【課題】基板上の表面角の異なる領域を選択的に局所加熱することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と前記第１の領域と面方位が異なる第２の領域が形成された基板６の前記第２の領域へ偏光した光を入射する照射部１〜５と、前記第２の領域からの前記偏光した光の反射光が入射される回転検光子８と、回転検光子８を介して前記反射光を受光し、前記反射光の強度を検出する光検出器９と、回転検光子８の回転角度及び前記検出された強度に基づいて前記第２の領域の屈折率を算出する解析部１０と、基板６へレーザを照射するレーザ照射部１２、１３と、前記屈折率に基づいて前記第２の領域のブリュースター角を求め、前記第２の領域の表面に前記ブリュースター角で前記レーザが入射するようにレーザ照射部１２、１３を制御するコントローラ１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶化に続いて、所定の位置に残すことができ、その後の処理工程を妨げない手段によって種結晶を横成長させる方法並びに該方法を用いた構造体を提供する。
【解決手段】第１の半導体結晶をエッチングして種結晶領域を形成し、その上に、種結晶領域を露出させる開口部が設けられた絶縁体層、および第２の半導体膜を形成してレーザアニールし、種結晶から横成長を行う。その後、種結晶領域の上の第２の半導体膜を除去し、残っている第２の半導体膜中のトランジスタ活性領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ条件の変動あるいは装置異常による不良が連続して発生するのを防いで、レーザアニール工程での不良を防止し、高歩留まりに表示装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】局所的なレーザアニールにより帯状結晶シリコン領域を形成しつつ、並行してレーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価する。評価結果が基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化するように制御装置に通信を送って、レーザ条件を適正化した後、次の領域をアニールする。あるいは、必要に応じて装置を緊急停止する。アニールと検査を継続して基板内の所望の領域のアニールが完了すると、基板を搬出する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時間を十分に長くして、大粒径の結晶を得ることができる半導体膜の結晶化方法、及び結晶化装置を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器から発振されたパルスレーザ光を、分割し、互いに光路長の異なる光路を進んだ後に合成する工程、合成されたパルスレーザ光を位相変調素子により所定の光強度分布を有するパルスレーザ光に変調する工程、及び前記所定の光強度分布を有するレーザ光を非単結晶膜に照射し、非単結晶を結晶化する工程を具備し、前記パルスレーザ光を分割し、合成する工程は、順番に配列された３つ以上の光学的分割・合成手段において、１つの光学的分割・合成手段により分割された一方のパルスレーザ光を、次の分割・合成手段により順次分割するとともに、１つの光学的分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光を前の分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光と合成することを特徴とする結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】 例えば結晶化装置に適用されて、結晶核の位置を制御することができ、ひいては結晶の形成領域を二次元的にほぼ制御することのできる位相シフトマスク。
【解決手段】 ほぼ直線状の境界線（１０ａ）の両側に形成されて第１の位相差を有する第１領域（１１）および第２領域（１２）と、境界線に沿って第１領域および第２領域のうちの少なくとも一方の領域に形成された所定形状の微小領域（１３）とを備え、微小領域が形成された第１領域または第２領域と微小領域との間に第２の位相差が付与されている。 （もっと読む）

【課題】表示領域の外側に駆動回路をＴＦＴによって形成する表示装置において、駆動回路を高性能にかつ歩留り良く形成する。
【解決手段】駆動部ＤＲＶにおいては、ＴＦＴ基板１０１上に熱放散のための金属下地膜１１３を形成しておく。その後窒化シリコン膜１０２および酸化シリコン膜１０３等のアンダーコートをし、ａ−Ｓｉ膜をＣＶＤ法によって形成し、該ａ−Ｓｉ膜をレーザーアニールによってポリシリコン膜に変換する。さらに、その後条件の異なるレーザーアニールによってＳＥＬＡＸ（Selectively Enlarging Laser Crystallization）膜１１１に変換する。アンダーコート膜の下に金属下地膜１１３が形成されているために、レーザーアニールの際、アンダーコート膜が過度に熱せられて発生するガスに起因するＳＥＬＡＸ膜１１１の欠陥を防止することが出来る。これによって、高性能な駆動回路を歩留まりよく形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶化を行なった時点において好適なレーザ照射条件を満たしているかどうかを確認できる結晶成長装置およびレーザ照射モニター方法を提供する。
