【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 （もっと読む）

【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に反射電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第１画面領域に表示するタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第２画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワー素子のゲートに第１の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、パワー素子のゲートに第１の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、を有し、上記スイッチング用の電界効果トランジスタはオフ電流が小さい半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、表示装置の高画質化を図りつつ、消費電力を低減すること及び表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極と、画素電極と対向電極との間に設けられた液晶層とを有するサブユニットを複数有するユニットが、一又は複数設けられたピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルにおいて、オフ電流が、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満であるトランジスタを用いる。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。そして、上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】機能回路の電源配線及び接地配線に要する接地面積を少なくし、同時に消費電流による電源電圧降下及び接地電圧上昇を抑えることで、薄型・軽量・高機能・低価格の半導体装置を提供する。
【解決手段】機能回路に電源電圧を供給する電源配線１００９及び接地電圧を供給する接地配線１０１０が格子状に配置されている半導体装置である。格子状にすることで、電源電圧降下及び接地電圧上昇は大幅に低減できる。また、配線幅を細くしても、格子状にしない場合と同程度の電源電圧降下及び接地電圧上昇に抑えられるので、電源配線及び接地配線の配置面積を大幅に低減できる。 （もっと読む）

【課題】表示装置に置いて、多階調表示を実現することを目的とする。
【解決手段】トランジスタ及び表示素子を有する画素がマトリクス状に配置された画素部と、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたゲートドライバと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続されたソースドライバと、前記ソースドライバに信号を出力するデータ処理回路とを有し、前記トランジスタは、酸化物半導体を用いており、前記データ処理回路は、入力されるｍビットのデジタルデータのうち、ｎビットのデジタルデータ（ｍ、ｎは共に正の整数、かつｍ＞ｎ）を電圧階調に用い、（ｍ−ｎ）ビットのデジタルデータを時間階調に用いる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させることで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとする。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によって表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】駆動回路部及び画素部を有する表示パネルと、駆動回路部を駆動する制御信号及び画素部に供給する画像信号を生成するための信号生成回路と、画像信号をフレーム期間毎に記憶する記憶回路と、記憶回路でフレーム期間毎に記憶された画像信号のうち、連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出する比較回路と、比較回路で差分を検出した際に連続するフレーム期間の画像信号を選択して出力する選択回路と、比較回路で差分を検出した際に制御信号及び選択回路より出力される画像信号の駆動回路部への供給を行い、比較回路で差分を検出しない際に制御信号を駆動回路部への供給を停止する表示制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥
離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを
可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体
装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を
設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化
を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または
金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも３０秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する不揮発性メモリにおいて、保持された情報を容易に消去できる不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリは、第１のトランジスタ２０及び第２のトランジスタ２１を有するメモリセルを有し、第１のトランジスタ２０は第１のチャネル、第１のゲート電極、第１のソース電極及び第１のドレイン電極を有し、第２のトランジスタ２１は酸化物半導体からなる第２のチャネル、第２のゲート電極、第２のソース電極及び第２のドレイン電極を有し、第２のソース電極及び第２のドレイン電極の一方は第１のゲート電極と電気的に接続され、メモリセルへの情報の書き込み及び消去は、第２のソース電極及び第２のドレイン電極の一方と、第１のゲート電極との間のノードの電位を高くすることにより情報が書き込まれ、第２のチャネルに紫外線を照射して、ノードの電位を低くすることにより情報が消去される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた絶縁ゲート型トランジスタに関し、短チャネル効果を極力抑えることのできる構成を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタのチャネル領域を形成する酸化物半導体層に、脱水または脱水素化の工程及び酸素を添加する工程を施してキャリア濃度が１×１０^１２／ｃｍ^３未満となる真性又は実質的に真性な半導体を使用し、酸化物半導体層に形成されるチャネルの長さが０．２μｍ以上３．０μｍ以下であって、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下で、かつゲート絶縁層の厚さが２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下もしくは、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下で、かつゲート絶縁層の厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることで短チャネル効果を抑え、上記チャネル長の範囲でしきい値の変動量を０．５Ｖ未満とすることができる。 （もっと読む）