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Fターム[5F136BB00]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | パッケージの放熱部材 (2,466)

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【課題】高熱伝導性及び高電気絶縁性の材料を提供すること。
【解決手段】銅からなるコア粒子中に炭化ケイ素微粒子が含有されてなる複合銅粒子から構成される複合銅粉である。熱伝導率が25℃・1気圧において10W/mK以上であり、体積抵抗率が25℃・100f/kgにおいて1×105Ωcm以上である。複合銅粒子においては、炭化ケイ素微粒子が、その表面の一部を露出してコア粒子の表面に包埋されていることが好適である。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス1は、ベース基板2と、ベース基板2の一方の面側に設けられ、通電により発熱する発熱体4と、ベース基板2の一方の面側に発熱体4を封止するように設けられ、発熱体4から発生する熱を放熱する第1の放熱体5とを有している。また、第1の放熱体5の表面の少なくとも一部は、凹凸を有する凹凸面で構成されている。また、第1の放熱体5は、樹脂材料を主材料として構成されている。 (もっと読む)


【課題】電子部品からの発熱を効率的に放熱させることができる安価な電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】Fe−Ni−Co系合金金属板11の両面にCu板12を貼り合わせるクラッド鋼からなる長方形状の底板体13と、この上面に接合されるFe−Ni−Co系合金からなる長方形窓枠状のリング状枠体14と、この長手方向の対向する1対の上面に接合される入出力用メタライズパターン15を備えるセラミック製側壁体16、及びこの側面に接合されて連接すると共に、リング状枠体14の短手方向の対向する1対の上面に接合されるFe−Ni−Co系合金、又はFe−Ni系合金からなる金属製側壁体17とで構成される枠体18と、この上面に接合されるFe−Ni−Co系合金からなるシールリング20を有し、枠体18がリング状枠体14とシールリング20で上下から挟み込まれている。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れたLED実装用基板を提供する。
【解決手段】LED2が実装されるLED実装用基板は放熱用のアルミ板1と、LEDが実装されると半田等を介してLEDの電極に電気的に接続される配線パターン5と、アルミ板と配線パターンとを絶縁するための絶縁層4とを備え、LED実装用基板の少なくとも一方の面に配線パターンを埃や湿気から保護し不要部分への半田の付着を防止するレジスト3、および放熱効果を有する放熱塗料9が塗布されている。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】アルミニウム含浸グラファイト基板の表面に析出したアルミニウムを塩酸によるウェットエッチング法によって除去する(ステップ101)。次に、アルミニウム含浸グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する(ステップ102)。 (もっと読む)


【課題】 金属細線の電気的接続不良を抑制し、電子装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】 樹脂シート2と、樹脂シート2上に配置されたリード電極3と、樹脂シート2上にリード電極3と間隔を空けて配置された、電子部品4が実装された回路基板5と、回路基板5および電子部品4の少なくとも一方とリード電極3とを電気的に接続した金属細線6と、回路基板5上からリード電極3上にかけて、金属細線6を被覆するように設けられた被覆樹脂とを有している電子装置であって、樹脂シートおよび被覆樹脂7は無機質フィラーを含有しており、樹脂シート2は、被覆樹脂7より無機質フィラーの含有率が高い電子装置1である。樹脂シート2は被覆樹脂7より熱伝導率が高くなり、電子部品4で発生した熱はあまり被覆樹脂7を通らず、金属細線6の電気的接続不良を抑制でき、電子装置1の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュール半製品を構成するヒートプレートを絶縁基板より面積的に小さくしても、成形時の絶縁基板の亀裂や破壊による損傷を防止することができると共に、製品としてのパワーモジュールの極小化の要請に十分答え得る実用化製品を提供する。
【解決手段】パワーモジュール半製品Yを、両外部接続端子5、6における一端側の外部表出側端部5b及びヒートプレート2の他面側をそれぞれ表出させた状態で、成形樹脂層により封止して構成する場合、積層基板体Xを構成するパワーモジュール基板3に、成形樹脂層7を成形する上側成形型11と共に成形型を構成する下側成形型12に設けた位置決めピン14が挿入される位置決め孔8を設けて、パワーモジュール半製品Yのキャビティー13内における位置決めを行うようにした。 (もっと読む)


