【課題】フィンと天板や底板とのろう付け接合をより確実に行なえるようにする。
【解決手段】天板２８には、ろう付け接合前において、フィン３２と天板２８との接合部の延在方向と同一方向に延在して底板２６側に突出する突出部２９が形成されている。これにより、冷却装置２０の製造工程のうち底板２６と天板２８とによってフィン３２を挟むときにフィン３２と天板２８との相対的な位置決めをより容易に行なうことができる。また、底板２６と天板２８とによってろう材３４を介してフィン３２を挟んだ状態で底板２６の周縁部２７と天板２８の周縁部３０とを固定して全体を加熱したときに、天板２８とフィン３２とが離れてしまうのを抑制してフィン３２と天板２８や底板２６とのろう付け接合をより確実に行なえるようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置２を、絶縁膜５と、配線６と、絶縁膜５の表面上に全面にわたって設けられた複数の第１電極７とを含む配線層８を備える半導体チップ２と、絶縁膜５の表面上の第１電極７が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜５よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材１５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ照明が、普及しつつあるが、発熱量が大きいため素子の耐久性が短く、その普及を妨げている。効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を提供することにより、ＬＥＤチップの輝度低下、寿命低下の改善によって、マーケットの拡大を実現する。
【解決手段】熱伝導性の悪い絶縁シート層を使用しない構造の基板とする改良と熱伝導性の良好な銅板による放熱を実現するために、ガラエポ基板８上の銅箔３と、ＬＥＤチップの電極６とをハンダでつなぎ、電極の端を熱伝導性ゲル１２で銅板１０と結合させて、放熱し易い構造を実現した。樹脂層の使用をできるだけ避けることにより冷却器に熱を伝えて、効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を確立した。高い放熱性を有する新規なガラエポ基板８を有するＬＥＤ照明器の製造法である。 （もっと読む）

【課題】金属ヒートシンクの代替として用いる加工性、生産性、軽量性に優れた樹脂ヒートシンクを提供する。
【解決手段】合成樹脂と熱伝導性充填材とを含有してなり、熱伝導率が０．５［Ｗ／ｍＫ］以上である高熱伝導性樹脂組成物と、金属又はセラミックスの成形体である基材３とを一体化して成形した、高熱伝導性樹脂２を用いたヒートシンク１であって、ヒートシンク１は、熱源に対向する熱源対向面６を有し、熱源対向面６の少なくとも一部は、基材３によって直接形成されるか、あるいは、基材３との間に高熱伝導性樹脂が３ｍｍ以下の厚さで介在されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが４５Ｎ／ｍｍ^２以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造で、製造効率を低下させることなく、薄く、高く、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、同回路基板を製造できるようにする。
【解決手段】セラミック基板１０の表裏両面に、アルミニウム板２１を接合して金属層を形成する。その後、回路用の金属層ではない方の金属層であるアルミニウム板２１の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位４０を、コールドスプレーによって追加的に肉盛加工する。その後、この金属部位４０に、切り起こし法によってフィン４１を形成する。従来のように、フィンが別途製造された部品を、後でロウ付けするのでなく、一体形成された金属部位４０を切起こしてフィンを形成するものであるから、フィンに座屈等の変形を生じさせることなく、薄く、微小ピッチのフィン付きの回路基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】電子機器を配線基板に実装する際における電子機器と配線基板との隙間の不均一を抑制する。
【解決手段】
電子機器は、第１プレートと、前記第１プレート上に配置され、前記第１プレートと向かい合う面の反対面に複数の第１端子を有する配線基板と、前記配線基板上に配置され、前記配線基板と向かい合う面に複数の第２端子を有する電子部品と、前記配線基板と前記電子部品との間に配置され、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する接続手段と、前記電子部品上に配置された第２プレートと、前記電子部品の配置領域の外側の領域に配置され、前記第１プレートと前記第２プレートとの間隔を狭めるように前記第１プレート及び前記第２プレートに圧力を加える固定手段と、前記電子部品の配置領域の下方に配置され、前記配線基板を前記電子部品側に押し付ける押付手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール用基板１１と、金属層１４側に接合されてパワーモジュール用基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７とが直接接合されており、回路層１３の厚さＡと金属層１４の厚さＢとの比率Ｂ／Ａが、２．１６７≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の相違に起因して応力（熱応力）が発生し、異種材間の接続層など、機械強度に劣る部分にその応力が集中し、半導体モジュールが損傷するのを防止するために、熱応力の発生を抑制しつつ電子部品の熱を放熱させる。
