【課題】 本発明は、大量生産上、多面取りが可能な大面積基板を用いて不純物元素を均一にドーピングする装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、イオン流の断面を線状もしくは長方形とし、かつ、イオン流に対し大面積基板を所定の傾斜角度θだけ傾斜させた状態に保ったまま、大面積基板をイオン流の長尺方向と垂直な方向に移動させることを特徴の一つとしている。本発明において、イオンビームの入射角は、傾斜角度θを変更することによって調節する。水平面に対し大面積基板を傾斜状態とすることで、イオン流の長尺方向の幅を基板の一辺の長さよりも短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 レンズアレイを用いて結晶化等を行う際に照射体において反射した戻り光による悪影響を回避した、レーザ発振器の安定性を高く保ち、かつ均一なレーザ処理をすることができるレーザ照射技術、並びにそれを用いる結晶化方法及び半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されたレーザ光をシリンドリカルレンズアレイ等のレンズアレイを通過させて複数に分割し、分割後のレーザ光を焦点を結ぶ位置でスリットの開口を通過させ、その後更に集光レンズを通過させて照射面上に照射する。
このようにして、スリットを用いることにより照射体で反射した戻り光をカットし、レーザの出力又は周波数の変動や、ロッドの破壊を防ぐものであり、その結果レーザ光の出力を安定化させ、これによって、安定して強度分布の均一なレーザ光を照射面において照射することができ、均一なアニールを行う。 （もっと読む）

特に、トランジスタ（１２２）（好ましくはＦｉｎＦＥＴ）、および、キャパシタ（１２４）を備えた集積回路構造（１２０）を開示する。キャパシタ（１２４）の下部電極は、ＳＯＩ基板ないに、トランジスタ（１２２）のチャネル部に沿って配置されている。これにより、本発明の回路構造（１２０）は、簡単に製造され、優れた電子特性を有している。
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【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと；画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスにおいて、ポリマ層を形成し封じ込める。
【解決手段】絶縁性ポリマ層によって保護された半導性ポリマ層を形成する改良された方法を説明する。この方法では、半導性ポリマおよび絶縁性ポリマを形成する物質を溶媒中で溶解する。混合溶液を基板の上に堆積すると、半導性ポリマと絶縁性ポリマとが分離する。溶媒が気化すると、半導性物質はＴＦＴのアクティグ領域を形成し、絶縁性ポリマは、半導性ポリマが空気に露出されることを最小限にする。 （もっと読む）

【課題】 長期的には光照射による有機半導体層の劣化を防止し、短期的には照射される光の変化などが有機半導体素子の動作の不安定な要因や一種のノイズとして振舞うことを防止することが可能な有機半導体素子技術を提供すること。
【解決手段】 カーボンブラックを１２重量％混入したポリカーボネート基板２０１上に、絶縁膜２１２ｂを設けた後、カソード電極２０２を作製し、この上に、有機半導体材料２０４を蒸着などで作製している。その上に、アノード電極２０３を作製する。基板材料にポリカーボネートを電気的絶縁層を兼ねて利用し、遮光層として裏面側にポリカーボネートの原料（２１１ａ）にフィラーとしてカーボンブラックを約１２重量％混合したものを塗布することで作製した。有機半導体材料および電極と前記遮光性ポリカーボネートの間に絶縁性の膜２１２ｂを設けてもよいが、基板材のポリカーボネート材の絶縁性を利用してもよい。 （もっと読む）

【課題】 従来よりもオン電流値を上昇させ、精度の高い回路動作を行なえるようにした、優れた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート絶縁部２に、強誘電体物質を含有するコア部と、常誘電体物質を含有するシェル部とからなるコア・シェル構造粒子を含有させる。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、プリチャージ回路、サンプリング回路等が有するＴＦＴの下側からの戻り光等に対する遮光性能を高め、優れたスイッチング特性により高品質の画像表示を行う。
【解決手段】 液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴや、プリチャージ回路（２０１）及びサンプリング回路（３０１）のＴＦＴの下側には、遮光層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。
【解決手段】 電界効果トランジスタに、強誘電性及び強磁性をともに有する物質を含有する絶縁部１６と絶縁部１６に対向して設けられ強磁性を少なくとも有する物質を含有する強磁性部１４とを設ける。 （もっと読む）

