【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属表面を有する基板１１と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜１２と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、ＴＦＴと、該ＴＦＴと接続する配線２１とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。 （もっと読む）

【課題】作製工程を増やすことなく、凹凸形状の画素電極を作製することを目的とする。
【解決手段】凸部は、フォトマスクを用いて作製すると再現性の高いものが得られるため、画素ＴＦＴ１２０３の作製工程にしたがって作製すればよい。画素ＴＦＴ１２０３の作製と同様に積層される半導体層、ゲート絶縁膜および導電膜を積層して凸部を形成する。こうして形成された凸部および同一工程で形成された画素ＴＦＴ、駆動回路に含まれるＴＦＴを覆うように層間絶縁膜を形成する。凹凸を有する層間絶縁膜が形成されたら、その上に画素電極を形成する。画素電極の表面も絶縁膜の凹凸の影響を受け表面が凹凸化する。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものと
して、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を
有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線
上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層
と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前
記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを
特徴としている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のエネルギー強度の弱い部分を遮断し、かつ光の回折による縞を発生させることなく、線状レーザ光を照射面に照射することができる、照射面上に均一強度の線状ビームを照射するレーザアニール方法及びレーザアニール装置の提供。
【解決手段】レーザ発振器１０１から射出されたレーザ光をスリット１０２を通過させて強度の弱い部分を遮断し、ミラー１０３で偏向させ、スリットにできた像を凸型シリンドリカルレンズ１０４によって照射面１０６に投影して照射面上に均一強度の線状ビームを照射することでレーザアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】デジタル階調と時間階調とを組み合わせた駆動方法において、アドレス期間よりも短いサステイン期間を有する場合にも正常に画像（映像）の表示が可能であり、ＥＬ駆動用トランジスタが、劣化によりノーマリーオンとなった場合にも、信号線の電位を変えて動作を補償することの出来る画素を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。この構造により、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線１０６の電位を変えることで、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２が確実に非導通状態となるように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、放電用トランジスタ１０８を設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、バイアス用トランジスタ１０２に接続されたバイアス側電源線１０４の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線１０３の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】１０μｍを超える長さをもつ直線状の結晶粒が整列した、結晶方位がほぼ２軸揃った結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、高移動度でかつ特性の均一な半導体デバイスを提供することができる半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】連続発振レーザー結晶化において、回折型レーザビームホモジナイザを用いることで、レーザースポットを直線状・矩形状にし、長い方向にほぼ均一なレーザー強度分布を形成する。このレーザースポットを、レーザースポットの短い方向に適切な間隔をおいて、２段以上並べる。この多段レーザースポットを、シリコン薄膜上に照射し、レーザースポットの短い方向に走査させて、シリコン薄膜を横方向結晶化（ラテラル結晶化）を行うことで、結晶方位がほぼ２軸揃った結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜の形成を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるｔ（秒）を、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒成長の大きさ、方向性を均一化し、特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、絶縁表面を有する基板上に、非晶質のＳｉ膜を形成し、Ｓｉ膜の第１の領域及び第２の領域に、第１導電型の第１の不純物を注入し、第１のレーザー光を、第１の方向に走査してＳｉ膜上に照射することにより、Ｓｉ膜を溶融固化させて結晶化するとともに、第１の不純物を活性化し、第２の領域をマスクし、第１の領域に、第１の不純物より軽元素である第２導電型の第２の不純物を、第1の不純物より高濃度となるように注入し、第２の不純物を活性化する。 （もっと読む）

【課題】低コストに製造することができ、ＴＦＴのオフリーク電流を低減することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。チャネル層はゲート電極２の形成領域内に形成され、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄはチャネル層の形成領域内に形成されており、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２より離間した位置にソース配線５ａが形成され、ソース配線５ａが、ソース電極５ｓの直上に形成され、さらにソース電極５ｓ上から延設された酸化物導電膜からなる接続配線６ａを介してソース電極５ｓに接続されている。 （もっと読む）

【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】１実施形態に係る設計ライブラリデータベースは、２次元的に区画して各々薄膜トランジスタのチャネル領域のサイズを超える複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタ回路の設計ライブラリデータベースであって、各々のチャネル領域が単一の前記結晶粒規定領域内の固定位置に配置される２個以上の薄膜トランジスタおよび前記２個以上の薄膜トランジスタを相互接続する配線を含む様々な論理ゲート回路をそれぞれ表す複数のスタンダードセル、並びに前記様々な論理ゲート回路の様々な組み合わせをそれぞれ表す複数のマクロセルの少なくとも一方のセルのライブラリ、および前記複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化アレイパターンのスタンダードセルのライブラリを含みハードディスクに登録される。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が引っ張り応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物元素が導入され、絶縁表面上に設けられたｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が圧縮応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物が導入されている。 （もっと読む）