へゲート信号を伝達し、また、ゲート電極２６はゲート線２２に連結する。
【００１５】
基板１０上に形成されたゲート絶縁膜３０は、ゲート配線２２、２４、２６を覆って形成されている。そのゲート絶縁膜３０は窒化珪素を含む。
ゲート電極２４のゲート絶縁膜３０の上には、半導体層４０が形成される。半導体層４０は非晶質珪素等の半導体物質を有する。半導体層４０上には、抵抗性接触層５４、５６が形成される。抵抗性接触層５４、５６は、シリサイド又はｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ+水素化非晶質珪素を有する。
【００１６】
抵抗性接触層５４、５６及びゲート絶縁膜３０上には、データ配線層６２、６５、６６及び６８が形成されている。データ配線６２、６５、６６、６８はモリブデン膜又はモリブデン−タングステン合金膜を有する。データ配線６２、６５、６６、６８は基板１０について縦方向に伸張されている。データ配線６２、６５、６６、６８はデータ線６２、ソース電極６５、データパッド６８及びドレイン電極６６を含む。データ線６２はゲート線２２と交差し、データ線６２は画素を定義する。ソース電極６５はデータ線６２から分離し、ソース電極６５は抵抗性接触層５４の上部まで延長される。データパッド６８はデータ線６２の一端部に連結され、データパッド６８は外部からの画素信号を受ける。ドレイン電極６６はソース電極６５から分離し、ドレイン電極６６は抵抗性接触層５６上に配置される。ドレイン電極はゲート電極２６を間に介在し、ソース電極６５の反対側に位置する。保護膜７０を含む保護膜はデータ配線６２、６５、６６、６８上に形成される。前記保護膜は有機膜を含んでいてもよい。
【００１７】
ドレイン電極６６及びデータパッド６８をそれぞれ露出させる接触孔７６、７８がそれぞれ形成される。ゲートパッド２４とゲート絶縁膜３０を露出させる別の接触孔７４が形成される。ドレイン電極６６及びデータパッド６８を露出させる前記接触孔７６、７８は多角形を有するか、円形の形状に形成される。各接触孔の面積は約２ｍｍ×６０μｍを超過しない。好ましくは、約０．５ｍｍ×１５μｍ以上である。
【００１８】
画素に位置する保護膜７０上には、画素電極８２が形成されている。画素電極８２は接触孔７６を通じてドレイン電極６６と電気的に連結されている。又、保護膜７０上には補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８が形成されている。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８は、接触孔７４、７８を通じてゲートパッド２４及びデータパッド６８とそれぞれ連結されている。ここで、画素電極８２と補助ゲート８６及び補助データパッド８８はＩＴＯからなる。
【００１９】
図２及び図３に示すように、維持キャパシタは画素電極８２及びゲート線２２を含む。維持キャパシタの維持容量が足りない場合には、ゲート配線２２、２４、２６と同じ層に維持容量用配線を追加することもできる。
また、画素電極８２は、データ線６２とも重なるように形成して、開口率を極大化している。このように、画素電極８２をデータ線６２と重なって形成しても、保護膜の誘電率が低いため、この間で形成される寄生容量は小さい。
【００２０】
以下に、図２乃至図８を参照して、本発明の実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法について詳細に説明する。
図４に示すように、基板１０上にＺｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｄ、Ｐｄ、Ｐｔのような金属を約５０〜１，０００Åの厚さで蒸着して拡散防止膜２２１、２４１、２６１を積層する。その後、金属元素を約０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着してゲート配線層２２２、２４２、２６２を積層する。前記金属元素は前記拡散防止膜の形成のために適用する。前記積層されたゲート配線層２２２、２４２、２６２はその後パターニングしてゲート線を形成する。前記ゲート線は横方向に伸張され、前記ゲート配線はゲート線２２、ゲート電極２６、及びゲートパッド２４を含む。
【００２１】
図５に示すように、その後、窒化珪素からなるゲート絶縁膜３０を形成する。非晶質珪素からなる半導体層４０をゲート絶縁膜３０上で積層する。ドーピングされた非晶質珪素層を半導体層４０上に積層する。半導体層４０とドーピングされた非晶質珪素層をその後、エッチングする。したがって、ゲート絶縁膜３０上に島形状の半導体層４０と抵抗性接触層５５、５６をフォトリソグラフィ工程で形成する。ゲート絶縁膜３０はゲート電極２６上に積層する。
【００２２】
図６に示すように、モリブデン又はモリブデン−タングステン合金をその後蒸着して、データ配線層６５、６６、６８を積層する。データ配線層６５、６６、６８をその後エッチングして、データ線６２、ソース電極６５、データパッド６８及びドレイン電極６６を含むデータ配線を形成する。データ線６２はゲート線２２と交差する。ソース電極６５はデータ線６２に連結し、ソース電極６５はゲート電極２６の上部に延長する。データパッド６８はデータ線６２の一端に連結する。ドレイン電極６６はソース電極６５から分離し、ドレイン電極６６は、ゲート電極２６を間に介在し、ソース電極６５の反対側に位置する。
【００２３】
その後、データ配線６２、６５、６６、６８でカバーしない非晶質珪素層パターンの一部をエッチングして、非晶質珪素層パターンを両方に分離させ、半導体層パターン４０を露出させる。非晶質珪素層パターンを不純物でドーピングする。半導体層パターン４０を分離された非晶質珪素層５５、５６の間で蒸着する。好ましくは、露出された半導体層４０の表面をその後酸素プラズマにより安定化させる。その後、図７に示すように、保護膜を形成する。
【００２４】
その後、ゲート絶縁膜３０と保護膜をパターニングして、接触孔７４、７６、７８を形成する。ゲートパッド２４、ドレイン電極６６、及びデータパッド６８は接触孔７４、７６、７８でそれぞれ露出する。ここで、接触孔７４、７６、７８は多角形を有するか、円形の形状に形成することができる。接触孔７４、７８の面積は約２ｍｍ×６０μｍを超過しない。パッド２４、６８を接触孔７４、７８で露出させる。好ましくは、接触孔７４、７８の面積は０．５ｍｍ×１５μｍ以上である。
【００２５】
図２及び図３に示すように、その後、ＩＴＯ膜を蒸着する。その後、蒸着したＩＴＯ膜をエッチングする。そこで、補助ゲートパッド８６、補助データパッド８８及び画素電極８２をフォトリソグラフィ工程で形成する。画素電極８２、補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８を第１接触孔７６、第２接触孔７４及び第３接触孔７８を通じてドレイン電極６６、ゲートパッド２４及びデータパッド６８と連結する。好ましくは、窒素を予熱工程で用いる。予熱工程はＩＴＯを蒸着する前に行うことができる。窒素は接触孔７４、７６、７８を通じて露出されている金属膜２４、６６、６８の上部に金属酸化膜が形成されることを防止する。
【００２６】
以下、図８乃至１０を参照して、本発明の実施例による４枚のマスクを用いるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の単位画素構造について詳細に説明する。
図８は、本発明の別の実施例によるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板を示す配置図であり、図９及び図１０は、それぞれ図８に図示された線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’及びＩＸ−ＩＸ’に沿って切断した断面図である。
【００２７】
まず、絶縁基板１０上に、二重層で構成されたゲート配線が形成されている。二重層の構成は、拡散防止膜２２１、２４１、２６１とゲート配線層２２２、２４２、２６２を有する。拡散防止膜２２１、２４１、２６１は金属珪素からなる。ゲート配線層２２２，２４２及び２６２は銅合金からなる。ゲート配線は、ゲート線２２、ゲートパッド２４、及びゲート電極２６を含む。
【００２８】
基板１０上には、維持電極線２８が形成されている。維持電極線２８はゲート線２２に平行である。維持電極線２８も拡散防止膜２８１とゲート配線層２８２で構成されている。維持キャパシタは維持電極線２８と導電体パターン６８で構成されている。維持キャパシタは電荷を維持し、画素の電荷保存能力を向上させる。維持電極線２８は導電体パターン６８と重なって形成されている。維持電極線は、画素電極８２とゲート線２２の重畳によって発生する維持容量が充分な時には形成しない場合もある。共通電極が上部基板に形成される。
【００２９】
