【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の電流移動度を低下させることなく、且つスイッチング素子の設計効率性を改善することができるアレイ基板とその製造方法及びシリコン結晶化方法、並びにこれらに用いるポリシリコン層を提供する。
【解決手段】アレイ基板とその製造方法及びシリコン結晶化方法において、アレイ基板はベース基板、スイッチング素子及び画素電極を有する。スイッチング素子は、ベース基板上に具備され、多結晶シリコンパターンを含む。多結晶シリコンパターンは、互いに異なる方向に延長されたグレインが形成された一つ以上のブロックからなる。画素電極は、スイッチング素子に電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】 結晶性をより向上させることのできる結晶質半導体材料の製造方法およびそれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて非晶質膜１４に対して一様に１５０回のパルス（エネルギービームＥ₁）照射を行う。このときの温度は、非晶質膜１４において、基板１１の垂直方向に対して｛１００｝面方位を有するシリコンの結晶粒が部分的に溶融すると共に、シリコンの非晶質または｛１００｝以外の面方位を有する結晶粒が溶融するものである。シリコン酸化膜１３と液相シリコンの間で｛１００｝面方位を有する結晶が新たに発生し、この発生したシリコンの結晶が確率的に結合し｛１００｝面方位を有する結晶粒が新たに形成されることが繰り返される。基板１１の垂直方向に対して｛１００｝面方位に優先配向され、シャープな粒界を有する正方形状の結晶質膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル層を改善することで、しきい値電圧等の特性変動が少なく、電気特性のバラツキが少なく、十分な耐圧を有することを可能とする。
【解決手段】逆スタガー型の薄膜トランジスタの製造方法において、薄膜トランジスタのチャネル層１８は、ゲート絶縁膜１３上に非晶質シリコン膜１４、バッファー膜３１、光−熱変換膜３２の順に成膜する工程３、光−熱変換膜３２に半導体レーザ光１６を照射して非晶質シリコン膜１４を微結晶シリコン膜１５に結晶化する工程４と、光−熱変換膜３２とバッファー膜３１とを除去する工程５と、微結晶シリコン膜１５上に非晶質シリコン膜１７を成膜する工程６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板面内の結晶粒の位置や結晶粒径を容易に制御することができる半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体薄膜の製造方法において、第１の透明基板２上に第１の下地層３１を形成する工程と、第１の下地層３１の表面に凸部３３及び凹部３４を形成する工程と、第１の下地層３１に対して熱伝導率が異なり、凸部３３及び凹部３４を覆い、表面が平坦な第２の下地層３２を第１の下地層３１の表面上に形成する工程と、第２の下地層３２の表面上に半導体薄膜を形成する工程と、半導体薄膜にエネルギビームを照射し、凸部３３又は凹部３４に対応する第１の下地層３１及びの第２の下地層３２の一部を結晶生成核３５として、半導体薄膜（５１０）を結晶化する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルが付着しにくく、且つパーティクルが付着した場合にも、その影響を軽微なものに止めることが可能なレーザアニール用の位相シフタを提供する。
【解決手段】 第一の投光体１と第三の投光体３は、石英ガラスで作られ、各層１、３の表面には、微細な溝５、６により二次元のパターンが形成されている。第一の投光体１と第三の投光体３は、溝５、６が形成された面を互いに対向させた状態で、第二の投光体２を間に挟んで配置されている。第一の投光体１と第三の投光体３は、それらの周縁部において封止材４で互いに張り合わされている。第二の投光体２は、例えば、第一の投光体１と第三の投光体３の間に封入された不活性ガスによって構成される。 （もっと読む）

【課題】大粒径の略単結晶粒に半導体装置のチャネル形成領域がアライメント精度良く形成されている半導体装置、それを用いた電気光学装置と電子デバイス、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板２０上に第一アライメント・マーク２１を形成する。結晶成長の起点となるグレイン・フィルタ２６の位置は、第一アライメント・マーク２１を基準に決定する。グレイン・フィルタ２６上に半導体膜を形成し、その後半導体膜を結晶化して略単結晶半導体膜を形成する。略単結晶半導体膜をパターニングする際には、第一アライメント・マーク２１の位置を基準とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層における金属汚染を解消する。
