【課題】本発明は、その金属フィルムが接着剤を介せずに黒鉛の表面に直接且つ緊密に形成されている放熱装置、及び該放熱装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、電子部品を搭載し、作動中の該電子部品から生じる熱を発散させるための放熱装置であって、積層構造を有する黒鉛により平板状に形成された本体と、電気メッキによって前記本体の表面に形成されている金属層とからなっている放熱装置、及び、本体を洗浄する本体の洗浄工程と、本体の洗浄工程において洗浄した本体の表面に、電気メッキによって金属層を形成する金属電気メッキ工程とを備える、放熱装置の製作方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱特性を有するとともに、はんだ濡れ性を向上させることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２に金属層６および金属層７を積層するとともに、金属層６上に無電解ニッケルメッキ層６１を形成した後、その無電解ニッケルメッキ層６１を厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下、算術平均粗さが０．１μｍ以上０．４μｍ以下となるように研磨してメッキ層６０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクに生じる不具合を低減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１面及び第２面を有し、第１面と第２面とを貫通するバイアホールを有する半導体基板と、第１面上に、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複するように形成された配線又は電極と、第２面上に形成され、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複する開口を有する応力緩衝層と、応力緩衝層上からバイアホールの内壁面に沿って延在し、配線又は電極と電気的に接続されたヒートシンクと、を備える。バイアホールの第２面における開口の大きさは、第１面における開口の大きさよりも大きい。応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 （もっと読む）

【課題】はんだとの密着性に優れる複合部材、この複合部材からなる放熱部材、この放熱部材を具える半導体装置、及び複合部材の製造方法を提供する。
【解決手段】複合部材1は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板20と、基板20の表面に形成された多層構造の金属被覆層10とを具える。金属被覆層10は、基材20側から順に、基板20のマトリクス金属と同組成である下地層11、ジンケート処理により形成された亜鉛層12、銅めっき層13、ニッケルめっき層14を具え、銅めっき層13の厚さが1μm超と比較的厚い。この構成により、複合部材1とはんだとの間の剥離強度が高く、複合部材1に半導体素子などを接合した場合に剥離し難い。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱放射性を一層向上することが可能な放熱部品及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本放熱部品は、第１の金属からなる基材と、前記基材上に形成された、第２の金属中に炭素材料が分散された複合めっき層である第１めっき層と、前記第１めっき層上に形成された第２めっき層と、を有し、前記第１めっき層は、前記炭素材料の一部が前記第２の金属の表面から突出した複数の突出部を含み、前記第２めっき層は、隣接する前記突出部間を充填せずに、前記突出部の表面及び前記第２の金属の表面を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が１２．６：８７．４〜０．５：９９．５の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を冷却するためのヒートシンクであって、十分な耐腐食性を実現する。
【解決手段】板状部５を被覆する金属層は、板状部３側において板状部３を被覆する金属層に接合している部分と、板状部７側において板状部７を被覆する金属層に接合している部分と、板状部３側であって流路Ｆを構成する凹部３ｃ上において板状部３を被覆する金属層から離隔している部分と、板状部７側であって流路Ｆを構成する凹部７ｃ上において板状部７を被覆する金属層から離隔している部分とを有する。板状部５と板状部３との接合面はＡｕＳｎはんだ層同士の接合面であり、板状部５と板状部７との接合面はＡｕＳｎはんだ層同士の接合面である。流路Ｆの内壁はＡｕＳｎはんだ層で覆われている。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層はタングステンを含み、第２の金属層は銅を含み、第３の金属層はタングステンを含む金属積層構造体である。 （もっと読む）

【課題】アルミ製部材の表面にＺｎと、Ｎｉと、Ｓｎとをコーティングしてメッキ層を形成してなる放熱体において、半田の濡れ性をさらに向上させた放熱体を提供する。
【解決手段】アルミ製部材の表面にＺｎと、Ｎｉと、Ｓｎとをコーティングしてメッキ層を形成することにより半田の濡れ性を向上させた放熱体１１において、Ｚｎの全体に占める重量比率が０．１６乃至０．２４％になり、Ｎｉの全体に占める重量比率が２．７２乃至２．９４％になり、Ｓｎの全体に占める重量比率が０．４３乃至０．５０％になるようにメッキ層を形成するとともに、ウレタン樹脂の全体に示す重量比が０．０２乃至０．０８％になるように前記メッキ層にウレタン樹脂をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが実装基板に搭載されて構成された半導体装置において、半導体チップに発生した熱の周側面側の空気中への放熱を可能な限り抑制し、熱をより確実に実装基板に逃がし、かつ製造を低コストかつ簡易な製造プロセスにする。
【解決手段】実装基板１３と、チップ基板１７及びチップ基板の表面１７ａに作り込まれている回路パターン１９を含む半導体チップ１５と、チップ基板の表面と対向する裏面１７ｂ、及び周側面１７ｃの裏面側一部を一体的に被覆する金属膜２１と、この金属膜を全体的に被覆し、半導体チップをチップ基板の裏面側から実装基板の表面に接着する半田層２３とを具える。 （もっと読む）

