【課題】小型化が容易であるとともに、加圧部材の組みつけが容易な電力変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体モジュール３０と冷却管３１０とを積層してなる積層体３と積層体３を収容するフレーム２とを有する電力変換装置１である。積層体３における積層方向の一端には積層体３を積層方向に加圧する加圧部材４が配置されている。加圧部材４は、積層体３に当接する押圧プレート４０と、フレーム２の内側面２０１に当接する支持プレート４１と、両者の間に設けられた弾性体４２とからなる。加圧部材４は、弾性体４２が積層方向に圧縮された圧縮状態で積層体３とフレーム２の内側面２０１との間に配設されている。加圧部材４は、弾性体４２が圧縮状態よりも更に圧縮された状態を維持しつつ押圧プレート４０と支持プレート４１とを互いに係合可能に構成された係合手段（係合部４１２及び被係合部４０１）を備えている。 （もっと読む）

【課題】水冷設備を準備できない使用環境でサイリスタチップを冷却する。
【解決手段】サイリスタチップ113,123を具備する圧接型大電力用サイリスタモジュール100において、複数の放熱フィン1bを有するヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板11とコモンバー12とアノードサブスペーサ181とサイリスタチップ113とカソードサブスペーサ183とカソードスペーサ14とカソード端子バー18とを圧接手段19によって上下方向に圧接し、ヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板21とコモンバー12とカソードスペーサ24とカソードサブスペーサ193とサイリスタチップ123とアノードサブスペーサ191とアノード端子バー22とを圧接手段29によって上下方向に圧接した。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールと冷却器とからなる積層体の積層方向の全長を小型化することができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】第１当接部５１は、冷媒導入管３３及び冷媒排出管３４が配置されている積層体２の積層方向の端部の冷却管３１に当接し、冷媒導入管３３と冷媒排出管３４との間に位置するように配置されている。積層体２の積層方向における一方の端部を基準とし、積層体２が存在する方向を他方の端部方向、積層体２が存在しない方向を一方の端部方向としたときに、固定部５２は第１当接部５１よりも他方の端部方向に配置され、加圧部材５は固定部５２に一方の端部方向への引っ張り荷重が加わった状態で、第１当接部５１により積層体２を他方の端部方向に押圧している。 （もっと読む）

【課題】電子部品の両端面の外側にヒートシンクを設けたものを、トランスファーモールド法によって樹脂で封止してなる電子装置において、樹脂封止時における電子部品へのダメージを適切に低減できるようにする。
【解決手段】電子部品１０の両端面１１、１２の外側にヒートシンク２０、３０を設けてなる一体化部材１１０を金型１００に投入し、樹脂４０で封止するようにした電子装置の製造方法において、第１のヒートシンク２０の外面２２にて、当該外面２２の内周部から端面２３まで連続して形成された凹部１を設け、樹脂封止工程では、樹脂４０を、両ヒートシンク２０、３０の内面２１、３１間だけでなく、第１のヒートシンク２０の外面２２側にも流すことにより、樹脂４０を凹部１に充填する。 （もっと読む）

【課題】組立、分解、又は整備時に冷却剤がエレクトロニクス上に漏れるのを防ぐ改良型ヒートシンク設計を提供する。
【解決手段】ヒートシンク６０，７０は、熱伝導性材料から形成された下方蓋１２、上方蓋１４、及び本体１６を含み、冷却剤を導入するテーパ入口分配チャンバ１３６と、冷却剤をテーパ入口分配チャンバから導入するＣ形入口マニホルド１３０と、冷却剤を排出する逆Ｃ形出口マニホルド１３２とからなり、ミリチャンネル３４が本体に形成されるか、又は蓋の少なくとも一方に形成され、冷却剤を入口マニホルドから導入すると共に、冷却剤を出口マニホルドに送給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】下流側において上流側よりも半導体チップ温度が上昇することが緩和でき、上下流に配置された半導体チップの冷却がより効果的に行われるようにする。
【解決手段】熱抵抗の小さい下アーム側を冷媒流れの下流に位置させることで、冷媒流れの上流側に位置する上アームよりも下流側に位置する下アームの方が冷却効率が高くなるようにする。これにより、上流側での冷媒温度の上昇を抑制して上下流に配置された第１、第２半導体チップ８ａ、８ｂを効果的に冷却すること、もしくは、上流側で冷媒温度が上昇したとしても、下流側で高い冷却効率に基づいて十分な冷却を行うことにより、上下流に配置された半導体チップ８ａ、８ｂを効果的に冷却することが可能となる。したがって、半導体チップ８ａ、８ｂが冷媒流れの上下流に並べられて配置される半導体モジュール４において、下流側において上流側よりも半導体チップ温度が上昇することが緩和できる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で熱交換性能の向上を図ることができる積層型熱交換器を提供する。
【解決手段】熱媒体が流通する熱媒体流路３０を有する複数の流路管３と、複数の流路管３を連通する連通部材４とを備え、複数の流路管３が流路管３と交互に配置される電子部品２を両面から挟持できるように積層配置されており、流路管３内に、熱媒体流路３０を複数の細流路３３３に分割するとともに、熱媒体と流路管３との伝熱面積を増大させるインナーフィン３３が、流路管積層方向に複数積層されている積層型熱交換器において、インナーフィン３３として、流路管積層方向に直交する断面形状が直線状となるストレートフィンを用い、流路管積層方向に隣接したインナーフィン３３を、流路管積層方向から見たときに、細流路３３３を流れる熱媒体の流れ方向が互いに交差するように構成する。 （もっと読む）

