【課題】ケースを固定する接着剤の塗布量を抑え、なおかつパワーデバイスへのはみ出しを防止できるパワーモジュールを提供すること。
【解決手段】パワーデバイス３を載置した複数のベース板５を並べて配置し、これらのベース板５をケース７で囲んだパワーモジュール１において、前記ケース７は、複数の前記ベース板５の全てを囲む外囲壁２０と、隣り合う前記ベース板５同士の間に沿って配置される仕切壁２１と、を備え、前記外囲壁２０、及び前記仕切壁２１の底面２０Ａ、２１Ａが前記ベース板５の上面に接着剤４０で接着されるとともに、前記仕切壁２１の底面２１Ａには、前記ベース板５同士の間に沿って延在し、隣り合う前記ベース板５同士の間に塗布された接着剤４０を封じる溝５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】発熱体からの熱を効果的に放熱する電子機器を提供する。
【解決手段】発熱体２４と、発熱体２４に接する熱拡散板２３と、熱拡散板２３に接する放熱構造２９を有する電子機器であって、放熱構造２９は凸型グラファイト複合フィルム２８であり、熱拡散板２３の熱輸送能力が０．０１４Ｗ／Ｋ以上であり、凸型グラファイト複合フィルム２８の断面における高さ２８Ｂの方向の長さが断面の全長の２０％以上であり、凸型グラファイト複合フィルム２８の該凸型断面に垂直な方向が電子機器の高さ方向に設置されている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率、接着強度及び絶縁性のすべてに優れる樹脂シート硬化物を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１１０と、前記半導体素子１１０上に配置され、エポキシ樹脂モノマー、硬化剤及びフィラーを含み、前記フィラーが、レーザー回折法を用いて測定される粒子径分布において、０．０１μｍ以上１μｍ未満、１μｍ以上１０μｍ未満、及び１０μｍ以上１００μｍ以下のそれぞれの範囲にピークを有し、１０μｍ以上１００μｍ以下の粒子径を有するフィラーが、窒化ホウ素フィラーを含む樹脂シートの硬化物１０２と、前記半導体素子１１０が、前記樹脂シート硬化物１０２を介して、せん断強度３ＭＰａ〜１２ＭＰａにて接着している被着体とを備える半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 樹脂封止型の半導体装置であって、従前の構造に比して、冷却性能の向上が可能な新規な構造を提案すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置10は、半導体素子12とそれが接合された電極板14とが電気絶縁性樹脂から成るモールドＭ内に包含され封止され、モールドの外面に於いて、放熱用のコルゲート・フィン22が、モールドの外面の樹脂がコルゲート・フィンの一方の面の溝内に充填された状態にて接着され、且つ、コルゲート・フィンの一方の面の樹脂が充填された溝の幅ｗ１がコルゲート・フィンの他方の面の樹脂が充填されていない溝の幅ｗ２よりも広いことを特徴とする。これにより、電極板とコルゲート・フィンとの間の電気絶縁性を担保しながら、それらの間の距離ｈが短縮可能となり、冷却性能が向上される。 （もっと読む）

【課題】金属ブロックと半導体素子とのはんだ付け性及び金属ブロックと樹脂との密着性を確保すると共に、製造コストの上昇を抑えた半導体モジュール、及びその製造方法等を提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、金属ブロックと、前記金属ブロックの一方の面に設けられた半導体素子設置領域にはんだ層を介して設置された半導体素子と、前記金属ブロック及び前記半導体素子に樹脂をモールドして形成されるモールド部と、を有し、前記金属ブロックの一方の面は、めっき領域と、粗化領域と、を含み、前記半導体素子設置領域は、前記めっき領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールとヒートシンクをはんだ付けする場合、はんだの溶融時にはんだが外部に流出する恐れがあり、はんだが流出すると本来あるべきはんだ量が足りなくなるため、濡れ面積不足により放熱性能低下が問題となる。
【解決手段】電力用半導体素子１をモールド樹脂２で封入したパワーモジュール１０と、パワーモジュールにはんだにより接合されたヒートシンク１１とを有する電力用半導体装置において、ヒートシンクのパワーモジュール搭載面には、位置決め部１２とはんだ流出止め部１３とからなる突起部１４を設け、突起部とパワーモジュールとヒートシンクで囲まれた空間であってはんだの周囲には、はんだの溶融時に膨張する体積分以上の容積で、その表面がはんだに濡れない材質で構成された溶融はんだの体積膨張吸収部１５を形成した。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭素系材料を用いて板状に形成され、表面に金属薄膜を有し、板状の厚さ方向に熱を伝導させる熱拡散部材としての第１部材は、少なくとも第２部材との対向面に、金属薄膜を有する。そして、第１部材の金属薄膜形成面と第２部材における金属薄膜形成面の対向面との間に、接合部材として金属粒子の焼結体が介在されている。 （もっと読む）