【解決手段】シリコン基板１２の表面に形成された酸化膜１３上にアモルファスシリコン層１４と金属層１８をこの順序で形成し、所定の温度で熱処理することによりアモルファスシリコン層１４を単結晶シリコンからなるＳＯＩ層１６に変化させ、その後金属層１８をエッチング除去してシリコン基板１２上に酸化膜１３を介してＳＯＩ層１６が形成されたＳＯＩ基板１１を得る。金属層１８をエッチング除去することにより表出したＳＯＩ層１６にゲッタリング層１９を形成してＳＯＩ層１６中における金属をゲッタリングさせる工程と、ゲッタリング層１９を除去して金属が除去されたＳＯＩ層１６を表出させる工程とを備える。金属層１８がアモルファスシリコン層１４上に蒸着させたニッケルであり、ゲッタリング層１９がＣＶＤ法により形成されたポリシリコン層であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 室温でも大粒径に結晶化でき、省電力、結晶化の位置ずれの発生を減少させた結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、被結晶化基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供すること。
【解決手段】 エキシマレーザ装置２からの波長が３００nm以上のレーザ光を、位相シフタ６で位相変調して、複数の断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のパルスレーザ光に形成して被結晶化基板８に照射して結晶化する結晶化方法であって、上記被結晶化基板８はレーザ光入射面上に上記レーザ光に対して吸収特性を有する少なくとも一層以上のＳｉとＯとの組成比が異なるシリコン酸化膜を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】８０４で示されるが共通の活性層であり、この活性層中にチャネル形成領域が形成される。８０１は共通のゲイト電極およびゲイト配線である。８０５は共通のソース電極およびソース配線である。８０６は共通のドレイン電極およびドレイン配線である。そして８０２で示されるのが、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域とのコンタクト部分である。このように薄膜トランジスタを複数並列に接続することにより、耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶半導体層の結晶品質を向上させつつ、単結晶半導体層を絶縁体上に安価に形成する。
【解決手段】 選択エピタキシャル成長を行うことにより、非晶質半導体層３と接触するように開口部５内に埋め込まれた単結晶半導体層６を形成した後、エッチングガスまたはエッチング液をシリコン酸化膜２、４に接触させることにより、シリコン酸化膜２、４をエッチング除去して、単結晶半導体基板１と非晶質半導体層３との間に空隙７を形成し、単結晶半導体層６を種として非晶質半導体層３の熱処理を行うことにより、非晶質半導体層３が単結晶化された単結晶化半導体層８を形成してから、単結晶半導体基板１と単結晶半導体層８との間の空隙７に埋め込み絶縁層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位が一定でない結晶性半導体膜表面に機械的化学的研磨を行った際、結晶性半導体膜を平坦化し、半導体装置の特性を向上させることを可能とする、半導体装置の製造方法、そしてこの製造方法により得られた集積回路、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】面方位が２以上有る結晶性半導体膜２０の表面を化学的機械的研磨により平坦化、及び薄膜化した後、平坦化結晶性半導体膜２１を用いて半導体素子を形成する半導体装置の製造方法である。化学的機械的研磨における研磨液として、水素イオン濃度がＰＨ９．０以下のアルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】多結晶化工程による特性の擾乱を防止できる周辺回路を備えた薄膜トランジスタ基板とその製造方法の提供。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法は、透明絶縁基板上に非晶質半導体膜を堆積する工程と、非晶質半導体膜を島状非晶質半導体膜にパターニングする工程であって、表示領域においては第１の方向に長い複数のストライプ領域内に第１の方向にチャネル長方向を有する複数の島状半導体膜をパターニングし、周辺回路領域においてはストライプ領域の延長を含む領域内に多数の島状半導体膜をパターニングする工程と、周辺回路領域の島状半導体膜は、第２の方向で移動度が高いように多結晶化し、表示領域の島状半導体膜は第１の方向で移動度が高いように多結晶化する工程と、多結晶化した島状半導体膜を用いてＴＦＴを形成する工程とを含み、周辺回路において、高速動作ＴＦＴのチャネルは、ストライプ領域の延長ＥＳＴ以外の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】 低温で形成する場合であっても、高い電子移動度を得ることができる半導体薄膜の形成方法並びにその半導体薄膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 基板１上に島状の半導体膜３を形成する工程と、半導体膜を分離膜４で覆い、半導体膜の側面を分離膜を介して保温膜５で囲む工程と、半導体膜に対して上面からエネルギービームを照射して半導体膜を結晶化し、動作半導体膜１１を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 チャネル幅を十分に大きくすることができ、これにより得られるトランジスタの能力向上を図った半導体装置の製造方法と、これによって得られる半導体装置とを提供する。