【課題】隣り合う流路管間の隙間寸法を一定に維持するための治具を用いることなく、当該隙間寸法を一定に維持した状態で、隣り合う流路管同士を接合できる積層型熱交換器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】流路管３に、流路管積層方向に開口するとともに突出した突出管部４を設け、連通部材５を、隣り合う流路管３の突出管部４同士を嵌合させることにより形成し、互いに嵌合された一対の突出管部４のうち、一方の突出管部４１の先端部４１１を、開口端側に向かって縮径するテーパ形状とし、他方の突出管部４２の先端部４２１を、開口端側に向かって拡径するテーパ形状とし、一方の突出管部４１の先端部４１１における外側面の少なくとも一部を、他方の突出管部４２の先端部４２１における内側面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】装置の全長寸法を増加させることなく絶縁性能を高めた大電力スタックの提供を目的とする。
【解決手段】本発明の大電力スタックは、複数個の平型半導体素子１０と金属製冷却フィン８とを交互に積層した積層体と、積層体の両端に設けられこれを圧接する金属製プレート７と、金属製プレート７間に渡され圧接圧力を保持する金属製ボルト４と、金属製ボルト４を被覆する円筒状の絶縁パイプ１と、金属製冷却フィン８に配設され、金属製冷却フィン８・絶縁パイプ１間の位置決めを行う絶縁物で構成された位置決め板５とを備える。絶縁パイプ１は、金属製プレート７に隣接配置される、第１外径を有するベローズ形状の第１部分と、第１部分から金属製プレート７と反対の中央方向に延在する、第１外径よりも小さい第２外径を有する円筒状の第２部分とを有し、絶縁パイプ１の第２部分は位置決め板５の穴５ａ、５ｂを貫通する。 （もっと読む）

【課題】両面空冷方式の半導体装置を備えるインバータ回路ユニットについて、半導体装置の構造を活用した位置決め機構の実施により、組立て性及び製品性能を確保する。
【解決手段】インバータ回路ユニット３０は、半導体装置１０を収納するとともに、内部に配置された複数個の第１のフィン１１２に対して送風される空気の取り入れ口である複数個の通風口３２ｂを側面に形成する通風路形成部材３２，３３を備える。通風路形成部材３２，３３は、隣り合う通風口３２ｂを仕切る仕切り部３２ａと、内壁面から突出する凸部であって主面に平行な方向Ｘの外方に本体部２２６よりも突き出る部分における基板部１１０間の隙間１１０ＣＬに嵌まる第１の凸部３８と、を有する。仕切り部３２ａは、半導体モジュール２２を挟む基板部１１０間を外側から覆うとともに、内壁面側に第１の凸部３８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】装置の製造寸法のばらつきにも関わらず、冷却効果に優れ組み付けも容易な冷却流体冷却型半導体装置を提供する。
【解決手段】所定間隔を隔てて複数配置される冷却チューブ２と、冷却チューブ２の両端部に設けられる一対のヘッダ５、６と、冷却チューブ２の間に挟圧される半導体モジュール１とを備え、ヘッダ５、６には、冷却チューブ２よりも容易に変形可能な変形容易部位が形成され、ヘッダ５、６の半導体モジュール１の厚さ方向の剛性が、冷却チューブ２の半導体モジュール１の厚さ方向の剛性よりも小さくされている。 （もっと読む）

