【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体１は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と第１の絶縁層３と第２の絶縁層４とを備える。第１，第２の絶縁層３，４は、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。第１，第２の絶縁層３，４はそれぞれ、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを含む。第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満である。上記硬化性組成物は、２５℃での粘度が１５０００ｍＰａ・ｓ以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が１４０℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチパッドや配線部等を構成する金属層が劣化し難い電子デバイスを提供することである。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、セラミック製の基体２と電子素子１とを具え、基体２の表面21には金属層８が形成され、該金属層８の表面上に電子素子１が設置されることにより、該電子素子１と金属層８とが熱的又は電気的に接続されている。ここで、金属層８は、基体２の表面21の内、電子素子１によって覆われた領域Ｒ１の外周縁よりも内側の領域Ｒ２に形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】伝導ノイズ及び伝導ノイズをより低減しつつ、破損を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１６では、正極端子５０及び出力端子５４の少なくとも一方と第１スイッチング素子３４との間には導電性の第１熱緩衝材６４ａが配置されると共に、負極端子５２及び出力端子５４の少なくとも一方と第２スイッチング素子４０との間には導電性の第２熱緩衝材６４ｂが配置される。第１熱緩衝材６４ａの線膨張係数は、第１スイッチング素子３４の線膨張係数よりも大きく且つ正極端子５０又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さく、第２熱緩衝材６４ｂの線膨張係数は、第２スイッチング素子４０の線膨張係数よりも大きく且つ負極端子５２又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面２０ａと他方主面２０ｂと貫通孔２２とを有する基板２０と、貫通孔２２を塞ぐように配設され、基板２０の一方主面２０ａよりも他方主面２０ｂ側に凹む実装面２３２を有する熱伝導部２３０と、実装面２３２上に固定された素子４０とを備える。基板の一方主面に第２の配線２８が形成され、熱伝導部２３０は導電性を有しており、基板２２０の他方主面であって貫通孔の開口周縁部に、第２の配線に電気的に接続された介在配線２２９が形成され、熱伝導部２３０は、基板の他方主面側で貫通孔の開口を閉塞するように広がる板状の本体部２３４を有し、前記熱伝導部の本体部が、前記介在配線に電気的に接続された状態で、前記基板の他方主面であって前記貫通孔の開口部に配設されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱抵抗を大きくすることなく、半導体素子に加わる応力を低減可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体素子１と、第一の接合材２を介して前記半導体素子１と接合される、導電性を有する第一の電極３と、前記半導体素子１に対して前記第一の電極３の反対側に、第二の接合材４を介して前記半導体素子１と接合される、導電性を有する第二の電極５と、前記第二の電極５に対して前記半導体素子１の反対側に、第三の接合材７を介して前記第二の電極５と接合される、前記第二の電極５よりも線膨張係数の小さい緩衝部材８と、これらを封止する第一の樹脂６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子において発生する熱による熱膨張及び熱収縮を抑えることのできるメタルベース及びその製造方法、並びにこれを用いた素子パッケージを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの素子１０が実装されるメタルベース１１０であって、素子１０が実装される実装部が一方の面に形成される第１のベース部材１１１と、第１のベース部材１１１よりも小さい熱膨張係数を有し、第１のベース部材１１１の他方の面に貼着されて第１のベース部材１１１の熱収縮及び熱膨張を拘束する第２のベース部材１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド部にクラックやボイドが発生し難い半導体モジュール、及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１は、第１の面と、第１の面の反対面である第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロック３０と、金属ブロックの第１の面に設置された半導体素子１０，１１と、金属ブロックの第２の面を覆う第１の絶縁層と、第１の絶縁層から延在して金属ブロックの側面の少なくとも一部を覆う第２の絶縁層と、を含む絶縁層４０と、半導体素子及び金属ブロックの少なくとも第１の面を封止する封止部５１と、第２の絶縁層と接しないように封止部の外縁部から金属ブロックの第２の面側に立設された側壁部５２と、を含む樹脂モールド部５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を用いたＢＧＡ実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。
【解決手段】実施の形態の半導体パッケージ１００は、半導体素子５を直接上に搭載するヒートスプレッダ４と、前記ヒートスプレッダ４の周囲側面と接触して前記半導体素子５の気密性を保持する多層セラミック基板１と、前記ヒートスプレッダ４を下から支え、前記多層セラミック基板１の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板１とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロック１５と、前記多層セラミック基板１および前記金属ブロック１５の下面に接合された複数のはんだボール９とを備える。 （もっと読む）

【課題】部品の熱を効率よく放熱すると共に部品が基板上により良好な状態で接合された電子機器および基板アセンブリを提供する。
【解決手段】電子機器は、筐体と、筐体内に設けられ、表面に露出した複数の第１のパッドと、略矩形であって該略矩形の内部に貫通孔部２６を有する複数の第２のパッドとを備えた基板と、基板の表面に対向する基板対向面に露出して接合剤３０ａ、３０ｂを介して第１のパッドに接合された複数の第１の電極と、基板対向面に露出して接合剤を介して第２のパッドに接合された第２の電極とを備えた部品とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース，半導体用キャリア，パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下，Ｎ：0.1質量％以下，Ｃ：0.1質量％以下，Al：0.05質量％以下，Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品である。 （もっと読む）