【課題】大電流化に際しても、低抵抗を維持し、放熱性が高く、信頼性の高いウェハレベルチップサイズパッケージの半導体装置を提供する。
【解決手段】ウェハレベルチップサイズパッケージの半導体装置において、半導体装置の主面である第１の面１ａに対向する第２の面１ｂに、電気伝導度および熱伝導度の高い、少なくとも金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等を含む金属層で構成された裏面電極４が形成されており、裏面電極は、外表面に凹凸４ａ４ｂを具備している。 （もっと読む）

【課題】電源投入時の周波数変動を防止する表面実装発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】底壁１ａの両主面に枠壁１（ｂｃ）を積層して両主面に凹部を有する容器本体１と、前記容器本体１の一方の凹部内底面に設けられた一対の水晶保持端子５（ａｂ）に引出電極１０（ａｂ）の延出した一端部両側が固着された水晶片２と、前記一方の凹部の開口端面に接合して前記水晶片２を密閉封入する金属カバー４と、前記容器本体１の他方の凹部内底面に設けられた回路端子７にＩＣ端子が電気的・機械的に接続したＩＣチップ３とを備えた表面実装用の水晶発振器において、前記水晶保持端子５（ａｂ）は前記容器本体１の内底面に延出した放熱用電極１４を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物の半導体層の少なくとも一方の表面に半導体層との接着性が向上した積層電極を提供すること。
【解決手段】 積層電極形成方法は、第１工程と第２工程と第３工程を備えている。第１工程では、半導体層８０の裏面８２に、Ｍｇ又はＣｒの第１金属膜３８を形成する。第２工程では、その第１金属膜３８上に、Ａｌの第２金属膜３６を形成する。第３工程では、その第２金属膜３６上に、Ｃｕの第３金属膜３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作中にジャンクション温度が上昇しにくい半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１２と、半導体チップ１２が接合されたベース部材１１と、半導体チップ１２とベース部材との間に形成された金属多層膜１３とを備えている。金属多層膜１３は、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する材料からなる。 （もっと読む）

【課題】他部材の接続の強度が低下したり剥離したりしにくいため半導体装置に高い信頼性を付与できるヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダを用いた半導体装置と、前記ヒートスプレッダを効率的に、しかも再現性よく製造する製造方法とを提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ４は、Ｃｕを含む材料からなる基体１の接続面２に、基体１との界面から厚み方向に２μｍ以下の範囲にＣｕの含有量が１質量％以上である高Ｃｕ領域５を有し、最表面６におけるＣｕの含有量Ｒ_Sが０．５質量％未満で、密着強度が９０Ｎ／ｍｍ²以上であるＮｉめっき層３を形成した。半導体装置は、前記ヒートスプレッダによって、半導体素子の動作時に発生する熱を素子外に除去させる。製造方法は、基体の接続面に第１めっき層を形成して６００℃を超える温度で熱処理後、第２めっき層を積層して６００℃以下で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】樹脂積層体よりなる回路基板、およびかかる回路基板上に半導体チップを実装した半導体装置において、回路基板の力学的強度を補強し、かつ回路基板を介した放熱特性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】回路基板は、各々配線パターン４３を担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグ４３を有する複数のビルドアップ樹脂層４１Ａ〜４１Ｅの積層よりなる樹脂積層体４１を備え、さらに前記樹脂積層体の上面および下面には、前記ビルドアップ層の弾性率よりも大きな弾性率を有する第１および第２のセラミック層４７、４８が、それぞれ形成されており、少なくとも前記第１および第２のセラミック層の一方は、凹凸断面を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜と蒸着膜との間の密着性に優れためっき／蒸着複合膜及びその製造方法、並びにパワー半導体モジュール装置を提供すること。
【解決手段】めっき／蒸着複合膜１は、めっき膜１１上に蒸着膜１２を形成してなる。めっき膜１１の定常領域における最も組成比が高い第１成分元素の組成比をＡ₁（ａｔ％）、２番目に組成比が高い第２成分元素の組成比をＡ₂（ａｔ％）とした場合、めっき膜１１の成分元素と蒸着膜１２の成分元素とが混在する拡散領域における組成比の変化をめっき／蒸着複合膜１の積層方向に見た場合に、めっき膜１１の第１成分元素の組成比が０．１Ａ₁（ａｔ％）となる位置とめっき膜１１の第２成分元素の組成比が０．１Ａ₂（ａｔ％）となる位置との間の距離である拡散差距離は、５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

発光ダイオードを製造するシステムおよび方法は、多層エピタキシャル構造体をキャリア基板上に形成するステップと、少なくとも１層の金属層をその多層エピタキシャル構造体上に堆積するステップと、そのキャリア基板を除去するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに放熱性に優れ、ハンダ付けが可能であるヒートシンクに好適に適用可能な表面処理Ａｌ板、およびその表面処理Ａｌ板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層とＳｎ層をめっきにより形成させ、前記Ｚｎ層が前記Ｎｉめっき後の状態で５〜５００ｍｇ／ｍ^２の皮膜量、前記Ｎｉ層が０．２〜５０ｇ／ｍ^２の皮膜量、前記Ｓｎ層が０．２〜２０ｇ／ｍ^２の皮膜量となるようにする。 （もっと読む）