ゲート配線２２、２４、２６及び維持電極線２８上には、ゲート絶縁膜３０が形成される。ゲート絶縁膜３０はゲート配線２２、２４、２６、２８を覆って、形成している。ゲート絶縁膜３０は窒化珪素（ＳｉＮX）からなることができる。
ゲート絶縁膜３０上には、半導体パターン４２、４８が形成されている。半導体パターン４２、４８は水素化非晶質珪素等の半導体物質からなる。半導体パターン４２、４８上には、抵抗性接触層パターン又は中間層パターン５５、５６、５８が形成されている。抵抗性接触層パターン及び中間層パターンは非晶質珪素からなることができる。非晶質珪素はリン（Ｐ）等のｎ型不純物が高濃度でドーピングされている。
【００３０】
抵抗性接触層パターン５５、５６、５８はデータ配線層６２、６４、６５、６６、６８上で形成される。データ配線層６２、６４、６５、６６、６８はモリブデン又はモリブデン合金からなる。データ配線は維持キャパシタ用のデータ線部６２、６８、６５及び導電体パターン６４を含む。データ線部６２、６８、６５はＴＦＴのデータ線６２、データパッド６８及びソース電極６５を有する。データ配線は、基板について縦方向に形成されている。データパッド６８はデータ線６２の一端に連結され、外部から画像信号の印加を受ける。ＴＦＴのソース電極６５はデータ線６２から分離される。維持キャパシタ用導電体パターン６４はデータ線部６２、６８、６５と分離され、ＴＦＴのドレイン電極６６及び維持線２８上に形成される。ドレイン電極６６はソース電極６５と分離しており、ドレイン電極６６は、ゲート電極を間に介在してソース電極６５の反対側に位置する。維持電極線２８を形成しない場合、維持キャパシタ用導電体パターン６４も形成しない。
【００３１】
抵抗性接触層パターン５５、５６、５８は半導体パターン４２、４８及びデータ配線６２、６４、６５、６６、６８の間の接触抵抗を減らす。抵抗接触層パターン５５、５６、５８はデータ配線６２、６４、６５、６６、６８と実質的に同一の形状をしている。半導体パターン４２、４８は抵抗性接触層パターン５５、５６、５８の下部で形成される。抵抗性接触層パターン５５、５６、５８上には、データ配線層６２、６４、６５、６６、６８が形成されている。データ線部中間層パターンはデータ線部６２、６５及び６８と実質的に同一の形状をしており、ドレイン電極用中間層パターンはドレイン電極６６と実質的に同一の形状をしている。維持キャパシタ用中間層パターンは維持キャパシタ用導電体パターンと実質的に同一の形状をしている。
【００３２】
半導体パターン４２、４８は、ＴＦＴのチャンネル部Ｃを除くと、データ配線６２、６４、６５、６６、６８及び抵抗性接触層パターン５５、５６、６８と同じ形状で形成されている。具体的には、維持キャパシタ用半導体パターンは維持キャパシタ用導電体パターンと実質的に同一の形状をしており、維持キャパシタ用導電体パターンは維持キャパシタ用接触層パターンと実質的に同じ形状である。しかし、ＴＦＴ用半導体パターンは、データ配線または接触層パターンと異なる。即ち、データ線部のソース電極６５とデータ線部のドレイン電極６６はＴＦＴのチャンネル部Ｃで互いに分離されている。データ線部中間層５５とドレイン電極用接触層パターン５６も分離されている。しかし、ＴＦＴ用半導体パターン４２は連結され、ＴＦＴのチャンネルを形成する。データ配線６２、６４、６５、６６、６８上には保護膜７０が形成されている。
【００３３】
保護膜７０は、接触孔７６、７８、７２及びもう一つの接触孔７４を有する。ドレイン電極６６、データパッド６４、及び維持キャパシタ用導電体パターン６８を接触孔７６、７８、７２で露出させる。ゲートパッド２４及びゲート絶縁膜３０はもう一つの接触孔７４で露出させる。
保護膜７０上には、画素電極８２が形成されている。画素電極８２はＴＦＴから画像信号を受けて、共通電極とともに電場を生成する。画素電極８２は、ＩＴＯ等の透明な導電物質からなる。画素電極８２はドレイン電極６６と接触孔７６を通じて電気的に連結され画素信号を受ける。画素電極８２はゲート線２２及びデータ線６２と重畳され開口率を向上させる。ゲート線２２及びデータ線６２は画素電極８２と隣接する。画素電極８２はゲート線２２またはデータ線６２と重畳されない場合もある。画素電極８２は、接触孔７２を通じて維持キャパシタ用導電体パターン６４と連結され、導電体パターン６４に画像信号を伝達する。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８は接触孔７４、７８を通じてそれぞれゲートパッド２４及びデータパッド６８と連結される。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８はパッド２４、６８及び外部回路装置との接着性を増大させる。補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８はまた、パッド２４、６８をそれぞれ保護する。しかし、補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８は形成しなくてもよい。
【００３４】
以下に、図９乃至図１８Ｂを参照して、本発明の実施例による４枚のマスクを用いるＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法について詳細に説明する。
図１１Ａ及び図１１Ａに示すように、基板１０上にＺｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ等のような金属を蒸着して、拡散防止膜２２１、２４１、２６１、２８１を形成する。金属膜の厚さは約５０〜１，０００Åである。ゲート配線層２２２、２４２、２６２、２８２を形成するために拡散防止膜２２１、２４１、２６１及び２８１上に、銅合金層を形成する。銅合金層は拡散防止膜２２１、２４１、２６１及び２８１を形成するために適用される約０．５〜１５ａｔ％の金属元素を含む。ゲート配線及び維持キャパシタ線２８をフォトリソグラフィ工程で形成する。ゲート配線はゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６からなる。
【００３５】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、ゲート絶縁膜３０をその後形成する。ゲート絶縁膜３０上に、半導体層４０を形成する。半導体層４０上に中間層５０を形成する。ゲート絶縁膜３０、半導体層４０及び中間層５０を化学気象蒸着法を用いて形成する。ゲートは絶縁膜３０の厚さは約１，５００Å〜５，０００Å、半導体層４０の厚さは約５００Å〜２，０００Å、中間層５０の厚さは約３００Å〜６００Åである。ゲート絶縁膜３０、半導体層４０及び中間５０は窒化珪素を含む。中間層５０上でＭｏＷをスパッタリングによって蒸着し、導電体層６０を形成する。その後導電体層６０上に、感光膜１１０を形成する。感光膜１１０の厚さは約１μｍ〜２μｍである。
【００３６】
図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、その後、照射工程及び現像工程により、感光膜パターン１１２及び１１４を形成する。照射工程はマスクを使用して行われる。感光膜パターン１１２及び１１４のうち、第１部分の厚さは、感光膜パターン１１２及び１１４の第２部分の厚さより薄い。第１部分１１４はＴＦＴのチャンネル部Ｃ上で蒸着する。ＴＦＴのチャンネル部はソース電極６５及びドレイン電極６６の間で蒸着する。第２部分はデータ配線６２、６４、６５、６６、６８が形成されるデータ配線部Ａで蒸着する。その他の部分Ｂで蒸着された感光膜は除去する。その他の部分Ｂは第１部分１１４及び第２部分１１２とは異なる。第１部分１１４と第２部分１１２の感光膜の残留している厚さの比はエッチング工程の状況に応じて変わる。好ましくは、第１部分１１４の厚さを第２部分１１２の厚さの約１／２以下にする。第１部分１１４の感光膜の残留している厚さは約４，０００Å以下であってもよい。
【００３７】
感光膜の厚さは第１領域１１４の光透過量の調節により決定することができる。光透過量はスリット、格子形態のパターンを形成するか、半透明膜を用いて調節することができる。
好ましくは、パターンの線幅またはパターン間の間隔は露光機の分解能より小さい。パターン間の間隔はパターンの線幅であってもよい。半透明膜を用いる場合には、マスクの透過率は、半透明膜の透過率及び厚さによって決定することができる。
【００３８】
このようなマスクを通じて感光膜に光を照射すると、光に直接露出される感光膜の部分では高分子が完全に分解され、半透明膜が蒸着されている感光膜の部分では、高分子は部分的に分解され、感光膜の遮られた部分では高分子が分解されない。
