【課題】表面実装型の半導体装置を回路基板の搭載面に実装した状態において、半導体チップの熱を効率よく外部に逃がせるようにする。
【解決手段】導電性を有する板状のダイパッド１０と、ダイパッドの上面に固定される半導体チップ２０と、導電性を有する帯板状に形成されて、その長手方向の一端部が半導体チップに電気接続されるリード３０，４０と、ダイパッドの下面に重ねて固定される放熱基板５０と、リードの他端部４２及び放熱基板の下面５０ｂが露出するように、ダイパッド、半導体チップ、リード及び放熱基板を封止するモールド樹脂６０とを備え、放熱基板が、その下面をなして導電性を有する金属板５１、電気的な絶縁性を有する絶縁層５２、及び、金属板よりも薄い導電性層５３を順番に積層して構成され、放熱基板の下面が、リードの他端部のうち回路基板の搭載面に対向させる接合面３２ｂ，４２ｂと同一方向に向いている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】伝導ノイズ及び伝導ノイズをより低減しつつ、破損を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１６では、正極端子５０及び出力端子５４の少なくとも一方と第１スイッチング素子３４との間には導電性の第１熱緩衝材６４ａが配置されると共に、負極端子５２及び出力端子５４の少なくとも一方と第２スイッチング素子４０との間には導電性の第２熱緩衝材６４ｂが配置される。第１熱緩衝材６４ａの線膨張係数は、第１スイッチング素子３４の線膨張係数よりも大きく且つ正極端子５０又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さく、第２熱緩衝材６４ｂの線膨張係数は、第２スイッチング素子４０の線膨張係数よりも大きく且つ負極端子５２又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド時に、突起を設けない従来と同じモールド金型を使用しても、良好なクランプ性を確保しつつ、ヒートシンクの本体部に設けた突起によって、本体部での樹脂バリの発生を抑制できるようにする。
【解決手段】ヒートシンク１０として、本体部１３と、本体部１３から外側に突出した突出片部１４とを有する平面形状であって、突出片部１４の少なくとも一部を樹脂モールド時にクランプに抑えられる被クランプ部１６とし、さらに、ヒートシンク１０の被クランプ部１６を除く部分を、パンチとダイとで挟んでプレスすることで、ヒートシンク１０の他面１２のうち被クランプ部１６を除く少なくとも本体部１３の周縁部に、突起１７が設けられたものを用いる。これによれば、ヒートシンク１０の被クランプ部１６以外をプレスして突起１７を設けることとしたので、ヒートシンク１０の被クランプ部１６の板厚を、突起を設けない従来と同じ厚さにできる。 （もっと読む）

【課題】。セラミック基板１１を挟む配置で、表裏面に放熱用金属部材３１と回路用金属層２１が、それぞれロウ付けされてなる接合構造を有する放熱部品で、構造の複雑化や電気的絶縁の問題もなく、セラミックと、放熱用金属部材金属又は回路用金属層との接合面の外周端縁において、その接合面を挟む両部材の剥離や開口の発生を防ぐ。
【解決手段】セラミック基板１１と放熱用金属部材３１とを、この２部材の接合面の外周端縁１４ａ、又は外周端縁寄り部位で、厚み方向に樹脂で挟む樹脂製挟み付け体４１を形成した。この樹脂製挟み付け体４１がある分、熱サイクルで剥離等を起こすのが抑制される。 （もっと読む）

【課題】放熱特性をより向上させることにより、信頼性の低下を抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】このＢＧＡ型半導体装置（樹脂封止型半導体装置）は、半導体チップ１０が所定領域上に搭載された配線基板１と、この配線基板１の半導体チップ１０が搭載された領域とは異なる領域に形成され、互いに所定の間隔を隔てて配列された複数の金属バンプ３０と、少なくとも半導体チップ１０を覆う封止樹脂層２０とを備えている。そして、複数の金属バンプ３０の各々は、上記した封止樹脂層２０によって覆われている一方、その一部が封止樹脂層２０の上面から露出するように 構成されている。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。
【解決手段】回路層７として、電子部品搭載面７ａを構成するアルミニウム純度が質量％で９９．０％以上９９．９５％以下の第１層１１と、アルミニウム純度９９．９９％以上の第２層１２とを含む２以上の層を積層してなるクラッド材を用い、その第２層１２をセラミックス基板３にろう付けにより接合する。 （もっと読む）