【課題】硬質ヒートシンクに取付けが可能であり、反りを考慮し十分な放熱能力が高めることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子が搭載された複数のダイパッドを有するリードフレームと、ダイパッドの接続された放熱板と、リードフレームの一部と放熱板の一部を覆う樹脂封止体と、を備える半導体装置において、放熱板が外面側に凸形状に湾曲し、且つ、ダイパッドに対応している位置が波形状に突出していることを特徴とする。また、製造方法は、放熱板の打ち抜き工程と、リードフレームのダイパッドに半導体素子を搭載する素子実装工程と、放熱板とリードフレームを接合し、樹脂封止する樹脂成形工程とを備える半導体装置の製造方法において、打ち抜き工程で放熱板全体を湾曲させ、モールド工程の熱硬化収縮を利用して波形状にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る放熱基板及び電子部品は、高熱伝導性及び高熱放射性を有し、これにより熱に起因する部品の誤作動、性能の低下や劣化、さらには信頼性低下が生じ難くなった。
【解決手段】本発明に係る放熱基板は、金属板としての金属シート３、硬化層２と、接着層１の順で積層された放熱基板である。硬化層２がＣステージ状で放熱性を有する。硬化層２の接着層側の表面が表面粗さ０．１μｍ以上２０μｍ以下である。接着層１がＢステージ状である。硬化層及び接着層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機フィラーからなり、硬化層の示差走査型熱量計から計算した硬化率が９０％以上であり、接着層の硬化率が１０％以上７５％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤモジュール装置の放熱特性を改善する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ基板は、金属プレートと金属箔との間に、樹脂層と接着材層からなる２層の絶縁層を挟んだ積層構成とする。曲げ加工により形成した壁部の上端の金属箔を一対の外部接続電極として機能させるように、金属箔にスリット開口し、かつ、この一対の外部接続電極の端部は金属プレート端より内側に配置する。ＬＥＤパッケージ基板にＬＥＤチップを装着すると共に、該ＬＥＤチップの一対の電極をスリットにより分離された金属箔のそれぞれに接続し、かつ透明樹脂を充填することによりＬＥＤパッケージを構成する。このＬＥＤパッケージを配線基板に実装して、一対の外部接続電極を配線基板上の配線と接続すると共に、ＬＥＤパッケージ基板を放熱体に固着或いは接触させる。 （もっと読む）

