【課題】III族窒化物半導体からなるトランジスタにおける相互コンダクタンスを向上しながら、ソース抵抗を小さくできるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ＡｌＧａＮからなる障壁層１０４と、該障壁層１０４の上に形成され、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの超格子層１０５を含み且つ障壁層１０４を露出するゲートリセス１０８を有するキャップ層１０７と、該キャップ層１０７の上にゲートリセス１０８を挟んで対向するように形成されたソース電極１１０及びドレイン電極１１１とを有している。少なくとも障壁層１０４におけるゲートリセス１０８からの露出部分の上には絶縁膜１０９が形成され、ゲートリセス１０８の底面上には、絶縁膜１０９を介在させてゲート電極１１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細化・高速化可能な半導体装置に必要なＮｉシリサイド層を形成する際に、低抵抗層であるＮｉＳｉ層を安定して形成すると共にシリコン−シリサイド界面抵抗を低減する。
【解決手段】シリコン基板１００上にゲート電極１０３を形成した後、シリコン基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層１０９を形成する。その後、不純物拡散層１０９上にＨｆ膜１１０を形成した後、熱処理を行って、不純物拡散層１０９上にＨｆシリサイド層１１１を形成する。その後、Ｈｆシリサイド層１１１上にＮｉシリサイド層１１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を実現可能な構造を有する、窒化物半導体を用いたエンハンスメント（ノーマリーオフ）型電界効果トランジスタ、とその製造方法の提供。
【解決手段】ＡｌＧａＮ電子供給層１０４上に、それと同じか、より大きなＡｌ組成のＡｌＧａＮからなり、ｎ型不純物が２×１０¹⁹ｃｍ^-3以上ドーピングされ、厚さが２〜１０ｎｍ範囲のコンタクト層１０５を設け、ソース電極１０６とドレイン電極１０７の間の一部でコンタクト層１０５をエッチング除去して形成する第１のリセス１１０と、第１のリセス内の一部で電子供給層１０４を薄くして形成する第２のリセス１１２とを有し、第２のリセス内をゲート絶縁膜１１３とＴ型ゲート電極１０８で隙間なく埋め込み、Ｔ型ゲート電極１０８の傘の下の絶縁膜１０９による段差を利用して自己整合的にＴ型ゲート電極１０８に隣接してコンタクト層１０５上にオーミック補助電極１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 逆行性炭素プロファイルを有する低欠陥Ｓｉ：Ｃ層を有する半導体構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 炭素置換型単結晶シリコン層の形成は、特に高炭素濃度において多くの欠陥を生じやすい。本発明は、シリコン内の高炭素濃度に対しても低欠陥の炭素置換型単結晶シリコン層を与えるための構造体及び方法を提供する。本発明によれば、炭素注入の積極的逆行性プロファイルが、固相エピタキシ後に得られる炭素置換型単結晶シリコン層内の欠陥密度を減少させる。これは、圧縮応力及び低欠陥密度を有する半導体構造体の形成を可能にする。半導体トランジスタに適用されるとき、本発明は、チャネル内に存在する引張応力により向上した電子移動度を有するＮ型電界効果トランジスタを可能にする。 （もっと読む）

【課題】チャネルを構成する半導体材料にＧｅ又はＳｉＧｅを用いて高速動作を実現するとともに、低温且つ簡易な製造プロセスにより、所望の閾値制御及び高い実効移動度特性を達成することを可能とするＣＭＯＳＦＥＴを実現する。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０では、ゲート電極１３がＮｉＳｉで構成されたシリサイド層で形成されている。ゲート電極１３の両側におけるＧｅ基板２の表層には、ＮｉＧｅで構成されたGermanide層であるＮｉＧｅ層１５が形成されている。ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極の接触抵抗、電極自身の抵抗の低減によって高性能化した電界効果トランジスタを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２００に形成されたチャネル領域１０６と、ゲート絶縁膜１０１を介して形成されたゲート電極と、チャネル領域１０６の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極を具備するｎ型電界効果トランジスタを含み、ソース電極およびドレイン電極が第１の金属のシリサイド１１０ａで形成され、半導体基板２００と第１の金属のシリサイド１１０ａとの界面に、第２の金属１２０ａを含有する界面層が形成され、第２の金属１２０ａの仕事関数が第１の金属のシリサイド１１０ａの仕事関数よりも小さく、かつ、第２の金属１２０ａのシリサイドの仕事関数が第１の金属のシリサイド１１０ａの仕事関数よりも小さいことを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御が可能なエンハンスメント形の動作を得ることである。
