パッケージ構造とその製造方法
【課題】放熱性が良好で、かつ小型で薄型のパッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０の開口１１６に、電子デバイス１２０が配置され、接着剤層１３０上のパターン化金属層１４０が基板１１０の下表面１１３上にラミネートされるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４を露出させる。露出された底表面１２４上に散熱コラム１５０が形成され、第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１および電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆し、第２ラミネート構造１７０が散熱コラム１５０ならびにパターン化金属層１４０を被覆する。
【解決手段】基板１１０の開口１１６に、電子デバイス１２０が配置され、接着剤層１３０上のパターン化金属層１４０が基板１１０の下表面１１３上にラミネートされるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４を露出させる。露出された底表面１２４上に散熱コラム１５０が形成され、第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１および電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆し、第２ラミネート構造１７０が散熱コラム１５０ならびにパターン化金属層１４０を被覆する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、パッケージ構造とその製造方法に関する。特に、埋め込み素子（embedded device）を備えるパッケージ構造とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年来、電子デバイスの電気性能を向上させるために、電子デバイスがしばしば回路板中に設置され、システム・イン・パッケージ（system-in-package = SIP）構造として知られている。SIP構造は、システム統合パッケージと呼ばれる。即ち、電子デバイスが単一パッケージ中に統合され、その中には、受動素子、メモリー、電子制御器、他の埋め込みデバイスが含まれる。様々な製造方法が色々な材料のSIP構造を作るために利用できる。電子デバイスが回路板中に配置された後、導電層がビルトアップ法（build-up method）を利用することによって回路板上に積層されて、多層を有する回路板が組み立てられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、SIP構造がパッケージ面積を効果的に削減でき、かつシステムを初期的に統合するにもかかわらず、SIP構造は、比較的複雑な構造を有する。さらに、単一チップパッケージと比較して、SIP構造は、散熱（heat dissipation）設計および電気的信頼性について更なる挑戦に遭遇する。埋め込み素子が多層回路板中に埋め込まれているため、埋め込み素子により生成された熱が金属導電層ならびに絶縁層という手段によって回路板の外へ放散される必要がある。つまり、従来の埋め込み素子を含むパッケージ構造は、限定された散熱効果しか達成できない。それにより、パッケージ構造中の他のデバイスは、過大な操作温度のために正常に機能できないとともに、パッケージ構造の電気性能または信頼性が更に悪化させられる。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、埋め込まれた電子デバイスを有するパッケージ構造を提供することにあり、そのうち、パッケージ構造が好ましい散熱効果を達成するとともに、小さなパッケージ容量および薄い厚さを有する。
【０００５】
この発明の目的は、さらに、パッケージ構造の製造方法を提供することにあり、そのうち、製造方法を利用することによって、前記したパッケージ構造を形成することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の実施形態中、パッケージ構造を製造する方法が提供される。製造方法中、基板が提供される。基板が上表面、下表面、および開口を有する。上表面および下表面が互いに対向するとともに、開口が上表面ならびに下表面を連通する。電子デバイスが開口中に配置される。接着剤層および接着剤層上に位置するパターン化金属層を基板の下表面上にラミネートする。また、接着剤層ならびにパターン化金属層が電子デバイスの底表面を露出させる。散熱コラム（heat-dissipating column）が接着剤層およびパターン化金属層により露出された電子装置の底表面上に形成される。ここで、散熱コラムがパターン化金属層ならびに電子デバイスの底表面に連接する。第１ラミネート構造および第２ラミネート構造がそれぞれ基板の上表面ならびにパターン化金属層上にラミネートされる。第１ラミネート構造が基板の上表面および電子デバイスの頂表面を被覆するとともに、第２ラミネート構造が散熱コラムならびにパターン化金属層を被覆する。
【０００７】
この発明の実施形態に従い、電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子、受動素子を含む。
【０００８】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造が少なくとも１つの第１誘電層、少なくとも１つの第１パターン化金属層、および少なくとも１つの第１誘電層を貫通する導電ビアを含む。第１誘電層ならびに第１パターン化金属層が基板の上表面に順番に積層される。開口が第１誘電層によって充填される。第１パターン化金属層が導電ビアを介して電子デバイスに電気接続される。
【０００９】
この発明の実施形態に従い、第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含む。第２誘電層ならびに第２パターン化金属層がパターン化金属層および散熱コラム上に積層されるとともに、散熱コラムが。第２パターン化金属層に直接接触される。
【００１０】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造および前第２ラミネート構造を基板の上表面ならびにパターン化金属層上にラミネートした後、製造方法が更に第１ソルダーマスク層を第１ラミネート構造上に形成するステップと第２ソルダーマスク層を第２ラミネート構造上に形成するステップとを含む。
【００１１】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造および第２ラミネート構造を基板の上表面ならびにパターン化金属層上にラミネートする方法が熱ラミネーションを含む。
【００１２】
この発明の実施形態に従い、 接着剤層およびパターン化金属層により露出された電子デバイスの底表面上に散熱コラムを形成する方法が電気メッキを含む。
【００１３】
この発明の実施形態中、基板と電子デバイスと接着剤層とパターン化金属層と散熱コラムと第１ラミネート構造と第２ラミネート構造とを含むパッケージ構造が提供される。基板が上表面と下表面と開口とを有する。上表面と下表面とが互いに対向するとともに、開口が上表面と下表面とを連通する。電子デバイスが基板の開口中に配置されるとともに、頂表面と底表面とを有する。頂表面と底表面とが互いに対向する。接着剤層が基板の下表面上に配置されるとともに、電子デバイスの底表面を露出させる。パターン化金属層が接着剤層を介して基板の下表面に接着されるとともに、電子デバイスの底表面を露出させる。散熱コラムが接着剤層およびパターン化金属層によって露出された電子デバイスの底表面上に配置される。ここで、散熱コラムがパターン化金属層ならびに電子デバイスの底表面に連接される。第１ラミネート構造が基板の上表面に配置されるとともに、基板の上表面および電子デバイスの頂表面を被覆する。第２ラミネート構造がパターン化金属層上に配置されるとともに、散熱コラムおよびパターン化金属層を被覆する。