感光膜を現像すると、高分子分子が分解されない部分のみが残る。したがって、光が少なく照射された中央部分には、光に全然照射されない部分より薄い厚さの感光膜を残留させることができる。露光時間が長すぎると、全ての分子が分解される。それゆえ、露光時間は全ての高分子分子分解しないように調節される必要がある。
【００３９】
薄い厚さの感光膜１１４を形成するために、リフローが可能な物質からなる感光膜を用いることができる。薄い感光膜１１４は、照射工程, 現像工程及びリフロー工程で形成でき、それにより感光膜の露出部分に感光膜の露出されてない部分をリフローさせる。照射工程は従来のマスクを使用して行われる。マスクは光が透過する部分と光が透過しない部分を有する。
【００４０】
その後、感光膜パターン１１４及びその感光膜パターン１１４の下にある膜をエッチングする。感光膜パターン１１４の下にある膜は導電体層６０、中間層５０、及び半導体層４０からなる。データ配線及びデータ配線の下にある膜はデータ配線部Ａに残る。半導体層はチャンネル部Ｃに残る。残り部分Ｂの導電膜、中間層、及び半導体層は除去され、ゲート絶縁膜３０を露出する。残り部分Ｂはデータ配線部Ａまたはチャンネル部分Ｃとは異なる。
【００４１】
図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、その後、その他の部分Ｂの露出されている導電体層６０を除去して、中間層５０を露出させる。中間層５０上には露出されている導電体層６０を蒸着する。ドライエッチング又はウェットエッチング方法を用いることができる。好ましくは、感光膜パターン１１２、１１４が殆どエッチングされない条件下で、導電体層６０がエッチングされる。しかし、ドライエッチングの場合、感光膜パターン１１２、１１４をエッチングせずに導電体層６０をエッチングできないので、導電体層６０を感光膜パターン１１２、１１４と共にエッチングする。ドライエッチングの場合の第１部分１１４の厚さは、ウェットエッチングの場合の第１部分１１４の厚さより厚いので、ドライエッチングの過程で第１部分１１４が除去され下部の導電体層６０が露出されないようにする。
【００４２】
図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、チャンネル部Ｃの導電体層及びデータ配線部Ａの導電体層が残留し、その他の部分Ｂで導電体層６０は除去され、それにより中間層５０が露出される。チャンネル部Ｃ及びデータ配線部Ａの導電体層はソース／ドレイン用導電体パターン６７及び維持キャパシタ用導電体パターン６８を含む。残留している導電体パターン６７、６４は、ソース電極６５及びドレイン電極６６を除くと、データ配線６２、６４、６５、６６、６８の形態と同じである。ソース電極６５及びドレイン電極６６は残留している導電体パターンと連結している。ドライエッチングを用いた場合、感光膜パターン１１２、１１４もまたエッチングされる。
【００４３】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、その他の部分Ｂの露出された中間層５０、その他の部分Ｂの露出された半導体層４０、及び感光膜の第１部分をその後ドライエッチング方法で除去する。半導体部分４０は中間層の下に蒸着する。エッチングの間、ゲート絶縁膜３０は実質的にエッチングされない。半導体層４０のエッチング比は中間層５０のエッチング比と実質的に同一である。好ましくは、感光膜パターン１１２、１１４のエッチング比が半導体層４０に対するエッチング比と実質的に同一である。例えば、ＳＦ6とＨＣｌの混合気体や、ＳＦ6とＯ2の混合気体を用いることができる。感光膜パターン１１２、１１４のエッチング比が半導体層４０のエッチング比と実質的に同じ場合、第１部分１１４の厚さは半導体層４０の厚さと中間層５０の厚さとの和と同じであるか、小さい。
【００４４】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、チャンネル部Ｃの第１部分が除去されソース／ドレイン用導電体パターン６７が露出され、その他の部分Ｂの中間層５０及びその他の部分Ｂの半導体層４０が除去され、ゲート絶縁膜３０が露出される。データ配線部Ａの第２部分１１２はエッチングされ、データ配線部Ａの第２部分１１２の厚さが薄くなる。したがって、半導体パターン４２、４８が形成される。図面符号５７と５８は、ソース／ドレイン用導電体パターン６７の下部の中間層パターンと維持キャパシタ用導電体パターン６４の下部の中間層パターンを示す。
【００４５】
その後、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用導電体パターン表面に残っている感光膜を、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）を通じて除去する。
図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用導電体パターン及びチャンネル部Ｃのソース／ドレイン用中間層パターンをエッチングして除去する。ソース／ドレイン用導電体パターンは、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用中間層パターンの下に蒸着する。
【００４６】
ソース／ドレイン用導電体パターンと中間層パターンはドライエッチングすることができる。エッチング終点を探すのが難しいので、ドライエッチングの場合、ソース／ドレイン用導電体パターンと中間層パターンのエッチング選択比が大きいことが好ましい。したがって、エッチング選択比が大きくない場合、チャンネル部Ｃに残留する半導体パターン４２の厚さを調節することが容易ではない。
【００４７】
ドライエッチングはまた、ウェットエッチングと共に行うことができる。ソース／ドレイン用導電体層はウェットエッチングすることができ、中間層パターン５７はドライエッチングすることができる。ウェットエッチングと共にドライエッチングが行われる場合には、ソース／ドレイン用導電体パターンの側面がエッチングされ、中間層パターン５７は殆どエッチングされないので、階段形状で製作される。ＳＦ4とＨＣｌの混合気体やＣＦ4とＯ2の混合気体が中間層パターン５７及び半導体パターン４２をエッチングする時に用いることができる。ＣＦ4とＯ2の混合気体を用いて、均一な厚さを有する半導体パターンを形成することができる。図１６Ｂに示すように、半導体パターン４２の一部が除去され、半導体パターンの厚さが薄くなり、感光膜パターンの第２部分１１２もエッチングされ、感光膜パターンの第２部分１１２の厚さが薄くなる。好ましくは、エッチングは、ゲート絶縁膜３０がエッチングされない条件で行わなければならず、第２部分１１２がエッチングされその下部のデータ配線６２、６４、６５、６６、６８が露出されないように、感光膜パターンが厚い。
【００４８】
その結果、ソース電極６５とドレイン電極６６が分離されながら、データ配線６２、６４、６５、６６、６８と接触層パターン５５、５６、５８が形成される。データ配線６２、６４、６５、６６及び６８は接触層パターン５５、５６、５８上に位置する。
その後、データ配線部Ａに残っている感光膜第２部分１１２を除去する。しかし、第２部分の除去は、チャンネル部Ｃのソース／ドレイン用導電体パターン６７を除去した後行うことができる。第２部分は、導電体パターン５６の下の中間層パターン５７を除去された後行われる。
【００４９】
前述したように、ドライエッチングのみを用いるか、ウェットエッチングとドライエッチングを交互にすることができる。ドライエッチングのみを用いる場合、製造工程は比較的簡単であるが、エッチング条件は制御できない。しかしながら、ウェットエッチングとドライエッチングを交互にする場合、製造工程は複雑であるが、エッチング条件は制御可能である。その後、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、保護膜７０を形成する。
【００５０】
その後、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、保護膜７０とゲート絶縁膜３０をエッチングして、ドレイン電極６６、ゲートパッド２４、データパッド６８、及び維持キャパシタ用導電体パターン６４をそれぞれ露出させる接触孔７６、７４、７８、７２を形成する。エッチング工程はリソグラフィー工程によって行われる。接触孔７４、７８の面積は約２ｍｍ×６０μｍを超過しない。パッド２４、６８は接触孔７４、７８を通じて露出させる。好ましくは、接触孔７４、７８の面積は約０．５ｍｍ×１５μｍ以上である。
【００５１】
その後、図９乃至図１１に示すように、厚さ約４００Å〜５００ÅのＩＴＯ層を蒸着する。その後、ＩＴＯ層をパターンニングする。その結果、画素電極８２、補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８がフォトリソグラフィ工程により形成される。画素電極８２はドレイン電極６６及び維持キャパシタ用導電体パターンと連結され、補助ゲートパッド８６はゲートパッド２４と連結される。補助データパッド８８はデータパッド６８と連結される。