【課題】
トランスファー成型性などの成形加工性が良好であり、高い熱伝導性および耐熱性を有する半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】
SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、ヒドロシリル化触媒、及び熱伝導性フィラーを必須成分として含有する樹脂組成物を用いて半導体のパッケージとして用いることができる。 (もっと読む)


【課題】メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とNiめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板11と、セラミック枠体12と、外部接続端子13を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ10において、ヒートシンク板11と外部接続端子13に接合するセラミック枠体12の当接部分に設けられるメタライズ膜14が第1と第2のメタライズ膜14a、14bの2層構造からなり、セラミック枠体12に設けられる第1のメタライズ膜14aがW、Mo、又はこれらの両方を含む高融点金属にセラミック枠体12を構成するセラミック粉末を含有してなり、この上面に設けられる第2のメタライズ膜14bがセラミック粉末を含有しない高融点金属からなる。 (もっと読む)


【課題】放熱効果の向上を図り得る半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第1の面と当該第1の面と反対の第2の面とを有するシリコンインターポーザと;前記シリコンインターポーザの第1の面側に搭載された複数の半導体チップとを備える。前記シリコンインターポーザには、前記第1及び第2の面に渡る複数の貫通孔が設けられている。そして、前記貫通孔には、ペルチェ素子を構成するN型半導体及びP型半導体が各々形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加工性を損なうことなく、樹脂100重量部に対して1000重量部以上の熱伝導性粒子を充填せしめた熱伝導性エマルジョンを提供する。
【解決手段】アニオン性またはノニオン性を示し、乾燥フィルムとしたときのガラス転移温度Tgが0℃以下である樹脂エマルジョンの固形分100重量部に対して、1000〜3000重量部の熱伝導性粒子を分散せしめた熱伝導性エマルジョン。本発明に係る熱伝導性エマルジョンは、高熱伝導性コート剤または接着剤として使用されるが、樹脂100重量部に対して1000重量部以上の熱伝導性粒子が充填されているため、5W/m・k以上といった高い熱伝導性を示す。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ベース板に形成された取り付け用の穴とケースに形成された取り付け用の穴とをずれなく揃えることができ、しかもベース板とケースとの熱膨張によるダメージを回避できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】キュアベース板上にベース板を搭載し、該ベース板上に、該ベース板とケースの接着面間に接着剤を挟むようにして該ケースを搭載し、該キュアベース板から該接着剤に熱供給して該接着剤を熱硬化させることで該ベース板と該ケースの接着を行う。該キュアベース板の上面に対して平行方向に移動可能なように該キュアベース板に取り付けられ、該キュアベース板の上面から突出した部分である突出部分を有する位置決めピンに、該ベース板に形成された第1の取り付け穴と該ケースに形成された第2の取り付け穴とが嵌合した状態で該接着を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置における放熱性の向上を図る。
【解決手段】配線基板3上にSOC1が搭載されたBGA8において、SOC1が、少なくとも一部の領域がSOC1の中央部側に配置された演算回路1gを有しており、SOC1の主面の演算回路1g上に第2パッド1iを設け、この第2パッド1iと配線基板3のボンディングリード3cとを直接第2ワイヤ4bで接続することで、演算回路1gから発せられる熱を第2ワイヤ4bを介して配線基板3に逃がすことができ、BGA8における放熱性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】動作電圧を高くしても、高い出力を得ることを可能にする。
【解決手段】基板2上に形成された半導体膜3と、半導体膜のトランジスタ能動部形成領域となる第1領域上に離間して形成されたソース電極10およびドレイン電極12と、ソース電極とドレイン電極との間の第1領域上に形成されたゲート電極14と、を有する電界効果トランジスタと、半導体膜、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を覆うように形成された絶縁膜8、16と、ソース電極に接続し、ゲート電極を覆うようにゲート電極の上方にまで延在するように絶縁膜上に形成された放熱プレート18と、放熱プレート上に形成された放熱部22、24と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】金属基材から輻射体への熱抵抗を小さくし、輻射による放熱量を大幅に増加させた炭素被覆材の製造方法及び炭素被覆材を提供する。
【解決手段】炭素材料を噴き付けるエアロゾルデポジッション法により、エアロゾルデポジッション装置1のチャンバー2内に保持された金属製の基材5上に、エアロゾル供給装置7の生成容器7a内で生成した炭素材料の粉体と搬送流体から構成されるエアロゾロを噴きつけて、炭素被覆層を形成する。 (もっと読む)