【００１４】
この発明の実施形態に従い、電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子、受動素子を含む。
【００１５】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造が、少なくとも１つの第１誘電層と、少なくとも１つの第１パターン化金属層と、第１誘電層を貫通する少なくとも１つの導電ビアとを含む。第１誘電層と第１パターン化金属層とが基板の上表面上に順番に積層される。開口が第１誘電層で充填される。第１パターン化金属層が導電ビアを介して電子デバイスに電気接続される。
【００１６】
この発明の実施形態に従い、第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含む。第２誘電層ならびに第２パターン化金属層がパターン化金属層および散熱コラム上に積層される。散熱コラムが第２パターン化金属層に直接接触される。
【００１７】
この発明の実施形態に従い、パッケージ構造が更に第１ソルダーマスク層と第２ソルダーマスク層とを含む。第１ソルダーマスク層が第１ラミネート構造上に配置される。第２ソルダーマスク層が第２ラミネート構造上に配置される。
【発明の効果】
【００１８】
発明の実施形態中で述べられた電子デバイスは、基板およびラミネート構造中に埋め込まれるとともに、電子デバイスの底表面が散熱コラムに直接接触する。従って、使用する時に電子デバイスによって生成される熱が下方にある散熱コラムおよびパターン化金属層という手段により散熱できるので、パッケージ構造が好ましい散熱効果を達成できる。また、電子デバイスが基板ならびにラミネート構造中に埋め込まれるので、発明の実施形態に述べたパッケージ構造は、小さなパッケージ容量および薄い厚さを有することができる。
【００１９】
さらに、パターン化金属層が発明の実施形態中に述べられたようにパッケージ構造の外側に配置されるとともに、このようにパッケージ構造がパターン化金属層を介して電子デバイスまたは外部回路に電気接続できるため、このようにして、パッケージ構造の応用性を向上させる。また、基板の開口の直径が電子デバイスの直径より大きいので、電子デバイスが基板の開口中に配置される時、好ましいプロセス余裕が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｃ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｄ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｅ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｆ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｇ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｈ】チップを搭載する図１Ｇ中に描かれたパッケージ構造を示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
図１Ａ〜図１Ｇは、この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。図１Ａに示したように、この実施形態中のパッケージ構造を製造する方法に従い、基板１１０が提供される。基板１１０は、上表面１１１と、この上表面１１１に対向する下表面１１３とを有する。基板１１０が例えば絶縁層１１２および銅箔層１１４ａからなるとともに、絶縁層１１２が例えばポリイミド（polyimide = PI）またはエポキシ（epoxy）樹脂からできている。図示していない別な実施形態中、基板は、１つの絶縁層と、絶縁層の２つの各側面に位置する２つの銅箔層とから構成される両側板（double-sided board）であることもでき、あるいは基板がグラスファイバー（glass fiber）(FR4 = Flame Retardant Type 4）基板であることができるけれども、この発明を限定するものではない。
【００２２】
図１Ｂにおいて、基板１１０の上表面１１１と下表面１１３とを連通する開口１１６が、例えばスタンピング（型抜き）（stamping）または刳（く）り貫き（routing）によって形成される。
【００２３】
図１Ｃにおいて、電子デバイス１２０が基板１１０の開口１１６中に配置される。基板１１０の開口１１６の直径が電子デバイス１２０の直径よりも大きい。電子デバイス１２０は、頂表面１２２と、この頂表面１２２に対向する底表面１２４とを有するとともに、電子デバイス１２０が基板１１０の上表面１１１上に配置される接着剤（図示せず）を介して一時的に開口１１６中へ固定される。ここで、電子デバイス１２０は、例えば、RF（Radio Frequency 無線周波数）素子、能動素子、受動素子、メモリーまたは（電子）コネクターである。
【００２４】
図１Ｄにおいて、接着剤層１３０と、接着剤層１３０上に位置する金属層１４０ａとが基板１１０の下表面１１３上に積層（ラミネート）される。ここでは、接着剤層１３０と、金属層１４０ａとが基板１１０の下表面１１３上に例えば熱ラミネーションにより積層される。この時、接着剤層１３０と金属層１４０ａとが等角的に（conformally）配置される。接着剤層１３０および金属層１４０ａを貫通するブラインド孔Ｈが機械ドリルにより形成されて、接着剤層１３０ならびに金属層１４０ａが電子デバイス１２０の底表面１２４の一部を露出させる。基板１１０の上表面１１１に位置する接着剤（図示せず）が銅箔層１１４ａを露出するために除去される。
【００２５】
図１Ｅにおいて、基板１１０の銅箔層１１４ａおよび金属層１４０ａ（図１Ｄを参照）は、パターン化されてパターン化銅箔層１１４とパターン化金属層１４０とを形成する。パターン化銅箔層１１４は、絶縁層１１２の表面の一部を露出するとともに、パターン化金属層１４０が接着剤層１３０の一部を露出する。
【００２６】
図１Ｅに示したように、散熱コラム（heat-dissipating column）１５０がブラインド孔Ｈ中に形成される。つまり、散熱コラム１５０が接着剤層１３０およびパターン化金属層１４０によって露出された電子デバイス１２０の底表面１２４の一部に位置する。ここで、散熱コラム１５０が例えばメッキにより形成されるとともに、メッキプロセスがともに散熱コラム１５０およびパターン化金属層１４０間の接着ならびに散熱コラム１５０および電子デバイス１２０間の接着を有効に強化できる。
【００２７】
図１Ｆにおいて、第１ラミネート構造１６０および第２ラミネート構造１７０がそれぞれ基板１１０の上表面１１１およびパターン化金属層１４０上にラミネートされる。第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１ならびに電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆するとともに、第２ラミネート構造１７０が散熱コラム１５０およびパターン化金属層１４０を被覆する。第１ラミネート構造１６０ならびに第２ラミネート構造１７０がそれぞれ基板１１０の上表面１１１およびパターン化金属層１４０上に例えば熱ラミネーションによりラミネートされる。