【解決手段】第１レーザ発振器１０１は、メインレーザであって、出射されるレーザ光が半導体薄膜１１４に吸収されて半導体薄膜１１４を溶融させる。第２レーザ発振器１０６は、アシストレーザであって、出射されるレーザ光が絶縁体の基板１１３、下地の絶縁膜、または溶融した半導体薄膜１１４に吸収されて、これらを過熱する。光ビームが照射される半導体薄膜１１４上における光ビームの形状は、一例として概ね矩形状となる。コントローラ１１５は、第１レーザ発振器１０１および第２レーザ発振器１０６だけでなく、ステージ１１２の駆動をも制御する。 （もっと読む）

【課題】巨大結晶を安定して作製する、レーザ照射装置、レーザ照射方法を提供する。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置３０は、第1レーザ照射手段１０と、第２レーザ照射手段２０と、被照射物８０に対して、第1照射領域２および第２照射領域２２からなる一組の照射領域を相対的に移動させる移動手段１８とを備え、第２照射領域２は、第１照射領域２と重複する部分を含む重複部２２ｂと、一組の照射領域の相対移動方向における重複部２２ｂよりも先頭側において、第１照射領域２と重複しない未重複部２２ａとを有している。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に光吸収層１０２を形成する工程と、光吸収層を所定の形状にパターニングする工程と、パターニングされた光吸収層を絶縁膜１０３で覆う工程と、絶縁膜上に半導体薄膜１０４を形成する工程と、パルス発振されたレーザ光を照射し半導体薄膜を結晶化するレーザアニール工程とを行う。絶縁膜１０３の厚さを１５０ｎｍ以下とすることにより、レーザアニール工程において、光吸収層１０２のパターンより内側に位置する半導体薄膜１０４の内部領域１０６においては、光吸収層からの熱伝導により半導体薄膜が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域が融解した後、外部領域１０７との境界から内側に向かってラテラル成長が進行し、多結晶粒Ｌが生成する冷却過程が行われる。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現する薄膜トランジスタの誤動作を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、前面（１１２ａ）および背面（１１２ｂ）を有する透明基板（１１２）と、透明基板（１１２）の前面（１１２ａ）に支持された第１半導体層（１２０）と、第１半導体層（１２０）上に選択的に設けられた絶縁層（１１４）と、薄膜トランジスタ（１４０）の活性層（１３２）であって、絶縁層（１１４）を介して第１半導体層（１２０）と対向する活性層（１３２）を含む第２半導体層（１３０）とを備える。第１半導体層（１２０）は、ゲッタリング元素と、第２半導体層の結晶化を促進した触媒元素とを含有しており、透明基板（１１２）の背面（１１２ｂ）の法線方向からみたときに活性層（１３２）は第１半導体層（１２０）と重なる。 （もっと読む）

【課題】 固相成長に伴う欠陥領域の発生を制御することができ、回路を配置できない領域を最小限にとどめ、ＳＯＩ結晶層を有効に活用することで製造コストの低減をはかる。
【解決手段】 半導体記憶装置の製造方法であって、シリコン基板上に形成された絶縁膜の複数箇所に開口部を設けた後、開口部が設けられた絶縁膜上及び該開口部内にアモルファスシリコン膜を形成し、次いで隣接する開口部間の中央付近でアモルファスシリコン膜を一方の開口部側と他方の開口部側とに分離する溝を形成し、次いで溝が形成されたアモルファスシリコン膜をアニールし、開口部をシードとして単結晶を固相成長させることによりシリコン単結晶層を形成し、次いでシリコン単結晶層上にメモリセルアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】大粒径に結晶化を可能にする光吸収性キャップ膜の形成方法、半導体膜の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１態様による光吸収性キャップ膜の形成方法は、レーザー結晶化のための蓄熱効果を有する酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜からなる光吸収性キャップ膜の形成方法であって、二酸化シリコンターゲットを用い、酸素分圧雰囲気中で反応性スパッタリングを行って半導体膜の上方に前記酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、高エネルギー密度の出力が得られる可視光源を提供する。
