【課題】良好な放熱性を有し、かつ反りを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ガリウム砒素からなる半導体基板１０と、半導体基板１０上に設けられた能動層１５と、能動層１５と対向する半導体基板１０の下面に設けられた第１Ｎｉ層１２と、第１Ｎｉ層の下面に設けられたＣｕ層１４と、Ｃｕ層１４の下面に設けられた第２Ｎｉ層１６と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、良好な放熱性を確保し、かつ反りを抑制することが可能な半導体装置を提供することできる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良好で、かつ小型で薄型のパッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０の開口１１６に、電子デバイス１２０が配置され、接着剤層１３０上のパターン化金属層１４０が基板１１０の下表面１１３上にラミネートされるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４を露出させる。露出された底表面１２４上に散熱コラム１５０が形成され、第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１および電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆し、第２ラミネート構造１７０が散熱コラム１５０ならびにパターン化金属層１４０を被覆する。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を用いたＢＧＡ実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。
【解決手段】実施の形態の半導体パッケージ１００は、半導体素子５を直接上に搭載するヒートスプレッダ４と、前記ヒートスプレッダ４の周囲側面と接触して前記半導体素子５の気密性を保持する多層セラミック基板１と、前記ヒートスプレッダ４を下から支え、前記多層セラミック基板１の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板１とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロック１５と、前記多層セラミック基板１および前記金属ブロック１５の下面に接合された複数のはんだボール９とを備える。 （もっと読む）

【課題】グラファイトを含有する熱伝導層を含む積層膜を効率的にエッチングして加工し、例えば上記熱伝導層及び特定のシリコン等のひずみ緩和層を貫通する微細な幅の深堀を可能とする熱伝導積層膜部材の製造方法を提供する。
【解決手段】熱伝導層１とひずみ緩和層２とを積層してなる熱伝導積層膜を反応性イオンエッチングにより加工する熱伝導積層膜部材の製造方法であって、特定の熱伝導層をエッチングする酸素含有ガスと、特定のひずみ緩和層をエッチングする硫黄−フッ素化合物含有ガスと、それらのエッチング面を保護するフルオロカーボン化合物とを用い、少なくとも前記３種のガスを切り替えながら熱伝導積層膜を貫通する加工を施すことを特徴とする熱伝導積層膜部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクに生じる不具合を低減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１面及び第２面を有し、第１面と第２面とを貫通するバイアホールを有する半導体基板と、第１面上に、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複するように形成された配線又は電極と、第２面上に形成され、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複する開口を有する応力緩衝層と、応力緩衝層上からバイアホールの内壁面に沿って延在し、配線又は電極と電気的に接続されたヒートシンクと、を備える。バイアホールの第２面における開口の大きさは、第１面における開口の大きさよりも大きい。応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 （もっと読む）

【課題】高性能の半導体デバイスを、製造効率が高く製造コストを低く製造するための放熱基板の製造方法およびその製造方法に好適に用いられる複合体を提供する。
【解決手段】本放熱基板の製造方法は、半導体ウエハ１０を準備する工程と、半導体ウエハ１０の少なくとも一方の主表面側に、コア体２０ｐｃの表面に金属膜２０ｐｆが形成された複合体２０ｐを吹き付けることにより、半導体ウエハ１０の主表面側に複合体２０ｐで構成される放熱基板２０を形成する工程とを含み、コア体２０ｐｃは金属膜２０ｐｆに比べて融点が高くかつ熱膨張率が低い。本複合体２０ｐは、コア体２０ｐｃと、コア体２０ｐｃの表面に形成された金属膜２０ｐｆと、を含み、コア体２０ｐｃは金属膜２０ｐｆに比べて融点が高くかつ熱膨張率が低い。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの冷却効果を向上させ、半導体集積回路の動作の安定性を向上させることが可能な半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】集積回路を形成した半導体基板１に、ビアホール２を形成し、ビアホール２に熱伝導性を有する金属３を埋め込み、埋め込んだ金属３に接触するように、半導体基板１の表裏両面に金属４，５を取り付け、取り付けた金属４，５を、パッケージ６やリッド７に接触させる構造とすることにより、半導体基板１上の集積回路の近傍を直接冷却することを可能とする。金属３，４，５の代わりに、冷却効果が大きな材料例えば炭素や樹脂を用いるようにしても良い。 （もっと読む）

半導体構造の一方の面に配置された電気的及び熱的伝導性層を有する半導体構造と、電気的及び熱的ヒートシンクと、電気的及び熱的キャリヤー層と、複数の電気的及び熱的ナノチューブの第１部分は電気的及び熱的キャリヤー層の第１表面に配置された近位端を有し、複数の電気的及び熱的ナノチューブの第２部分は電気的及び熱的キャリヤー層の反対の表面に配置された近位端を有する、複数の電気的及び熱的ナノチューブと、複数の電気的及び熱的ナノチューブの遠位端に配置された複数の電気的及び熱的伝導性チップであって、複数の電気的及び熱的ナノチューブの第１部分上の複数の電気的及び熱的伝導性チップは電気的及び熱的伝導性層に取り付けられ、複数の電気的及び熱的ナノチューブの第２部分上の複数の電気的及び熱的伝導性チップは電気的及び熱的ヒートシンクに取り付けられる、複数の電気的及び熱的伝導性チップとを備える構造。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが実装基板に搭載されて構成された半導体装置において、半導体チップに発生した熱の周側面側の空気中への放熱を可能な限り抑制し、熱をより確実に実装基板に逃がし、かつ製造を低コストかつ簡易な製造プロセスにする。
【解決手段】実装基板１３と、チップ基板１７及びチップ基板の表面１７ａに作り込まれている回路パターン１９を含む半導体チップ１５と、チップ基板の表面と対向する裏面１７ｂ、及び周側面１７ｃの裏面側一部を一体的に被覆する金属膜２１と、この金属膜を全体的に被覆し、半導体チップをチップ基板の裏面側から実装基板の表面に接着する半田層２３とを具える。 （もっと読む）