【解決手段】 結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、窒化珪素膜と高誘電体膜の多層構造を有する窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、電流コラプスを低減し、ゲートリーク電流を低減させゲート耐圧を向上させるとともに、暗電流を低減させることである。
【解決手段】 窒化物半導体により構成される電界効果トランジスタであって、ソースとドレインの間の半導体表面上に半導体側から窒化珪素膜、酸化珪素膜又は酸化アルミニウム膜、及び高誘電体膜の多層構造を有する電界効果トランジスタによって解決される。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素(000-1)面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に、少なくとも酸素と水分を含むガス中で熱酸化し前記炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に接するように絶縁膜18を形成する工程と、絶縁膜18の一部を除去し開口部を形成する工程と、開口部の少なくとも一部にコンタクトメタル20を堆積する工程と、熱処理によりコンタクトメタル20と炭化ケイ素の反応層21を形成する工程とを有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記熱処理を不活性ガスと水素の混合ガス中にて実施することを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】二重金属ゲートを含む半導体構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのｎ型電界効果トランジスタ（ｎＦＥＴ）および少なくとも１つのｐ型電界効果トランジスタ（ｐＦＥＴ）を含み、その両方がそれぞれｎＦＥＴの性質およびｐＦＥＴの性質を有する金属ゲートを含み、上部多結晶シリコンゲート電極を含まない半導体構造を提供する。本発明は、このような半導体構造を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】相補型電界効果トランジスタの高速化を図る。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０とｐＭＯＳＦＥＴ２０が共にＧｅチャネルを有しており、それらのソース・ドレイン領域がＮｉＧｅ層１５，２５によって形成されている。ｎＭＯＳＦＥＴ１０のソース・ドレイン接合が形成するショットキー障壁は、Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ等の原子をＮｉＧｅ層１５の形成時に偏析させた高濃度で極薄の偏析層１６によって変調する。これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ１０、ｐＭＯＳＦＥＴ２０それぞれに適したショットキー障壁高さを実現することが可能になり、高速のＣＭＯＳＦＥＴ１が得られる。 （もっと読む）

【課題】 シリサイド膜の底面とｐｎ接合界面との間の距離を広く保つことが可能であり、しかも制御性よく半導体装置を製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体領域８１上に形成された第２導電型の半導体領域８７上に第１のシリサイド膜８９を形成する工程と、第１のシリサイド膜上に（Ｓｉ−Ｈ）基を含むシリコン化合物膜９０を塗布によって形成する工程と、熱処理により第１のシリサイド膜に含まれる金属とシリコン化合物膜に含まれるシリコンとを反応させて第２のシリサイド膜９１を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｄ拡散層抵抗の低減とゲート寄生容量の低減とを同時に実現することのできるＭＩＳ型トランジスタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】ＭＩＳ型トランジスタは、半導体基板と、この基板上に形成されたソース・ドレイン領域と、このソース・ドレイン領域間のチャネル領域の上方に設けられたゲート電極と、を備える。このＭＩＳ型トランジスタにおいて、前記チャネル形成面を挟んで設けられた前記ソース・ドレイン領域の上面が、前記チャネル形成面よりも嵩上げされてゲート電極側に位置し、かつ、前記ソース・ドレイン領域の上面は、嵩上げされて前記ゲート電極側に位置するレベルの実質的な平坦面と、この平坦面のレベルから前記チャネル形成面のレベルまで傾斜する傾斜面と、を備えると共に、前記チャネル形成面の上側に設けられたゲート絶縁膜により囲まれるゲート電極の形状が、段部を介して下側が先細りとなった断面Ｔ字の形状となっている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素層を有する半導体素子において、量産性に優れた実用的なプロセスを用いてチャネル移動度を向上させる