【解決手段】可視光照射系は、２次元アレイ配列した複数の可視光レーザー光源によって形成する。可視光照射系は、各可視光レーザー光源から発せられた複数の可視光レーザー光の光強度分布をパターンニングする光強度分布形成手段と、この光強度分布形成手段でパターンニングした光強度分布の光を被処理基板上の照射域に結像する結像光学系とを備える。被処理基板と光軸上の結像位置関係にあたる光強度分布形成手段に対して、複数の固体レーザー又は半導体レーザーが発する各可視レーザー光を重畳させる。エキシマレーザー光と可視光レーザー光との重畳において、複数の可視光のレーザー光源から発せられた複数の可視光レーザー光を重畳し、この重畳により形成される可視光レーザー光の光強度分布によって結晶成長を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板として安価な汎用ガラスを用いることを可能とする低温処理プロセスを確立する半導体膜の結晶化方法および半導体膜を有する基板を提供する。
【解決手段】基板上の半導体膜にレーザー光を照射して半導体膜を結晶化する半導体膜の結晶化方法において、前記半導体膜は、化学気相成長法により前記基板上に５００℃以下の温度で成膜され、かつ、５原子％以下の水素を含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうるＳＯＩ層を備えたＳＯＩ基板を提供する。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板などのベース基板に、単結晶半導体基板を接合するため、接合層に、例えば有機シランを原材料としてＣＶＤ法で成膜した酸化シリコン膜を用いる。ガラス基板等の耐熱温度が７００℃以下の基板でであっても接合部の結合力が強固なＳＯＩ基板を形成することができる。また、単結晶半導体基板から分離された半導体層にレーザ光を照射して、その表面を平坦化し、かつ、その結晶性を回復する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の選択された領域に所望の結晶粒径の結晶化を実現すること。
【解決手段】レーザ光源からのレーザ光のパワーを調整するアッテネータと、レーザ光の位相を交互にずらしたマスクパターンが設けられ位相シフト部において光強度が極小となる逆ピークパターンの分布のレーザ光に変調する位相シフトマスクと、この位相シフトマスクを通して前記逆ピークパターンの分布に変調されたレーザ光を基板上の半導体層に照射する結像光学系とを設け、基板を移動ステージにより３次元方向に移動して結晶領域に位置付けし、基板面におけるレーザ光の光強度と逆ピークパターンの分布をビームプロファイル測定手段により測定しながら、測定結果と設定した目標が一致するようにアッテネータを調節する。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴのチャネル領域に結晶粒界が入らないように、十分に大きい放射角での結晶成長を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 本発明の結晶化装置は、光変調素子（１）を介した光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系（３）と、所定面に非単結晶半導体膜（４）を保持するステージ（５）とを備え、所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する。非単結晶半導体膜の溶融温度に対応する光強度の等強度線の少なくとも一部の曲率半径が０．３μｍ以下であるような光強度分布を非単結晶半導体膜上に形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの移動度の低下を防ぎ、かつＴＦＴ特性のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体薄膜（６０８）を有する基板（５２０）に形成された２辺の長さがＡおよびＢの矩形のチャネル領域を有する薄膜トランジスタであって、半導体薄膜は結晶粒幅がＷｇ結晶粒長がＬｇの複数の針状の結晶粒（３０４）を有し、前記チャネル長の方向が前記結晶粒長の方向と角度θだけ傾いており、２辺の長さＡおよびＢが、Ｂ＋Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇ／ｃｏｓθ かつ Ａ＜Ｌｇ・ｃｏｓθを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。また、半導体薄膜は結晶粒界（３０７）が結晶成長開始点から三角形状に形成された複数の三角形状の結晶粒を有し、三角形状の相対する結晶粒界は角度２θで広がって伸びており、結晶成長終了点での三角形状の底辺部分の幅がＷｇである場合、Ｂ＋２Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法及び装置において、紫外光レーザ照射及び可視光レーザ照射の欠点を相補的に補い合い、従来より低い温度でシリコン結晶を成長させる。
【解決手段】 非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法であって、前記レーザ光は、紫外領域の波長を有する第１パルスレーザと、可視領域の波長を有する第２パルスレーザとからなり、前記第１パルスレーザ及び前記第２パルスレーザを、異なるタイミングで照射することを特徴とするシリコン結晶成長方法。 （もっと読む）