【００２８】
より詳細には、この実施形態中に述べた第１ラミネート構造１６０は、少なくとも１つの第１誘電層１６２と少なくとも１つの第１金属層１６４ａと、第１誘電層１６２を貫通する少なくとも１つの導電ビア１６６とを含む。図１Ｆ中、１つの第１誘電層１６２と１つの第１金属層１６４ａと２つの導電ビア１６６とが概略的に示されている。第１誘電層１６２と第１金属層１６４ａとが基板１１０の上表面１１１上に順番に積層される。開口１１６が熱で溶融された第１誘電層１６２で充填されるとともに、それにより電子デバイス１２０が開口１１６中に固定される。第１金属層１６４ａが導電ビア１６６を介して電子デバイス１２０の頂表面１２２上に位置する電極（図示せず）と電気接続される。
【００２９】
第２ラミネート構造１７０が少なくとも１つの第２誘電層１７２と少なくとも１つの第２金属層１７４ａと第２パターン化金属層１７６とを含む。図１Ｆ中、１つの第２誘電層１７２と１つの第２金属層１７４ａとが概略的に示されている。第２誘電層１７２と、第２金属層１７４ａと、第２パターン化金属層１７６とがパターン化金属層１４０および散熱コラム１５０上に積層される。ここで、第２誘電層１７２が第２金属層１７４ａおよび第２パターン化金属層１７６間に位置するとともに、散熱コラム１５０が第２パターン化金属層１７６に直接接触する。
【００３０】
図１Ｇにおいて、（図１Ｆにおける）第１ラミネート構造１６０の第１金属層１６４ａと第２ラミネート構造１７０の第２金属層１７４ａとがパターン化されて第１パターン化金属層１６４と第２パターン化金属層１７４とを形成する。第１ソルダーマスク層１８０が第１ラミネート構造１６０上に形成されるとともに、第２ソルダーマスク層１９０が第２ラミネート構造１７０上に形成される。ここで、第１ソルダーマスク層１８０が第１パターン化金属層１６４の一部を露出させるとともに、第２ソルダーマスク層１９０が第２パターン化金属層１７４の一部を露出させる。ここまでで、パッケージ構造１００の製造が実質的に完了する。
【００３１】
図１Ｇに示したように、パッケージ構造１００は、基板１１０と、電子デバイス１２０と、接着剤層１３０と、パターン化金属層１４０と、散熱コラム１５０と、第１ラミネート構造１６０と、第２ラミネート構造１７０と、第１ソルダーマスク層１８０と、第２ソルダーマスク層１９０とを含む。基板１１０は、上表面１１１と、上表面１１１に対向する下表面１１３と、上表面１１１および下表面１１３を連通する開口１１６とを有する。ここで、基板１１０は、例えば、絶縁層１１２とパターン化銅箔層１１４とから構成される。電子デバイス１２０が基板１１０の開口１１６中に配置されるとともに、頂表面１２２と底表面１２４とを有する。電子デバイス１２０の頂表面１２２および底表面１２４は、互いに対向している。ここで、電子デバイス１２０は、RFデバイス、能動素子、受動素子、メモリーまたは電子コネクターを含む。接着剤層１３０が基板１１０の下表面１１３に配置されるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４の一部を露出させる。パターン化金属層１４０が接着剤層１３０を介して基板１１０の下表面１１３に接着されるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４の一部を露出させる。散熱コラム１５０が接着剤層１３０およびパターン化金属層１４０によって露出された電子デバイス１２０の底表面１２４の一部上に配置される。即ち、散熱コラム１５０は、接着剤層１３０およびパターン化金属層１４０を貫通するブラインド孔Ｈ中に配置される。ここで、散熱コラム１５０がパターン化金属層１４０ならびに電子デバイス１２０の底表面１２４に接続される。
【００３２】
第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１上に配置されるとともに、基板１１０の上表面１１１および電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆する。ここで、第１ラミネート構造１６０は、第１誘電層１６２と、第１パターン化金属層１６４と、第１誘電層１６２を貫通する第１導電ビア１６６とによって構成される。第１誘電層１６２と第１パターン化金属層１６４とは、基板１１０の上表面１１１上に順番に積層される。開口１１６は、第１誘電層１６２で充填される。第１パターン化金属層１６４が第１導電ビア１６６を介して電子デバイス１２０に電気接続される。第２ラミネート構造１７０がパターン化金属層１４０上に配置されるとともに、散熱コラム１５０およびパターン化金属層１４０を被覆する。ここで、第２ラミネート構造１７０が第２誘電層１７２および第２パターン化金属層１７４、１７６によって構成される。第２誘電層１７２と第２パターン化金属層１７４、１７６とがパターン化金属層１４０および散熱コラム１５０上に積層されるとともに、散熱コラム１５０が第２パターン化金属層１７６と直接接触する。第１ソルダーマスク層１８０が第１ラミネート構造１６０上に配置されるとともに、第１パターン化金属層１６４の一部を露出させる。第２ソルダーマスク層１９０が第２ラミネート構造１７０上に配置されるとともに、第２パターン化金属層１７４の一部を露出させる。
【００３３】
この実施形態中に述べた電子デバイス１２０は、基板１１０、第１ラミネート構造１６０および第２ラミネート構造１７０中に埋め込まれるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４が散熱コラム１５０と直接接触する。従って、電子デバイス１２０により生成された熱が基底にある散熱コラム１５０と第２パターン化金属層１７６と第２パターン化金属層１７４とにより散熱できる。かくして、この実施形態のパッケージ構造１００は、好ましい散熱効果を達成できる。また、電子デバイス１２０が基板１１０、第１ラミネート構造１６０および第２ラミネート構造１７０中に埋め込まれるので、パッケージ構造１００が小さなパッケージ容量ならびに薄い厚さを有することができる。さらに、基板１１０の開口１１６の直径が電子デバイス１２０の直径よりも大きい。従って、電子デバイス１２０が基板１１０の開口１１６中に配置される時、好ましいプロセスウインドウ（process window 工程余裕）が提供できる。
【００３４】
図１Ｈは、チップを搭載する図１Ｇ中に描かれたパッケージ構造を示す概略的な断面図である。図１Ｈにおいて、第１パターン化金属層１６４と第２パターン化金属層１７４とは、この実施形態中のパッケージ構造１００の外側に配置される。従って、パッケージ構造１００は、第１パターン化金属層１６４を介してチップ１０に電気接続できるとともに、第２パターン化金属層１７４は、外部回路（図示せず）に電気接続できる。それにより、パッケージ構造１００の応用性を向上させることができる。チップ１０は、半導体集積回路チップまたは発光ダイオード（light emitting diode = LED）チップであるけれど、この発明を限定するものではない。
【００３５】