【解決手段】
（Ａ）炭化珪素層３の上に酸化物層１１を形成する工程と、（Ｂ）酸化物層１１に対して窒素処理を行うことにより酸化物層１１に窒素を含有させて窒素含有酸化物層１２を形成する工程とを包含し、窒素処理は、窒素酸化物ガスおよびアンモニアガスの少なくとも一方を含むガスをアルゴンより分子量の小さい不活性ガスで希釈した窒素含有ガスに１１００℃以上１３００℃以下の温度で酸化物層１１の表面を曝露する工程を含む。 （もっと読む）

半導体装置（１００）を形成する方法は、第一領域（１０４）を備える半導体基板と、第一領域上にゲート誘電体（１０８）を形成するステップと、ゲート誘電体上に導電性金属酸化物（１１０）を形成するステップと、導電性金属酸化物上に耐酸化バリア層（１１１）を形成するステップと、耐酸化バリア層上にキャッピング層（１１６）を形成するステップとを含む。一実施形態において、導電性金属酸化物はＩｒＯ_２，ＭｏＯ_２及びＲｕＯ_２であり、耐酸化バリア層はＴｉＮを含む。
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【課題】ＳｉＣの高耐圧半導体装置において、超低オン抵抗の優れた性能を得るとともに、ゲート絶縁膜の長期信頼性も大幅に向上させる。
【解決手段】半導体装置は、炭化珪素基板と、その第１の主面に設けられた第１導電型の炭化珪素層と、炭化珪素層の表面に設けられた第２導電型の第１の炭化珪素領域と、第１の炭化珪素領域内の表面に設けられ、窒素が添加された第１のサブ領域と、これと接するように前記表面に設けられ、燐が添加された第２のサブ領域とを含む第２の炭化珪素領域と、前記第１の主面において炭化珪素層、第１の炭化珪素領域、及び第２の炭化珪素領域の第１のサブ領域に跨るように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、第２の炭化珪素領域の第２のサブ領域と第１の炭化珪素領域上に形成された第１の電極と、炭化珪素基板の第２の主面に形成された第２の電極とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極上に形成するコンタクトホールの底面の金属膜の表面が酸化されるのを抑制する。
【解決手段】 基板上コンタクトホール１９ａ、１９ｂと、底面に金属膜７ａを露出させたゲート電極上コンタクトホール１９ｃとを形成した後、基板上コンタクトホール１９ａ、１９ｂの底面に露出したシリコン基板１にそれぞれ不純物を注入してＮ型イオン注入層２１、Ｐ型イオン注入層２３を形成する。その後、基板上コンタクトホール１９ａ、１９ｂおよびゲート電極上コンタクトホール１９ｃが埋め込まれない膜厚で、これらのコンタクトホールの内面に金属酸化防止膜２４を形成する。そして、熱処理により不純物を活性化させた後に、それぞれのコンタクトホールの底面の金属酸化防止膜２４を除去する。
このように形成することにより、上記熱処理において金属膜７ａの表面が酸化されるのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレインの界面形状とショットキー障壁高さ、電極比抵抗を同時に制御可能なショットキートランジスタを提供する。
【解決手段】 チャネル領域を構成する半導体領域１１２と、半導体領域１１２上にゲート絶縁膜１１３を介して形成されたゲート電極１１４と、ゲート電極１１４に対応して半導体領域１１２の両側に形成されたソース・ドレイン電極とを備えたＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、ソース・ドレイン電極は、半導体領域１１２を挟んで形成され、且つキャリアがトンネル可能な厚さに形成されたトンネル絶縁膜１１６と、トンネル絶縁膜に接して形成された第１の金属層１１７と、第１の金属層１１７に接して形成され、第１の金属層１１７よりも小さい比抵抗を持つ第２の金属層１１８と、をチャネル長方向に積層してなる。 （もっと読む）

ニッケル基ゲルマニドコンタクトが、コンタクトを形成するための加工中並びにゲルマニド化後のプロセス（post-germanidation processes）中に、ニッケル基ゲルマニドの凝集を妨げる加工助剤を含有する。この加工助剤は、ニッケル層を覆うキャップ層の形をとる、或いは、ニッケル基コンタクトを形成するために使用されるニッケル層内に組み入れられる。凝集を減少させることにより、コンタクトの電気特性を向上させる。
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