【課題】冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生するしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、母材（20）の電子素子搭載面側に高強度層（21）が一体に積層された積層材で構成され、前記高強度層（21）の引張強さＸ（Ｎ／ｍｍ^２）と母材（20）の引張強さＹ（Ｎ／ｍｍ^２）とがＸ／Ｙ≧１．１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導体が放熱部材に近づくように反った場合であっても、熱伝導体と放熱部材との間から熱伝導性グリスが外部に押し出されるのを抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、熱伝導体１０と、熱伝導体の一方の面１１に設けられた半導体チップ２１と、熱伝導体の他方の面１２に、自身の接続平面２２ａが対向するように配された放熱部材２２と、熱伝導体の一方の面、および半導体チップを封止するモールド樹脂２３と、熱伝導体の他方の面と放熱部材の接続平面との間に設けられた熱伝導性グリス２４と、を備え、熱伝導体の他方の面は、接続平面から離間した中央領域１３と、中央領域を囲うとともに接続平面に少なくとも一部が当接した縁領域１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】 被覆ベースプレートを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は基板（１２２）に結合された半導体チップと基板（１２２）に結合されたベースプレートとを含む。ベースプレートは、第２の金属層（１０６）に接合する第１の金属層（１０８）クラッドを含む。第２の金属層（１０６）はピン−フィンまたはフィンの冷却構造（１１２）を設けるように変形される。第２の金属層（１０６）はピンもピン−フィンも有しない副層（１１３）を有する。第１の金属層（１０８）は第１の厚さ（ｄ１０８）を有し、副層（１１３）は第２の厚さ（ｄ１１３）を有する。第１の厚さ（ｄ１０８）と第２の厚さ（ｄ１１３）の比は少なくとも４：１である。 （もっと読む）

【課題】 蓋体部と、側壁部と、底板部とで構成され、内部に電子部品を冷却するための気体や液体等の流体を流すための流路を備えた流路部材において、熱交換効率の高い流路部材を提供する。
【解決手段】 本発明の流路部材１は、蓋体部１ａと、側壁部１ｃと、底板部１ｂとで構成され、内部に流体が流れる流路３を有する流路部材１であって、前記流路３を形成する面の少なくとも一部に流体が流れる方向に沿って延びる凹凸２を有していることにより、流路３と流体との接触面積が大きくなり、流路部材１との熱交換効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 強制空冷式の冷却装置において、冷却性能を維持しながら、冷却装置のサイズを小さくすることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書は、発熱素子回路を有するパワー半導体モジュールを冷却する冷却装置を開示する。その冷却装置は、上面に発熱素子回路が密着して載置されるヒートシンクと、ヒートシンクの下面に形成されたフィンと、ヒートシンクの下方に設けられたブロワを備えている。その冷却装置では、フィンが発熱素子回路の直下に配置されている。その冷却装置では、ブロワがフィンの側方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を用いたＢＧＡ実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。
【解決手段】実施の形態の半導体パッケージ１００は、半導体素子５を直接上に搭載するヒートスプレッダ４と、前記ヒートスプレッダ４の周囲側面と接触して前記半導体素子５の気密性を保持する多層セラミック基板１と、前記ヒートスプレッダ４を下から支え、前記多層セラミック基板１の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板１とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロック１５と、前記多層セラミック基板１および前記金属ブロック１５の下面に接合された複数のはんだボール９とを備える。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材１０は、導体パターン層６とろう材箔９とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層６の表面にろう材箔９を溶接することにより形成された溶接部１２が、導体パターン層６の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができ、かつ、ヒートシンクとパワーモジュールとの接合信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板、基板製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、前記セラミックス基板１１の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板１３と、該第二の金属板１３の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンク４０とを備え、前記第一の金属板１２及び前記第二の金属板１３のうち前記セラミックス基板１１との接合界面近傍にはＡｇが固溶されており、前記第二の金属板１３及び前記ヒートシンク４０の接合界面近傍にはＣｕが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ヒートサイクル試験の温度変化条件がより厳しい条件に移行しても、ヒートサイクルの信頼性寿命を維持可能な絶縁基板を用いた電力半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる絶縁基板は、セラミック基材２０２と、セラミック基材２０２の裏面に形成された裏面パターン２０３ａと、裏面パターン２０３ａと、接合部材としてのはんだ５を介して接合されたヒートシンク３とを備え、裏面パターン２０３ａは、はんだ５と接する面において、ディンプル２０４を