詳細には、チップ１０は、フリップチップ（flip-chip）接合によりパッケージ構造１００の第１パターン化金属層１６４に電気接続される、あるいはチップ１０とパッケージ構造１００の一部とがカプセル素材２０によって被包されて、チップ１０およびパッケージ構造１００間の電気接続を保護する。この実施形態中のチップ１０がフリップチップ接合によってパッケージ構造１００の第１パターン化金属層１６４に電気接続されるものの、注意すべきことは、チップ１０とパッケージ構造１００とを接合する方法およびチップ１０のタイプは、この発明において限定されるものではないことである。しかし、図に示していない他の実施形態中、チップは、第１パターン化金属層に多数のボンディングワイヤーを介してワイヤーボンディングによりパッケージ構造の第１パターン化金属層に電気接続できる。チップ１０とパッケージ構造１００とを接合する方法およびチップ１０のタイプは、例示的なものであって、発明を限定するものとされてはならない。
【００３６】
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、比較的薄い厚みを有するパッケージ構造及びその製造方法に関するものである。
【符号の説明】
【００３８】
１０ チップ
２０ カプセル素材
１００ パッケージ構造
１１０ 基板
１１１ 上表面
１１２ 絶縁層
１１３ 下表面
１１４ パターン化銅箔層
１１４ａ 銅箔層
１１６ 開口
１２０ 電子デバイス
１２２ 頂表面
１２４ 底表面
１３０ 接着剤層
１４０ パターン化金属層
１４０ａ 金属層
１５０ 散熱コラム
１６０ 第１ラミネート構造
１６２ 第１誘電層
１６４ 第１パターン化金属層
１６４ａ 第１金属層
１６６ 導電ビア
１７０ 第２ラミネート構造
１７２ 第２誘電層
１７４、１７６ 第２パターン化金属層
１７４ａ 第２金属層
１８０ 第１ソルダーマスク層
１９０ 第２ソルダーマスク層
Ｈ ブラインド孔
【技術分野】
【０００１】
この発明は、パッケージ構造とその製造方法に関する。特に、埋め込み素子（embedded device）を備えるパッケージ構造とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年来、電子デバイスの電気性能を向上させるために、電子デバイスがしばしば回路板中に設置され、システム・イン・パッケージ（system-in-package = SIP）構造として知られている。SIP構造は、システム統合パッケージと呼ばれる。即ち、電子デバイスが単一パッケージ中に統合され、その中には、受動素子、メモリー、電子制御器、他の埋め込みデバイスが含まれる。様々な製造方法が色々な材料のSIP構造を作るために利用できる。電子デバイスが回路板中に配置された後、導電層がビルトアップ法（build-up method）を利用することによって回路板上に積層されて、多層を有する回路板が組み立てられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、SIP構造がパッケージ面積を効果的に削減でき、かつシステムを初期的に統合するにもかかわらず、SIP構造は、比較的複雑な構造を有する。さらに、単一チップパッケージと比較して、SIP構造は、散熱（heat dissipation）設計および電気的信頼性について更なる挑戦に遭遇する。埋め込み素子が多層回路板中に埋め込まれているため、埋め込み素子により生成された熱が金属導電層ならびに絶縁層という手段によって回路板の外へ放散される必要がある。つまり、従来の埋め込み素子を含むパッケージ構造は、限定された散熱効果しか達成できない。それにより、パッケージ構造中の他のデバイスは、過大な操作温度のために正常に機能できないとともに、パッケージ構造の電気性能または信頼性が更に悪化させられる。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、埋め込まれた電子デバイスを有するパッケージ構造を提供することにあり、そのうち、パッケージ構造が好ましい散熱効果を達成するとともに、小さなパッケージ容量および薄い厚さを有する。
【０００５】
この発明の目的は、さらに、パッケージ構造の製造方法を提供することにあり、そのうち、製造方法を利用することによって、前記したパッケージ構造を形成することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の実施形態中、パッケージ構造を製造する方法が提供される。製造方法中、基板が提供される。基板が上表面、下表面、および開口を有する。上表面および下表面が互いに対向するとともに、開口が上表面ならびに下表面を連通する。電子デバイスが開口中に配置される。接着剤層および接着剤層上に位置するパターン化金属層を基板の下表面上にラミネートする。また、接着剤層ならびにパターン化金属層が電子デバイスの底表面を露出させる。散熱コラム（heat-dissipating column）が接着剤層およびパターン化金属層により露出された電子装置の底表面上に形成される。ここで、散熱コラムがパターン化金属層ならびに電子デバイスの底表面に連接する。第１ラミネート構造および第２ラミネート構造がそれぞれ基板の上表面ならびにパターン化金属層上にラミネートされる。第１ラミネート構造が基板の上表面および電子デバイスの頂表面を被覆するとともに、第２ラミネート構造が散熱コラムならびにパターン化金属層を被覆する。
【０００７】
この発明の実施形態に従い、電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子、受動素子を含む。
【０００８】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造が少なくとも１つの第１誘電層、少なくとも１つの第１パターン化金属層、および少なくとも１つの第１誘電層を貫通する導電ビアを含む。第１誘電層ならびに第１パターン化金属層が基板の上表面に順番に積層される。開口が第１誘電層によって充填される。第１パターン化金属層が導電ビアを介して電子デバイスに電気接続される。
【０００９】
この発明の実施形態に従い、第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含む。第２誘電層ならびに第２パターン化金属層がパターン化金属層および散熱コラム上に積層されるとともに、散熱コラムが。第２パターン化金属層に直接接触される。
【００１０】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造および前第２ラミネート構造を基板の上表面ならびにパターン化金属層上にラミネートした後、製造方法が更に第１ソルダーマスク層を第１ラミネート構造上に形成するステップと第２ソルダーマスク層を第２ラミネート構造上に形成するステップとを含む。
【００１１】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造および第２ラミネート構造を基板の上表面ならびにパターン化金属層上にラミネートする方法が熱ラミネーションを含む。
【００１２】
この発明の実施形態に従い、 接着剤層およびパターン化金属層により露出された電子デバイスの底表面上に散熱コラムを形成する方法が電気メッキを含む。
【００１３】
この発明の実施形態中、基板と電子デバイスと接着剤層とパターン化金属層と散熱コラムと第１ラミネート構造と第２ラミネート構造とを含むパッケージ構造が提供される。基板が上表面と下表面と開口とを有する。上表面と下表面とが互いに対向するとともに、開口が上表面と下表面とを連通する。電子デバイスが基板の開口中に配置されるとともに、頂表面と底表面とを有する。頂表面と底表面とが互いに対向する。接着剤層が基板の下表面上に配置されるとともに、電子デバイスの底表面を露出させる。パターン化金属層が接着剤層を介して基板の下表面に接着されるとともに、電子デバイスの底表面を露出させる。散熱コラムが接着剤層およびパターン化金属層によって露出された電子デバイスの底表面上に配置される。ここで、散熱コラムがパターン化金属層ならびに電子デバイスの底表面に連接される。第１ラミネート構造が基板の上表面に配置されるとともに、基板の上表面および電子デバイスの頂表面を被覆する。第２ラミネート構造がパターン化金属層上に配置されるとともに、散熱コラムおよびパターン化金属層を被覆する。