【課題】樹脂封入型半導体装置に、必要な電気絶縁性と熱伝導性とを確保しつつ、絶縁耐圧の低下を防ぎ、樹脂封入型半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】放熱台板14とモールド樹脂16との境界に生じる段差に対抗するための、高熱伝導樹脂シート18を補強手段(補強板40、強化繊維が混入された強化型の高熱伝導樹脂シート18)を備えることで、半導体素子12の通電時と非通電時に生じる温度変化によって、放熱台板14とモールド樹脂16との熱膨張量・熱収縮量に差が生じた場合であっても、高熱伝導樹脂シート18に生じる剪断応力の影響を抑えることができる。よって、高熱伝導樹脂シート18における、放熱台板14の輪郭に沿ったクラックの発生を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の裏面側の空気循環が容易に行えることによって十分な放熱を行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置10は、リードフレームを構成するリード端子11、ダイパッド12と、ダイパッド12上に接続された半導体素子としてのICチップ13と、ICチップ13とリード端子11を電気的に接続する金属細線14とが樹脂などのパッケージ15に内包されている。パッケージ15の実装基板19に面する側の裏面17には、凹形状の溝部18が複数形成されており、その両端はパッケージ15の側面である外周面16に達している。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオードの高輝度化のための反射部がより容易に形成され、また発熱対策も可能な発光ダイオード基板、その製造方法及びそれに用いられるペースト材料を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂と硬化剤と熱伝導性フィラーとを含有してなる熱伝導性導電ペーストを基板に印刷し、この基板上で硬化させて光線反射部となる突出部を形成させ、この硬化したペーストの表面に、好ましくはAgメッキ又はNiメッキを電解メッキで施すことにより、反射部を形成する。 (もっと読む)


【課題】 熱変動によって生ずる基板の反り等の影響を減少させることができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 表面に複数の電極パッドを有する基板10と、基板上に複数の電極パッドに電気的に接続するように設置された半導体チップ13と、基板上に半導体チップの回りを取り囲むように設けられたスティフナー17とを備え、そのスティフナーは、絶縁材料層21と、絶縁材料層中に、基板の表面と実質的に平行になるように配置された剛性板23であって、複数のスルーホール32が設けられ、スルーホールの少なくとも一部に絶縁材料が充填されている剛性板とを含むことを特徴とする半導体パッケージ100である。 (もっと読む)


【課題】はんだ流れによるモジュール変位を防止可能なパワー半導体モジュール実装構造を提供すること。
【解決手段】パワー半導体モジュール1は、放熱金属板11と、一側面から突出する5本のリード12a〜12eと、他側面から突出する5本のリード13a〜13eと、パワー半導体チップ14と、角形の樹脂モールド部15とを有している。リード12a〜12eとリード13a〜13eとは、モジュール1の互いに平行な2つの側面から個別に点対称状態にて突出し、バスバー2、3にはんだ接合されている。放熱金属板11もバスバー2にハンダ接合されている。ほぼ等しい熱容量をもつリード12a〜12d、13a〜13dはほぼ同時に溶融はんだに接触することになり、溶融はんだによるリード12a〜12d、13a〜13dのバランスがとれるため、溶融はんだによるリード引っ張り力によるモジュール1の変位を防止することができる。 (もっと読む)


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