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で放熱性に優れた配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に電子部品を搭載した電子装置を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、第１主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板であって、前記電子部品搭載領域に搭載される電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板と、前記放熱板の第１の面を前記第１主面の前記電子部品搭載領域に露出するように、前記放熱板を被覆する封止樹脂と、前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子と、配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に、外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子と、を有し、前記封止樹脂は、前記配線の少なくとも前記第１主面側及びその反対面である第２主面側、前記端子面を除く前記内部接続端子、及び前記端子面を除く前記外部接続端子、を被覆し、前記放熱板の前記第１の面、前記内部接続端子の前記端子面、及び前記外部接続端子の前記端子面は、前記第１主面側の同一平面上に露出している。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム部材と電気絶縁部材をろう付する際に、接合面内に発生するボイドが少なく、電気絶縁部材へのフラックス作用が殆どなく、また、接合位置精度に優れたろう付を可能にする熱交換器用アルミニウム部材および熱交換器用電気絶縁部材を提供する。
【解決手段】芯材にろう材がクラッドされたアルミニウム部材または電気絶縁部材の表面のうち、ろう付接合される接合面のみを対象にしてフラックスが部分的に塗布されており、該フラックスが塗布された塗膜は、好適には面方向内側から外周輪郭縁に亘って貫通する未塗布部を有しており、アルミニウム部材と電気絶縁部材のろう付に際し、電気絶縁部材にフラックスの作用が及ぶのを防止し、接合位置の精度を向上させ、アルミニウム部材を冷却器や放熱器として用いる場合、冷却、放熱特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】放熱が良好で実装時の反りが小さい高周波半導体用パッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】コンパウンド材からなる中間層と、中間層上に配置され、Ｃｕからなる熱伝導層とを有する導体ベースプレートを備える高周波半導体用パッケージおよびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部材が半導体素子から剥離することを抑制可能な放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁放熱樹脂層がヒートスプレッダに押しつぶされない構造を備えたパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】放熱絶縁シート１３には、当該放熱絶縁シート１３よりも融点が高い絶縁物で構成された球状のスペーサ１３ａが分散されている。これにより、ヒートスプレッダ１１を放熱絶縁シート１３に接着する際に、ピンでヒートスプレッダ１１が放熱絶縁シート１３側に押し付けられたとしても、スペーサ１３ａによって放熱絶縁シート１３の厚みが一定に保たれるので、放熱絶縁シート１３が局所的に薄くつぶされることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムからなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、セラミックス基板１１は、酸素又は窒素を含有しており、金属板１２、１３には、Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｇ及びＧｅから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、さらに、金属板１１、１２とセラミックス基板１１との界面部分には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ及びＭｏから選択される１種又は２種以上の活性元素が介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組み付け作業性に優れると共に小型化が容易な電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換回路の一部を構成する半導体モジュール２１と半導体モジュール２１を冷却する冷却管２２とを交互に積層してなる半導体積層ユニット２と、半導体積層ユニット２を保持するフレーム３とを有する電力変換装置１。フレーム３は、半導体積層ユニット２における積層方向の一端面２０１を支承する支承部３１を有する。半導体積層ユニット２の積層方向の他端面２０２には、半導体積層ユニット２を積層方向に加圧する板ばね部材４が配されている。板ばね部材４は、フレーム３に固定された一対の固定端部４１と、一対の固定端部４１の間において半導体積層ユニット２の他端面２０２を押圧する押圧部４２とを有し、一対の固定端部４１の少なくとも一方は、フレーム３に対して積層方向にねじ込まれる螺合部材（ボルト５）によって締結されている。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる放熱部材を含む放熱器であって、放熱特性の良好な放熱器の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱部材の少なくとも一部を遷移金属イオンを含む表面加工溶液に浸漬し、析出した遷移金属被膜を溶解することを備えた、放熱部材の表面の少なくとも一部を粗化する工程２０１と、粗化された表面を含む、放熱部材の少なくとも一部を水酸化ナトリウム溶液に浸漬１０９することを備えた、粗化された表面を溶解処理する工程２０２と、溶解処理された表面を含む、放熱部材の表面の少なくとも一部を陽極酸化することを備えた、被膜を形成する工程２０３とを有する。 （もっと読む）