【００１４】
この発明の実施形態に従い、電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子、受動素子を含む。
【００１５】
この発明の実施形態に従い、第１ラミネート構造が、少なくとも１つの第１誘電層と、少なくとも１つの第１パターン化金属層と、第１誘電層を貫通する少なくとも１つの導電ビアとを含む。第１誘電層と第１パターン化金属層とが基板の上表面上に順番に積層される。開口が第１誘電層で充填される。第１パターン化金属層が導電ビアを介して電子デバイスに電気接続される。
【００１６】
この発明の実施形態に従い、第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含む。第２誘電層ならびに第２パターン化金属層がパターン化金属層および散熱コラム上に積層される。散熱コラムが第２パターン化金属層に直接接触される。
【００１７】
この発明の実施形態に従い、パッケージ構造が更に第１ソルダーマスク層と第２ソルダーマスク層とを含む。第１ソルダーマスク層が第１ラミネート構造上に配置される。第２ソルダーマスク層が第２ラミネート構造上に配置される。
【発明の効果】
【００１８】
発明の実施形態中で述べられた電子デバイスは、基板およびラミネート構造中に埋め込まれるとともに、電子デバイスの底表面が散熱コラムに直接接触する。従って、使用する時に電子デバイスによって生成される熱が下方にある散熱コラムおよびパターン化金属層という手段により散熱できるので、パッケージ構造が好ましい散熱効果を達成できる。また、電子デバイスが基板ならびにラミネート構造中に埋め込まれるので、発明の実施形態に述べたパッケージ構造は、小さなパッケージ容量および薄い厚さを有することができる。
【００１９】
さらに、パターン化金属層が発明の実施形態中に述べられたようにパッケージ構造の外側に配置されるとともに、このようにパッケージ構造がパターン化金属層を介して電子デバイスまたは外部回路に電気接続できるため、このようにして、パッケージ構造の応用性を向上させる。また、基板の開口の直径が電子デバイスの直径より大きいので、電子デバイスが基板の開口中に配置される時、好ましいプロセス余裕が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｃ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｄ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｅ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｆ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｇ】この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。
【図１Ｈ】チップを搭載する図１Ｇ中に描かれたパッケージ構造を示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
図１Ａ〜図１Ｇは、この発明の実施形態にかかるパッケージ構造を製造する方法を示す概略的な断面図である。図１Ａに示したように、この実施形態中のパッケージ構造を製造する方法に従い、基板１１０が提供される。基板１１０は、上表面１１１と、この上表面１１１に対向する下表面１１３とを有する。基板１１０が例えば絶縁層１１２および銅箔層１１４ａからなるとともに、絶縁層１１２が例えばポリイミド（polyimide = PI）またはエポキシ（epoxy）樹脂からできている。図示していない別な実施形態中、基板は、１つの絶縁層と、絶縁層の２つの各側面に位置する２つの銅箔層とから構成される両側板（double-sided board）であることもでき、あるいは基板がグラスファイバー（glass fiber）(FR4 = Flame Retardant Type 4）基板であることができるけれども、この発明を限定するものではない。
【００２２】
図１Ｂにおいて、基板１１０の上表面１１１と下表面１１３とを連通する開口１１６が、例えばスタンピング（型抜き）（stamping）または刳（く）り貫き（routing）によって形成される。
【００２３】
図１Ｃにおいて、電子デバイス１２０が基板１１０の開口１１６中に配置される。基板１１０の開口１１６の直径が電子デバイス１２０の直径よりも大きい。電子デバイス１２０は、頂表面１２２と、この頂表面１２２に対向する底表面１２４とを有するとともに、電子デバイス１２０が基板１１０の上表面１１１上に配置される接着剤（図示せず）を介して一時的に開口１１６中へ固定される。ここで、電子デバイス１２０は、例えば、RF（Radio Frequency 無線周波数）素子、能動素子、受動素子、メモリーまたは（電子）コネクターである。
【００２４】
図１Ｄにおいて、接着剤層１３０と、接着剤層１３０上に位置する金属層１４０ａとが基板１１０の下表面１１３上に積層（ラミネート）される。ここでは、接着剤層１３０と、金属層１４０ａとが基板１１０の下表面１１３上に例えば熱ラミネーションにより積層される。この時、接着剤層１３０と金属層１４０ａとが等角的に（conformally）配置される。接着剤層１３０および金属層１４０ａを貫通するブラインド孔Ｈが機械ドリルにより形成されて、接着剤層１３０ならびに金属層１４０ａが電子デバイス１２０の底表面１２４の一部を露出させる。基板１１０の上表面１１１に位置する接着剤（図示せず）が銅箔層１１４ａを露出するために除去される。
【００２５】
図１Ｅにおいて、基板１１０の銅箔層１１４ａおよび金属層１４０ａ（図１Ｄを参照）は、パターン化されてパターン化銅箔層１１４とパターン化金属層１４０とを形成する。パターン化銅箔層１１４は、絶縁層１１２の表面の一部を露出するとともに、パターン化金属層１４０が接着剤層１３０の一部を露出する。
【００２６】
図１Ｅに示したように、散熱コラム（heat-dissipating column）１５０がブラインド孔Ｈ中に形成される。つまり、散熱コラム１５０が接着剤層１３０およびパターン化金属層１４０によって露出された電子デバイス１２０の底表面１２４の一部に位置する。ここで、散熱コラム１５０が例えばメッキにより形成されるとともに、メッキプロセスがともに散熱コラム１５０およびパターン化金属層１４０間の接着ならびに散熱コラム１５０および電子デバイス１２０間の接着を有効に強化できる。
【００２７】
図１Ｆにおいて、第１ラミネート構造１６０および第２ラミネート構造１７０がそれぞれ基板１１０の上表面１１１およびパターン化金属層１４０上にラミネートされる。第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１ならびに電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆するとともに、第２ラミネート構造１７０が散熱コラム１５０およびパターン化金属層１４０を被覆する。第１ラミネート構造１６０ならびに第２ラミネート構造１７０がそれぞれ基板１１０の上表面１１１およびパターン化金属層１４０上に例えば熱ラミネーションによりラミネートされる。
