【課題】薄膜トランジスタのオン電流の向上を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。特に、プラズマ処理後に不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）を形成するので、不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）がプラズマに晒されて変質することがなく、薄膜トランジスタ５、６において、結晶性シリコンを含む半導体膜５ｂ、６ｂに応じたオン電流の向上が得られる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、入射光を正確に電気信号に変換することを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタを有し、第２のトランジスタは、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、第３のトランジスタは、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を放電する機能と、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを非導通状態とする期間において、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタのゲートに印加される電圧レベルを、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタのソース及びドレインの低電圧の側の電圧レベルより小さくする。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、３次元高集積化を図ることを目的の一つとする。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、良好な画質を有するとともに、製品の歩留まりを向上させることができる発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン領域となる不純物半導体領域１６が、チャネル保護層１５を含むマスクを用いたイオンドーピングにより形成され、また、シリサイド領域１７が、当該不純物半導体領域１６上へのソース、ドレインメタル層の成膜後のアニールにより不純物半導体領域１６の活性化と同時に形成される。ソース、ドレイン電極１８は、チャネル保護層１５からアライメントずれの最大量よりも離間するように配置形成される。また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域であるデバイスエリアが、上記ソース、ドレイン電極１８となるソース、ドレインメタル層１８ｘのパターニング時に同時に画定される。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパー等の表示装置に適用した場合に、その消費電力を小さくでき、歩留まりを向上させることができるアクティブマトリクス型駆動基板及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜２を表面に有する導電基材１上に設けられた薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０と、薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０を第２絶縁膜１６，１７を介して覆う画素電極３０を有し、保持容量２０が第１電極２１と誘電体膜２２と薄膜トランジスタ１０のソース・ドレイン電極１４，１５に接続する第２電極２３との積層体であるアクティブマトリクス型駆動基板５０であって、導電基材１と第１電極２１とが第１絶縁膜２の開口部４で接続されているように構成する。第２絶縁膜（１６，１７）が少なくとも層間絶縁膜１７を有し、導電基材１が金属基材であり、第１絶縁膜２が金属基材１の表面粗さを低減する平坦化膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製に際して、処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記希ガスプラズマ処理は、好ましくは前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみを異ならせる。希ガスとしてはアルゴンが好ましく、前記半導体膜には希ガス元素を２．５×１０^１８ｃｍ^−３以上含ませることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】回路ブロックを構成するＭＯＳ型トランジスタを同一構造にしたまま駆動電圧を下げ、消費電力を低くすることができる複数の回路ブロックから構成される半導体装置の提供。
【解決手段】本半導体装置の構造は、消費電力を低くしたい回路ブロック１１が設けられている半導体基板１４の厚さ１９を薄くすることにより、ＭＯＳ型トランジスタの閾値を小さくでき、駆動電圧を下げ、所望の回路ブロックの消費電力を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を複雑化させることなく、高集積化を実現することが可能な、ＤＲＡＭ混載の集積回路の提供。
【解決手段】ＤＲＡＭを有する集積回路であって、ＤＲＡＭには、薄膜トランジスタを備えたメモリセルが複数設けられており、薄膜トランジスタは、活性層と、活性層が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っている第１の電極及び第２の電極とを有しており、データに従って薄膜トランジスタのドレイン電圧を制御することで、チャネル形成領域における正孔の蓄積の有無を選択し、正孔の蓄積の有無を把握することでデータを読み出すことを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】低価格化の要請に応えることができ、半導体膜として用いた酸化物半導体膜にダメージを与えない手段を含む薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを含む集積回路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に酸化物半導体膜３をパターン形成する工程と、活性化処理により酸化物半導体膜３にソース・ドレイン接続領域３ｓ，３ｄを形成する工程と、ソース・ドレイン接続領域３ｓ，３ｄが形成された酸化物半導体膜３を覆うように、塗布法、反応性スパッタリング法又はパルスプラズマＣＶＤ法でゲート絶縁膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜４にコンタクトホール５を開けてソース・ドレイン電極６を前記ソース・ドレイン接続領域３ｓ，３ｄに接続するとともに酸化物半導体膜３上にゲート電極７を形成する工程と、を少なくとも有する製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板などの柔軟性を有するフレキシブル基板に転写後のデバイスに対してＦＰＣを圧着する際、クラック等の不良発生を防止する。
【解決手段】転写する被剥離層として、素子を有する回路を含む層４０５ａと、端子電極４０５ｂとを形成し、その上にクラックを防止するための樹脂からなる保護層４０５ｃを形成す。ＦＰＣの接続を行う部分において、端子電極の電極面が露出している。ＦＰＣ４０７を圧着して異方性導電フィルム４０６により接続を行う。この圧着工程において、保護層４０５ｃによって配線が保護されているため、加圧変形によるクラックの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルム上に形成した薄膜トランジスタにクラックが発生し難い薄膜トランジスタ基板並びにそれを備えた表示装置及び電磁波センサを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板１００は、樹脂フィルム１０と、前記樹脂フィルム上に設けられており、圧縮応力性の層１２Ａ，１２Ｂと引張応力性の層１４とが少なくとも３層交互に積層され、最下層及び最上層が前記圧縮応力性の層である積層構造を有するバッファ層１６と、前記バッファ層上に設けられている薄膜トランジスタ２１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】圧力センサとその製造方法において、従来よりも微小な領域の圧力を測定できるようにすること。
【解決手段】チャンネルとしてグラフェン層３を備えたトランジスタTRと、トランジスタTRのゲート５上に片方の端部が接続された圧電材料を含むナノワイヤ８とを有する圧電センサ１０による。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつ
コストを抑えることができる発光装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するＴＦＴとを有する
画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、発光素子への電流の供給を制御する
ＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間
に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一
対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添
加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴と
する発光装置。 （もっと読む）

【課題】十分な復調能力を有する復調回路を提供することを課題の一とする。または、十分な復調能力を有する復調回路を用いたＲＦＩＤタグを提供することを課題の一とする。
【解決手段】復調回路に用いられるトランジスタの一部に、逆方向電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いる。トランジスタの逆方向電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、振幅の大きな電磁波を受ける場合であっても、十分な復調能力を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスウィンドウが広く、特性安定性が高い電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極と；電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と；前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、ｎ型酸化物半導体からなる活性層と；前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と；を備える電界効果型トランジスタであって、前記酸化物半導体が、３価、４価、５価および６価の少なくとも１つのカチオンを導入することによりｎ型ドーピングされた結晶組成化合物であることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）