【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、容量素子と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第１のトランジスタと、信号線及びワード線に接続された第２のトランジスタと、ワード線、に接続された容量素子とを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とが接続された、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部
材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層を有するトランジスタにおいて、オン電流の高いトランジスタを得ることを課題とする。さらに、加熱処理等の工程を増やさずにオン電流の高いトランジスタを得ることを課題とする。
【解決手段】チャネル形成領域、不純物領域及びシリサイド層を有するシリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、不純物領域にシリサイド層を介して電気的に接続する配線とを有し、シリサイド層断面は、チャネル形成領域側の端点から膜厚が増加している第１領域と、第１領域と比べて膜厚が一定である第２領域とを有する半導体装置において、第１領域と第２領域は、シリサイド層断面の端点を通り、水平線とθ（０°＜θ＜４５°）の角度をなす直線がシリサイド層と不純物領域の界面と交わる点を通り、且つ水平線に対し垂直な線で分けられ、シリコン膜の膜厚に対する第２領域の膜厚比は０．６以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上の第２
の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第２の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第２の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域が形成される半導体層のチャネル形成領域と逆側近傍の加工方法を工夫した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】少なくとも結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第１のエッチングと第２のエッチングを行い、第１のエッチングは非晶質半導体膜の一部を残存させつつ行い、第２のエッチングは非晶質半導体膜上の被覆膜を除去させた後に、非晶質半導体膜に対するエッチングレートが高く、且つ結晶性半導体膜に対するエッチングレートが低い条件により行い、積層半導体膜に設けられた結晶性半導体膜の一部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極間におけるオフリーク電流の低減を課題とする。
【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極１０１と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜１０２と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の上方に位置する半導体層１０４と、前記半導体層上に形成された第２の絶縁膜１０８ａと、前記第２の絶縁膜の上面と側面、前記半導体層の側面および前記ゲート絶縁膜の上に形成された第１の絶縁膜１０８ｂと、前記第１の絶縁膜上に形成され、前記半導体層と電気的に接続されたシリコン層１０５，１０６と、前記シリコン層上に形成されたソース電極１０７ａおよびドレイン電極１０７ｂと、を有する薄膜トランジスタを具備し、前記ソース電極と前記ドレイン電極は、前記第１の絶縁膜上で互いに電気的に分離されており、前記半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極それぞれと接しない半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２
の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣを使用せずに信号や電力を入力することができる新規な半導体装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板とを有する半導体装置であって、受信用のアンテ
ナが第１の基板の表面側に設けられ、第２の基板には、送信用のアンテナと集積回路とが
設けられ、第２の基板は、第１の基板の裏面側に貼り付けられており、受信用のアンテナ
と送信用のアンテナとは、第１の基板を介して重なっている。これにより、アンテナ間の
距離を一定に保つことができ、信号や電力を高効率で受信することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物
半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで
、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注
入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び
、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一方の面に接する第１のゲート電極と、ゲート絶縁層の他方の面に接し、第１のゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極、ドレイン電極、及び酸化物絶縁層と、の積層構造を有し、酸化物半導体層の窒素濃度は２×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ソース電極及びドレイン電極は、タングステン、白金及びモリブデンのいずれか一又は複数を含む半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域の側面に接した一対の第２の領域と、一対の第２
の領域の側面に接した一対の第３の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上
に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第１の領域と重畳した第１の電極と、を
有し、第１の領域は、ＣＡＡＣ酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域及び一対の第
３の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第３の領域のド
ーパント濃度は、一対の第２の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす
には、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上
においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層
１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０
４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０
ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導
体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可
能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）