【００２８】
より詳細には、この実施形態中に述べた第１ラミネート構造１６０は、少なくとも１つの第１誘電層１６２と少なくとも１つの第１金属層１６４ａと、第１誘電層１６２を貫通する少なくとも１つの導電ビア１６６とを含む。図１Ｆ中、１つの第１誘電層１６２と１つの第１金属層１６４ａと２つの導電ビア１６６とが概略的に示されている。第１誘電層１６２と第１金属層１６４ａとが基板１１０の上表面１１１上に順番に積層される。開口１１６が熱で溶融された第１誘電層１６２で充填されるとともに、それにより電子デバイス１２０が開口１１６中に固定される。第１金属層１６４ａが導電ビア１６６を介して電子デバイス１２０の頂表面１２２上に位置する電極（図示せず）と電気接続される。
【００２９】
第２ラミネート構造１７０が少なくとも１つの第２誘電層１７２と少なくとも１つの第２金属層１７４ａと第２パターン化金属層１７６とを含む。図１Ｆ中、１つの第２誘電層１７２と１つの第２金属層１７４ａとが概略的に示されている。第２誘電層１７２と、第２金属層１７４ａと、第２パターン化金属層１７６とがパターン化金属層１４０および散熱コラム１５０上に積層される。ここで、第２誘電層１７２が第２金属層１７４ａおよび第２パターン化金属層１７６間に位置するとともに、散熱コラム１５０が第２パターン化金属層１７６に直接接触する。
【００３０】
図１Ｇにおいて、（図１Ｆにおける）第１ラミネート構造１６０の第１金属層１６４ａと第２ラミネート構造１７０の第２金属層１７４ａとがパターン化されて第１パターン化金属層１６４と第２パターン化金属層１７４とを形成する。第１ソルダーマスク層１８０が第１ラミネート構造１６０上に形成されるとともに、第２ソルダーマスク層１９０が第２ラミネート構造１７０上に形成される。ここで、第１ソルダーマスク層１８０が第１パターン化金属層１６４の一部を露出させるとともに、第２ソルダーマスク層１９０が第２パターン化金属層１７４の一部を露出させる。ここまでで、パッケージ構造１００の製造が実質的に完了する。
【００３１】
図１Ｇに示したように、パッケージ構造１００は、基板１１０と、電子デバイス１２０と、接着剤層１３０と、パターン化金属層１４０と、散熱コラム１５０と、第１ラミネート構造１６０と、第２ラミネート構造１７０と、第１ソルダーマスク層１８０と、第２ソルダーマスク層１９０とを含む。基板１１０は、上表面１１１と、上表面１１１に対向する下表面１１３と、上表面１１１および下表面１１３を連通する開口１１６とを有する。ここで、基板１１０は、例えば、絶縁層１１２とパターン化銅箔層１１４とから構成される。電子デバイス１２０が基板１１０の開口１１６中に配置されるとともに、頂表面１２２と底表面１２４とを有する。電子デバイス１２０の頂表面１２２および底表面１２４は、互いに対向している。ここで、電子デバイス１２０は、RFデバイス、能動素子、受動素子、メモリーまたは電子コネクターを含む。接着剤層１３０が基板１１０の下表面１１３に配置されるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４の一部を露出させる。パターン化金属層１４０が接着剤層１３０を介して基板１１０の下表面１１３に接着されるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４の一部を露出させる。散熱コラム１５０が接着剤層１３０およびパターン化金属層１４０によって露出された電子デバイス１２０の底表面１２４の一部上に配置される。即ち、散熱コラム１５０は、接着剤層１３０およびパターン化金属層１４０を貫通するブラインド孔Ｈ中に配置される。ここで、散熱コラム１５０がパターン化金属層１４０ならびに電子デバイス１２０の底表面１２４に接続される。
【００３２】
第１ラミネート構造１６０が基板１１０の上表面１１１上に配置されるとともに、基板１１０の上表面１１１および電子デバイス１２０の頂表面１２２を被覆する。ここで、第１ラミネート構造１６０は、第１誘電層１６２と、第１パターン化金属層１６４と、第１誘電層１６２を貫通する第１導電ビア１６６とによって構成される。第１誘電層１６２と第１パターン化金属層１６４とは、基板１１０の上表面１１１上に順番に積層される。開口１１６は、第１誘電層１６２で充填される。第１パターン化金属層１６４が第１導電ビア１６６を介して電子デバイス１２０に電気接続される。第２ラミネート構造１７０がパターン化金属層１４０上に配置されるとともに、散熱コラム１５０およびパターン化金属層１４０を被覆する。ここで、第２ラミネート構造１７０が第２誘電層１７２および第２パターン化金属層１７４、１７６によって構成される。第２誘電層１７２と第２パターン化金属層１７４、１７６とがパターン化金属層１４０および散熱コラム１５０上に積層されるとともに、散熱コラム１５０が第２パターン化金属層１７６と直接接触する。第１ソルダーマスク層１８０が第１ラミネート構造１６０上に配置されるとともに、第１パターン化金属層１６４の一部を露出させる。第２ソルダーマスク層１９０が第２ラミネート構造１７０上に配置されるとともに、第２パターン化金属層１７４の一部を露出させる。
【００３３】
この実施形態中に述べた電子デバイス１２０は、基板１１０、第１ラミネート構造１６０および第２ラミネート構造１７０中に埋め込まれるとともに、電子デバイス１２０の底表面１２４が散熱コラム１５０と直接接触する。従って、電子デバイス１２０により生成された熱が基底にある散熱コラム１５０と第２パターン化金属層１７６と第２パターン化金属層１７４とにより散熱できる。かくして、この実施形態のパッケージ構造１００は、好ましい散熱効果を達成できる。また、電子デバイス１２０が基板１１０、第１ラミネート構造１６０および第２ラミネート構造１７０中に埋め込まれるので、パッケージ構造１００が小さなパッケージ容量ならびに薄い厚さを有することができる。さらに、基板１１０の開口１１６の直径が電子デバイス１２０の直径よりも大きい。従って、電子デバイス１２０が基板１１０の開口１１６中に配置される時、好ましいプロセスウインドウ（process window 工程余裕）が提供できる。
【００３４】
図１Ｈは、チップを搭載する図１Ｇ中に描かれたパッケージ構造を示す概略的な断面図である。図１Ｈにおいて、第１パターン化金属層１６４と第２パターン化金属層１７４とは、この実施形態中のパッケージ構造１００の外側に配置される。従って、パッケージ構造１００は、第１パターン化金属層１６４を介してチップ１０に電気接続できるとともに、第２パターン化金属層１７４は、外部回路（図示せず）に電気接続できる。それにより、パッケージ構造１００の応用性を向上させることができる。チップ１０は、半導体集積回路チップまたは発光ダイオード（light emitting diode = LED）チップであるけれど、この発明を限定するものではない。
【００３５】
詳細には、チップ１０は、フリップチップ（flip-chip）接合によりパッケージ構造１００の第１パターン化金属層１６４に電気接続される、あるいはチップ１０とパッケージ構造１００の一部とがカプセル素材２０によって被包されて、チップ１０およびパッケージ構造１００間の電気接続を保護する。この実施形態中のチップ１０がフリップチップ接合によってパッケージ構造１００の第１パターン化金属層１６４に電気接続されるものの、注意すべきことは、チップ１０とパッケージ構造１００とを接合する方法およびチップ１０のタイプは、この発明において限定されるものではないことである。しかし、図に示していない他の実施形態中、チップは、第１パターン化金属層に多数のボンディングワイヤーを介してワイヤーボンディングによりパッケージ構造の第１パターン化金属層に電気接続できる。チップ１０とパッケージ構造１００とを接合する方法およびチップ１０のタイプは、例示的なものであって、発明を限定するものとされてはならない。