【課題】発熱素子の放熱を効果的に行うと共に、発熱素子の位置や姿勢のずれを抑制する。
【解決手段】駆動に伴って熱を発する発熱素子13を有する発熱素子体と、該発熱素子体の一方の面に金属製の第１板状部材31と第２板状部材51を積層するよう接合してなる発熱素子体の放熱構造であって、第１板状部材は、貫通開設された切欠き部33を有し、該切欠き部を塞ぐように発熱素子体に接合され、第２板状部材は、前記第1板状部材の切欠き部に嵌まる凸部53を有し、該凸部が前記切欠き部を通って発熱素子体と接合するよう構成され、前記第１板状部材を構成する材料の縦弾性係数は、前記第２板状部材を構成する材料の縦弾性係数よりも大きくされる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。樹脂層７は、半導体素子３、第１伝熱層４、第２伝熱層５を封止し、樹脂層７からは第３伝熱層６が表出する。半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭素系材料を用いて板状に形成され、表面に金属薄膜を有し、板状の厚さ方向に熱を伝導させる熱拡散部材としての第１部材は、少なくとも第２部材との対向面に、金属薄膜を有する。そして、第１部材の金属薄膜形成面と第２部材における金属薄膜形成面の対向面との間に、接合部材として金属粒子の焼結体が介在されている。 （もっと読む）

【課題】電子装置のような熱供給コンポーネントから熱を伝導するための熱ギャップパッドにおいて、圧縮荷重を減少させることの出来る熱ギャップパッドを提供する。
【解決手段】熱アセンブリ１００は熱供給電子コンポーネント１１４と、冷却構造１３０と、第１の表面を有する熱ギャップパッド１４０と、熱ギャップパッド１４０の第１の表面に沿って与えられた約５００ｃＰ以下の粘度を有する潤滑剤１４２を含んでいる。熱ギャップパッド１４０は熱供給電子コンポーネント１１４と冷却構造１３０との間で圧縮され、それによって熱ギャップパッド１４０の第１の表面は冷却構造１３０と熱接触する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからの発熱による光電変換部の機能障害を防止できる半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換領域１１８が形成された第１の半導体チップ１０１と、第１の半導体チップ１０１上における光電変換領域１１８が形成されていない領域に設けられ、第１の半導体チップ１０１と電気的に接続された第２の半導体チップ１０２と、第１の半導体チップ１０１，第２の半導体チップ１０２を収容するとともに、少なくとも光電変換領域１１８と対向する領域が透光性材料で形成されたパッケージ１０３と、第２の半導体チップ１０２とパッケージ１０３を熱的に連結する熱伝導部材１０９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導性を有するとともに、熱膨張係数を電子部品等の熱膨張係数に近付けた放熱部材を用いた電子部品収納用パッケージを提供。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、第１金属層１１ａを挟んで上下に配された第２金属層１０の圧延方向が互いに直交するように配されている。 （もっと読む）

【課題】組立、分解、又は整備時に冷却剤がエレクトロニクス上に漏れるのを防ぐ改良型ヒートシンク設計を提供する。
【解決手段】ヒートシンク６０，７０は、熱伝導性材料から形成された下方蓋１２、上方蓋１４、及び本体１６を含み、冷却剤を導入するテーパ入口分配チャンバ１３６と、冷却剤をテーパ入口分配チャンバから導入するＣ形入口マニホルド１３０と、冷却剤を排出する逆Ｃ形出口マニホルド１３２とからなり、ミリチャンネル３４が本体に形成されるか、又は蓋の少なくとも一方に形成され、冷却剤を入口マニホルドから導入すると共に、冷却剤を出口マニホルドに送給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】この発明は、小型化を図ったうえで、高効率な熱制御を実現して、高性能化の促進を図り得るようにすることにある。
【解決手段】パッケージ本体３０の半導体素子１３が収容される素子収容部３１に対して作動流体供給側接続部３２２及び作動流体排出側接続部３２３を有した作動流体供給部３２１の設けられるベース部１２を積重配置して構成した。 （もっと読む）

【課題】放熱体の全体寸法を顕著に増加させることなく、極めて高い放熱性能を実現する放熱構造体を提供する。
【解決手段】熱伝導層１の最表面に３次元形状賦型層２を含む表皮層８が設けられた放熱構造体であって、熱伝導層の表皮層を除いた部位は、層内の少なくとも一方向における熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上、平均厚みが０．２〜５ｍｍであって、熱伝導率と平均厚みの積が０．０１Ｗ／Ｋ以上であり、３次元形状賦型層は、熱伝導層の全表面の１０％以上の領域に複数の凸部が平均ピッチ０．０３〜２ｍｍで配され、凸部の根元側での平均幅もしくは平均太さが０．０２〜０．７ｍｍ、凸部頂部の平均高さが、凸部の根元側平均幅もしくは平均太さの０．２〜５倍であり、３次元形状賦型層の設けられた領域の表面積が平坦面である場合に比べ、１．３倍以上であることを特徴とする放熱構造体。 （もっと読む）

