【課題】本発明の目的は、ゲートの動きをより精細に検出できる変形可能なゲートをもつＭＯＳトランジスタを提供することである。
【解決手段】半導体基板に形成された変形可能なゲートをもつＭＯＳトランジスタは、ソースからドレインへの第一の方向及びその第一の方向に対して垂直な第二の方向へ向かって伸びるチャネルエリアにより分けられたソース及びドレインエリアと、チャネルエリアの両側の基板の上に設けられたベアリングポイントの間で第二の方向へ向かって伸びるチャネルエリアの少なくとも上部に設けられた導電ゲートの梁とを含み、そのチャネルエリアでは、チャネルエリアの表面がくぼんでおり、前記梁がチャネルエリアに対して最大のたわみを有するとき、ゲートの梁の形と同様の形をチャネルエリアの表面が有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜を堆積してもシート抵抗が上昇しない配線構造を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第一の高融点金属膜５を形成する工程と、前記第一の高融点金属膜上に高融点金属窒化物の反応物７を持つ第二の高融点金属膜６Ａを形成する工程と、前記第二の高融点金属膜上にシリコン窒化膜８を形成する工程とからなる。これにより、シリコン窒化膜の膜質を変化させることなく、また成膜時のパーティクルの発生を従来方法と同等としたまま、シリコン窒化膜下の高融点金属のシート抵抗の上昇を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

高誘電率ゲート誘電体を有するＮＭＯＳ及びＰＭＯＳトランジスタを含む相補型金属酸化物半導体集積回路が半導体基板上に形成される。ゲート誘電体上に金属障壁層が形成される。金属障壁層上に仕事関数設定金属層が形成され、仕事関数設定金属層上にキャップ金属層が形成される。
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プラズマによりパターン形成された窒化層を形成するために窒化層をエッチングすることからなる半導体構造体を製造する方法。窒化層は半導体の基板上にあり、フォトレジスト層は窒化層上にあり、プラズマは、少なくとも圧力１０ミリトルでＣＦ₄及びＣＨＦ₃のガス混合物から形成される。 （もっと読む）

ゲート電極の層を堆積させる方法が提供される。その方法には、ドープされた多結晶シリコン層と、タングステンシリサイド薄層と、金属層とを堆積させるステップが含まれる。一態様においては、ドープされた多結晶シリコン層とタングステンシリサイド薄層は集積処理システム内に堆積される。他の態様においては、タングステンシリサイド層を堆積させるステップには、多結晶シリコン層をシリコン源に曝す工程と、タングステンシリサイド層を堆積させる工程と、タングステンシリサイド層をシリコン源に曝す工程とが含まれる （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを含む集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイス（１００）を製造する方法は、とりわけ、基板（１１０）上にゲート構造（１２０）を形成するステップオ、及びゲート構造（１２０）の近くの基板（１１０）にソース／ドレイン領域（１９０）を形成するステップを含む。本方法は、更に、ゲート構造（１２０）及び基板（１１０）をドライエッチングするステップ、及びゲート構造（１２０）及び基板（１１０）をドライエッチングするステップに続いて、ソース／ドレイン領域にフッ素を配置して、フッ化したソース／ドレインを形成するステップを含む。その後、本方法は、ゲート構造（１２０）とフッ化したソース／ドレインに金属スイサイド領域（５１０,５２０）を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明はゲート構造物として高誘電率を有する物質として、高誘電率を有する物質からなるゲート絶縁膜を含む半導体装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】 半導体装置及びその製造方法において、基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第１ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物及び前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、ｎ型不純物がドーピングされたソース／ドレイン領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）