【課題】小電流用配線が自身よりも大電流が流れる部位と導通することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】大電流が流れるエミッタ用パッド１２ａ及びコレクタ用パッド１２ｂと、小電流が流れる小電流用配線（１３１，１３３，１３４）とを含む半導体チップ１０と、コレクタ用パッド１２ｂに電気的に接続された金属からなるコレクタ用端子３０と、エミッタ用パッド１２ａに電気的に接続された金属からなる第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）とを備え、半導体チップ１０、ブロック体５０、エミッタ用端子２０、コレクタ用端子３０が一体的にモールド樹脂６０にてモールドされた半導体装置１００である。この第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）は、一部がモールド樹脂６０の外部に露出し、小電流用配線（１３１，１３３，１３４）を覆っている絶縁性保護膜８０に対向する位置にスリット部５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。
【解決手段】回路層７として、電子部品搭載面７ａを構成するアルミニウム純度が質量％で９９．０％以上９９．９５％以下の第１層１１と、アルミニウム純度９９．９９％以上の第２層１２とを含む２以上の層を積層してなるクラッド材を用い、その第２層１２をセラミックス基板３にろう付けにより接合する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールの使用時に絶縁回路基板の絶縁層に割れが発生することを防止しうる絶縁回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、絶縁板５の一面に導電層６がろう付されたものであり、導電層６における絶縁板５にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載面８となっている。導電層６の輪郭を形成しかつ導電層６の厚み方向に幅を持つ輪郭面９に、ろう材を、絶縁板５に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部11を形成する。導電層６の輪郭面９に、絶縁板５側の端部から電子素子搭載面８に向かって所定の幅を有し、かつろう材貯留部11内のろう材と絶縁板５との接触を抑制する接触抑制部12を設ける。ろう材貯留部11は、輪郭面９における接触抑制部12よりも電子素子搭載面８側の部分に形成し、かつ接触抑制部12に対して凹んだ凹部13からなる。 （もっと読む）

【課題】
耐クラック性及び耐剥離性に優れたアルミニウム合金−セラミックス複合体を効率的に生産することができるアルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によれば、平板状のセラミックス多孔体にアルミニウム合金を含浸することにより、両主面にアルミニウム合金層を有する平板状のアルミニウム合金−セラミックス複合体母板を形成する工程と、前記複合体母板の少なくとも一主面に直線状欠陥又は断続的欠陥を導入し、その後、割断することにより、側面において前記セラミックス多孔体及び前記アルミニウム合金層が露出したアルミニウム合金−セラミックス複合体を形成する工程を備え、前記セラミックス多孔体は、炭化珪素と黒鉛の少なくとも一方を含有し、セラミックス充填量が５０質量％以上であり、且つ厚さが０．３５ｍｍ〜３．８ｍｍであり、前記アルミニウム合金は、アルミニウムの含有量が７０質量％以上であり、前記複合体母板は、厚さが０．５ｍｍ〜４．０ｍｍであり、前記アルミニウム合金層は、厚さが０．０１ｍｍ〜０．３ｍｍである、アルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と金属部材のはんだ接合部に生じる熱応力を低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、はんだ１７を介して接続された半導体素子１１，１２と少なくとも金属を含む金属部材１６を有する。半導体素子１１の一面には、はんだ１７を取り囲むように所定厚さを有するはんだ形状制御部材２１が設けられている。そして、はんだ形状制御部材２１の内周面と、半導体素子１１，１２の一面とのはんだ１７側でなす角度が９０度未満となっている。 （もっと読む）

【課題】発熱部材の動作性能を適正に維持すると共に、結露の発生を未然に防止する。
【解決手段】筐体内に設けられたＬＤ18，20、ＬＥＤ19と、ＬＤ18，20、ＬＥＤ19に対して設けられ、ＬＤ18，20、ＬＥＤ19から吸熱するペルチェ素子26，29，32と、外部空気を筐体内に導入し、導入した空気流をＬＤ18，20、ＬＥＤ19に当てて冷却する冷却ファン36と、ＬＤ18，20、ＬＥＤ19の温度を検出する温度センサ27，30，33と、検出した温度に基づいてＬＤ18，20、ＬＥＤ19が過冷却状態であるか否かを判断し、過冷却状態であると判断した場合にはペルチェ素子26，29，32での冷却能力を下げると共に、冷却ファン36での冷却能力を上げるＣＰＵ40及び投影光駆動部39とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを含む半導体装置であって、放熱性向上が図られた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第１熱伝導層を形成する工程と、複数の半導体チップの上方に、第１絶縁層を形成する工程とを有し、第１熱伝導層は、第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭素系材料を用いて板状に形成され、表面に金属薄膜を有し、板状の厚さ方向に熱を伝導させる熱拡散部材としての第１部材は、少なくとも第２部材との対向面に、金属薄膜を有する。そして、第１部材の金属薄膜形成面と第２部材における金属薄膜形成面の対向面との間に、接合部材として金属粒子の焼結体が介在されている。 （もっと読む）