【００５２】
好ましくは、予熱工程で窒素が使用される。予熱はＩＴＯを蒸着する前に行われる。窒素は金属酸化膜が形成されることを防止する。金属酸化層は、接触孔７２、７４、７６、７８を通じて露出された金属膜２４、６４、６６、６８の上部で形成される。
本発明の別の実施例では、データ配線６２、６４、６５、６６、６８と接触層パターン５５、５６、５８及び半導体パターン４２、４８を１つのマスクを用いて形成し、ソース電極とドレイン電極を分離することにより、製造工程を単純化する。
【００５３】
本発明の実施例による方法は、ＡＯＣ（ａｒｒａｙ ｏｎ ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）構造にも適用されることができる。ＡＯＣ構造では、ＴＦＴアレイが色フィルター上に形成される。
図１９は、本発明の別の実施例によるＴＦＴ基板の配置図であり、図２０は、図１９に図示された線ＸＩＸ−ＸＩＸ’に沿って切断した断面図及び下部基板に向かい合う上部基板である。下部基板はＴＦＴ基板である。
【００５４】
下部絶縁基板１００上に拡散防止膜１１８、１１９、１２３及び銅合金からなるデータ配線１２０、１２１、１２４が形成されている。
データ配線１２０、１２１、１２４は、データ線１２０、データパッド１２４及び光遮断部１２１を含む。データ線１２０は基板について縦方向に延長されている。データパッド１２４はデータ線１２０の端に連結し、外部からの画素信号を受信し、受信した画素信号をデータ線１２０へ伝達する。光遮断部はデータ線１２０から分離され、基板１００の下部からＴＦＴの半導体層１７０に入射する光を遮断する。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断し、光遮断部１２１はデータ線１２０から分離して断絶された配線を形成することができる。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断するブラックマトリックスと実質的に同一の機能を有する。
【００５５】
下部絶縁基板１００上には、赤（Ｒ）色フィルター、青（Ｂ）色フィルター、緑（Ｇ）色フィルターを形成する。色フィルター１３１、１３２、１３３のエッジ部分はデータ配線１２０、１２１のエッジと重なる。色フィルター１３１、１３２、１３３はデータ線１２０を全部カバーするように形成することができる。
データ配線１２０、１２１、１２４及び色フィルター１３１、１３２、１３３上に、バッファー層１４０を形成する。バッファー層１４０は、色フィルター１３１、１３２、１３３からのガス抜け（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）を防止し、バッファー層１４０はまた、色フィルター１３１、１３２、１３３が後続工程での熱及びプラズマエネルギーによって損傷されることを防止する。又、バッファー層１４０はデータ配線１２０、１２１、１２４とＴＦＴアレイを分離しているので、これらの間の寄生容量を低減するためには、誘電率が低く、厚さが厚いほど好ましい。
【００５６】
バッファー層１４０上には、二重層構造のゲート配線が形成されている。二重層構造は、下層５０１と上層５０２からなる。下層５０１はアルミニウム及びアルミニウム合金等の物質からなり、上層５０２はモリブデン及びモリブデン合金等の物質からなる。
ゲート配線は、ゲート線１５０、ゲートパッド１５２及びＴＦＴのゲート電極１５１を含む。ゲート線１５０は横方向に延長されデータ線１２０と交差して単位画素を定義する。ゲートパッド１５２はゲート線１５０の端に連結され外部からの画素信号の印加を受けてその画素信号をゲート線１５０に伝達する。ゲート線１５０はＴＦＴのゲート電極１５１を有する。
【００５７】
ゲート線１５０は、画素電極４１０と重なって画素の電荷保存能力を向上させる維持キャパシタを構成する。ゲート線１５０の重畳によって発生する維持容量と画素電極４１０が充分ではない場合、維持容量用共通電極を形成することもできる。
好ましくは、ゲート配線を二重層以上で形成する場合に、一つの層は抵抗が小さく、他の層は接着性が大きい。二重層構造はＡｌ（又は、Ａｌ合金）及びＭｏＷからなることができる。
【００５８】
ゲート配線１５０、１５１、１５２及びバッファー層１４０上には、低温蒸着ゲート絶縁膜１６０が形成されている。この際、低温蒸着ゲート絶縁膜１６０は、有機絶縁膜、低温非晶質酸化珪素膜、または低温非晶質窒化珪素膜で形成することができる。本発明の別の実施例によるＴＦＴ構造の下部基板に色フィルターが形成される。ゲート絶縁膜は高温で蒸着されず、例えば、約２５０℃以下の低温条件で蒸着される。
【００５９】
ゲート電極１５１のゲート絶縁膜１６０上には、二重層構造の半導体層１７１が形成されている。二重層構造の半導体層１７１は島形状である。半導体層１７１の下層半導体層７０１はバンドギャップが高い非晶質珪素で形成され、半導体層１７１の上層半導体層７０２は下層半導体７０１のバンドギャップと比較して、バンドギャップが低い非晶質珪素で形成される。例えば、下層半導体層７０１のバンドギャップを約１．９〜２．１ｅＶで、上層半導体層７０２のバンドギャップを約１．７〜１．８ｅＶで形成することができる。下層半導体層７０１の厚さが約５０〜２００Åであり、上層半導体層７０２の厚さは約１，０００〜２，０００Åで形成することができる。
【００６０】
上層半導体層７０２と下層半導体層７０１との間には、バンドオフセットが形成される。下層半導体層７０１は上層半導体層７０２と異なるバンドギャップを有する。バンドオフセットはバンドギャップの差異と実質的に同一である。ＴＦＴがオン状態になると、下層半導体層７０１と上層半導体層７０２の間に位置するバンドオフセット領域にチャンネルが形成される。このバンドオフセット領域の原子構造は、基本的に同じであるので、バンドオフセット領域は欠陥が少ない。したがって、ＴＦＴの特性は改良される。半導体層１７１は単一層で形成することもできる。
【００６１】
半導体層１７１上には、抵抗性接触層１８２、１８３が形成されている。抵抗性接触層１８２、１８３はｎ型不純物が高濃度でドーピングされている非晶質珪素、微細結晶化された珪素又は金属シリサイドを含み、抵抗性接触層１８２、１８３は互いに分離されている。
抵抗性接触層上には、画素配線４１０、４１１、４１２が形成されている。画素配線４１０、４１１、４１２はソース電極４１２、ドレイン電極４１１及び画素電極４１０を含む。ソース電極４１２は、ゲート絶縁膜１６０及びバッファー層１４０に形成されている接触孔１６１を通じてデータ線１２０と連結されている。ドレイン電極４１１は、画素電極４１０と連結されており、ＴＦＴからの画像信号を画素電極４１０に伝達する。画素配線４１０、４１１、４１２はＩＴＯを有している。ＩＴＯは透明な導電物質である。
【００６２】
補助ゲートパッド４１３及び補助データパッド４１４が接触孔１６２、１６４を通じてゲートパッド１５２及びデータパッド１２４とそれぞれ連結されている。補助ゲートパッド４１３及び補助データパッド４１４は、画素配線４１０、４１１、４１２と実質的に同じ層として形成される。補助ゲートパッド４１３はモリブデン−タングステン合金膜と直接接触しており、補助データパッド４１４は銅合金層と直接接触している。モリブデン−タングステン合金膜はゲートパッド１５２の上部膜５０２であり、銅合金層はデータパッド１２４の上部膜２０２である。画素電極４１０は、画素電極４１０に隣接するゲート線１５０及び画素電極４１０に隣接するデータ線１２０と重なっており、それにより開口率を向上させる。画素電極４１０はゲート線１５０またはデータ線１２０と重ならない場合もある。
【００６３】
ソース電極４１２及びドレイン電極４１１の上部には、保護膜１９０が形成されており、その保護膜１９０上には感光性有色有機膜４３０が形成されている。保護膜１９０はＴＦＴを保護する。感光性有色有機膜４３０は濃い色を有し、光吸収に優れている。有色有機膜４３０は、ＴＦＴの半導体層１７１に入射する光を遮断する役割を果たし、有色有機膜４３０は有色有機膜４３０の高さを調節する。したがって、有色有機膜４３０は下部絶縁基板１００とこれと向かい合う上部絶縁基板２００との間の間隔を維持する。つまり、有色有機膜４３０はスペーサーとして用いられる。保護膜１９０と有機膜４３０は、ゲート線とデータ線１２０に沿って形成することができる。有機膜４３０はまた、ゲート配線とデータ配線の周囲で漏洩される光を遮断することができる。
【００６４】
一方、上部基板２００は、ＩＴＯ又はＩＺＯを有し、共通電極２１０が上部基板２００の全面積に形成されている。共通電極２１０は画素電極４１０と共に電場を生成する。
以下、図１９乃至図２８を参照して、本発明の別の実施例によるＴＦＴ基板の製造方法について、詳細に説明する。