【課題】１以上の電子素子パッケージを直接冷却するためのヒートシンクを開示する。
【解決手段】電子素子パッケージは、上側接触面２２と下側接触面２４を有する。ヒートシンクは、１種以上の熱伝導性材料からなる冷却部材３１０を備える。冷却部材は、冷却剤が導入されるように構成された複数の入口マニホルドと、冷却剤が排出されるように構成された複数の出口マニホルドを画成する。入口マニホルドと出口マニホルドは交互に配置される。冷却部材は、さらに、冷却剤を入口マニホルドから導入して出口マニホルドへと送給するように構成された複数のミリチャネルを画成する。さらに、ミリチャネルと入口及び出口マニホルドは冷却剤と直接接触して電子素子パッケージの上側及び下側接触面を直接冷却するように構成されている。従って、ヒートシンクは一体型ヒートシンクとなっている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子で発生した熱を効率良く放散することが可能となる放熱構造を提供する。
【解決手段】通電により発熱するスイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４と、前記スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４で発生した熱を放散するためのヒートシンク１０とを備えている。ヒートシンク１０は、ヒートシンク本体となる板状のベース部１１と、前記ベース部１１から突出しているフィン部１２とを有している。スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４は、ヒートシンク１０のうちのフィン部１２に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】冷却媒体の乱流誘発能力を高めて、同冷却媒体による冷却能力のさらなる向上を図ることのできる半導体装置の冷却装置を提供する。
【解決手段】冷媒流路を区画する多数のフィン１２１及び１２２を有して冷却対象となる半導体素子３００が搭載される冷却器１００と、この冷却器１００のフィン１２１及び１２２を上下に分断してかつ、それら分断した上下のフィン１２１及び１２２各々の先端からは離間される態様で冷媒流路中に設けられた樹脂板２００を備える。そして、この樹脂板２００には、フィン１２１及び１２２によって区画される各冷媒流路１３１及び１３２に対応して冷却器１００の半導体素子３００搭載側に突出する凸部２１０と、この凸部２１０の冷媒流路方向下流にあって冷媒の表裏間での移動を促す貫通孔２２０とがそれぞれ設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、且つ、熱接触面積の拡大化を図り得るようにして、放熱効率の向上を実現する。
【解決手段】ベースプレート１１の半導体素子１４が実装されるフレーム部材１２を囲む周囲に押圧領域Ｍを設け、この押圧領域Ｍ（特に、フレーム部材１２を囲む周囲）を押圧することにより、ベースプレート１１を全面的に押圧することができ、効率的にベースプレート１１をヒートシンクに圧接固定させて熱的に結合させるように構成した。 （もっと読む）

少なくとも１つのクーラー構造体と、金属セラミック基板上に少なくとも１つの電気構成素子を有する少なくとも１つの電気モジュールとを備える電気構成ユニット。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性と電気的信頼性を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１ａは、表裏両面に金属板６，７，１０，１１を備え一方の金属板６，１０を主電極とし、主電極に接続されたリード電極８，１２を備える一対の絶縁基板３，４と、絶縁基板３，４の金属板６，１０の間に挟持されて、主電極に圧接されている半導体素子２と、絶縁基板３，４と半導体素子２とリード電極８，１２とを封止する樹脂層１３とを備える。絶縁基板３上の主電極は、半導体素子２のアノード（またはエミッタ）電極２ａに対する接続部として周囲の部分６ｂから隆起している隆起部６ａを備える。主電極は、隆起部６ａの周囲に溝部を備えるものでもよい。樹脂層１３は、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂から選択される１種の樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】リアクトルやコンデンサ等の重い電子部品を、収納ケースとは別部品にすることができ、かつ収納ケースに容易に固定できる電力変換ユニットを提供する。
【解決手段】電力変換回路を構成する電子部品２と、電子部品２を冷却する冷却管３とを交互に複数個積層した積層型冷却器４を備える。また、電子部品２より重い重量電子部品５を備える。積層型冷却器４と重量電子部品５とは収納ケース６に収納されている。重量電子部品５は、収納ケース６から分離可能な別部品として形成され、かつ収納ケース６内にて積層型冷却器４の積層方向にスライド移動可能であり、そのスライド移動可能範囲内の任意の位置において、収納ケース６に対して固定できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、小型軽量化が実現可能なパワーモジュール及びパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０１の厚みと同じ高さを有する少なくとも一対の金属ブロック１１２−１，１１２−２を備え、各金属ブロックの放熱面１１２ａは、パワーモジュールの側面に露出する。電力用半導体素子１１１は、各金属ブロックにおけるパワーモジュールの厚み方向に沿う素子保持面１１２ｂ間に挟んで保持される。 （もっと読む）

【課題】高い冷却性能を有する積層モジュール構造を提供することを課題とする。
【解決手段】積層モジュール構造１は、半導体モジュール２と、半導体モジュール２を冷却する冷却器３と、を有するモジュールユニット６を複数積層してなり、半導体モジュール２は、両面放熱性のモジュールからなり、各モジュールユニット６における半導体モジュール２の一面側と冷却器３とは、ろう層４０により接合されるとともに、モジュールユニット６を積層するに際し、隣接するモジュールユニット６・６の一方のモジュールユニット６における半導体モジュール２の他面側と他方のモジュールユニット６における冷却器３との間にはグリス層４１が介在される。 （もっと読む）