【課題】材料コストを低減することができるとともに、加工性も向上することができるＬＥＤ用ヒートシンク、そのＬＥＤ用ヒートシンクの前駆体となるＬＥＤ用ヒートシンク前駆体、およびそのＬＥＤ用ヒートシンクを用いたＬＥＤ素子、ＬＥＤ用ヒートシンクの製造方法ならびにＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】高熱伝導率層と低熱膨張率層とを含む積層構造体からなり、全体の厚さが０．１ｍｍ以下であるＬＥＤ用ヒートシンク、そのＬＥＤ用ヒートシンクの前駆体となるＬＥＤ用ヒートシンク前駆体、およびそのＬＥＤ用ヒートシンクを用いたＬＥＤ素子、ＬＥＤ用ヒートシンクの製造方法ならびにＬＥＤ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】熱管理を改良したＲＦ／ＩＰＤパッケージで構成されたＭＣＭパッケージを提供する。
【解決手段】ＩＰＤ基板２４は、ＩＰＤ基板２４とシステム基板２１との間のスタンドオフに取り付けられる薄肉のＲＦチップ２６を用いてシステム基板２１に取り付けられる。ＲＦ相互接続は、ＲＦチップ２６の頂部とＩＰＤ基板２４の底部との間で行われる。放熱は、ＲＦチップ２６上のヒートシンク層をシステム基板上のヒートシンク層に接続することによって行われる。また、ヒートシンクは、接地平面接続部として役立つこともできる。集積装置の他のタイプの組合せをこのアプローチを用いて製作することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱部材と熱伝導部材とを密着させ、電子部品の放熱効果を向上させ、周囲の回路基板、電子部品等の短絡障害を防止して、部品点数、部品コスト、製造工数の増加を抑制することのできる新しい電子部品装置を提供する。
【解決手段】電子部品２に平板状金属体４２あるいは凹状金属体４１の一方を蒸着処理または鍍金処理により形成し、放熱部材３に平板状金属体４２あるいは凹状金属体４１の他方を蒸着処理または鍍金処理により形成し、その後に、液状金属４３を前記凹状金属体４１の凹部に充填し、液状金属４３と平板状金属体４２及び凹状金属体４１の一部とを固溶体にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

発光ダイオードを製造するシステムおよび方法は、多層エピタキシャル構造体をキャリア基板上に形成するステップと、少なくとも１層の金属層をその多層エピタキシャル構造体上に堆積するステップと、そのキャリア基板を除去するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】放熱金属の放熱機能を十分に発揮し、半導体素子の放熱能力をさらに高める半導体素子の金属製ヒートシンクの製造方法を提供する。
【解決手段】互いに表裏の関係である第１の表面１０４と第２の表面１０６とを有し、第１の表面１０４を仮基板１００の表面上に接着させる粘着テープ１０２を準備する工程と、互いに表裏の関係である第１の側と第２の側とを有し、第１の側を粘着テープ１０２の第２の表面１０６の一部に圧着させて第２の側を露出させる半導体素子を準備する工程と、半導体素子の第２の側上と粘着テープ１０２の第２の表面１０６の露出部分上とに、金属薄層１１４を形成する工程と、金属薄層１１４上に金属製ヒートシンクを形成する工程と、粘着テープ１０２及び仮基板１００を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】放熱量が大きく安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１は、パッケージングされていないシリコン基板２を含んでおり、いわゆるフリップチップ接続が可能である。シリコン基板２は、扁平なほぼ直方体の形状を有している。シリコン基板２の表面２ａから一定の深さにわたる領域は、機能素子が形成された機能素子形成領域３となっている。表面２ａ上の所定の位置には、機能素子に電気接続された複数のバンプ４が形成されている。シリコン基板２の裏面２ｂには、直線状に延びる多数の溝５が、互いにほぼ平行にほぼ同じ間隔で形成されている。シリコン基板２の裏面２ｂには、金属薄膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 効率よく放熱する。
【解決手段】
プリント配線基板２の一方の面にフリップチップ実装される半導体チップ３と、半導体チップ３から発生した熱を放熱する放熱部材４とを有し、放熱部材４は、半導体チップ３のフリップチップ実装している側とは反対側の全面に熱伝導性接着剤を介して取り付けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 熱の拡散に優れたＲＦＩＤタグを提供する。
【解決手段】
ベースと、
ベース上に設けられた、通信用のアンテナを形成するアンテナパターンと、
アンテナパターンに電気的に接続された、アンテナを介した無線通信を行う回路チップと、
回路チップを包含した所定範囲を除いて、アンテナパターンを覆ってベースに密着したカバーと、
上記所定範囲を覆い、回路チップに熱的に接触した、カバーの熱伝導性よりも高い熱伝導性を有する絶縁性の熱拡散材とを備えている。 （もっと読む）