図２１に示すように、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔのような金属を下部絶縁基板１００上で蒸着して、拡散防止膜１２０、１２１、１２４を形成する。拡散防止膜１２０、１２１、１２４の厚さは約５０〜１，０００Åである。その後、その拡散防止膜１２０、１２１、１２４の上に、前記拡散防止膜の形成のために適用した金属元素を０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着した。その後蒸着した合金の上に感光膜パターンを形成する。蒸着された合金はその後ドライエッチング又はウェットエッチングされる。したがって、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程で、下部絶縁基板１００上にデータ配線１２０、１２１、１２４を形成する。データ配線１２０、１２１、１２４はデータ線１２０、データパッド１２４、及び光遮断部１２１を含む。その後、拡散防止膜は大気圧下約４００℃の温度で熱処理して、シリサイドを形成する。
【００６５】
図２２に示すように、赤色（Ｒ）顔料、緑色（Ｇ）顔料及び青色（Ｂ）顔料を含む感光性物質を順次に塗布して、マスクを用いた写真工程でパターニングする。その結果、マスクを用いた写真工程で、赤色フィルター１３１、緑色フィルター１３２及び青色フィルター１３３を順次に形成する。
その後、赤色フィルター１３１、緑色フィルター１３２及び青色フィルター１３３を形成するために３枚のマスクを用いる。しかし、赤色フィルター１３１、緑色フィルター１３２及び青色フィルター１３３を形成するために一つのマスクを使用することができ、それにより製造費用を低減させる。又、マスクを使用せず、レーザ転写法や印刷（ｐｒｉｎｔ）法を用いることもでき、それにより製造費用を最小化することもできる。好ましくは、色フィルター１３１、１３２、１３３のエッジは、データ線１２０のエッジと重なる。図２２に示すように、その後、絶縁基板１００上部にバッファー層１４０を形成する。
【００６６】
その後、アルミニウム又はアルミニウム合金のような第１導電物質とモリブデン又はモリブデン合金のような第２導電物質をスパッタリング等の方法で連続蒸着して、蒸着した導電物質をその後パターンニングする。その結果、バッファー層１４０上にマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で、ゲート配線１５０、１５１、１５２を形成する。ゲート配線１５０、１５１、１５２はゲート線１５０、ゲート電極１５１、及びゲートパッド１５２を含む。ゲート配線１５０、１５１、１５２は、単一層構造で形成することができる。
【００６７】
その後、図２４に示すように、ゲート配線１５０、１５１、１５２及びバッファー層１４０上に低温蒸着ゲート絶縁膜１６０、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２、及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０を順次に蒸着する。
ゲート絶縁膜１６０は、有機絶縁膜、低温非晶質酸化珪素膜及び低温非晶質窒化珪素膜を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜１６０は、約２５０℃以下のような低い蒸着温度でも蒸着されることができる。
【００６８】
第１非晶質珪素膜７０１は、約１．９〜２．１ｅＶのバンドギャップを有する非晶質珪素膜で形成し、第２非晶質珪素膜７０２は、約１．７〜１．８ｅＶのバンドギャップを有する非晶質珪素膜で形成する。第１非晶質珪素膜７０１は、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、又はＣ2Ｈ6を添加したＳｉＨ4ガスを使用したchemical vapor deposition（ＣＶＤ）法によって蒸着することができる。ＳｉＨ4は非晶質珪素を形成するために使用される。例えば、ＳｉＨ4及びＣＨ4をＣＶＤ装置に１：９の比率で投入して、蒸着工程を進行すると、Ｃが約５０％程度含まれ、約２．０〜２．３ｅＶのバンドギャップを有する非晶質珪素膜を蒸着することができる。非晶質珪素層のバンドギャップは、蒸着工程条件によって影響を受け、炭素化合物の添加量によって、バンドギャップを約１．７〜２．５ｅＶにすることができる。
【００６９】
低温蒸着ゲート絶縁膜１６０、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０は、同じＣＶＤ装置でインシチュ（in situ）で、連続的に蒸着することができる。
図２５に示すように、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２、及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０をパターニングして、島形状の半導体層１７１、抵抗性接触層１８１及び接触孔１６１、１６２、１６４をマスクを用いたフォトリソグラフィ工程で形成する。低温蒸着ゲート絶縁膜１６０と有機絶縁膜１４０上に接触孔１６１、１６２、１６４を蒸着する。データ線１２０、ゲートパッド１５２、及びデータパッド１２４を接触孔１６１、１６２、１６４を通じてそれぞれ露出させる。
【００７０】
その後、ゲート電極１５１上で蒸着された膜７０１、７０２、１８０の部分を除き、第１非晶質珪素膜７０１、第２非晶質珪素膜７０２及びドーピングされた非晶質珪素膜１８０は除去される。ゲートパッド１５２上の膜７０１、７０２、１８０の部分及びゲートパッド１５２上のゲート絶縁膜１６０の部分は除去される。データ線１２０及びデータパッド１２４上の膜７０１、７０２、１８０、１６０の部分は除去される。データ線１２０及びデータパッド１２４上の有機絶縁膜１４０の部分もまた除去される。
【００７１】
一つのマスクのみを用いたフォトリソグラフィ工程で形成するためには、部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンをエッチングマスクとして使用する。
図２６に示すように、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０の上部に感光膜を塗布する。感光膜の厚さは約１μｍ〜２μｍである。その後、感光膜パターン３１２、３１４を写真工程により形成する。写真工程はマスクを用いた照射工程及び現像工程からなる。
【００７２】
第１部分３１２は、第２部分３１４より厚い。データ線１２０、データパッド１２４、及びゲートパッド１５２上の感光膜の部分を除去する。感光膜パターン３１２はゲート電極１５１の上で蒸着する。好ましくは、第２部分３１４の厚さに対する第１部分３１２の厚さの比が１／２以下である。第１部分３１２の感光膜の残り厚さは、約４，０００Å以下であることができる。
【００７３】
位置によって異なる厚さを備えた感光膜を形成するために多様な方法が使用される。ここでは、陽性感光膜を用いる。
感光膜がマスクを通じて露出されると、感光膜の光に直接照射される部分の高分子は完全に分解され、感光膜の半透明膜が形成される部分の高分子は部分的に分解され、感光膜の覆われた部分の高分子は分解されない。
【００７４】
感光膜を現像すると、高分子が分解されない部分はそのまま残る。したがって、部分的に照射された部分の感光膜の厚さは照射されていない部分の感光膜の厚さに比べ薄い。照射時間が長すぎると、全ての高分子が分解される。したがって、全ての高分子が分解されないように、照射時間を調節する必要がある。
感光膜を現像すると、第１部分３１２の高分子がそのまま残り、第２部分３１４の高分子は部分的に除去されるので、第２部分３１４の厚さは第１部分３１２の厚さより薄く、Ｃ領域の高分子は完全に除去される。第２部分３１４は部分的に光で照射される。その結果、位置によって異なる厚さを有する感光膜パターンが形成される。
【００７５】
図２７に示すように、その後、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０、第２非晶質珪素膜７０２、第１非晶質珪素膜７０１、及び低温蒸着ゲート絶縁膜１６０をドライエッチングして、ゲートパッド１５２を露出させる接触孔１６２を形成し、Ｃ領域のバッファー層１４０を露出させる。Ｃ領域のバッファー層１４０をドライエッチングして、データ線１２０及びデータパッド１２４を露出させる接触孔１６１、１６４を形成する。ドライエッチングは感光膜パターン３１２、３１４をエッチングマスクとして用いて行われる。
【００７６】
その後、酸素を用いたアッシング工程で、感光膜の第２部分３１４を完全に除去する。