本発明は、特に、ＳＯＩ技術およびサリサイド技術により、ダブルゲート・トランジスタ（１０）として生成される、電界効果トランジスタ（１０）に関する。トランジスタ（１０）は、５ボルトよりも高いまたは９ボルトよりもさらに高いターンオン電圧に適し、非常に小さなチップ表面のみを必要とする。トランジスタ（１０）は基板領域（１４）を有する。基板領域（１４）は、２つの電極領域（１６、１８）と、２つの電気的に絶縁性の絶縁層（１００、１０２）であって、基板領域（１４）の対向する面に配置され、制御領域（２０、２２）に隣接する、絶縁層と、少なくとも１つの電気的に絶縁性の領域（１２、１１０）と、導電性の接続領域（２８）、または、１つの電極領域（１６）と該基板領域（１４）との間の導電性の接続領域の部分（２３０）とに囲まれる。
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【課題】異物や膜残り等によるソース電極とドレイン電極との短絡、ドレイン電極やドレイン引出配線の断線及びＴＦＴ動作不良等による画素欠陥に対して、開口率を減少させることなく、点欠陥となる画素を容易かつ確実に修正することができ、液晶表示装置の歩留りを向上させることができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、複数本の走査信号線及びデータ信号線と、信号線の交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのドレイン電極又はドレイン引出配線に接続された画素電極とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記アクティブマトリクス基板は、データ信号線が少なくとも部分的に複線化された構造を有し、かつ修正用接続電極を備えるアクティブマトリクス基板である。 （もっと読む）

【課題】 カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタと、カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタのアレイと、デバイス構造体とを製造するための方法、及び、該方法によって形成されたデバイス構造体のアレイを提供する。
【解決手段】 本方法は、ゲート電極層と、各々がソース／ドレイン・コンタクトと電気的に結合された触媒パッドとを含む積層構造体を形成することを含む。ゲート電極層は多数のゲート電極に分割され、少なくとも１つの半導体カーボン・ナノチューブが、化学気相堆積プロセスによって触媒パッドの各々の上に合成される。完成したデバイス構造体は、ゲート誘電体によって覆われた側壁を有するゲート電極と、該ゲート電極の該側壁に隣接する少なくとも１つの半導体カーボン・ナノチューブとを含む。ソース／ドレイン・コンタクトを半導体カーボン・ナノチューブの両端と電気的に結合することによって、デバイス構造体が完成する。多数のデバイス構造体は、メモリ回路又は論理回路のいずれかとして構成することができる。 （もっと読む）

有機物を含有する半導体層（１５）と、少なくとも互いに電気的に非接触である第一電極（１６）、第二電極（１２）及び第三電極（１４）を含む電界効果トランジスタであって、半導体層（１５）の上方に第一電極（１６）が配置され、半導体層（１５）の下方に第二電極（１２）が配置され、半導体層（１５）の側方に第三電極（１４）が配置され、半導体層（１５）は第一電極（１６）、第二電極（１２）及び第三電極（１４）から選ばれるいずれか２つの電極と電気的に接合され、各電極（１２，１４，１６）間には電気的絶縁体層（１３，１７）を介在させ、第一電極（１６）は半導体層（１５）の上方を半導体層（１５）の外周部より外側にはみ出して覆っている。これにより、有機半導体を用いた電界効果トランジスタであっても、空気や水に強く、かつ長寿命な電界効果トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。 （もっと読む）

ヘテロ接合を有する半導体デバイス。このデバイスは、基板と少なくとも１つのナノ構造とを備える。この基板とナノ構造とは、異なる材料から成る。この基板は、例えばＩＶ族半導体材料から成ることがあるのに対して、このナノ構造は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料から成ることもある。このナノ構造は、この基板によって支持され、この基板とエピタキシャルな関係にある。ナノ構造は、ゲートアラウンドトランジスタデバイスなどの電子デバイスの機能コンポーネントになる可能性がある。ゲートアラウンドトランジスタの一実施形態においては、ナノワイヤ（５１）が、基板（５０）によって支持され、この基板はドレインであり、このナノワイヤは電流チャネルであり、上部金属コンタクト（５９）はソースである。薄いゲート絶縁膜（５４）が、このナノワイヤとこのゲート電極（５５Ａ、５５Ｂ）とを絶縁している。
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本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、ＩＺＯ及びＩＴＯの２重層で形成することに対する発明であって、ＩＺＯで形成された下部層とＩＴＯで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをＩＺＯとＩＴＯ二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ＩＴＯの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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有機半導体を有する電界効果トランジスタ、特に相互接続構造を有する複数の電界効果トランジスタを含むデバイスを製造する方法が提供される。ここで、４層に対して３つのフォトリソグラフィ・マスクが使用される。それに加えて、トランジスタがトップ・ゲート構造で提供され、有機半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）が構造であり、一緒にパターン化される。電界効果トランジスタ（３００）に関連しない領域または第１および第２導電体層（３０３，３０５，５０１）の交差導電体部に関連しない領域から半導体層（３０７）および誘電体層（３０９）を取り除くことができる。
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個別ゲート構造（７０１，７０３）を備えたトランジスタを形成する方法。これらのゲート構造はそれぞれ、半導体構造（１０５）の複数の側壁に隣接する。本方法は、ゲート材料層（２０３）を含む少なくとも一つの共形な層を、チャネル領域を含む半導体基板の上に堆積させることを含む。平坦層（４０３）がウェハの上に形成される。平坦層は、基板上の所定の位置において少なくとも一つの共形な層の頂部表面よりも低い位置に頂部表面を有する。少なくとも一つの共形な層をエッチングすることにより、半導体構造の上のゲート材料は除去される。
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【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）