【課題】トランジスタが有するしきい値相当分の電圧／電流のロスを低減し、プロセスの簡略化、及び回路構成の簡素化を目的とした整流特性を有する半導体装置（ＲＦＩＤ）を提供する。
【解決手段】無線によりデータの交信が可能な半導体装置（ＲＦＩＤ）を構成する素子に整流回路を設ける。整流回路において、電波を受信するアンテナと整流回路のトランジスタのゲートとドレイン端子との間に、コイルを重ねて配置することで、電波を受信するアンテナとコイルの結合を利用して、ダイオード単体と比較しダイオードとコイルが出力する電圧を大きくし、整流効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層のテーパー形状を有する端部の特性を良好にすることを課題とする。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部の形状がテーパー形状である第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】自己整列リセス・ゲート構造及び形成方法の提供。
【解決手段】最初に，絶縁用のフィールド酸化物領域２０を半導体基板１０内に形成する。半導体基板の上に形成された絶縁層内に複数のコラムを画定し，それに続いて，薄い犠牲酸化物層を半導体基板の露出領域の上に形成するが，フィールド酸化物領域の上には形成しない。次に，各コラムの側壁上，並びに犠牲酸化物層及びフィールド酸化物領域の一部分の上に誘電体を設ける。第１エッチングを行い，それにより，半導体基板内に第１組のトレンチを，またフィールド酸化物領域内に複数のリセスを形成する。第２エッチングを行い，それにより，コラムの側壁上に残っている誘電体残留部を除去し，かつ第２組のトレンチを形成する。次に，第２組のトレンチ内及びリセス内にポリシリコンを堆積させ，それにより，リセス導電性ゲートを形成する。 （もっと読む）

【課題】集積化が進む配線基板、又は半導体装置において、導通不良を軽減する。信頼性の高い配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】多層配線構造を有する配線基板、又は半導体装置において、該配線に用いる導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いる。周囲の絶縁層の除去によって露出された下層の導電層の先端部は曲面であり、下層の導電層上に積層する上層の導電層の被覆性を良好とすることができる。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって曲面な表面を有する導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるｔ（秒）を、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。さらに、ゲート絶縁膜の一部として金属酸化物膜を用いることで、酸化物半導体膜への水素または水のなどの不純物の再混入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュ動作を不要とする酸化物半導体を利用した光センサ、当該光センサを搭載した半導体装置、及び光センサを利用した光の測定方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いて形成されたチャネルを含むトランジスタに、ゲート電圧をパルス状に印加することにより、一定のゲート電流が得られることを見出し、これを光センサに応用した。当該光センサはリフレッシュ動作を要さないため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。比較的高い移動度と低いＳ値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値が小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】フッ素原子を含む繰り返し単位と、光エネルギー又は電子線のエネルギーを吸収して二量化反応を起こす官能基を含む繰り返し単位とを、有する高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＦＦＳモードの液晶表示装置において、半透過マスクを用いることなくフォトリソグラフィー工程数を削減することができ、さらに断線を防止することができる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線４３を覆うゲート絶縁膜１１上に形成されたソース配線４４と、ゲート絶縁膜１１上に形成され、ドレイン電極５の下のほぼ全面と、ソース電極４の下のほぼ全面と、ソース配線４４の下のほぼ全面と、ゲート電極の対面とに配設された半導体層２と、一部がドレイン電極５の上に直接重なり形成された画素電極６と、ソース電極４及びソース配線４４の上に、画素電極６と同じ層によって直接重なり形成された透明導電パターン６ａと、画素電極６及び透明導電パターン６ａを覆う層間絶縁膜１２上に形成され、画素電極６との間でフリンジ電界を発生させる対向電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】作製工程が簡便であるガスセンサを提供することを課題の一とする。また、作製コストが抑制されたガスセンサを提供することを課題の一とする。
【解決手段】ガスセンサの検知素子として機能する、酸化物半導体層がガスと接するトランジスタと、検出回路を構成する、酸化物半導体層がガスバリア性を有する膜に接するトランジスタとを、同一表面上に単一工程で作製し、これらのトランジスタを用いたガスセンサを作製すればよい。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０に接して、有機樹脂膜５１を含む層間絶縁膜５０を設ける。層間絶縁膜５０の厚みを厚くして、ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の段差を確実に被覆し、ソース電極６０Ｓおよびドレイン電極６０Ｄの断線あるいは短絡など、層間絶縁膜５０に起因する不良を抑える。層間絶縁膜５０は、有機樹脂膜５１および第１無機絶縁膜５２の積層構造を有していることが好ましい。酸素や水分などに対するバリア性の高い第１無機絶縁膜５１により、酸化物半導体膜２０への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ１の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶構造を有する金属を用いた場合でも、簡便な方法で、再現性良く階段構造状のテーパーを有する電極を形成する。
【解決手段】真空状態を保ったままの状態において、同一種類の金属を用いて、スパッタリング法で少なくとも２層の金属膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程によって成膜された複数の金属膜にエッチング処理を施すことにより、階段構造状のテーパー形状を端部に有する、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも１つを形成するエッチング工程とによって薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのＯＨ基除去法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化物半導体膜へ混入するのを防止することにより、酸化物半導体膜を高純度化および電気的にｉ型（真性）化することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する脱水化または脱水素化された酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層のバックチャネル側に有る絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とする。例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の加熱処理を行って第１の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第１の結晶層を形成し、第１の結晶層上に第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行って第１の結晶層からその上の第２の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第２の結晶層を形成し、第２の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第２の結晶層に酸素原子を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴うゲート電極サイズの微細化においても、ゲート電極とチャネル形成領域間のリーク電流が抑制された半導体素子を提供することを課題の一とする。また、小型かつ高性能な半導体装置を提供することを課題の一とする
【解決手段】チャネル形成領域として機能する半導体層上に、ゲート絶縁膜として比誘電率が１０以上の酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成し、前記酸化ガリウム上にゲート電極が形成された構造を有する半導体素子を作製することにより、課題の一を解決する。また、前記半導体素子を用いて半導体装置を作製することにより、課題の一を解決する。 （もっと読む）