【００３６】
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、比較的薄い厚みを有するパッケージ構造及びその製造方法に関するものである。
【符号の説明】
【００３８】
１０ チップ
２０ カプセル素材
１００ パッケージ構造
１１０ 基板
１１１ 上表面
１１２ 絶縁層
１１３ 下表面
１１４ パターン化銅箔層
１１４ａ 銅箔層
１１６ 開口
１２０ 電子デバイス
１２２ 頂表面
１２４ 底表面
１３０ 接着剤層
１４０ パターン化金属層
１４０ａ 金属層
１５０ 散熱コラム
１６０ 第１ラミネート構造
１６２ 第１誘電層
１６４ 第１パターン化金属層
１６４ａ 第１金属層
１６６ 導電ビア
１７０ 第２ラミネート構造
１７２ 第２誘電層
１７４、１７６ 第２パターン化金属層
１７４ａ 第２金属層
１８０ 第１ソルダーマスク層
１９０ 第２ソルダーマスク層
Ｈ ブラインド孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を提供し、前記基板が上表面、下表面、および開口を有し、前記上表面ならびに前記下表面が互いに対向し、前記開口が前記上表面および前記下表面を連通するステップと、
前記基板の前記開口中に電子デバイスを配置するステップと、
接着剤層および前記接着剤層上に位置するパターン化金属層を前記基板の前記下表面上にラミネートし、前記接着剤層ならびに前記パターン化金属層が前記電子デバイスの底表面を露出させるステップと、
前記接着剤層および前記パターン化金属層により露出された前記電子装置の前記底表面上に散熱コラムを形成し、前記散熱コラムが前記パターン化金属層ならびに前記電子デバイスの前記底表面に連接するステップと、
それぞれ第１ラミネート構造および第２ラミネート構造を前記基板の前記上表面ならびに前記パターン化金属層上にラミネートし、前記第１ラミネート構造が前記基板の前記上表面および前記電子デバイスの頂表面を被覆し、前記第２ラミネート構造が前記散熱コラムならびに前記パターン化金属層を被覆するステップと
を備えるパッケージ構造を製造する方法。
【請求項２】
前記電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子または受動素子を含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項３】
前記第１ラミネート構造が、少なくとも１つの第１誘電層、少なくとも１つの第１パターン化金属層、および前記少なくとも１つの第１誘電層を貫通する少なくとも１つの導電ビアを備え、前記少なくとも１つの第１誘電層および前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記基板の前記上表面上に順番に積層され、前記開口が前記少なくとも１つの第１誘電層で充填されるとともに、前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記少なくとも１つの導電ビアを介して前記電子デバイスに電気接続される請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項４】
前記第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含み、前記少なくとも１つの第２誘電層ならびに前記少なくとも１つの第２パターン化金属層が前記パターン化金属層および前記散熱コラム上に積層されるとともに、前記散熱コラムが前記少なくとも１つの第２パターン化金属層に直接接触される請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項５】
前記第１ラミネート構造および前記第２ラミネート構造を前記基板の前記上表面ならびに前記パターン化金属層上にラミネートした後、さらに、
第１ソルダーマスク層を前記第１ラミネート構造上に形成するステップと、
第２ソルダーマスク層を前記第２ラミネート構造上に形成するステップと
を含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項６】
前記第１ラミネート構造および前記第２ラミネート構造を前記基板の前記上表面ならびに前記パターン化金属層上にラミネートする方法が熱ラミネーションを含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項７】
前記接着剤層および前記パターン化金属層により露出された前記電子デバイスの前記底表面上に前記散熱コラムを形成する方法が、電気メッキを含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項８】
上表面、下表面、および開口を有し、前記上表面ならびに前記下表面が互いに対向し、前記開口が前記上表面および前記下表面を連通する基板と、
前記基板の前記開口中に配置されるとともに、頂表面ならびに底表面を有し、前記頂表面および前記底表面が互いに対向する電子デバイスと、
前記基板の前記下表面上に配置されるとともに、前記電子デバイスの前記底表面を露出させる接着剤層と、
前記接着剤層を介して前記基板の前記下表面に接着されるとともに、前記電子デバイスの前記底表面を露出させるパターン化金属層と、
前記接着剤層および前記パターン化金属層によって露出された前記電子デバイスの前記底表面上に配置され、前記パターン化金属層ならびに前記電子デバイスの前記底表面に連接される散熱コラムと、
前記基板の前記上表面に配置されるとともに、前記基板の前記上表面および前記電子デバイスの前記頂表面を被覆する第１ラミネート構造と、
前記パターン化金属層上に配置されるとともに、前記散熱コラムおよび前記パターン化金属層を被覆する第２ラミネート構造と
を含むパッケージ構造。
【請求項９】
前記電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子または受動素子を含む請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１０】
前記第１ラミネート構造が少なくとも１つの第１誘電層、少なくとも１つの第１パターン化金属層、および少なくとも１つの前記少なくとも１つの第１誘電層を貫通する導電ビアを備え、前記少なくとも１つの第１誘電層および前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記基板の前記上表面上に順番に積層され、前記開口が前記少なくとも１つの第１誘電層で充填されるとともに、前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記少なくとも１つの導電ビアを介して前記電子デバイスに電気接続される請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１１】
前記第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含み、前記少なくとも１つの第２誘電層ならびに前記少なくとも１つの第２パターン化金属層が前記パターン化金属層および前記散熱コラム上に積層されるとともに、前記散熱コラムが前記少なくとも１つの第２パターン化金属層に直接接触される請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１２】
さらに、