その結果、感光膜パターンの第２部分３１４は除去され、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０が露出され、感光膜パターンの第１部分３１２の厚さは感光膜パターンの第２部分３１２の厚さと実質的に同一にまで減少する。
その後、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０、第１非晶質珪素膜７０１及び第２非晶質珪素膜７０２は残っている感光膜パターンの第１部分３１２をエッチングマスクとして用いてエッチングする。その結果、ドーピングされた非晶質珪素膜１８０、第１非晶質珪素膜７０１及び第２非晶質珪素膜７０２は除去され、半導体層１７１と抵抗性接触層１８１を残留させる。島形状の半導体層１７１は、その下でゲート電極が形成されるゲート絶縁膜１６０上に形成される。ゲート絶縁膜１６０はゲート電極１５１上で蒸着する。
【００７７】
その後、残っている感光膜の第１部分３１２を除去する。第１部分３１２の残っている感光膜を除去するために、酸素を用いたアッシング工程を適用することができる。
図２８に示すように、その後、ＩＴＯ層を蒸着してパターニングする。そこで、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程で、画素電極４１０、ソース電極４１２、ドレイン電極４１１、補助ゲートパッド４１３、及び補助データパッド４１４を形成する。
【００７８】
ソース電極４１２及びドレイン電極４１１をエッチングマスクとして用いて、抵抗性接触層１８１をエッチングして、それにより抵抗性接触層パターンを形成し、半導体層１７１を露出する。抵抗性接触層１８１はソース電極４１２及びドレイン電極４１１の間で蒸着する。抵抗性接触層パターン１８２，１８３は第１部分１８２と第１部分１８２から分離した第２部分１８３を有する。半導体層１７１はソース電極４１２及びドレイン電極４１１の間で蒸着する。
【００７９】
図１９及び図２０に示すように、下部絶縁基板１００の上部に窒化珪素や酸化珪素等の第１絶縁膜と黒色顔料を含む感光性有機物質等の第２絶縁膜を順次蒸着して、マスクを用いた写真工程で、有色有機膜４３０を形成する。写真工程は照射工程と現像工程からなる。第１絶縁物質と第２絶縁物質は色有機膜をエッチングマスクとして用いてエッチングし、保護膜１９０を形成する。有色有機膜４３０は、ＴＦＴに入射する光を遮断できる。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断し、光遮断部１２１はデータ線１２０から分離しており、接続されない配線（disconnected wiring）を形成することができる。光遮断部１２１は漏洩する光を遮断するブラックマトリックスと実質的に同一の機能を有する。光遮断部１２１はまた、ゲート配線またはデータ配線上に形成され、ゲート配線やデータ配線に隣接する漏洩する光を遮断することができる。光遮断部１２１はまた、有機膜４３０の高さを調節して間隔維持材として用いることができる。
【００８０】
上部絶縁基板２００の上には、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明な導電物質を積層して、共通電極２１０を形成する。
銅合金配線は、本発明の実施例によるゲート配線やデータ配線として用いられる。しかし、銅合金配線は基板上に形成される全ての金属層としても適用することができる。銅合金配線はソース／ドレイン電極にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
上述したように、ＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板は銅合金配線を用いて製造され、低い抵抗と高い伝導度を備える。
又、薄い厚さの拡散防止膜とその拡散防止膜と同じ元素を添加した銅合金を用いて銅合金を形成するので、同時エッチングが可能である。後続工程での銅配線と基板間との相互拡散はまた薄い拡散防止膜により防止することができる。
【００８２】
以上、上述した実施例を参照して本発明を詳細に説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１Ａ】本発明の方法によって液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の方法によって液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の方法によって液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板上に銅合金配線を製造するための工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板である。
【図３】図２のＩＩ−ＩＩに沿って切断した断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図７】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程を工程順序によって示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図９】図８のＶＩＩ−ＶＩＩ’に沿って切断した断面図である。
【図１０】図８のＩＸ−ＩＸ’に沿って切断した断面図である。
【図１１Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１１Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１２Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１４Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１４Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１５Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１５Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１６Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１６Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１７Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１７Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１８Ａ】図９に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１８Ｂ】図１０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１９】本発明の第３実施例による薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２０】図１９に図示された薄膜トランジスタ基板をＸＩＸ−ＸＩＸ’に沿って切断した断面図である。
【図２１】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２７】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【図２８】図２０に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ シリコン基板
１１ 拡散防止膜
１１ａ 拡散防止膜パターン
１１ｂ シリサイド化合物層
１２ 銅合金配線
１２ａ 配線パターン
２２ ゲート線
２４ ゲートパッド
２６ ゲート電極
３０ ゲート絶縁膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン元素を含む基板と、
前記基板上に形成された拡散防止膜と、
前記拡散防止膜上に形成され、前記拡散防止膜を形成するために使用される物質を約０．５〜１５ａｔ％含む銅合金層と、を含むＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項２】
前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つのシリサイド化合物で形成されることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項３】
前記拡散防止膜の厚さは、約５０〜５，０００Åであることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項４】