【課題】動作時の発熱による半導体素子の高温化を防止することができる電力制御装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュール１は、ＩＧＢＴ素子５３ａを形成する第１活性領域Ｒ１と、トランジスタ素子５４ａを形成する第２活性領域Ｒ２と、を有する半導体素子２を備えている。半導体素子２では、第１活性領域Ｒ１の熱集中箇所が第２活性領域Ｒ２で置換されるように第１及び第２活性領域Ｒ１，Ｒ２が配置されている。そのため、第１活性領域Ｒ１で生じた熱にあっては、下方向及び面方向外側だけでなく面方向内側へも熱伝播され、発熱していない第２活性領域Ｒ２を介して放熱することができる。すなわち、第１活性領域Ｒ１で生じた熱が半導体素子２の中央部へ熱集中するのを防ぐ（緩和する）と共に、周囲への熱拡散効果を高め、半導体素子２の最高温度を低下させ、温度分布を均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】サンドイッチ構造を有するパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの第１の負荷端子体および一つの第２の負荷端子体と、第１の金属成形体４２、パワー半導体素子４４、および第２の金属成形体４６を有する少なくとも一つのサンドイッチ構造４０とを有するパワー半導体モジュールが記載される。そこでは、前記サンドイッチ構造４０の前記各コンポーネントが、互いに粘着接合され、また前記パワー半導体素子４４の周縁領域が、優れた熱伝導性を示す電気絶縁ポリマー材料８０により取り囲まれる。そこではこのポリマー材料８０が、第１または第２の金属成形体４２，４６の少なくともいずれか一方に、熱伝導が行われるように接触される点が重要である。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させる。
【解決手段】ＩＧＢＴ１０のエミッタ電極が形成されている面側に、セラミックス材の支持体３１に設けた複数の貫通孔３１ａに銅ポスト３２を形成した電極用部材３０を半田接合する。電極に複数の銅ポスト３２を半田接合することにより、ＩＧＢＴ１０に発生する熱が電極用部材３０へと移動して放熱されるとともに、ＩＧＢＴ１０の構成材料と銅との間に熱膨張率差があっても、半田接合界面に加わる応力を低減して歪を小さく抑え、クラックの発生を減少させることが可能になる。それにより、パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】電子機器の金属筐体またはヒートシンクと、半導体素子との間に伝熱部材を挟んで両者を固定し、半導体素子の放熱を促進する構造において、簡単な構造かつ組立が容易で良好な放熱性能が得られるような構造を提供する。
【解決手段】下部側にフランジ状の取付座２２０を備えた半導体素子２００と、取付座２２０を固定する固定部１３０を備えた金属筐体１００と、取付座２２０と固定部１３０との間に配設される伝熱部材４００とからなる半導体素子２００の放熱構造において、固定部１３０は取付座２２０が嵌め込まれる第１凹面１４０と、第１凹面１４０と交差する方向に形成された第２凹面１５０とからなり、第２凹面１５０の深さを第１凹面１４０の深さと等しくし、断面凹凸状の軟質金属箔からなる伝熱部材４００を第２凹面１５０に配設するようにした。 （もっと読む）

【課題】両面放熱型の半導体装置において、放熱板の平面サイズを増加させることなく、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１の表面側、裏面側にそれぞれ電気的および熱的に接合された放熱板２、３と、各放熱板２、３における半導体素子１とは反対側の面である放熱面２ｂ、３ｂに熱的に接合された冷却器９とを備える半導体装置１００において、それぞれの放熱板２、３のうち半導体素子１が投影された部位の放熱面２ｂ、３ｂは、当該放熱面２ｂ、３ｂに対向する冷却器９に向かって突出する凸部１０となっており、冷却器９のうち凸部１０に対向する部位は、凹部１１となっており、これら凸部１０と凹部１１とが嵌合しており、凸部１０と凹部１１との間には、これら両部１０、１１を電気的に絶縁する絶縁膜１２が設けられ、絶縁膜１２を介して凸部１０と凹部１１とが接触している。 （もっと読む）