【課題】金属ステージの熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置の温度上昇を抑制できるようにする。
【解決手段】電子装置を、金属ベース２１と、金属ベース２１の上方に設けられ、金属ステージ用開口部２０Ａを有し、配線層２３を含む配線基板２０と、金属ステージ用開口部２０Ａに設けられ、グランドラインとなる金属ステージ２７と、金属ステージ２７の上方に設けられた半導体装置４とを備えるものとし、金属ステージ２７を、半導体装置４側の端面よりも金属ベース２１側の端面の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保しつつ、ＩＣチップにノイズが侵入することを抑制できるＩＣパッケージ、ＩＣパッケージが配線基板に実装された回路基板、及び回路基板を備えた電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１００は、ＩＣパッケージ１０と、配線基板３０と、ＩＣパッケージ１０及び配線基板３０が収納される金属製のケース４０とを備える。配線基板３０は、絶縁基材３１に設けられたグランド層３２に電気的に接続されたグランド用パターン３３及び迂回用パターン３５を備える。ＩＣパッケージ１０は、ＩＣチップ１１と、ＩＣチップ１１とケース４０とに熱的に接続された金属製の放熱板１７と、グランド用パターン３３とＩＣチップ１１とに電気的に接続されたグランド端子１５と、グランド用パターン３３と放熱板１７とに電気的に接続された迂回端子１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールに用いられるパワー半導体素子の放熱効率の向上とパワー半導体素子の周辺部品の耐電圧確保を両立することである。
【解決手段】パワー半導体素子の一方の主面と対向する第１導体板と前記パワー半導体素子の他方の主面と対向する第２導体板を有するパワー半導体モジュールの製造方法であって、前記第１導体板の一方の面に第１突出面を有する第１突出部を形成する場合に、当該第１突出面の向かい合った所定の２辺が前記第１導体板の向かい合った所定の２辺とそれぞれ重なるように、引き抜きにより形成する第１工程と、前記第１突出面に形成されるとともに第２突出面を有する第２突出部を形成する場合に、前記第１突出面の一部をプレスすることにより前記第２突出面を形成させる第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザチップをパッケージングしてなる半導体パッケージの性能を向上する。
【解決手段】アイレット３１と、アイレット３１の一面から起立して設けられたヒートシンク３２とを備え、アイレット３１の一面に対して垂直なヒートシンク３２の搭載面３２ａに、半導体レーザチップ１１が搭載されるステム３０である。ここでは、ヒートシンク３２の搭載面３２ａ側のアイレット３１には、凹部４０が形成されている。また、ヒートシンク３２の搭載面３２ａに接するアイレット３１には、凹部４０の底面に接し、凹部４０より深い穴部４１ｃが形成されている。また、穴部４１ｃには、ヒートシンク３２の搭載面３２ａ側から凹部４０の底面側に係るようにヒートシンク３２の搭載面３２ａに対して傾斜した傾斜面４２ａを有して光反射防止部４２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させずに簡素な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、ヒートシンク１と、ヒートシンク１上に配置された半導体チップ２と、半導体チップ２を封止する絶縁体３とを備えている。ヒートシンク１は、半導体チップ２が配置された方向に突出する突起部４を含んでいる。突起部４は、突起部４が突出する方向に沿って突起部４を貫通する取付孔５を有している。 （もっと読む）

【課題】封止する樹脂における半導体素子及び導電部材に至るクラックの発生を防止するとともに導電部材及び放熱部材の間の絶縁を確実に行うことを可能にする放熱部材付き半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】放熱部材付き半導体装置１０１は、半導体チップ１と、ダイパッド部２ａと、ヒートシンク３と、ダイパッド部２ａ及びヒートシンク３の間に間隙ｇ１を形成し且つ同様の構成を有する第一樹脂ブロック１０及び第二樹脂ブロック２０とを備える。第一樹脂ブロック１０は、第一樹脂材料からなる第一樹脂層１１、第三樹脂層１３と、第二樹脂材料からなる第二樹脂層１２とを有し、第一樹脂層１１はダイパッド部２ａと接触し、第二樹脂層１２はダイパッド部２ａと接触しない。なお、第一樹脂材料は、第二樹脂材料より低い融点を有している。さらに、放熱部材付き半導体装置１０１は、第一樹脂材料からなる封止用樹脂４で樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導性を有するとともに、熱膨張係数を電子部品等の熱膨張係数に近付けた放熱部材を用いた電子部品収納用パッケージを提供。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、第１金属層１１ａを挟んで上下に配された第２金属層１０の圧延方向が互いに直交するように配されている。 （もっと読む）

【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部２１の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部２２によって水路３０の一部を構成し、半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１および熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆ったユニット１０を積層することで、冷却機構を構成する水路３０が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部２２のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部２２を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部２２以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの周囲に配された発熱部品の温度上昇を効果的に防ぐことができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２を複数個積層して構成してなる電力変換装置１。半導体モジュール２は、半導体素子２１と放熱板２２と封止部２３と壁部２４と貫通冷媒流路４１とを有する。複数の半導体モジュール２は放熱面２２１の法線方向に積層されている。積層方向の両端に配される半導体モジュール２には蓋部３が配設されている。隣り合う半導体モジュール２の間及び蓋部３と半導体モジュール２との間であって壁部２４の内側には、沿面冷媒流路４２が形成されている。一方の蓋部３には冷媒導入管５１及び冷媒排出管５２が配設されている。壁部２４、蓋部３、冷媒導入管５１及び冷媒排出管５２の少なくともいずれかは、外側面及び内側面の少なくとも一方に凹凸部１４を設けてなる。 （もっと読む）