【課題】チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層中に逆錐形状の結晶粒を含ませ、下地層上に設けられた第１の配線層と、第１の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第１の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、少なくとも半導体層と第１の絶縁層を覆って設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第２の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流を大きくする。
【解決手段】薄膜トランジスタのバックチャネル部に凸部を設ける。該凸部は、ソースまたはドレインからチャネル形成領域まで引いたバックチャネル部の接線を避けて設けられる。該凸部により電荷のトラップ箇所とオン電流の経路を遠ざけることができ、オン電流を大きくすることができる。バックチャネル部の側面の形状は曲面であってもよいし、断面において直線で表される形状であってもよい。更には、一括してエッチングを行うことでこのような形状を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスで、高い埋め込み性を確保する必要のない半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、まず支持基板ＳＳと、埋め込み絶縁膜ＢＯＸと半導体層ＳＬとがこの順で積層された構成を有する半導体基板ＳＵＢが準備される。半導体層ＳＬの主表面に、導電部分を有する素子が完成される。上記素子を平面視において取り囲む溝ＤＴＲが、半導体層ＳＬの主表面から埋め込み絶縁膜ＢＯＸに達するように形成される。上記素子上を覆うように、かつ溝ＤＴＲ内に中空を形成するように素子上および溝ＤＴＲ内に第１の絶縁膜（層間絶縁膜ＩＩ）が形成される。上記第１の絶縁膜に素子の導電部分に達する孔であるコンタクトホールＣＨが形成される。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させる熱処理を行う表示装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ＡＯＳ−ＴＦＴの課題として、電気的ストレスによる特性変化、主に閾値電圧の変化がある。
【解決手段】半導体層と、絶縁層１と、絶縁層２と、導電層１と、導電層２と、を有し、半導体層は絶縁層１と絶縁層２とに挟まれ、絶縁層１は半導体層と接する面とは反対側の面で導電層１と接し、絶縁層２は半導体層と接する面とは反対側の面で導電層２と接するトランジスタの駆動方法であって、導電層２に、ＶＢＧ＜Ｖｏｎ１×Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）を満たす電圧ＶＢＧを印加することを特徴とするトランジスタの駆動方法。但し、Ｃ１：絶縁層１の単位面積当たりの容量、Ｃ２：絶縁層２の単位面積当たりの容量、ＶＯＮ１：ソース電圧を基準電圧とし、かつ導電層２にかかる電圧を０Ｖにしたときのドレイン電流の立ち上がり電圧である。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力は第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出力は第２のトランジスタを介して第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ回路であって、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタをスイッチング素子として用い、またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有することで、ラッチ回路のデータを保持することができる。これにより不揮発性のラッチ回路を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】駆動回路部及び画素部を有する表示パネルと、駆動回路部を駆動する制御信号及び画素部に供給する画像信号を生成するための信号生成回路と、画像信号をフレーム期間毎に記憶する記憶回路と、記憶回路でフレーム期間毎に記憶された画像信号のうち、連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出する比較回路と、比較回路で差分を検出した際に連続するフレーム期間の画像信号を選択して出力する選択回路と、比較回路で差分を検出した際に制御信号及び選択回路より出力される画像信号の駆動回路部への供給を行い、比較回路で差分を検出しない際に制御信号を駆動回路部への供給を停止する表示制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力が第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出力が第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタをスイッチング素子として用いている。またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板において、製造コストを低減すると共に、アライメント精度を高める。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板上に設けられた第１の絶縁膜（３１０）と、複数の画素（２０）と、複数の画素にわたって第１の絶縁膜に設けられた第１の凹部と、第１の凹部の底面に設けられた第２の凹部と、第２の凹部に設けられた有機半導体層（２４１）と、該有機半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜（２４５）と、該ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を含み、複数の画素のうち一の画素に対応づけられた薄膜トランジスタ（２４）と、ゲート絶縁膜の上層であって、複数の画素にわたって第１の凹部に設けられた走査線（４０）と、薄膜トランジスタと電気的に接続されたデータ線（５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極にシリサイドを形成しつつ、拡散領域に接続するコンタクトとゲート電極の間隔を確保する。
【解決手段】被覆絶縁膜１２０は、ゲート電極１４０のチャネル幅方向における少なくとも一部上に形成されている。拡散領域１７０は素子形成領域１０４に位置する基板１００に形成され、トランジスタ１１０のソース及びドレインとなる。絶縁層２００は、素子形成領域１０４上、ゲート電極１４０上、及び被覆絶縁膜１２０上に形成されている。コンタクト２１０は絶縁層２００に形成され、拡散領域１７０に接続している。シリサイド層１４２は、ゲート電極１４０上に形成されている。サイドウォール１６０は、被覆絶縁膜１２０が形成されている領域においてはゲート電極１４０より高く形成されている。そしてコンタクト２１０は、ゲート電極１４０のうち被覆絶縁膜１２０が形成されている領域に面している。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を示す液晶材料を利用した表示装置において、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを含む画素が設けられた画素部を有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有し、前記トランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電極に電気的に接続され、前記トランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する直流変換回路を提供する。
【解決手段】流れる電流の変化に応じて起電力が発生する誘導素子と、ゲート、ソース、及びドレインを有し、オン状態又はオフ状態になることにより、誘導素子における起電力の発生を制御するトランジスタと、トランジスタがオフ状態のときに導通状態になる整流素子と、トランジスタのオン状態又はオフ状態を制御する制御回路と、を具備し、トランジスタは、チャネル形成層として水素濃度が５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＳ基板の異方性を低減して半導体装置のデバイス特性の面内均一性を向上する。
【解決手段】絶縁体基板１０１の主面上にＳｉ層（またはＳｉ基板）１００を有する半導体装置１０において、絶縁体基板１０１はサファイア基板１０１であり、絶縁体基板１０１の主面はｃ面である。サファイア基板１０１において異方性の少ないｃ面にＳｉ層１００を形成するので、Ｓｉ層１００上に形成された半導体装置１０のデバイス特性の面内均一性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路及び画素部を有し、駆動回路は、デュアルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成され、画素部はシングルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置である。該表示装置おけるデュアルゲート型の薄膜トランジスタは、半導体層が微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域で形成され、ゲート絶縁層及び絶縁層が半導体層の微結晶半導体領域に接する。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のゲート電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、第２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 （もっと読む）