【解決手段】 単一の結晶粒（略単結晶粒４２）に、ソース領域１１及びドレイン領域１２と、チャネル領域１３とを有してなるトランジスタ１０が少なくとも一つ形成されてなる半導体装置である。チャネル領域１３は、略単結晶粒４２がエッチングされて、フィン形状のチャネル部１５を複数並列した状態に形成されてなる。各チャネル部１５のそれぞれの表面部にはゲート絶縁膜１６が設けられ、各チャネル部１５のそれぞれのゲート絶縁膜１６の一部を覆って、ゲート電極１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来方法に比べ格段に粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成して、性能の向上した電子回路装置を構成できる薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】異種基板０１、０９上に非晶質シリコン薄膜０４ａ、１１ａを所望の膜厚以上に形成し、連続波レーザ光０６、１３を照射し走査を行なうことによって多結晶シリコン薄膜０４ｂ、１１ｂを形成し、その後、所望の膜厚まで薄くし、多結晶シリコン薄膜０４ｂ’、１１ｂ’を形成する。 （もっと読む）

【課題】性能および信頼性が高い半導体装置、かかる半導体装置を容易に効率よく製造し得る半導体装置の製造方法、前記半導体装置を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】図２に示す薄膜トランジスタ（半導体装置）１は、第１の基板２２０上に半導体層３１４が設けられている。この半導体層３１４には、ソース領域３１６、ドレイン領域３１８およびチャネル領域３２０が一体的に形成されており、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８の厚さは、それぞれ、チャネル領域３２０の厚さより大きくなっている。また、半導体層３１４上には、ゲート絶縁膜３２６と層間絶縁膜３４２とを有し、これらの絶縁膜には、半導体層３１４のソース領域３１６およびドレイン領域３１８における最も厚さが大きい部分近傍に、孔部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】水素を含む非単結晶シリコン膜にレーザ照射をすることで多結晶シリコン膜を形成するに際し、水素の突沸に起因するアブレーションを起こさせずに、厚膜（〜数μｍ）をレーザアニールにより結晶化することのできる薄膜半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】水素を含み、且つその水素含有量が１％以下である非単結晶シリコン膜０３にレーザ光０５を照射するか、又は、水素を含む非単結晶シリコン膜０３ａに熱処理を施して水素含有量を１％以下に低減した非単結晶シリコン膜０３にレーザ光０５を照射することで多結晶シリコン膜０４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ２つの光変調素子の相対位置ずれなどに起因するモアレ現象の影響を実質的に受けることなく、所定の平面上に形成される光強度分布を１回の光照射および物性変化の評価に基づいて迅速に且つ正確に測定する。
【解決手段】 所定面（１２）に第１の光強度分布を形成するための第１光変調素子（１１）と、所定面に第２の光強度分布を形成するための第２光変調素子（１）とを有する。第１光変調素子を介した光により第２光変調素子の変調面に生成される光分布の振幅および位相がともに変調単位内で実質的に均一になるように、第１光変調素子と第２光変調素子とは所要の距離だけ間隔を隔てて配置されている。 （もっと読む）

【課題】 基板上の薄膜の材料にパルス状のレーザを露光して、材料に横方向成長部分を形成するとき、縦横両方向に成長する結晶を生じ、電気特性が異なる部分を生ずる。
【解決手段】 パルス状のレーザのパターン１１が、矩形状をなす本体部１１ａと、横方向から傾斜する傾斜長さ部１２を有する突出部１１ｂとを有し、本体部１１ａの境界１３と平行な縦方向をＹ、垂直な横方向をＸとして、先に露光するレーザのパターン１４に対する次に露光するレーザのパターン１５のスキャン移動方向の後側の本体部１１ａの境界１３が平行をなす状態でのパターン１１の移動距離が、Ｙ方向の移動距離をｐ、Ｘ方向の移動距離をｑとして、ｐ≧ａ及びｑ≦ｌを満たし、ｌが、先に露光するパターン１４による本体部１１ａの結晶部分の前記境界１３からの横方向長さであり、ａが、線１６ａ上における先に露光するパターン１４による突出部１１ｂの結晶部分の縦方向長さである。 （もっと読む）