前記銅合金層は、ゲート線、ソース／ドレイン電極、及びデータ線に相当する金属層を備えることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項５】
前記シリコン元素を含む基板は、シリコン基板、ガラス基板、又はプラスティック基板であることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項６】
シリコン元素を含む基板上に拡散防止膜を形成する段階と、
銅と前記拡散防止膜の形成のために適用した物質を０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着して、ゲート配線層を形成する段階と、
前記ゲート配線層をエッチングして、ゲート線、ゲートパッド、及びゲート電極を含むゲートパターンを形成する段階と、
ゲート絶縁膜を積層する段階と、
半導体層パターン及び抵抗性接触層パターンを形成する段階と、
データ配線物質を塗布してパターニングして前記ゲート線と交差するデータ線、前記データ線と連結されているデータパッド、前記データ線と連結され前記ゲート電極に隣接するソース電極、及び前記ゲート電極に対して前記ソース電極の反対側に位置するドレイン電極を含むデータ配線を形成する段階と、
保護膜を形成する段階と、
前記保護膜と前記ゲート絶縁膜をパターニングして、前記ゲートパッド、前記データパッド、及び前記ドレイン電極をそれぞれ露出させる接触孔を形成する段階と、
透明導電膜を積層する段階と、
前記透明導電膜をエッチングして、前記ゲートパッド、前記データパッド、及び前記ドレイン電極とそれぞれ連結される補助ゲートパッド、補助データパッド及び画素を形成する段階と、を含むＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項７】
前記拡散防止膜は、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つの化合物を約５０〜５，０００Åの暑さに蒸着する段階と、
前記蒸着化合物を熱処理工程によってシリサイド化合物に変換する段階と、を通じて製造されることを特徴とする請求項６記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項８】
前記熱処理工程は、ゲート絶縁膜を積層する蒸着処理工程であることを特徴とする請求項７記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理工程は、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下、約２００〜５００℃の温度で行われることを特徴とする請求項７記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に拡散防止膜を形成する段階と、
銅と前記拡散防止膜の形成のために適用した物質を０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着して、ゲート配線層を形成する段階と、
前記ゲート配線層をエッチングして、ゲート線、ゲートパッド、及びゲート電極を含むゲートパターンを形成する段階と、
ゲート絶縁膜を積層する段階と、
半導体層、抵抗性接触層、及び導電体層を積層する段階と、
第１部分、前記第１部分より厚さが厚い第２部分、前記第１厚さより厚さが薄い第３部分を有する感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを用いてデータ線とこれと連結されたデータパッド、ソース電極、及びドレイン電極を含むデータ配線、抵抗性接触層パターン、及び半導体層パターンを形成する段階と、
保護膜を形成する段階と、
前記保護膜と前記ゲート絶縁膜をパターニングして、前記ゲートパッド、前記データパッド、及び前記ドレイン電極をそれぞれ露出させる接触孔を形成する段階と、
透明導電膜を積層する段階と、
前記透明導電膜をエッチングして、前記ゲートパッドと連結される補助ゲートパッド、前記データパッドと連結される補助データパッド、及び前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含むＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記拡散防止膜は、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つの化合物を約５０〜５，０００Åで蒸着する段階と、
熱処理工程によって前記蒸着化合物をシリサイド化合物に変換する段階と、を通じて製造されることを特徴とする請求項１０記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記熱処理工程は、後続するゲート絶縁膜を蒸着する蒸着処理工程であることを特徴とする請求項１１記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記熱処理工程は、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下、約２００〜５００℃で行われることを特徴とする請求項１１記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１部分は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するように形成し、前記第２部分は前記データ配線上部に位置することを特徴とする請求項１０記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１５】
絶縁基板上に拡散防止膜を形成する段階と、
銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着して、データ線を含むデータ配線を形成する段階と、
前記基板上部に赤色フィルター、緑色フィルター及び青色フィルターを形成する段階と、
バッファー物質を蒸着して、前記データ配線及び前記色フィルターを覆うバッファー層を形成する段階と、
前記バッファー層上部にゲート配線層を形成する段階と、
前記ゲート配線層をエッチングして、ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に島形状の抵抗性接触層、前記ゲート絶縁膜上に半導体層パターン及び、前記ゲート絶縁膜と前記バッファー層に前記データ線の一部を露出させる第１接触孔を形成する段階と、
前記島形状の抵抗性接触層パターンを覆う透明導電物質をエッチングして、ソース電極、前記ソース電極から分離され、前記ソース電極と実質的に同じ層の上に形成されるドレイン電極、及び前記ドレイン電極と連結された画素電極を含む画素配線を形成する段階と、
前記ソース用電極と前記ドレイン用電極との間に位置する前記抵抗性接触層パターンの露出部分を除去して、前記抵抗性接触層パターンを両方に分離する段階と、を含むＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記拡散防止膜は、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つの化合物を約５０〜５，０００Åで蒸着する段階と、
熱処理工程によって、前記蒸着化合物をシリサイド化合物に変換する段階と、を通じて製造されることを特徴とする請求項１５記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１】
シリコン元素を含む基板と、
前記基板上に形成された拡散防止膜と、
前記拡散防止膜上に形成され、前記拡散防止膜を形成するために使用される物質を約０．５〜１５ａｔ％含む銅合金層と、を含むＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項２】
前記拡散防止膜は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つのシリサイド化合物で形成されることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項３】
前記拡散防止膜の厚さは、約５０〜５，０００Åであることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項４】
前記銅合金層は、ゲート線、ソース／ドレイン電極、及びデータ線に相当する金属層を備えることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項５】
前記シリコン元素を含む基板は、シリコン基板、ガラス基板、又はプラスティック基板であることを特徴とする請求項１記載のＬＣＤ装置のＴＦＴ基板。
【請求項６】