【解決手段】電子部品用放熱器１００は、冷却媒体を流通させるための気孔を有する第１のセラミックス層１０と、第１のセラミックス層１０に積層され、電子部品２００が載置される載置面を有する第２のセラミックス層２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を同時に良好に評価することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基３体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、金属基体５の上面に配設された半導体素子７の中心と上下に重なり合う部分に位置する第１の温度検出素子と、金属基体の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも１つの第２の温度検出素子とを有している。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、金属層の表面にうねりやシワが発生することを抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面にアルミニウムからなる回路層１２が配設され、セラミックス基板１１の他方の面にアルミニウムからなる金属層１３が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、金属層１３は、セラミックス基板１１と接合する一方の面と、その反対面である他方の面を有しており、前記他方の面に露呈するように形成された硬化層１３Ａを有しており、金属層１３の前記他方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、金属層１３のうち、前記他方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上のインデンテーション硬度を有する領域が硬化層１３Ａとされている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性粒子の使用量を増大させることなく、熱伝導性を向上させることができる熱伝導性シート、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】
樹脂層４に浸透して樹脂層４を膨潤させる単量体と、熱伝導性粒子３とを含有する粒子含有単量体混合物層塗膜７を、樹脂層４の厚み方向一方面に積層し、単量体を樹脂層４に浸透させて樹脂層４を膨潤させることにより、熱伝導性粒子３を厚み方向一方に偏在させ、その後、単量体を反応させて硬化させることにより、粒子偏在シート８を作製し、複数の粒子偏在シート８を、厚み方向一方面と厚み方向他方面とが互いに接触するように積層して、粒子偏在シート積層体９を作製した後、粒子偏在シート積層体９を、各粒子偏在シート８の積層方向に沿ってシート状に切断することにより、熱伝導性シート１を得る。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１の裏面は、第１の導電板２−１の一方の面と接合している。第１の導電板２−１の他方の面は、第１の配線基板３の回路パターン３ａと接合している。第１の導電板２−１の他方の面には突起部１１が設けられている。第１の配線基板３の回路パターン３ａには、第１の導電板２−１の突起部１１に対応する位置に凹部３ａ−１が設けられている。半導体チップ１のおもて面は、第２の導電板２−２の一方の面と接合している。第２の導電板２−２の他方の面は、第２の配線基板４の回路パターン４ａと接合している。第２の導電板２−２の他方の面には、突起部１２が設けられている。第２の配線基板４の回路パターン４ａには、第２の導電板２−２の突起部１２に対応する位置に凹部４ａ−４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】 蓋体部と、側壁部と、底板部とで構成され、内部に電子部品を冷却するための気体や液体等の流体を流すための流路を備えた流路部材において、熱交換効率の高い流路部材を提供する。
【解決手段】 本発明の流路部材１は、蓋体部１ａと、側壁部１ｃと、底板部１ｂとで構成され、内部に流体が流れる流路３を有する流路部材１であって、前記流路３を形成する面の少なくとも一部に流体が流れる方向に沿って延びる凹凸２を有していることにより、流路３と流体との接触面積が大きくなり、流路部材１との熱交換効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性の優れた絶縁回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電気絶縁板５の一面に導電材料製回路板６がろう付され、回路板６における電気絶縁板５にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載部11を有する配線面９となされており、電気絶縁板５が回路板６よりも大きく、かつ電気絶縁板５の輪郭が回路板６の輪郭よりも外側に位置している絶縁回路基板４を製造する方法である。回路板６の配線面９に、溶融したろう材が配線面９に侵入することを防止する溶融ろう材浸入防止物を付着させておく。電気絶縁板５と回路板６とを両者間にろう材層が存在するように積層し、この状態で電気絶縁板５、回路板６およびろう材層を加熱し、ろう材層から溶け出したろう材を用いて電気絶縁板５と回路板６とをろう付する。 （もっと読む）