第１ソルダーマスク層が前記第１ラミネート構造上に配置されるとともに、
第２ソルダーマスク層が前記第２ラミネート構造上に配置される請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１】
基板を提供し、前記基板が上表面、下表面、および開口を有し、前記上表面ならびに前記下表面が互いに対向し、前記開口が前記上表面および前記下表面を連通するステップと、
前記基板の前記開口中に電子デバイスを配置するステップと、
接着剤層および前記接着剤層上に位置するパターン化金属層を前記基板の前記下表面上にラミネートし、前記接着剤層ならびに前記パターン化金属層が前記電子デバイスの底表面を露出させるステップと、
前記接着剤層および前記パターン化金属層により露出された前記電子装置の前記底表面上に散熱コラムを形成し、前記散熱コラムが前記パターン化金属層ならびに前記電子デバイスの前記底表面に連接するステップと、
それぞれ第１ラミネート構造および第２ラミネート構造を前記基板の前記上表面ならびに前記パターン化金属層上にラミネートし、前記第１ラミネート構造が前記基板の前記上表面および前記電子デバイスの頂表面を被覆し、前記第２ラミネート構造が前記散熱コラムならびに前記パターン化金属層を被覆するステップと
を備えるパッケージ構造を製造する方法。
【請求項２】
前記電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子または受動素子を含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項３】
前記第１ラミネート構造が、少なくとも１つの第１誘電層、少なくとも１つの第１パターン化金属層、および前記少なくとも１つの第１誘電層を貫通する少なくとも１つの導電ビアを備え、前記少なくとも１つの第１誘電層および前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記基板の前記上表面上に順番に積層され、前記開口が前記少なくとも１つの第１誘電層で充填されるとともに、前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記少なくとも１つの導電ビアを介して前記電子デバイスに電気接続される請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項４】
前記第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含み、前記少なくとも１つの第２誘電層ならびに前記少なくとも１つの第２パターン化金属層が前記パターン化金属層および前記散熱コラム上に積層されるとともに、前記散熱コラムが前記少なくとも１つの第２パターン化金属層に直接接触される請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項５】
前記第１ラミネート構造および前記第２ラミネート構造を前記基板の前記上表面ならびに前記パターン化金属層上にラミネートした後、さらに、
第１ソルダーマスク層を前記第１ラミネート構造上に形成するステップと、
第２ソルダーマスク層を前記第２ラミネート構造上に形成するステップと
を含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項６】
前記第１ラミネート構造および前記第２ラミネート構造を前記基板の前記上表面ならびに前記パターン化金属層上にラミネートする方法が熱ラミネーションを含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項７】
前記接着剤層および前記パターン化金属層により露出された前記電子デバイスの前記底表面上に前記散熱コラムを形成する方法が、電気メッキを含む請求項１記載のパッケージ構造を製造する方法。
【請求項８】
上表面、下表面、および開口を有し、前記上表面ならびに前記下表面が互いに対向し、前記開口が前記上表面および前記下表面を連通する基板と、
前記基板の前記開口中に配置されるとともに、頂表面ならびに底表面を有し、前記頂表面および前記底表面が互いに対向する電子デバイスと、
前記基板の前記下表面上に配置されるとともに、前記電子デバイスの前記底表面を露出させる接着剤層と、
前記接着剤層を介して前記基板の前記下表面に接着されるとともに、前記電子デバイスの前記底表面を露出させるパターン化金属層と、
前記接着剤層および前記パターン化金属層によって露出された前記電子デバイスの前記底表面上に配置され、前記パターン化金属層ならびに前記電子デバイスの前記底表面に連接される散熱コラムと、
前記基板の前記上表面に配置されるとともに、前記基板の前記上表面および前記電子デバイスの前記頂表面を被覆する第１ラミネート構造と、
前記パターン化金属層上に配置されるとともに、前記散熱コラムおよび前記パターン化金属層を被覆する第２ラミネート構造と
を含むパッケージ構造。
【請求項９】
前記電子デバイスが、無線周波数（radio frequency = RF）素子、能動素子または受動素子を含む請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１０】
前記第１ラミネート構造が少なくとも１つの第１誘電層、少なくとも１つの第１パターン化金属層、および少なくとも１つの前記少なくとも１つの第１誘電層を貫通する導電ビアを備え、前記少なくとも１つの第１誘電層および前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記基板の前記上表面上に順番に積層され、前記開口が前記少なくとも１つの第１誘電層で充填されるとともに、前記少なくとも１つの第１パターン化金属層が前記少なくとも１つの導電ビアを介して前記電子デバイスに電気接続される請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１１】
前記第２ラミネート構造が少なくとも１つの第２誘電層および少なくとも１つの第２パターン化金属層を含み、前記少なくとも１つの第２誘電層ならびに前記少なくとも１つの第２パターン化金属層が前記パターン化金属層および前記散熱コラム上に積層されるとともに、前記散熱コラムが前記少なくとも１つの第２パターン化金属層に直接接触される請求項８記載のパッケージ構造。
【請求項１２】
さらに、
第１ソルダーマスク層が前記第１ラミネート構造上に配置されるとともに、
第２ソルダーマスク層が前記第２ラミネート構造上に配置される請求項８記載のパッケージ構造。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図１Ｈ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図１Ｈ】
【公開番号】特開２０１２−２４４１６６（Ｐ２０１２−２４４１６６Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−１０３１２１（Ｐ２０１２−１０３１２１）
【出願日】平成２４年４月２７日（２０１２．４．２７）
【出願人】（５９９１１０５９９）旭徳科技股▲ふん▼有限公司 (14)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１０３１２１（Ｐ２０１２−１０３１２１）
【出願日】平成２４年４月２７日（２０１２．４．２７）
【出願人】（５９９１１０５９９）旭徳科技股▲ふん▼有限公司 (14)
【Ｆターム（参考）】
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