シリコン元素を含む基板上に拡散防止膜を形成する段階と、
銅と前記拡散防止膜の形成のために適用した物質を０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着して、ゲート配線層を形成する段階と、
前記ゲート配線層をエッチングして、ゲート線、ゲートパッド、及びゲート電極を含むゲートパターンを形成する段階と、
ゲート絶縁膜を積層する段階と、
半導体層パターン及び抵抗性接触層パターンを形成する段階と、
データ配線物質を塗布してパターニングして前記ゲート線と交差するデータ線、前記データ線と連結されているデータパッド、前記データ線と連結され前記ゲート電極に隣接するソース電極、及び前記ゲート電極に対して前記ソース電極の反対側に位置するドレイン電極を含むデータ配線を形成する段階と、
保護膜を形成する段階と、
前記保護膜と前記ゲート絶縁膜をパターニングして、前記ゲートパッド、前記データパッド、及び前記ドレイン電極をそれぞれ露出させる接触孔を形成する段階と、
透明導電膜を積層する段階と、
前記透明導電膜をエッチングして、前記ゲートパッド、前記データパッド、及び前記ドレイン電極とそれぞれ連結される補助ゲートパッド、補助データパッド及び画素を形成する段階と、を含むＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項７】
前記拡散防止膜は、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つの化合物を約５０〜５，０００Åの暑さに蒸着する段階と、
前記蒸着化合物を熱処理工程によってシリサイド化合物に変換する段階と、を通じて製造されることを特徴とする請求項６記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項８】
前記熱処理工程は、ゲート絶縁膜を積層する蒸着処理工程であることを特徴とする請求項７記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理工程は、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下、約２００〜５００℃の温度で行われることを特徴とする請求項７記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に拡散防止膜を形成する段階と、
銅と前記拡散防止膜の形成のために適用した物質を０．５〜１５ａｔ％含む銅合金を蒸着して、ゲート配線層を形成する段階と、
前記ゲート配線層をエッチングして、ゲート線、ゲートパッド、及びゲート電極を含むゲートパターンを形成する段階と、
ゲート絶縁膜を積層する段階と、
半導体層、抵抗性接触層、及び導電体層を積層する段階と、
第１部分、前記第１部分より厚さが厚い第２部分、前記第１厚さより厚さが薄い第３部分を有する感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを用いてデータ線とこれと連結されたデータパッド、ソース電極、及びドレイン電極を含むデータ配線、抵抗性接触層パターン、及び半導体層パターンを形成する段階と、
保護膜を形成する段階と、
前記保護膜と前記ゲート絶縁膜をパターニングして、前記ゲートパッド、前記データパッド、及び前記ドレイン電極をそれぞれ露出させる接触孔を形成する段階と、
透明導電膜を積層する段階と、
前記透明導電膜をエッチングして、前記ゲートパッドと連結される補助ゲートパッド、前記データパッドと連結される補助データパッド、及び前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含むＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記拡散防止膜は、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つの化合物を約５０〜５，０００Åで蒸着する段階と、
熱処理工程によって前記蒸着化合物をシリサイド化合物に変換する段階と、を通じて製造されることを特徴とする請求項１０記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記熱処理工程は、後続するゲート絶縁膜を蒸着する蒸着処理工程であることを特徴とする請求項１１記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記熱処理工程は、真空下、大気圧下、又はＮ2ガス雰囲気下、約２００〜５００℃で行われることを特徴とする請求項１１記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１部分は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するように形成し、前記第２部分は前記データ配線上部に位置することを特徴とする請求項１０記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１５】
絶縁基板上に拡散防止膜を形成する段階と、
銅と前記拡散防止膜に含まれた元素が０．５〜１５ａｔ％で含まれた合金を蒸着して、データ線を含むデータ配線を形成する段階と、
前記基板上部に赤色フィルター、緑色フィルター及び青色フィルターを形成する段階と、
バッファー物質を蒸着して、前記データ配線及び前記色フィルターを覆うバッファー層を形成する段階と、
前記バッファー層上部にゲート配線層を形成する段階と、
前記ゲート配線層をエッチングして、ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に島形状の抵抗性接触層、前記ゲート絶縁膜上に半導体層パターン及び、前記ゲート絶縁膜と前記バッファー層に前記データ線の一部を露出させる第１接触孔を形成する段階と、
前記島形状の抵抗性接触層パターンを覆う透明導電物質をエッチングして、ソース電極、前記ソース電極から分離され、前記ソース電極と実質的に同じ層の上に形成されるドレイン電極、及び前記ドレイン電極と連結された画素電極を含む画素配線を形成する段階と、
前記ソース用電極と前記ドレイン用電極との間に位置する前記抵抗性接触層パターンの露出部分を除去して、前記抵抗性接触層パターンを両方に分離する段階と、を含むＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記拡散防止膜は、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択された少なくとも一つの化合物を約５０〜５，０００Åで蒸着する段階と、
熱処理工程によって、前記蒸着化合物をシリサイド化合物に変換する段階と、を通じて製造されることを特徴とする請求項１５記載のＬＣＤ装置用ＴＦＴ基板の製造方法。
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公表番号】特表２００６−５０６６８２（Ｐ２００６−５０６６８２Ａ）
【公表日】平成１８年２月２３日（２００６．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５５３２４８（Ｐ２００４−５５３２４８）
【出願日】平成１５年１０月２７日（２００３．１０．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００３／００２２７０
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０４７１５９
【国際公開日】平成１６年６月３日（２００４．６．３）
【出願人】（５０３４４７０３６）サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド (2,221)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年２月２３日（２００６．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１５年１０月２７日（２００３．１０．２７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００３／００２２７０
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０４７１５９
【国際公開日】平成１６年６月３日（２００４．６．３）
【出願人】（５０３４４７０３６）サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド (2,221)
【Ｆターム（参考）】
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